JPH06310473A - 微細加工装置および微細加工方法 - Google Patents
微細加工装置および微細加工方法Info
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- JPH06310473A JPH06310473A JP12081693A JP12081693A JPH06310473A JP H06310473 A JPH06310473 A JP H06310473A JP 12081693 A JP12081693 A JP 12081693A JP 12081693 A JP12081693 A JP 12081693A JP H06310473 A JPH06310473 A JP H06310473A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加工対象を広げた新しい微細加工装置と加工方
法の提供。 【構成】図１は真空槽の模式断面図で、加工対象１は対
向電極４、５の間に設置され、表面に垂直に加工孔を形
成するようレーザービーム２がレンズ３によって２μｍ
以下に集光されて照射され、レーザーアブレーションを
生じさせる。対向電極４、５で垂直方向に電界がかか
り、また高磁界コイル７によって垂直方向に磁界がかけ
られる。レーザーの当たった所はプラズマ状態となり、
そこからイオンが飛び出し、大きなクーロン力を受け
て、加工対象の上面にある負に帯電した対向電極に向か
って移動する。更にローレンツ力を受けてイオンは螺旋
運動をしながら加工部位より放出される。またレーザー
の照射をパルス化して照射すると、プラズマ発生とイオ
ン排出の状態とが交互におこり、効率的な高アスペクト
比の孔加工が実現する。加工対象は導電性を持たなくと
も良い。
法の提供。 【構成】図１は真空槽の模式断面図で、加工対象１は対
向電極４、５の間に設置され、表面に垂直に加工孔を形
成するようレーザービーム２がレンズ３によって２μｍ
以下に集光されて照射され、レーザーアブレーションを
生じさせる。対向電極４、５で垂直方向に電界がかか
り、また高磁界コイル７によって垂直方向に磁界がかけ
られる。レーザーの当たった所はプラズマ状態となり、
そこからイオンが飛び出し、大きなクーロン力を受け
て、加工対象の上面にある負に帯電した対向電極に向か
って移動する。更にローレンツ力を受けてイオンは螺旋
運動をしながら加工部位より放出される。またレーザー
の照射をパルス化して照射すると、プラズマ発生とイオ
ン排出の状態とが交互におこり、効率的な高アスペクト
比の孔加工が実現する。加工対象は導電性を持たなくと
も良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細加工技術に関し、微
細トレンチ孔を高アスペクト比に形成する技術に関す
る。
細トレンチ孔を高アスペクト比に形成する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細加工装置・方法には集束イオ
ンビーム（Focused Ion Beam,FIB）による微細加工装置
（塩川，精密工学会誌55/2/1989,P32-36）や微細放電加
工機などがある。これらは微細なトレンチ孔を形成する
のに優れた方法である。ＦＩＢ装置では、サブμｍレベ
ルの加工を実現している。
ンビーム（Focused Ion Beam,FIB）による微細加工装置
（塩川，精密工学会誌55/2/1989,P32-36）や微細放電加
工機などがある。これらは微細なトレンチ孔を形成する
のに優れた方法である。ＦＩＢ装置では、サブμｍレベ
ルの加工を実現している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＩＢ
装置はイオンによって加工するため、その高エネルギー
イオンにより結晶的な損傷の心配のある被加工対象は用
いることはできず、また加工孔の形状はＶ字型となり加
工層に再付着層が存在するため、種々の問題が存在す
る。また、微細放電加工の場合は、放電させる電極の太
さ（細さ）で加工精度が決まり、加工対象が導電性のも
のに限られる。いずれも加工時に発生する残渣が中性物
のため、この残渣を加工部位から取り除くためには気流
や液体流を利用しなければならないが、加工孔の径が小
さければその除去は困難になる。ＦＩＢ装置は真空中で
あるので流体を利用しての除去は困難で再付着してしま
うのである。したがってこれらの制約が加工の限度とな
っている問題がある。
装置はイオンによって加工するため、その高エネルギー
イオンにより結晶的な損傷の心配のある被加工対象は用
いることはできず、また加工孔の形状はＶ字型となり加
工層に再付着層が存在するため、種々の問題が存在す
る。また、微細放電加工の場合は、放電させる電極の太
さ（細さ）で加工精度が決まり、加工対象が導電性のも
のに限られる。いずれも加工時に発生する残渣が中性物
のため、この残渣を加工部位から取り除くためには気流
や液体流を利用しなければならないが、加工孔の径が小
さければその除去は困難になる。ＦＩＢ装置は真空中で
あるので流体を利用しての除去は困難で再付着してしま
うのである。したがってこれらの制約が加工の限度とな
っている問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め第一の発明の構成は、レーザービームの照射によって
被加工材料の所定部位にレーザーアブレーションを生ぜ
しめて加工する微細加工装置において、前記被加工材料
を設置する台を内部に備え、前記レーザービームの透過
窓を備えた真空槽と、前記真空槽中で前記被加工材料に
対して前記レーザービームの入射方向に電界が掛かるよ
うに配置され、前記被加工材料が帯電されるように電圧
印加された一組の対向電極とからなることを特徴とす
る。また第一関連発明の構成は、前記入射方向と同一方
向に磁界がかかるように配置された磁界コイルで、レー
ザーアブレーションによって前記被加工材料から生じた
荷電粒子を電磁的に誘導して、加工部位から移動させる
誘導手段を有することを特徴とする。第二関連発明の構
成は、前記透過窓に直角な方向に第二の磁界をかけて、
誘導を受けて移動した前記荷電粒子が前記透過窓に当た
らないように電磁的に排除される排除手段を有すること
を特徴とする。第三関連発明の構成は、加工中に、必要
に応じて少なくとも一つの反応性ガスを前記被加工材料
に暴露させるガス供給手段を前記真空槽に有することを
特徴とする。
め第一の発明の構成は、レーザービームの照射によって
被加工材料の所定部位にレーザーアブレーションを生ぜ
しめて加工する微細加工装置において、前記被加工材料
を設置する台を内部に備え、前記レーザービームの透過
窓を備えた真空槽と、前記真空槽中で前記被加工材料に
対して前記レーザービームの入射方向に電界が掛かるよ
うに配置され、前記被加工材料が帯電されるように電圧
印加された一組の対向電極とからなることを特徴とす
る。また第一関連発明の構成は、前記入射方向と同一方
向に磁界がかかるように配置された磁界コイルで、レー
ザーアブレーションによって前記被加工材料から生じた
荷電粒子を電磁的に誘導して、加工部位から移動させる
誘導手段を有することを特徴とする。第二関連発明の構
成は、前記透過窓に直角な方向に第二の磁界をかけて、
誘導を受けて移動した前記荷電粒子が前記透過窓に当た
らないように電磁的に排除される排除手段を有すること
を特徴とする。第三関連発明の構成は、加工中に、必要
に応じて少なくとも一つの反応性ガスを前記被加工材料
に暴露させるガス供給手段を前記真空槽に有することを
特徴とする。
【０００５】また他の発明の構成は、負圧程度以上の真
空中において、被加工材料にレーザービームを照射して
レーザーアブレーションを生ぜしめてイオン化された荷
電粒子を飛散させ、前記被加工材料に対して帯電される
ように電圧印加され、前記レーザービームの入射方向に
印加された電界と、同じく前記入射方向と同一方向に印
加された磁界とで、前記被加工材料から飛散した該荷電
粒子を電磁的に加工部位から移動させるとともに、移動
した該荷電粒子を前記レーザービームの導入される石英
窓にぶつけないように第二の磁界でさらに電磁的に誘導
することを特徴とする。この発明の関連発明の構成は、
前記レーザービームの照射がパルス状に照射され、加
工、残渣除去が交互に行われることを特徴とする。
空中において、被加工材料にレーザービームを照射して
レーザーアブレーションを生ぜしめてイオン化された荷
電粒子を飛散させ、前記被加工材料に対して帯電される
ように電圧印加され、前記レーザービームの入射方向に
印加された電界と、同じく前記入射方向と同一方向に印
加された磁界とで、前記被加工材料から飛散した該荷電
粒子を電磁的に加工部位から移動させるとともに、移動
した該荷電粒子を前記レーザービームの導入される石英
窓にぶつけないように第二の磁界でさらに電磁的に誘導
することを特徴とする。この発明の関連発明の構成は、
前記レーザービームの照射がパルス状に照射され、加
工、残渣除去が交互に行われることを特徴とする。
【０００６】
【作用】負圧程度以上の真空槽中の被加工材料の加工し
たい所定箇所に、集光レンズで極細のビームとしたレー
ザーを石英窓を通して照射する。同時に、被加工材料
に、対向電極に電圧を印加して表面を帯電させる。レー
ザーを照射された被加工材料はレーザーアブレーション
を生じて加工部位から原子、イオン、電子が飛び出す。
この領域にレーザービーム方向と同じ方向に電界が掛か
っているので、この飛び出してきた荷電粒子はクーロン
力を受けて、電界強度、荷電量、粒子質量などによって
決まる運動をし、加工部位から迅速に移動する。中性で
飛び出してきた原子は、やはり飛び出してきた電子と衝
突するためイオン化され移動除去される。
たい所定箇所に、集光レンズで極細のビームとしたレー
ザーを石英窓を通して照射する。同時に、被加工材料
に、対向電極に電圧を印加して表面を帯電させる。レー
ザーを照射された被加工材料はレーザーアブレーション
を生じて加工部位から原子、イオン、電子が飛び出す。
この領域にレーザービーム方向と同じ方向に電界が掛か
っているので、この飛び出してきた荷電粒子はクーロン
力を受けて、電界強度、荷電量、粒子質量などによって
決まる運動をし、加工部位から迅速に移動する。中性で
飛び出してきた原子は、やはり飛び出してきた電子と衝
突するためイオン化され移動除去される。
【０００７】
【発明の効果】加工部位に加工残渣が残らないのでレー
ザービームの届く範囲まで加工が深く形成できる。導電
性の無い材料でも高アスペクト比の孔を形成するための
加工対象とすることができた。原則として他の物質でエ
ッチングする訳ではないので汚染の心配がない。またパ
ルス動作で加工と残渣除去が交互に行われるので効率よ
く加工が進む。
ザービームの届く範囲まで加工が深く形成できる。導電
性の無い材料でも高アスペクト比の孔を形成するための
加工対象とすることができた。原則として他の物質でエ
ッチングする訳ではないので汚染の心配がない。またパ
ルス動作で加工と残渣除去が交互に行われるので効率よ
く加工が進む。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明を実施する真空槽の模式断面図
で、加工対象１は図示しない真空ポンプで減圧された真
空槽９内の対向電極４、５の間に設置される。加工対象
１の表面に垂直に加工孔を形成するようレーザービーム
２が石英窓８を通して、レンズ３によって２μｍ以下に
集光されて照射される。レーザーは波長１９３nmのＡｒ
Ｆエキシマレーザーを用いレーザーアブレーションを生
じさせ、所定の部位に照射できるように水平方向に移動
可能となっている。対向電極４、５は高圧電源６によっ
て加工対象１に対して加工方向である垂直方向に電界が
かかるように配置され、石英窓８を透過したレーザービ
ーム２は上の対向電極４に設けられた開口部１０より加
工対象１に照射される。また、高磁界コイル７によって
垂直方向に磁界がかけられるようになっている。
明する。図１は本発明を実施する真空槽の模式断面図
で、加工対象１は図示しない真空ポンプで減圧された真
空槽９内の対向電極４、５の間に設置される。加工対象
１の表面に垂直に加工孔を形成するようレーザービーム
２が石英窓８を通して、レンズ３によって２μｍ以下に
集光されて照射される。レーザーは波長１９３nmのＡｒ
Ｆエキシマレーザーを用いレーザーアブレーションを生
じさせ、所定の部位に照射できるように水平方向に移動
可能となっている。対向電極４、５は高圧電源６によっ
て加工対象１に対して加工方向である垂直方向に電界が
かかるように配置され、石英窓８を透過したレーザービ
ーム２は上の対向電極４に設けられた開口部１０より加
工対象１に照射される。また、高磁界コイル７によって
垂直方向に磁界がかけられるようになっている。
【０００９】図２に詳しく示すように、レーザービーム
２が照射されると、加工対象１はレーザーの光エネルギ
ーを吸収し、文献（レーザー研究第１８巻第４号、Ｐ３
２〜４０）に解説される様にレーザーアブレーションを
起こす。すると加工対象のレーザーの当たった所はプラ
ズマ１２の状態となり、そこから速度エネルギーが数ｅ
Ｖ〜数１００ｅＶ程度の高い運動エネルギーを持つイオ
ン１３が飛び出す。例えば加工対象が金属等の場合、イ
オンは正電荷なので、加工対象が正に帯電するよう対向
電極に数十Ｖ以上、望ましくは数百Ｖ以上印加しておく
と大きなクーロン力を受けて、加工対象の上面にある負
に帯電した対向電極に向かって移動する。更にここで図
２のＢのように加工孔の方向と平行な磁界１１が掛かっ
ていると、放出された粒子でイオン化されているものは
ローレンツ力を受けて、
２が照射されると、加工対象１はレーザーの光エネルギ
ーを吸収し、文献（レーザー研究第１８巻第４号、Ｐ３
２〜４０）に解説される様にレーザーアブレーションを
起こす。すると加工対象のレーザーの当たった所はプラ
ズマ１２の状態となり、そこから速度エネルギーが数ｅ
Ｖ〜数１００ｅＶ程度の高い運動エネルギーを持つイオ
ン１３が飛び出す。例えば加工対象が金属等の場合、イ
オンは正電荷なので、加工対象が正に帯電するよう対向
電極に数十Ｖ以上、望ましくは数百Ｖ以上印加しておく
と大きなクーロン力を受けて、加工対象の上面にある負
に帯電した対向電極に向かって移動する。更にここで図
２のＢのように加工孔の方向と平行な磁界１１が掛かっ
ていると、放出された粒子でイオン化されているものは
ローレンツ力を受けて、
【数１】ｒ＝ｍｖ／ｑＢ ただし、ｍ：イオンの重さ、ｖ：磁界に対して垂直な方
向の速度、ｑ：電荷数、Ｂ：磁束密度。 という半径ｒを描いて円運動する。もともと同時にクー
ロン力で対向電極４に向けて運動しているので、結局イ
オンは螺旋運動をしながら加工部位より放出される。加
工対象１はイオンと同じ電荷に帯電しているので、加工
孔の側壁からはわずかながらも反発を受け衝突を起こし
にくくなる（図３参照）。つまりイオンは任意の方向に
飛び出すが、これらの効果によって再付着は生じないで
加工孔から除去される。
向の速度、ｑ：電荷数、Ｂ：磁束密度。 という半径ｒを描いて円運動する。もともと同時にクー
ロン力で対向電極４に向けて運動しているので、結局イ
オンは螺旋運動をしながら加工部位より放出される。加
工対象１はイオンと同じ電荷に帯電しているので、加工
孔の側壁からはわずかながらも反発を受け衝突を起こし
にくくなる（図３参照）。つまりイオンは任意の方向に
飛び出すが、これらの効果によって再付着は生じないで
加工孔から除去される。
【００１０】加工対象１を離れたイオン１３はかなりの
量がレーザービームの入射する開口部５を通り抜けて石
英窓８の方に向かうため、窓で付着する恐れがある。こ
のため、窓の下で更に、図示しないコイルにより窓に垂
直な磁界１４で石英窓８に向かうイオンの進行方向を変
えて、窓に付着しないようにする。また真空槽内に飛び
出したイオンは真空度を下げるための真空ポンプによっ
て排気されていく。
量がレーザービームの入射する開口部５を通り抜けて石
英窓８の方に向かうため、窓で付着する恐れがある。こ
のため、窓の下で更に、図示しないコイルにより窓に垂
直な磁界１４で石英窓８に向かうイオンの進行方向を変
えて、窓に付着しないようにする。また真空槽内に飛び
出したイオンは真空度を下げるための真空ポンプによっ
て排気されていく。
【００１１】またレーザーアブレーションで飛び出した
電子については、速度エネルギーが１ｅＶ以下で放出さ
れた場合を考えると、磁束密度Ｂが５０００〔Ｇ〕の場
合、半径ｒが６．８μｍ以下の運動となり、加工半径が
この程度以下であっても、電子は加工孔内で回転運動を
しつつ他のイオン化していない原子に衝突してイオン化
させるので原子の再付着を防ぎ、加工効率を上げる。こ
れはプラズマといっても１００％の原子がイオン化され
ていないためである。これ以外の速度の場合でも電子が
プラズマ中にある間は衝突によりイオン化する効果があ
る。しかし電子ももちろんクーロン力を受けるので加工
対象側に移動し、加工対象に当たってその電位に吸収さ
れる。
電子については、速度エネルギーが１ｅＶ以下で放出さ
れた場合を考えると、磁束密度Ｂが５０００〔Ｇ〕の場
合、半径ｒが６．８μｍ以下の運動となり、加工半径が
この程度以下であっても、電子は加工孔内で回転運動を
しつつ他のイオン化していない原子に衝突してイオン化
させるので原子の再付着を防ぎ、加工効率を上げる。こ
れはプラズマといっても１００％の原子がイオン化され
ていないためである。これ以外の速度の場合でも電子が
プラズマ中にある間は衝突によりイオン化する効果があ
る。しかし電子ももちろんクーロン力を受けるので加工
対象側に移動し、加工対象に当たってその電位に吸収さ
れる。
【００１２】被加工対象はレーザーを吸収する固体物質
ならば何でも可能で、金属、セラミック、高分子化合物
等が含まれ、幅広い応用が考えられる。ただレーザービ
ームはイオン化するためのエネルギーを加工対象の原子
に与えるためには紫外線程度の波長より高いエネルギー
のレーザーである必要がある。
ならば何でも可能で、金属、セラミック、高分子化合物
等が含まれ、幅広い応用が考えられる。ただレーザービ
ームはイオン化するためのエネルギーを加工対象の原子
に与えるためには紫外線程度の波長より高いエネルギー
のレーザーである必要がある。
【００１３】加工孔中でイオンを回転させるための高磁
界コイル７は図１では真空槽の外部に設置してあるが、
真空槽内部に設置しても効果は同様で、むしろ磁界強度
を高めることができる。また、ガス供給手段により加工
中にエッチングガスを導入して、通常のエッチング反応
を利用して加工の効果を高めてもよい。この場合には反
応生成物に対してもレーザーによってイオン化され除去
されることになる。
界コイル７は図１では真空槽の外部に設置してあるが、
真空槽内部に設置しても効果は同様で、むしろ磁界強度
を高めることができる。また、ガス供給手段により加工
中にエッチングガスを導入して、通常のエッチング反応
を利用して加工の効果を高めてもよい。この場合には反
応生成物に対してもレーザーによってイオン化され除去
されることになる。
【００１４】またレーザーの照射を連続ではなくパルス
化して照射すると、高エネルギー密度の照射によるプラ
ズマ発生と、未照射時にイオン排出の状態とが交互にお
こり、効率的な孔加工が実現する。なお、本実施例は電
界及び磁界を印加した場合であるが、電界をかけたのみ
の場合でも効果はある。
化して照射すると、高エネルギー密度の照射によるプラ
ズマ発生と、未照射時にイオン排出の状態とが交互にお
こり、効率的な孔加工が実現する。なお、本実施例は電
界及び磁界を印加した場合であるが、電界をかけたのみ
の場合でも効果はある。
【００１５】以上のように本発明による加工装置および
加工方法は、残渣が加工壁に付着しないため、非常に深
い孔が加工できる。また、特に効率よく孔加工を施すこ
とができ、また加工対象を導電性のものに限らず、微細
加工の範囲を広げることができる。
加工方法は、残渣が加工壁に付着しないため、非常に深
い孔が加工できる。また、特に効率よく孔加工を施すこ
とができ、また加工対象を導電性のものに限らず、微細
加工の範囲を広げることができる。
【図１】本発明の実施例を示す微細加工装置の模式的断
面図。
面図。
【図２】加工対象部分の説明図。
【図３】加工孔のイオン化の状態の説明図。
【図４】加工装置を上から見た断面図。
１ 加工対象 ２ レーザービーム ３ 集光レンズ ４、５ 対向電極 ６ 高圧電源 ７ 高磁界コイル ８ 石英窓 ９ 真空槽 １０ 開口部 １１ 磁界方向 １２ プラズマ １３ イオン（加工くず） １４ 方向転換用の磁界 １５ 絶縁体 １６ 加工対象表面の正電荷
Claims (6)
- 【請求項１】レーザービームの照射によって被加工材料
の所定部位にレーザーアブレーションを生ぜしめて加工
する微細加工装置において、 前記被加工材料を設置する台を内部に備え、前記レーザ
ービームの透過窓を備えた真空槽と、 前記真空槽中で前記被加工材料に対して前記レーザービ
ームの入射方向に電界が掛かるように配置され、前記被
加工材料が帯電されるように電圧印加された一組の対向
電極とからなることを特徴とする微細加工装置。 - 【請求項２】前記入射方向と同一方向に磁界がかかるよ
うに配置された磁界コイルで、レーザーアブレーション
によって前記被加工材料から生じた荷電粒子を電磁的に
誘導して、加工部位から移動させる誘導手段を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の微細加工装置。 - 【請求項３】前記透過窓に直角な方向に第二の磁界をか
けて、誘導を受けて移動した前記荷電粒子が前記透過窓
に当たらないように電磁的に排除される排除手段を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の微細加工装置。 - 【請求項４】加工中に、必要に応じて少なくとも一つの
反応性ガスを前記被加工材料に暴露させるガス供給手段
を前記真空槽に有することを特徴とする請求項１に記載
の微細加工装置。 - 【請求項５】負圧程度以上の真空中において、 被加工材料にレーザービームを照射してレーザーアブレ
ーションを生ぜしめてイオン化された荷電粒子を飛散さ
せ、 前記被加工材料に対して帯電されるように電圧印加さ
れ、前記レーザービームの入射方向に印加された電界
と、同じく前記入射方向と同一方向に印加された磁界と
で、前記被加工材料から飛散した該荷電粒子を電磁的に
加工部位から移動させるとともに、 移動した該荷電粒子を前記レーザービームの導入される
石英窓にぶつけないように第二の磁界でさらに電磁的に
誘導することを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項６】前記レーザービームの照射がパルス状に照
射され、 加工、残渣除去が交互に行われることを特徴とする請求
項５に記載の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12081693A JPH06310473A (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | 微細加工装置および微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12081693A JPH06310473A (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | 微細加工装置および微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310473A true JPH06310473A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14795687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12081693A Pending JPH06310473A (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | 微細加工装置および微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310473A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012040573A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 試料の微細加工方法 |
| CN107877010A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-04-06 | 广东工业大学 | 一种微纳孔阵列的加工装置 |
| CN112894177A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-04 | 沈阳万超激光科技有限公司 | 一种外加磁场提高水导激光加工孔质量的装置 |
| CN115488505A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-20 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种解决镁合金负压激光焊接能量屏蔽的电磁装置及方法 |
-
1993
- 1993-04-24 JP JP12081693A patent/JPH06310473A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012040573A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 試料の微細加工方法 |
| CN107877010A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-04-06 | 广东工业大学 | 一种微纳孔阵列的加工装置 |
| CN107877010B (zh) * | 2017-12-15 | 2019-02-22 | 广东工业大学 | 一种微纳孔阵列的加工装置 |
| CN112894177A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-04 | 沈阳万超激光科技有限公司 | 一种外加磁场提高水导激光加工孔质量的装置 |
| CN115488505A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-20 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种解决镁合金负压激光焊接能量屏蔽的电磁装置及方法 |
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