JPH06310486A - 基板乾燥方法および基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥方法および基板乾燥装置Info
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- JPH06310486A JPH06310486A JP12093993A JP12093993A JPH06310486A JP H06310486 A JPH06310486 A JP H06310486A JP 12093993 A JP12093993 A JP 12093993A JP 12093993 A JP12093993 A JP 12093993A JP H06310486 A JPH06310486 A JP H06310486A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の乾燥を効率よく、しかも確実に行な
う。 【構成】 駆動モータ２３により水平回転するスピンチ
ャック１１上に基板Ｗを保持する。この基板Ｗの表面に
向かって、ガス供給部３０から送られるＩＰＡベーパー
を含む窒素ガスをガス吹付ノズル１３から吹き付ける。
基板Ｗの回転による遠心力に加えて、基板Ｗの表面への
ＩＰＡベーパーを含む窒素ガスの吹き付けにより、基板
Ｗの表面上の水滴が吹き飛ばされる。さらに、基板Ｗ表
面に吹き付けられたＩＰＡのベーパーは、その一部が基
板Ｗ表面上の水滴に溶解することから、水滴部分の蒸気
圧を降下させて、アルコール分とともにその水滴を蒸発
させる。
う。 【構成】 駆動モータ２３により水平回転するスピンチ
ャック１１上に基板Ｗを保持する。この基板Ｗの表面に
向かって、ガス供給部３０から送られるＩＰＡベーパー
を含む窒素ガスをガス吹付ノズル１３から吹き付ける。
基板Ｗの回転による遠心力に加えて、基板Ｗの表面への
ＩＰＡベーパーを含む窒素ガスの吹き付けにより、基板
Ｗの表面上の水滴が吹き飛ばされる。さらに、基板Ｗ表
面に吹き付けられたＩＰＡのベーパーは、その一部が基
板Ｗ表面上の水滴に溶解することから、水滴部分の蒸気
圧を降下させて、アルコール分とともにその水滴を蒸発
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板や液晶用
ガラス基板等の被処理基板（以下、単に基板と称する）
を乾燥する基板乾燥方法及びこの方法に使用される基板
乾燥装置に関する。
ガラス基板等の被処理基板（以下、単に基板と称する）
を乾燥する基板乾燥方法及びこの方法に使用される基板
乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体生産プロセスにおいて
は、洗浄された基板を乾燥する乾燥工程が備えられる。
この乾燥工程を実現する乾燥方法としては、基板を回転
させてその回転による遠心力により基板上の水滴を吹き
飛ばす遠心脱水式のものがよく知られている。
は、洗浄された基板を乾燥する乾燥工程が備えられる。
この乾燥工程を実現する乾燥方法としては、基板を回転
させてその回転による遠心力により基板上の水滴を吹き
飛ばす遠心脱水式のものがよく知られている。
【０００３】この遠心脱水式のものにおいて、より効率
の良い乾燥を目的として、基板の表面に空気を吹き付け
る構成を付加したものが提案されている（特公昭６２−
５３９４２号公報等）。即ち、基板の回転による遠心力
に加えて吹き付けた空気で基板表面に付着した水滴を吹
き飛ばすことにより、より効率の良い乾燥を実現してい
る。また、上記空気に換えて窒素ガスを基板表面に吹き
付ける構成のものも提案されている（特開昭５７−４２
１２１号公報）。
の良い乾燥を目的として、基板の表面に空気を吹き付け
る構成を付加したものが提案されている（特公昭６２−
５３９４２号公報等）。即ち、基板の回転による遠心力
に加えて吹き付けた空気で基板表面に付着した水滴を吹
き飛ばすことにより、より効率の良い乾燥を実現してい
る。また、上記空気に換えて窒素ガスを基板表面に吹き
付ける構成のものも提案されている（特開昭５７−４２
１２１号公報）。
【０００４】一方、基板乾燥方法として、前記遠心脱水
式のものの他に、ＩＰＡベーパーによるものが提案され
ている。これは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の
ベーパー（蒸気）の雰囲気中に基板を置くことで、基板
に付着した水とＩＰＡのベーパーとの置換を行なって脱
水を図るものである。
式のものの他に、ＩＰＡベーパーによるものが提案され
ている。これは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の
ベーパー（蒸気）の雰囲気中に基板を置くことで、基板
に付着した水とＩＰＡのベーパーとの置換を行なって脱
水を図るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の技術では、いずれも、その基板上の水分の乾燥
にかなりの時間が掛かり、乾燥の効率が悪いといった問
題があった。特に、前記遠心脱水式の基板乾燥方法で
は、基板表面の回転中心部は遠心力の作用が小さいため
に水切れが悪く、その中心部に水残りが生じ易かった。
た従来の技術では、いずれも、その基板上の水分の乾燥
にかなりの時間が掛かり、乾燥の効率が悪いといった問
題があった。特に、前記遠心脱水式の基板乾燥方法で
は、基板表面の回転中心部は遠心力の作用が小さいため
に水切れが悪く、その中心部に水残りが生じ易かった。
【０００６】この発明の基板乾燥方法及び基板乾燥装置
は、従来技術における上述した課題を解決するためにな
されたもので、基板の乾燥を効率よく、しかも確実に行
なうことを目的とする。
は、従来技術における上述した課題を解決するためにな
されたもので、基板の乾燥を効率よく、しかも確実に行
なうことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、前記課題を解決するための手段として、第１の
発明に係る基板乾燥方法は、基板を回転させて基板の表
面に付着した水滴を水切り乾燥する基板乾燥方法におい
て、前記回転中の基板の表面に水溶性アルコールのベー
パーを吹き付けることを特徴としている。また、第２の
発明に係る基板乾燥方法は、第１の発明の構成におい
て、ベーパーの吹き付け方向を基板表面の回転中心に向
かう方向としている。
るため、前記課題を解決するための手段として、第１の
発明に係る基板乾燥方法は、基板を回転させて基板の表
面に付着した水滴を水切り乾燥する基板乾燥方法におい
て、前記回転中の基板の表面に水溶性アルコールのベー
パーを吹き付けることを特徴としている。また、第２の
発明に係る基板乾燥方法は、第１の発明の構成におい
て、ベーパーの吹き付け方向を基板表面の回転中心に向
かう方向としている。
【０００８】さらに、第３の発明に係る基板乾燥装置
は、第１の発明に使用される基板乾燥装置であって、基
板を保持して回転する基板回転手段と、水溶性アルコー
ルのベーパーを発生させるベーパー発生手段と、前記ベ
ーパー発生部で発生した水溶性アルコールのベーパーを
基板回転手段に保持された基板の表面に供給する供給手
段とを具備することを特徴としている。
は、第１の発明に使用される基板乾燥装置であって、基
板を保持して回転する基板回転手段と、水溶性アルコー
ルのベーパーを発生させるベーパー発生手段と、前記ベ
ーパー発生部で発生した水溶性アルコールのベーパーを
基板回転手段に保持された基板の表面に供給する供給手
段とを具備することを特徴としている。
【０００９】
【作用】以上のように構成された第１の発明に係る基板
乾燥方法は、基板を回転させることによる遠心力に加え
て、水溶性アルコールのベーパーの吹き付けによって基
板表面上の水滴を吹き飛ばす。さらに、基板表面に吹き
付けられた水溶性アルコールのベーパーは、その一部が
基板表面上の水滴に溶解することから、水滴の表面張力
が低下し、基板回転時における水滴の液切れが向上す
る。また、水滴に溶解したアルコールのベーパーは、水
滴部分の蒸気圧を上昇させて、アルコール分とともにそ
の水滴を蒸発させる。
乾燥方法は、基板を回転させることによる遠心力に加え
て、水溶性アルコールのベーパーの吹き付けによって基
板表面上の水滴を吹き飛ばす。さらに、基板表面に吹き
付けられた水溶性アルコールのベーパーは、その一部が
基板表面上の水滴に溶解することから、水滴の表面張力
が低下し、基板回転時における水滴の液切れが向上す
る。また、水滴に溶解したアルコールのベーパーは、水
滴部分の蒸気圧を上昇させて、アルコール分とともにそ
の水滴を蒸発させる。
【００１０】また、第２の発明に係る基板乾燥方法は、
水切れの悪い回転中心部に対してより効率の良い乾燥を
行なえる。さらに、第３の発明に係る基板乾燥装置によ
れば、第１、第２の発明に係る方法が効果的に実施され
る。
水切れの悪い回転中心部に対してより効率の良い乾燥を
行なえる。さらに、第３の発明に係る基板乾燥装置によ
れば、第１、第２の発明に係る方法が効果的に実施され
る。
【００１１】
【実施例】以上説明したこの発明の構成・作用を一層明
らかにするために、以下この発明の好適な実施例につい
て説明する。図１はこの発明の第１実施例としての回転
式基板処理装置１の概略構成図である。
らかにするために、以下この発明の好適な実施例につい
て説明する。図１はこの発明の第１実施例としての回転
式基板処理装置１の概略構成図である。
【００１２】図１に示すように、この回転式基板処理装
置１は、半導体基板（単に基板と呼ぶ）Ｗに対して乾燥
処理を施す基板処理部１０と、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）のベーパを含む窒素ガスを基板処理部１０内
に導くガス供給部３０とを備える。
置１は、半導体基板（単に基板と呼ぶ）Ｗに対して乾燥
処理を施す基板処理部１０と、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）のベーパを含む窒素ガスを基板処理部１０内
に導くガス供給部３０とを備える。
【００１３】基板処理部１０は、基板Ｗを保持して所定
の回転速度で水平回転するスピンチャック１１と、基板
Ｗの上方に配置されガス供給部から供給される窒素ガス
を基板Ｗに向かって吹き付けるガス吹付ノズル１３と、
水平回転する基板Ｗの周囲を囲み基板Ｗから吹き飛ばさ
れる水滴の飛散を防止する飛散防止部材１５と、スピン
チャック１１，ガス吹付ノズル１３および飛散防止部材
１５を収容する処理容器１７と、処理容器１７の上部に
配設される外気取り入れ可能な上蓋１９と、処理容器１
７の下壁に付設された強制排気口２１と、スピンチャッ
ク１１を回転駆動する駆動モータ２３とを備える。
の回転速度で水平回転するスピンチャック１１と、基板
Ｗの上方に配置されガス供給部から供給される窒素ガス
を基板Ｗに向かって吹き付けるガス吹付ノズル１３と、
水平回転する基板Ｗの周囲を囲み基板Ｗから吹き飛ばさ
れる水滴の飛散を防止する飛散防止部材１５と、スピン
チャック１１，ガス吹付ノズル１３および飛散防止部材
１５を収容する処理容器１７と、処理容器１７の上部に
配設される外気取り入れ可能な上蓋１９と、処理容器１
７の下壁に付設された強制排気口２１と、スピンチャッ
ク１１を回転駆動する駆動モータ２３とを備える。
【００１４】スピンチャック１１は、図２に示すように
回転基部１１ａを中心として放射状に延出した４本のア
ーム１１ｂを有し、各アーム１１ｂの先端部には円盤状
の基板Ｗの外縁部を保持する段部１１ｃが設けられてい
る。こうしたスピンチャック１１によれば、基板Ｗを４
本のアーム１１ｂ上に水平に配置し、各段部１１ｃによ
り回転軸１１ｄと同心的に位置決めして基板Ｗを保持す
る。駆動モータ２３が回転駆動すると、駆動モータ２３
に連結された回転軸１１ｄを介してスピンチャック１１
は回転し、基板Ｗは回転する。なお、こうした構成の基
板処理部１０では、処理容器１７内の空気を強制排気口
２１から強制的に排出できるようになっている。
回転基部１１ａを中心として放射状に延出した４本のア
ーム１１ｂを有し、各アーム１１ｂの先端部には円盤状
の基板Ｗの外縁部を保持する段部１１ｃが設けられてい
る。こうしたスピンチャック１１によれば、基板Ｗを４
本のアーム１１ｂ上に水平に配置し、各段部１１ｃによ
り回転軸１１ｄと同心的に位置決めして基板Ｗを保持す
る。駆動モータ２３が回転駆動すると、駆動モータ２３
に連結された回転軸１１ｄを介してスピンチャック１１
は回転し、基板Ｗは回転する。なお、こうした構成の基
板処理部１０では、処理容器１７内の空気を強制排気口
２１から強制的に排出できるようになっている。
【００１５】一方、ガス供給部３０は、窒素ガスを送入
するための窒素ガス送入口３１から基板処理部１０のガ
ス吹付ノズル１３へと続く管路３３を備え、その管路３
３の途中にはＩＰＡの液が貯えられた槽３５が連結され
ている。また、槽３５の底の外側にはヒータ３７が設け
られており、このヒータ３７により槽３５を熱してＩＰ
Ａのベーパーを発生させる。この発生したベーパーは管
路３３を流れる窒素ガスと混合されて窒素ガスと共にガ
ス吹付ノズル１３から基板Ｗに向かって吐出される。な
お、このガス吹付ノズル１３の吹き付け方向は、基板Ｗ
表面の回転中心に向かう方向である。
するための窒素ガス送入口３１から基板処理部１０のガ
ス吹付ノズル１３へと続く管路３３を備え、その管路３
３の途中にはＩＰＡの液が貯えられた槽３５が連結され
ている。また、槽３５の底の外側にはヒータ３７が設け
られており、このヒータ３７により槽３５を熱してＩＰ
Ａのベーパーを発生させる。この発生したベーパーは管
路３３を流れる窒素ガスと混合されて窒素ガスと共にガ
ス吹付ノズル１３から基板Ｗに向かって吐出される。な
お、このガス吹付ノズル１３の吹き付け方向は、基板Ｗ
表面の回転中心に向かう方向である。
【００１６】また、槽３５内のＩＰＡ液中には、液中の
温度を検出する液温センサ４１が備えられており、この
液温センサ４１の検出信号は温度調節部４３に入力され
る。温度調節部４３は、液温センサ４１の検出信号に応
じてサイリスタ４５をオン／オフ制御することで、ヒー
タ３７への通電をオン／オフ制御し、この結果、槽３５
のＩＰＡ液の温度を一定の温度、例えば７０度に調節す
る。
温度を検出する液温センサ４１が備えられており、この
液温センサ４１の検出信号は温度調節部４３に入力され
る。温度調節部４３は、液温センサ４１の検出信号に応
じてサイリスタ４５をオン／オフ制御することで、ヒー
タ３７への通電をオン／オフ制御し、この結果、槽３５
のＩＰＡ液の温度を一定の温度、例えば７０度に調節す
る。
【００１７】こうした構成の回転式基板処理装置１で
は、基板Ｗに対する処理として前述した乾燥処理の他
に、その前工程として基板Ｗに純水をリンスして基板Ｗ
を水洗する水洗処理が実行される。この水洗処理の工程
では、処理容器１７内に純水吹付ノズル（図示せず）を
用意すると共に、純水吹付ノズルへ純水を供給する純水
供給部（図示せず）を用意することで基板Ｗへの純水の
リンスが実現される。
は、基板Ｗに対する処理として前述した乾燥処理の他
に、その前工程として基板Ｗに純水をリンスして基板Ｗ
を水洗する水洗処理が実行される。この水洗処理の工程
では、処理容器１７内に純水吹付ノズル（図示せず）を
用意すると共に、純水吹付ノズルへ純水を供給する純水
供給部（図示せず）を用意することで基板Ｗへの純水の
リンスが実現される。
【００１８】この水洗工程から乾燥工程までにおいて基
板Ｗの回転速度がどのように変えられるかを次に説明す
る。図３に示すように、水洗工程の開始と共に基板Ｗの
回転速度は次第に大きくなり、続いて一定の回転速度Ｒ
１に保たれる。その後、水洗工程から乾燥工程へ移行す
ると、基板Ｗの回転速度はさらに大きくなりその回転速
度Ｒ１より大きい所定回転速度Ｒ２に保たれる。その
後、乾燥工程が終了すると基板Ｗの回転速度は次第に下
げられる。こうした構成により、水洗時より高い回転速
度で水切り乾燥処理が行なわれることになる。
板Ｗの回転速度がどのように変えられるかを次に説明す
る。図３に示すように、水洗工程の開始と共に基板Ｗの
回転速度は次第に大きくなり、続いて一定の回転速度Ｒ
１に保たれる。その後、水洗工程から乾燥工程へ移行す
ると、基板Ｗの回転速度はさらに大きくなりその回転速
度Ｒ１より大きい所定回転速度Ｒ２に保たれる。その
後、乾燥工程が終了すると基板Ｗの回転速度は次第に下
げられる。こうした構成により、水洗時より高い回転速
度で水切り乾燥処理が行なわれることになる。
【００１９】なお、この実施例では、図３に示すように
水洗工程の開始と共に純水のリンスを開始し水洗工程の
終了と共に純水のリンスを終了している。また、乾燥工
程の開始と共にＩＰＡのベーパーの吹き付けを開始し乾
燥工程の終了と共にその吹き付けを終了している。
水洗工程の開始と共に純水のリンスを開始し水洗工程の
終了と共に純水のリンスを終了している。また、乾燥工
程の開始と共にＩＰＡのベーパーの吹き付けを開始し乾
燥工程の終了と共にその吹き付けを終了している。
【００２０】以上、この第１実施例の構成を詳述したき
たが、この第１実施例によれば、基板Ｗの回転による遠
心力に加えて、基板Ｗの表面へのＩＰＡベーパーを含む
窒素ガスの吹き付けにより、基板Ｗの表面上の水滴を吹
き飛ばす。さらに、基板Ｗ表面に吹き付けられたＩＰＡ
のベーパーは、その一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶解す
ることから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時にお
ける水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解したア
ルコールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇させ
て、アルコール分とともにその水滴を蒸発させる。これ
らの結果、基板Ｗの表面上の水滴は効率よく、しかも確
実に乾燥される。
たが、この第１実施例によれば、基板Ｗの回転による遠
心力に加えて、基板Ｗの表面へのＩＰＡベーパーを含む
窒素ガスの吹き付けにより、基板Ｗの表面上の水滴を吹
き飛ばす。さらに、基板Ｗ表面に吹き付けられたＩＰＡ
のベーパーは、その一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶解す
ることから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時にお
ける水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解したア
ルコールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇させ
て、アルコール分とともにその水滴を蒸発させる。これ
らの結果、基板Ｗの表面上の水滴は効率よく、しかも確
実に乾燥される。
【００２１】特に、この実施例では、ガス吹付ノズル１
３によるベーパーの吹き付け方向を基板Ｗ表面の回転中
心に向かう方向とした構成であることから、従来水切れ
の悪い回転中心部に対してより効率の良い乾燥を行なう
ことができる。
３によるベーパーの吹き付け方向を基板Ｗ表面の回転中
心に向かう方向とした構成であることから、従来水切れ
の悪い回転中心部に対してより効率の良い乾燥を行なう
ことができる。
【００２２】この実施例によりどれほど乾燥の効率が上
がったかを実験的に調べた結果を次に示す。従来例とし
て示した遠心脱水のみの構成では、乾燥を完全に終える
のに、基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m ］で３０秒
掛かった。また、遠心脱水に窒素ガスの吹き付けを加え
た構成では、基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m ］で
１５秒掛かった。これに対して、この実施例の回転式基
板処理装置１では基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m
］で５秒で済んだ。
がったかを実験的に調べた結果を次に示す。従来例とし
て示した遠心脱水のみの構成では、乾燥を完全に終える
のに、基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m ］で３０秒
掛かった。また、遠心脱水に窒素ガスの吹き付けを加え
た構成では、基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m ］で
１５秒掛かった。これに対して、この実施例の回転式基
板処理装置１では基板Ｗの回転速度が３０００［r.p.m
］で５秒で済んだ。
【００２３】なお、この実施例では、前述したように乾
燥工程と実際のＩＰＡベーパーの吹き付け期間とは完全
に一致した構成となっているが、これに対して、図４に
示すように、ＩＰＡベーパーの吹き付け期間を乾燥工程
の終了前に終える構成としてもよい。また、図５に示す
ように、水洗工程の終了前からＩＰＡのベーパーの吹き
付けを開始して、水洗工程における純水のリンス期間に
ＩＰＡベーパーの吹き付け期間を一部重ねる構成として
もよい。
燥工程と実際のＩＰＡベーパーの吹き付け期間とは完全
に一致した構成となっているが、これに対して、図４に
示すように、ＩＰＡベーパーの吹き付け期間を乾燥工程
の終了前に終える構成としてもよい。また、図５に示す
ように、水洗工程の終了前からＩＰＡのベーパーの吹き
付けを開始して、水洗工程における純水のリンス期間に
ＩＰＡベーパーの吹き付け期間を一部重ねる構成として
もよい。
【００２４】この発明の第２実施例を次に説明する。こ
の第２実施例の回転式基板処理装置（横軸型回転式基板
乾燥装置）は、第１実施例の回転式基板処理装置１と比
較して基板処理部１０の構成が相違する。第１実施例の
基板処理部１０では、１枚の基板Ｗをスピンチャック１
１により保持していたが、この第２実施例の基板処理部
では複数の基板Ｗを保持する構成としている。なお、基
板処理部にＩＰＡベーパーを含む窒素ガスを供給するガ
ス供給部については第１実施例のガス供給部３０と同じ
構成である。以下、図６を用いてこの第２実施例の基板
処理部５０の構成を説明する。
の第２実施例の回転式基板処理装置（横軸型回転式基板
乾燥装置）は、第１実施例の回転式基板処理装置１と比
較して基板処理部１０の構成が相違する。第１実施例の
基板処理部１０では、１枚の基板Ｗをスピンチャック１
１により保持していたが、この第２実施例の基板処理部
では複数の基板Ｗを保持する構成としている。なお、基
板処理部にＩＰＡベーパーを含む窒素ガスを供給するガ
ス供給部については第１実施例のガス供給部３０と同じ
構成である。以下、図６を用いてこの第２実施例の基板
処理部５０の構成を説明する。
【００２５】図６に示すように、基板処理部５０は、略
円筒状の処理容器５１と、処理容器５１内に回転可能に
設けられた横軸型のロータ５３と、ロータ５３に着脱自
在に架設され複数の基板Ｗを保持する基板保持具５５
と、基板保持具５５を昇降するために処理容器５１の下
部に昇降自在に設けられた保持具昇降部５７と、ロータ
５３の横軸に平行に設けられ基板保持具５５に保持され
た複数の基板Ｗに向かって上方から窒素ガスを吹き付け
るガス吹付ノズル５９とを備えている。
円筒状の処理容器５１と、処理容器５１内に回転可能に
設けられた横軸型のロータ５３と、ロータ５３に着脱自
在に架設され複数の基板Ｗを保持する基板保持具５５
と、基板保持具５５を昇降するために処理容器５１の下
部に昇降自在に設けられた保持具昇降部５７と、ロータ
５３の横軸に平行に設けられ基板保持具５５に保持され
た複数の基板Ｗに向かって上方から窒素ガスを吹き付け
るガス吹付ノズル５９とを備えている。
【００２６】処理容器５１の周壁上部には基板出入口６
１が、また、周壁下部には排気口６３が形成されてい
る。基板出入口６１は、外気を取り入れるための吸入口
６５が設けられた上蓋６７で覆われている。なお、吸入
口６５にはフィルタ６９が装着されている。
１が、また、周壁下部には排気口６３が形成されてい
る。基板出入口６１は、外気を取り入れるための吸入口
６５が設けられた上蓋６７で覆われている。なお、吸入
口６５にはフィルタ６９が装着されている。
【００２７】ロータ５３は、間隔を隔てて対向するよう
に配置された１対の回転フランジ７１，７２と、回転フ
ランジ７１，７２を一体回転可能に連結する複数の連結
棒７３とを有している。１対の回転フランジ７１，７２
間には、基板保持具５５が架設されている。また、回転
フランジ７１，７２は、外側に突出する回転軸７５が固
定されており、回転軸７５は、処理容器５１の両端に配
置された軸受７７，７８により支持されている。そし
て、回転軸７５は処理容器５１の外側に配置された駆動
モータ（図示せず）によって回転させられるようになっ
ている。回転軸７５の軸受７７と回転フランジ７１との
間には、回転軸７５および軸受７７部分で生じるパーテ
ィクルを処理容器５１内に逆流させないためのプロペラ
７９が取り付けられており、同様に、回転軸７５の軸受
７８と回転フランジ７２との間にはプロペラ８０が取り
付けられている。プロペラ７９，８０で引き起こされた
空気流は、それぞれ外側に流れ得るようになっている。
に配置された１対の回転フランジ７１，７２と、回転フ
ランジ７１，７２を一体回転可能に連結する複数の連結
棒７３とを有している。１対の回転フランジ７１，７２
間には、基板保持具５５が架設されている。また、回転
フランジ７１，７２は、外側に突出する回転軸７５が固
定されており、回転軸７５は、処理容器５１の両端に配
置された軸受７７，７８により支持されている。そし
て、回転軸７５は処理容器５１の外側に配置された駆動
モータ（図示せず）によって回転させられるようになっ
ている。回転軸７５の軸受７７と回転フランジ７１との
間には、回転軸７５および軸受７７部分で生じるパーテ
ィクルを処理容器５１内に逆流させないためのプロペラ
７９が取り付けられており、同様に、回転軸７５の軸受
７８と回転フランジ７２との間にはプロペラ８０が取り
付けられている。プロペラ７９，８０で引き起こされた
空気流は、それぞれ外側に流れ得るようになっている。
【００２８】ガス吹付ノズル５９は、断面円形の管の長
さ方向に複数の孔５９ａを形成したもので、前述したよ
うに基板保持具５５に保持された複数の基板Ｗに向かっ
て上方から窒素ガスを吹き付ける。なお、この窒素ガス
は、第１実施例のガス供給部３０と同じ構成のガス供給
部（図示せず）から供給されるＩＰＡベーパーを含んだ
窒素ガスである。
さ方向に複数の孔５９ａを形成したもので、前述したよ
うに基板保持具５５に保持された複数の基板Ｗに向かっ
て上方から窒素ガスを吹き付ける。なお、この窒素ガス
は、第１実施例のガス供給部３０と同じ構成のガス供給
部（図示せず）から供給されるＩＰＡベーパーを含んだ
窒素ガスである。
【００２９】以上のように構成されたこの第２実施例の
横軸型回転式基板乾燥装置によれば、第１実施例と同様
に、基板Ｗの回転による遠心力と基板Ｗの表面へのＩＰ
Ａベーパーを含む窒素ガスの吹き付けとにより基板Ｗの
表面上の水滴を吹き飛ばすことができ、さらには、ＩＰ
Ａのベーパーの一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶解するこ
とから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時における
水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解したアルコ
ールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇させて、ア
ルコール分とともにその水滴を蒸発させる。これらの結
果、基板Ｗの表面上の水滴を効率よく、しかも確実に乾
燥することができる。特に、この第２実施例によれば、
複数の基板Ｗを同時に乾燥することができ、より乾燥の
効率に優れている。
横軸型回転式基板乾燥装置によれば、第１実施例と同様
に、基板Ｗの回転による遠心力と基板Ｗの表面へのＩＰ
Ａベーパーを含む窒素ガスの吹き付けとにより基板Ｗの
表面上の水滴を吹き飛ばすことができ、さらには、ＩＰ
Ａのベーパーの一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶解するこ
とから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時における
水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解したアルコ
ールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇させて、ア
ルコール分とともにその水滴を蒸発させる。これらの結
果、基板Ｗの表面上の水滴を効率よく、しかも確実に乾
燥することができる。特に、この第２実施例によれば、
複数の基板Ｗを同時に乾燥することができ、より乾燥の
効率に優れている。
【００３０】この発明の第３実施例を次に説明する。こ
の第３実施例の回転式基板処理装置（縦軸型回転式基板
乾燥装置）は、第１および第２実施例の回転式基板処理
装置１と比較して基板処理部１０の構成が相違する。第
２実施例の基板処理部５０では、基板保持具が架設され
るロータ５３の回転軸７５を横方向とした構成であった
が、この第３実施例では、ロータの回転軸を縦方向とし
た構成である。以下、図７を用いてこの第３実施例の基
板処理部１００の構成を説明する。
の第３実施例の回転式基板処理装置（縦軸型回転式基板
乾燥装置）は、第１および第２実施例の回転式基板処理
装置１と比較して基板処理部１０の構成が相違する。第
２実施例の基板処理部５０では、基板保持具が架設され
るロータ５３の回転軸７５を横方向とした構成であった
が、この第３実施例では、ロータの回転軸を縦方向とし
た構成である。以下、図７を用いてこの第３実施例の基
板処理部１００の構成を説明する。
【００３１】図７に示すように、基板処理部１００は、
略円筒状の処理容器１０１と、処理容器１０１内に回転
可能に設けられた縦軸型のロータ１０３と、ロータ１０
３に着脱自在に架設され複数の基板Ｗを保持する基板保
持具１０５，１０６と、ロータ１０３の筒状の回転軸１
０７内部に挿入されて回転軸１０７から突出すると共に
基板保持具１０５，１０６に保持された複数の基板Ｗに
向かって窒素ガスを吹き付けるガス吹付ノズル１０９と
を備えている。
略円筒状の処理容器１０１と、処理容器１０１内に回転
可能に設けられた縦軸型のロータ１０３と、ロータ１０
３に着脱自在に架設され複数の基板Ｗを保持する基板保
持具１０５，１０６と、ロータ１０３の筒状の回転軸１
０７内部に挿入されて回転軸１０７から突出すると共に
基板保持具１０５，１０６に保持された複数の基板Ｗに
向かって窒素ガスを吹き付けるガス吹付ノズル１０９と
を備えている。
【００３２】処理容器１０１の上部には吸入口１１１
が、また、周壁には排気口１１３が形成されている。な
お、吸入口１１１にはフィルタ１１５が装着されてい
る。ガス吹付ノズル１０９は、断面円形の管の長さ方向
に複数の孔１０９ａを形成したもので、前述したように
基板保持具１０５，１０６に保持された複数の基板Ｗに
向かって窒素ガスを吹き付ける。なお、この窒素ガス
は、第１実施例のガス供給部３０と同じ構成のガス供給
部（図示せず）から供給されるＩＰＡベーパーを含んだ
窒素ガスである。
が、また、周壁には排気口１１３が形成されている。な
お、吸入口１１１にはフィルタ１１５が装着されてい
る。ガス吹付ノズル１０９は、断面円形の管の長さ方向
に複数の孔１０９ａを形成したもので、前述したように
基板保持具１０５，１０６に保持された複数の基板Ｗに
向かって窒素ガスを吹き付ける。なお、この窒素ガス
は、第１実施例のガス供給部３０と同じ構成のガス供給
部（図示せず）から供給されるＩＰＡベーパーを含んだ
窒素ガスである。
【００３３】以上のように構成されたこの第３実施例の
縦軸型回転式基板乾燥装置によれば、第１および第２実
施例と同様に、基板Ｗの回転による遠心力と基板Ｗの表
面へのＩＰＡベーパーを含む窒素ガスの吹き付けとによ
り基板Ｗの表面上の水滴を吹き飛ばすことができ、さら
には、ＩＰＡベーパーの一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶
解することから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時
における水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解し
たアルコールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇さ
せて、アルコール分と共にその水滴を蒸発させる。これ
らの結果、基板Ｗの表面上の水滴を効率よく、しかも確
実に乾燥することができる。特に、この第３実施例によ
れば、第２実施例と同様に複数の基板Ｗを同時に乾燥す
ることができ、より乾燥の効率に優れている。
縦軸型回転式基板乾燥装置によれば、第１および第２実
施例と同様に、基板Ｗの回転による遠心力と基板Ｗの表
面へのＩＰＡベーパーを含む窒素ガスの吹き付けとによ
り基板Ｗの表面上の水滴を吹き飛ばすことができ、さら
には、ＩＰＡベーパーの一部が基板Ｗ表面上の水滴に溶
解することから、水滴の表面張力が低下し、基板回転時
における水滴の液切れが向上する。また、水滴に溶解し
たアルコールのベーパーは、水滴部分の蒸気圧を上昇さ
せて、アルコール分と共にその水滴を蒸発させる。これ
らの結果、基板Ｗの表面上の水滴を効率よく、しかも確
実に乾燥することができる。特に、この第３実施例によ
れば、第２実施例と同様に複数の基板Ｗを同時に乾燥す
ることができ、より乾燥の効率に優れている。
【００３４】なお、前記第１ないし第３実施例では、窒
素ガスに含ませるベーパをＩＰＡのベーパとしていた
が、これに換えて、メタノールやエタノール等の他の水
溶性アルコールのベーパとしてもよい。
素ガスに含ませるベーパをＩＰＡのベーパとしていた
が、これに換えて、メタノールやエタノール等の他の水
溶性アルコールのベーパとしてもよい。
【００３５】以上、本発明のいくつかの実施例を詳述し
てきたが、本発明はこうした実施例に何等限定されるも
のではない。例えば、基板としての半導体基板Ｗに換え
て液晶用ガラス基板を用いた構成としてもよく、また、
ＩＰＡのベーパーを窒素ガスに含ませて基板Ｗに吹き付
ける構成に換えてＩＰＡのベーパーをそのまま基板Ｗに
吹き付ける構成としてもよく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲において種々なる態様にて実施し得ることは勿論
である。
てきたが、本発明はこうした実施例に何等限定されるも
のではない。例えば、基板としての半導体基板Ｗに換え
て液晶用ガラス基板を用いた構成としてもよく、また、
ＩＰＡのベーパーを窒素ガスに含ませて基板Ｗに吹き付
ける構成に換えてＩＰＡのベーパーをそのまま基板Ｗに
吹き付ける構成としてもよく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲において種々なる態様にて実施し得ることは勿論
である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板乾燥方
法及び基板乾燥装置では、基板の乾燥を効率よく、しか
も確実に行なうことができる。
法及び基板乾燥装置では、基板の乾燥を効率よく、しか
も確実に行なうことができる。
【図１】この発明を適用する第１実施例としての回転式
基板処理装置１の概略構成図である。
基板処理装置１の概略構成図である。
【図２】回転式基板処理装置１の基板処理部１０に備え
られるスピンチャック１１とそのスピンチャック１１で
保持される基板Ｗとを示す要部斜視図である。
られるスピンチャック１１とそのスピンチャック１１で
保持される基板Ｗとを示す要部斜視図である。
【図３】回転式基板処理装置１で実行されるＩＰＡベー
パー吹き付け等の処理と基板Ｗの回転速度との関係を示
すタイミングチャートである。
パー吹き付け等の処理と基板Ｗの回転速度との関係を示
すタイミングチャートである。
【図４】前記処理と基板Ｗの回転速度との関係の第１の
別態様を示すタイミングチャートである。
別態様を示すタイミングチャートである。
【図５】前記処理と基板Ｗの回転速度との関係の第２の
別態様を示すタイミングチャートである。
別態様を示すタイミングチャートである。
【図６】第２実施例としての回転式基板処理装置の基板
処理部５０を示す概略構成図である。
処理部５０を示す概略構成図である。
【図７】第３実施例としての回転式基板処理装置の基板
処理部１００を示す概略構成図である。
処理部１００を示す概略構成図である。
１…回転式基板処理装置 １０…基板処理部 １１…スピンチャック １３…ガス吹付ノズル １５…飛散防止部材 １７…処理容器 １９…上蓋 ２１…強制排気口 ２３…駆動モータ ３０…ガス供給部 ３１…窒素ガス送入口 ３３…管路 ３５…槽 ３７…ヒータ ５０…基板処理部 ５１…処理容器 ５３…ロータ ５５…基板保持具 ５９…ガス吹付ノズル ５９ａ…孔 １００…基板処理部 １０１…処理容器 １０３…ロータ １０５，１０６…基板保持具 １０９…ガス吹付ノズル １０９ａ…孔 Ｗ…基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を回転させて基板の表面に付着した
水滴を水切り乾燥する基板乾燥方法において、 前記回転中の基板の表面に水溶性アルコールのベーパー
を吹き付けることを特徴とする基板乾燥方法。 - 【請求項２】 ベーパの吹き付け方向が基板表面の回転
中心に向かう方向である請求項１記載の基板乾燥方法。 - 【請求項３】 請求項１の方法に使用される基板乾燥装
置であって、 基板を保持して回転する基板回転手段と、 水溶性アルコールのベーパーを発生させるベーパー発生
手段と、 前記ベーパー発生部で発生した水溶性アルコールのベー
パーを、基板回転手段に保持された基板の表面に供給す
る供給手段と、 を具備することを特徴とする基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12093993A JPH06310486A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12093993A JPH06310486A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310486A true JPH06310486A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14798713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12093993A Pending JPH06310486A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310486A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0969509A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
| EP0868856A4 (en) * | 1995-10-12 | 2000-04-05 | Ono Foods Ind Co Ltd | METHOD FOR DRYING FOODS WITH RADIATION IN THE FAR INFRARED UNDER REDUCED PRESSURE AND AT LOW TEMPERATURES |
| WO2001082339A3 (de) * | 2000-04-22 | 2002-03-14 | Contrade Microstructure Techno | Verfahren und vorrichtung zum nasschemischen entfernen von schichten und zur reinigung von scheibenförmigen einzelsubstraten |
| EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
| JP2008071807A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| EP2905803A1 (en) | 2014-02-06 | 2015-08-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning and drying semiconductor substrate |
| JP2016200288A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 株式会社クレオ | 容器テーブルを備える容器の脱水装置 |
| EP3396702A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP12093993A patent/JPH06310486A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0969509A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
| EP0868856A4 (en) * | 1995-10-12 | 2000-04-05 | Ono Foods Ind Co Ltd | METHOD FOR DRYING FOODS WITH RADIATION IN THE FAR INFRARED UNDER REDUCED PRESSURE AND AT LOW TEMPERATURES |
| WO2001082339A3 (de) * | 2000-04-22 | 2002-03-14 | Contrade Microstructure Techno | Verfahren und vorrichtung zum nasschemischen entfernen von schichten und zur reinigung von scheibenförmigen einzelsubstraten |
| JP2008071807A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
| EP2905803A1 (en) | 2014-02-06 | 2015-08-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning and drying semiconductor substrate |
| KR20150093098A (ko) | 2014-02-06 | 2015-08-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 세정 건조 방법 |
| US9524863B2 (en) | 2014-02-06 | 2016-12-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning and drying semiconductor substrate |
| JP2016200288A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 株式会社クレオ | 容器テーブルを備える容器の脱水装置 |
| EP3396702A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
| KR20180120606A (ko) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 세정 건조 방법 |
| US10811247B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
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