JPH0817141B2 - セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 - Google Patents
セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物Info
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- JPH0817141B2 JPH0817141B2 JP18895888A JP18895888A JPH0817141B2 JP H0817141 B2 JPH0817141 B2 JP H0817141B2 JP 18895888 A JP18895888 A JP 18895888A JP 18895888 A JP18895888 A JP 18895888A JP H0817141 B2 JPH0817141 B2 JP H0817141B2
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- capacitor
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミックコンデンサの端子電極を形成す
るための導電性組成物であり、特にチタン酸バリウム系
積層コンデンサの端子電極付近に生じるクラックを防止
した電極組成物に関する。
るための導電性組成物であり、特にチタン酸バリウム系
積層コンデンサの端子電極付近に生じるクラックを防止
した電極組成物に関する。
従来の技術 積層コンデンサ等、チップ状セラミックコンデンサの
端子電極は、銀、パラジウム、金、白金、銅、ニッケル
又はこれらの混合物などの導電性粉末と、ガラス質フリ
ット等の無機結合剤とを有機ビヒクルに分散させたペー
スト状の組成物を、チップ素体の端子部に塗布し、焼付
けすることによって形成される。
端子電極は、銀、パラジウム、金、白金、銅、ニッケル
又はこれらの混合物などの導電性粉末と、ガラス質フリ
ット等の無機結合剤とを有機ビヒクルに分散させたペー
スト状の組成物を、チップ素体の端子部に塗布し、焼付
けすることによって形成される。
コンデンサチップの回路基板への実装は、半田付けに
よって行うのが一般的であるが、電極中の導電成分が貴
金属のような半田に溶解し易い金属である場合は、耐半
田溶解性を高めるため電極表面に半田に溶解し難いニッ
ケル、銅などの金属の薄膜を電解メッキ等の手段によっ
て形成し、次いでその上に半田付性の良い錫や錫−鉛合
金などを被覆し、その後半田付処理を行っている。
よって行うのが一般的であるが、電極中の導電成分が貴
金属のような半田に溶解し易い金属である場合は、耐半
田溶解性を高めるため電極表面に半田に溶解し難いニッ
ケル、銅などの金属の薄膜を電解メッキ等の手段によっ
て形成し、次いでその上に半田付性の良い錫や錫−鉛合
金などを被覆し、その後半田付処理を行っている。
ところが、従来この種の導電性組成物は無機結合剤に
硼珪酸鉛系や硼珪酸ビスマス系のガラス質フリットを用
いているが、この組成物から形成された導電被膜に電解
メッキ処理を施したとき、端子とコンデンサ素体間の接
合強度が劣化する問題が生じ、このため電極材料、特に
電極に使用するガラス質フリットの改良がなされてき
た。例えば特公昭60−37562号は、鉛を含有しないZnO−
B2O3−SiO2ガラスを使用したペーストで酸処理、電解メ
ッキの可能な導体膜を形成するものである。又、特公昭
62−1662号には、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を
含有する特定の組成の硼珪酸亜鉛系ガラス質フリットを
用いた導電塗料が記載されている。しかしこれらのガラ
スを使用することによって、電解メッキによる密着強度
の劣化はある程度改善されるものの、電極表面にガラス
が分布してメッキが一様に形成されず、このため半田の
付着性が不十分になる欠点がある。
硼珪酸鉛系や硼珪酸ビスマス系のガラス質フリットを用
いているが、この組成物から形成された導電被膜に電解
メッキ処理を施したとき、端子とコンデンサ素体間の接
合強度が劣化する問題が生じ、このため電極材料、特に
電極に使用するガラス質フリットの改良がなされてき
た。例えば特公昭60−37562号は、鉛を含有しないZnO−
B2O3−SiO2ガラスを使用したペーストで酸処理、電解メ
ッキの可能な導体膜を形成するものである。又、特公昭
62−1662号には、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を
含有する特定の組成の硼珪酸亜鉛系ガラス質フリットを
用いた導電塗料が記載されている。しかしこれらのガラ
スを使用することによって、電解メッキによる密着強度
の劣化はある程度改善されるものの、電極表面にガラス
が分布してメッキが一様に形成されず、このため半田の
付着性が不十分になる欠点がある。
又従来、電解メッキ処理したコンデンサを半田付する
際、半田浴の温度が高温で300℃以上にも及ぶため、半
田浴にコンデンサチップを浸漬するときに急激な温度変
化が加わることになり、このため信頼性に問題を生ず
る。例えば積層セラミックコンデンサを製造する場合、
半田付時に加わるサーマルショックによりコンデンサ素
体にしばしばクラッチが発生し、コンデンサとして使用
できなくなることがある。このクラックは、半田付時の
他、コンデンサ製造工程において大きな機械的応力が加
わったときなどにも生ずることがある。このようなクラ
ックの発生は、特に内部電極材料にパラジウム系又は銀
−パラジウム系の金属を使用し、端子電極を銀−パラジ
ウム又は銀系で形成したときに多く、又機械的強度が比
較的弱いBaTiO3系の積層コンデンサで多発しており、大
きな問題となっている。
際、半田浴の温度が高温で300℃以上にも及ぶため、半
田浴にコンデンサチップを浸漬するときに急激な温度変
化が加わることになり、このため信頼性に問題を生ず
る。例えば積層セラミックコンデンサを製造する場合、
半田付時に加わるサーマルショックによりコンデンサ素
体にしばしばクラッチが発生し、コンデンサとして使用
できなくなることがある。このクラックは、半田付時の
他、コンデンサ製造工程において大きな機械的応力が加
わったときなどにも生ずることがある。このようなクラ
ックの発生は、特に内部電極材料にパラジウム系又は銀
−パラジウム系の金属を使用し、端子電極を銀−パラジ
ウム又は銀系で形成したときに多く、又機械的強度が比
較的弱いBaTiO3系の積層コンデンサで多発しており、大
きな問題となっている。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、セラミックコンデンサ端子電極のガ
ラス結合剤の改良により、端子とコンデンサ素体との接
合性及び半田付性を改善し、更に積層コンデンサの半田
付時の熱衝撃等によるクラックの発生を防止することに
ある。
ラス結合剤の改良により、端子とコンデンサ素体との接
合性及び半田付性を改善し、更に積層コンデンサの半田
付時の熱衝撃等によるクラックの発生を防止することに
ある。
課題を解決するための手段 本発明は、貴金属粉末100重量部と、ガラスを構成す
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ の比率となるような１種又は２種以上のガラス質フリッ
ト0.2〜20重量部とを有機ビヒクルに分散させてなるセ
ラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物であり、又
第２の発明は貴金属粉末100重量部と、ガラスを構成す
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ BaO及びCaOから選ばれる少なくとも１種 ２〜28重量％ の比率となるような１種又は２種以上のガラス質フリッ
ト0.2〜20重量部とを有機ビヒクルに分散させてなるセ
ラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物である。
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ の比率となるような１種又は２種以上のガラス質フリッ
ト0.2〜20重量部とを有機ビヒクルに分散させてなるセ
ラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物であり、又
第２の発明は貴金属粉末100重量部と、ガラスを構成す
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ BaO及びCaOから選ばれる少なくとも１種 ２〜28重量％ の比率となるような１種又は２種以上のガラス質フリッ
ト0.2〜20重量部とを有機ビヒクルに分散させてなるセ
ラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物である。
作用 本発明の特定組成の硼珪酸鉛−亜鉛−アルミニウム系
ガラスを結合剤として使用した導電性組成物は、コンデ
ンサ素体に焼付けすることにより、コンデンサ素体との
接合強度が強く、電解メッキを施しても接合強度の劣化
がない端子電極が形成される。又電極表面にガラスの分
布が少なく、従ってメッキの付着性及び半田の付着性が
優れている。又積層コンデンサの実装時の半田付に際し
てのサーマルショックや、その他の機械的衝撃によるコ
ンデンサ素体へのクラックの発生が著しく減少する。
ガラスを結合剤として使用した導電性組成物は、コンデ
ンサ素体に焼付けすることにより、コンデンサ素体との
接合強度が強く、電解メッキを施しても接合強度の劣化
がない端子電極が形成される。又電極表面にガラスの分
布が少なく、従ってメッキの付着性及び半田の付着性が
優れている。又積層コンデンサの実装時の半田付に際し
てのサーマルショックや、その他の機械的衝撃によるコ
ンデンサ素体へのクラックの発生が著しく減少する。
積層コンデンサのクラックの発生機構については明確
には解っていないが、例えばパラジウム系の内部電極を
用いた積層セラミックコンデンサに、銀系の端子電極組
成物を塗布し、焼成すると、パラジウムと銀の拡散速度
の違いから、端子中の銀が、端子に直接結合している内
部電極中に拡散し、端子近くの内部電極が体積膨脹を起
こして周囲のセラミック誘電体層を圧迫する。このため
コンデンサ素体の内部電極が露出していない側面部に引
張り応力の集中が起こり、その結果セラミック誘電体層
に内部歪み、或いは極めて微細な亀裂を生じさせるもの
と考えられる。そして端子部に電解メッキを行なった
後、実装工程で高温の半田浴へ浸漬する際、急激な昇温
によってこの歪み又は微細な亀裂が拡大され、特に機械
的強度があまり強くないBaTiO3のようなセラミック誘電
体の場合、大きくクラックに至ると考えられる。
には解っていないが、例えばパラジウム系の内部電極を
用いた積層セラミックコンデンサに、銀系の端子電極組
成物を塗布し、焼成すると、パラジウムと銀の拡散速度
の違いから、端子中の銀が、端子に直接結合している内
部電極中に拡散し、端子近くの内部電極が体積膨脹を起
こして周囲のセラミック誘電体層を圧迫する。このため
コンデンサ素体の内部電極が露出していない側面部に引
張り応力の集中が起こり、その結果セラミック誘電体層
に内部歪み、或いは極めて微細な亀裂を生じさせるもの
と考えられる。そして端子部に電解メッキを行なった
後、実装工程で高温の半田浴へ浸漬する際、急激な昇温
によってこの歪み又は微細な亀裂が拡大され、特に機械
的強度があまり強くないBaTiO3のようなセラミック誘電
体の場合、大きくクラックに至ると考えられる。
本発明においてガラスを前記の組成とすると、端子電
極とコンデンサ素体との界面に強靭な結晶化ガラスの薄
い層が形成され、この層が形成されるとクラックが発生
しにくくなることが判明した。この層は分析の結果、亜
鉛系の結晶化ガラス中にZnOとTiO2を主成分とする結晶
が析出したものであるが、これは端子電極の焼成時、軟
化したガラスをフラックスとしてコンデンサ素体の一部
が分解され、端子電極のガラスの構成成分であるZnOと
反応したものではないかと推定される。この素体の分解
と反応層が生成する現象に伴って、前述の内部電極の膨
脹に起因するセラミックの内部歪み、及び半田付時の急
激な温度変化による歪みが緩和され、加えてクラック発
生箇所の機械的強度が増大するため、種々の熱衝撃や機
械的衝撃を受けてもクラックの発生が抑制されると考え
られる。
極とコンデンサ素体との界面に強靭な結晶化ガラスの薄
い層が形成され、この層が形成されるとクラックが発生
しにくくなることが判明した。この層は分析の結果、亜
鉛系の結晶化ガラス中にZnOとTiO2を主成分とする結晶
が析出したものであるが、これは端子電極の焼成時、軟
化したガラスをフラックスとしてコンデンサ素体の一部
が分解され、端子電極のガラスの構成成分であるZnOと
反応したものではないかと推定される。この素体の分解
と反応層が生成する現象に伴って、前述の内部電極の膨
脹に起因するセラミックの内部歪み、及び半田付時の急
激な温度変化による歪みが緩和され、加えてクラック発
生箇所の機械的強度が増大するため、種々の熱衝撃や機
械的衝撃を受けてもクラックの発生が抑制されると考え
られる。
更にガラス質フリットとコンデンサ素体とが反応して
接着しているため、端子とコンデンサ素体間の接合強度
も著しく改善され、電解メッキ後も強度の劣化が起こら
ないと考えられる。
接着しているため、端子とコンデンサ素体間の接合強度
も著しく改善され、電解メッキ後も強度の劣化が起こら
ないと考えられる。
第二の発明においては、第一の発明の硼珪酸鉛−亜鉛
−アルミニウムガラスにBaO及び／又はCaOを特定量添加
するが、この添加により素体との接合強度が更に大きく
なり、又膜の緻密性が改善される。焼成膜の膜密度が向
上すると、メッキ工程でメッキ液の浸入が防止され、従
ってメッキ液の滲込みに起因する絶縁抵抗の低下や、メ
ッキ後の高温加熱時閉込められた水分が膨脹、破裂する
いわゆるポップコーン現象が防止されるので、信頼性が
向上する。
−アルミニウムガラスにBaO及び／又はCaOを特定量添加
するが、この添加により素体との接合強度が更に大きく
なり、又膜の緻密性が改善される。焼成膜の膜密度が向
上すると、メッキ工程でメッキ液の浸入が防止され、従
ってメッキ液の滲込みに起因する絶縁抵抗の低下や、メ
ッキ後の高温加熱時閉込められた水分が膨脹、破裂する
いわゆるポップコーン現象が防止されるので、信頼性が
向上する。
ガラスの組成を限定した理由は次の通りである。
B2O3は10重量％未満ではガラス化が困難であり、35重
量％を越えると軟化温度が高くなり、又失透するので望
ましくない。
量％を越えると軟化温度が高くなり、又失透するので望
ましくない。
ZnOはコンデンサ成分と反応して、素体との密着強度
を改善するとともにクラックを防止すると考えられる
が、35重量％より少ないと反応層の形成が不十分で効果
がなく、又60重量％を越えるとガラス化が困難になる。
を改善するとともにクラックを防止すると考えられる
が、35重量％より少ないと反応層の形成が不十分で効果
がなく、又60重量％を越えるとガラス化が困難になる。
SiO2は、１重量％未満では耐酸性が低く、15重量％よ
り多いと軟化温度が高くなりすぎるので望ましくない。
り多いと軟化温度が高くなりすぎるので望ましくない。
Al2O3はガラスを安定化させるために配合する。配合
量が１重量％未満では失透が起こり易く、素体とガラス
との反応が均一に起こりにくくなって強度等が低下す
る。15重量％を越えるとガラスの流動性が損なわれる。
量が１重量％未満では失透が起こり易く、素体とガラス
との反応が均一に起こりにくくなって強度等が低下す
る。15重量％を越えるとガラスの流動性が損なわれる。
PbOは0.5重量％より少ないとガラス化が困難であり、
又12重量％を越えると軟化温度が低下し、流動性が大き
くなりすぎて使用に適さない。特にガラス成分にBaO、C
aOが含まれない場合は0.5〜９重量％の範囲が好適であ
る。
又12重量％を越えると軟化温度が低下し、流動性が大き
くなりすぎて使用に適さない。特にガラス成分にBaO、C
aOが含まれない場合は0.5〜９重量％の範囲が好適であ
る。
BaO、CaOは必ずしも配合されなくてもよいが、上記の
硼珪酸鉛−亜鉛−アルミニウムガラスガラスに添加する
ことによって接合強度が更に改善されるとともに、膜密
度が大きくなるので膜へのメッキ液の滲込みが防止さ
れ、信頼性が向上する。BaO、CaOの合計量が２重量％よ
り少ないとこれらの特性改善にあまり効果がなく、28重
量％を越えると前述の反応層の形成が困難になり、クラ
ックの発生が多くなる。
硼珪酸鉛−亜鉛−アルミニウムガラスガラスに添加する
ことによって接合強度が更に改善されるとともに、膜密
度が大きくなるので膜へのメッキ液の滲込みが防止さ
れ、信頼性が向上する。BaO、CaOの合計量が２重量％よ
り少ないとこれらの特性改善にあまり効果がなく、28重
量％を越えると前述の反応層の形成が困難になり、クラ
ックの発生が多くなる。
ガラス質フリットとしては単一のガラス質フリットを
使用してもよいが、２種以上のフリットの混合物で、各
成分酸化物の合計が前記の比率となるものを用いてもよ
い。
使用してもよいが、２種以上のフリットの混合物で、各
成分酸化物の合計が前記の比率となるものを用いてもよ
い。
本発明にはガラス質フリットの他に、無機結合剤とし
て通常使用される酸化ビスマス、酸化銅、酸化亜鉛等の
添加剤を併用してもよい。
て通常使用される酸化ビスマス、酸化銅、酸化亜鉛等の
添加剤を併用してもよい。
導電性粉末としては銀、パラジウム、白金、金などの
貴金属や、これらの合金或いは混合物が使用される。
貴金属や、これらの合金或いは混合物が使用される。
有機ビヒクルは特に制限はなく、通常この種の導電性
組成物に使用されるものでよい。
組成物に使用されるものでよい。
導電性粉末とガラス質フリットの比率は、導電性粉末
100重量部に対してガラス質フリット0.2〜20重量部の範
囲で使用される。これより少ないと電極の接合強度が充
分でなく、多すぎると電極の表層部に存在するガラスが
多くなるために、均一なメッキ膜の形成が困難になるの
で望ましくない。又有機ビヒクルは導電性粉末100重量
部に対し10〜40重量部程度が適当である。
100重量部に対してガラス質フリット0.2〜20重量部の範
囲で使用される。これより少ないと電極の接合強度が充
分でなく、多すぎると電極の表層部に存在するガラスが
多くなるために、均一なメッキ膜の形成が困難になるの
で望ましくない。又有機ビヒクルは導電性粉末100重量
部に対し10〜40重量部程度が適当である。
本発明の導電性組成物は、特にBaTiO3系の積層コンデ
ンサに対して特に効果が大きいが、TiO2系その他の積層
コンデンサや、単板形のコンデンサの端子電極形成用に
も用いることができるのはもちろんである。更にメッキ
を行わず直接半田付けするタイプの端子電極にも使用す
ることができる。
ンサに対して特に効果が大きいが、TiO2系その他の積層
コンデンサや、単板形のコンデンサの端子電極形成用に
も用いることができるのはもちろんである。更にメッキ
を行わず直接半田付けするタイプの端子電極にも使用す
ることができる。
実施例 実施例１ 銀粉末100重量部に対して下記組成のガラス質フリッ
ト６重量部と、有機ビヒクルとしてエチルセルロースの
テルピネオール溶液30重量部を混合し、ペースト状の導
電性組成物を得た。
ト６重量部と、有機ビヒクルとしてエチルセルロースの
テルピネオール溶液30重量部を混合し、ペースト状の導
電性組成物を得た。
B2O3 29重量％ ZnO 49重量％ SiO2 ８重量％ Al2O3 ２重量％ PbO 12重量％ このペーストを、内部電極にパラジウムを用いたBaTi
O3系積層セラミックコンデンサ（層数30層）の端子部即
ち内部電極端部の露出した側面に塗布し、150℃で10分
間乾燥した後、最高温度800℃で焼成し、端子電極被膜
を形成した。
O3系積層セラミックコンデンサ（層数30層）の端子部即
ち内部電極端部の露出した側面に塗布し、150℃で10分
間乾燥した後、最高温度800℃で焼成し、端子電極被膜
を形成した。
次いで端子部にニッケル及び錫を順次電解メッキし
た。メッキ処理の前後で電極とセラミック素体間の接合
強度を測定したところ、それぞれ4.1kg、3.9kgであっ
た。
た。メッキ処理の前後で電極とセラミック素体間の接合
強度を測定したところ、それぞれ4.1kg、3.9kgであっ
た。
又メッキ処理したコンデンサを300℃の錫／鉛共晶半
田浴に１秒間浸漬し、その後、光学顕微鏡でセラミック
素体を観察したところ、クラックの発生は見られなかっ
た。半田の付着性は極めて良好であった。
田浴に１秒間浸漬し、その後、光学顕微鏡でセラミック
素体を観察したところ、クラックの発生は見られなかっ
た。半田の付着性は極めて良好であった。
実施例２〜７ 表１に示したガラス質フリットを使用する以外は実施
例１と同様にして、端子電極を形成した。同様にメッキ
前後の接合強度及びクラックの発生状況、半田付性、膜
密度を調べ、結果を表１に併せて示した。
例１と同様にして、端子電極を形成した。同様にメッキ
前後の接合強度及びクラックの発生状況、半田付性、膜
密度を調べ、結果を表１に併せて示した。
尚、表１において半田付性は、試料10個中、半田がは
じかれ均一に付着しなかったものの個数で示した。膜密
度は顕微鏡写真により判定し、実施例１の焼成膜を基準
にして、ほぼ同等のものは○、より緻密なものは◎とし
た。
じかれ均一に付着しなかったものの個数で示した。膜密
度は顕微鏡写真により判定し、実施例１の焼成膜を基準
にして、ほぼ同等のものは○、より緻密なものは◎とし
た。
比較例１〜５ 表１に示した組成のガラス質フリットを使用する以外
は実施例と同様にして、端子電極を形成し、接合強度、
クラックの発生、半田付性及び膜密度を調べた。結果を
表１に併せて示した。
は実施例と同様にして、端子電極を形成し、接合強度、
クラックの発生、半田付性及び膜密度を調べた。結果を
表１に併せて示した。
表１から明らかなように、本発明の組成物ではクラッ
クが全く発生せず、接合強度、半田付性及び膜密度とも
に優れているが、本発明外の組成のガラスを用いるもの
では、比較例１〜３、５では多数のクラックが発生し
た。比較例４、５では、半田濡れ性が悪いが、これは電
極膜にガラスが多く存在し、ニッケルメッキが均一に付
着しないためと考えられる。また比較例１、３〜５では
強度も弱い。尚、ガラスにBaO、CaOを含む実施例５〜７
では膜密度が非常に優れていた。
クが全く発生せず、接合強度、半田付性及び膜密度とも
に優れているが、本発明外の組成のガラスを用いるもの
では、比較例１〜３、５では多数のクラックが発生し
た。比較例４、５では、半田濡れ性が悪いが、これは電
極膜にガラスが多く存在し、ニッケルメッキが均一に付
着しないためと考えられる。また比較例１、３〜５では
強度も弱い。尚、ガラスにBaO、CaOを含む実施例５〜７
では膜密度が非常に優れていた。
実施例８ 銀粉末100重量部、実施例６と同一組成のガラス質フ
リット３重量部及びBi2O3粉末５重量部をエチルセルロ
ースのテルピネオール溶液30重量部に混合分散し、ペー
スト状の導電性組成物を得た。このペーストを、BaTiO3
系積層セラミックコンデンサの端子部に塗布し、乾燥
後、最高温度750℃で焼成し、端子電極被膜を形成し
た。メッキ処理を行わない端子の接合強度は5.2kgであ
り、優れた密着性を示した。又半田付性は良好であっ
た。
リット３重量部及びBi2O3粉末５重量部をエチルセルロ
ースのテルピネオール溶液30重量部に混合分散し、ペー
スト状の導電性組成物を得た。このペーストを、BaTiO3
系積層セラミックコンデンサの端子部に塗布し、乾燥
後、最高温度750℃で焼成し、端子電極被膜を形成し
た。メッキ処理を行わない端子の接合強度は5.2kgであ
り、優れた密着性を示した。又半田付性は良好であっ
た。
発明の効果 本発明の特定組成のガラスを無機結合剤として使用す
る電極用組成物により、コンデンサ素体との接合強度が
強く、電解メッキにも耐える優れた端子電極が形成さ
れ、かつ実装時の半田付に際してのサーマルショックや
その他の機械的衝撃によるクラックの発生のない、信頼
性が極めて高いセラミックコンデンサを得ることができ
る。
る電極用組成物により、コンデンサ素体との接合強度が
強く、電解メッキにも耐える優れた端子電極が形成さ
れ、かつ実装時の半田付に際してのサーマルショックや
その他の機械的衝撃によるクラックの発生のない、信頼
性が極めて高いセラミックコンデンサを得ることができ
る。
フロントページの続き (72)発明者 能勢 直樹 東京都青梅市末広町２丁目９番地３ 昭栄 化学工業株式会社内 (72)発明者 真島 浩 東京都青梅市末広町２丁目９番地３ 昭栄 化学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】貴金属粉末100重量部と、ガラスを構成す
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ下記比率となる
ような１種又は２種以上のガラス質フリット0.2〜20重
量部とを、有機ビヒクルに分散させてなるセラミックコ
ンデンサ端子電極用導電性組成物。 B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ - 【請求項２】貴金属粉末100重量部と、ガラスを構成す
る各元素の合計が酸化物換算でそれぞれ下記比率となる
ような１種又は２種以上のガラス質フリット0.2〜20重
量部とを、有機ビヒクルに分散させてなるセラミックコ
ンデンサ端子電極用導電性組成物。 B2O3 15〜35重量％ ZnO 35〜60重量％ SiO2 １〜15重量％ Al2O3 １〜15重量％ PbO 0.5〜12重量％ BaO及びCaOから選ばれる少なくとも１種 ２〜28重量％ - 【請求項３】更に酸化ビスマス粉末を添加した請求項１
又は２記載のセラミックコンデンサ端子電極用導電性組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18895888A JPH0817141B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18895888A JPH0817141B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239411A JPH0239411A (ja) | 1990-02-08 |
| JPH0817141B2 true JPH0817141B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=16232905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18895888A Expired - Lifetime JPH0817141B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817141B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161223A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP3152065B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2001-04-03 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| JPH08148029A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極 |
| JP3908426B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2007-04-25 | 日本碍子株式会社 | セラミックコンデンサー電極形成用ペースト |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18895888A patent/JPH0817141B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0239411A (ja) | 1990-02-08 |
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