JPH0631443B2 - マグネシウム合金へのめっき成膜方法 - Google Patents
マグネシウム合金へのめっき成膜方法Info
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- JPH0631443B2 JPH0631443B2 JP7432289A JP7432289A JPH0631443B2 JP H0631443 B2 JPH0631443 B2 JP H0631443B2 JP 7432289 A JP7432289 A JP 7432289A JP 7432289 A JP7432289 A JP 7432289A JP H0631443 B2 JPH0631443 B2 JP H0631443B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は所要形状に加工されたマグネシウム合金に、
所要のめっき膜を得るためのめっき方法に係るものであ
る。
所要のめっき膜を得るためのめっき方法に係るものであ
る。
第3図は従来のマグネシウム合金へのめっき成膜方法を
説明するための図であり、以下第3図に基づきめっき成
膜方法を説明する。
説明するための図であり、以下第3図に基づきめっき成
膜方法を説明する。
第3図において、従来のマグネシウム合金へのめっき成
膜方法はマグネシウム合金(1)をクロム酸酸洗液で酸洗
後リン酸1.91〜2.22mo、酸性フッ化アンモン1.72〜
1.84moに調整した活性化液を用いて活性化処理する
ことによりマグネシウム合金(1)の表面にMgF2(6)の皮膜
を形成した後、亜鉛置換を施すことによりマグネシウム
合金(1)の表面に均一な亜鉛置換膜(2)が形成される。
膜方法はマグネシウム合金(1)をクロム酸酸洗液で酸洗
後リン酸1.91〜2.22mo、酸性フッ化アンモン1.72〜
1.84moに調整した活性化液を用いて活性化処理する
ことによりマグネシウム合金(1)の表面にMgF2(6)の皮膜
を形成した後、亜鉛置換を施すことによりマグネシウム
合金(1)の表面に均一な亜鉛置換膜(2)が形成される。
次に上記亜鉛置換膜(2)を形成した後、その亜鉛置換膜
(2)上に電気分解による銅めっき膜(3)を1〜2μ施し、
さらにニッケルめっき膜(4)を設けた後に所要のめっき
膜(5)を形成するようにしていた。
(2)上に電気分解による銅めっき膜(3)を1〜2μ施し、
さらにニッケルめっき膜(4)を設けた後に所要のめっき
膜(5)を形成するようにしていた。
なお、マグネシウムは両性金属でPHが10ないし11で
は反応がマイルドでPH5以下とPH11以上では反応が激
しくなる。そこで脱脂クロム酸による酸洗いを行った
後、活性化処理による弗化マグネシウム形成から防錆バ
リアーである無電解ニッケルの成膜までの全てをPH5な
いしPH11の範囲内で行う必要がある。
は反応がマイルドでPH5以下とPH11以上では反応が激
しくなる。そこで脱脂クロム酸による酸洗いを行った
後、活性化処理による弗化マグネシウム形成から防錆バ
リアーである無電解ニッケルの成膜までの全てをPH5な
いしPH11の範囲内で行う必要がある。
従来はマグネシウム合金(1)に亜鉛置換膜(2)を形成した
後、電気分解による銅めっき膜(3)を設け、さらにその
銅めっき膜(3)上にニッケルめっき膜(4)を形成するよう
にしていたがアスペクト比(穴深さ/穴底)の大きな形
状をもつマグネシウム合金に所要のめっき膜を形成する
場合、上記従来の方法ではマグネシウム合金の形状によ
り銅めっきにおける電流分布の強度が不均一となり、か
ならずしもマグネシウム合金に均一なめっき膜を形成す
ることができなかった。さらに詳しく述べると銅めっき
膜(3)上に所要のめっき膜(例えばニッケルめっき膜)
を施した場合、電流分布の強度が小さい部分のところで
はニッケルめっきや硫酸銅めっき中に含まれる成分によ
りマグネシウム合金との間で急激な反応を起こし、その
ためマグネシウム合金にめっき膜を形成することができ
ないことがあった。
後、電気分解による銅めっき膜(3)を設け、さらにその
銅めっき膜(3)上にニッケルめっき膜(4)を形成するよう
にしていたがアスペクト比(穴深さ/穴底)の大きな形
状をもつマグネシウム合金に所要のめっき膜を形成する
場合、上記従来の方法ではマグネシウム合金の形状によ
り銅めっきにおける電流分布の強度が不均一となり、か
ならずしもマグネシウム合金に均一なめっき膜を形成す
ることができなかった。さらに詳しく述べると銅めっき
膜(3)上に所要のめっき膜(例えばニッケルめっき膜)
を施した場合、電流分布の強度が小さい部分のところで
はニッケルめっきや硫酸銅めっき中に含まれる成分によ
りマグネシウム合金との間で急激な反応を起こし、その
ためマグネシウム合金にめっき膜を形成することができ
ないことがあった。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
あり、アスペクト比の大きな形状をもつマグネシウム合
金に対しても均一なめっき膜を形成することができるマ
グネシウム合金への成膜方法を得ることを目的とするも
のである。
あり、アスペクト比の大きな形状をもつマグネシウム合
金に対しても均一なめっき膜を形成することができるマ
グネシウム合金への成膜方法を得ることを目的とするも
のである。
この発明に係るマグネシウム合金への成膜方法は電気分
解による銅めっきの薄膜上に無電解銅めっき膜を形成
し、その無電解銅めっき膜上に無電解ニッケルめっき膜
を形成するようにしたものである。
解による銅めっきの薄膜上に無電解銅めっき膜を形成
し、その無電解銅めっき膜上に無電解ニッケルめっき膜
を形成するようにしたものである。
またこの発明は上記無電解ニッケルめっき膜を形成した
後に、その微視孔に四弗化エチレンを含浸させるように
したものである。
後に、その微視孔に四弗化エチレンを含浸させるように
したものである。
この発明において、無電解銅めっき膜はマグネシウム合
金との間では反応性がないため複雑形状やアスペクト比
の大きな形状をもつマグネシウム合金に均一なめっき膜
を形成し、さらに無電解ニッケルめっき膜は防錆バリア
として作用する。また四弗化エチレンは無電解ニッケル
めっき膜の微視孔に含浸されるので無電解ニッケルめっ
き膜を最終膜とする場合、耐食性をさらに向上させる。
金との間では反応性がないため複雑形状やアスペクト比
の大きな形状をもつマグネシウム合金に均一なめっき膜
を形成し、さらに無電解ニッケルめっき膜は防錆バリア
として作用する。また四弗化エチレンは無電解ニッケル
めっき膜の微視孔に含浸されるので無電解ニッケルめっ
き膜を最終膜とする場合、耐食性をさらに向上させる。
以下第1図によりこの発明のマグネシウム合金へのめっ
き成膜方法について説明する。
き成膜方法について説明する。
第1図において、所要の形状に加工されたマグネシウム
合金(1)をクロム酸酸洗液で酸洗後リン酸1.91〜2.22mo
l、酸性フッ化アンモン1.72〜1.84molに調整した活性化
液を用いて活性化処理することによりマグネシウム合金
(1)の表面にMgF2(6)の皮膜を形成した後に亜鉛置換を施
すことによりマグネシウム合金(1)の表面は均一な亜鉛
置換膜(2)で覆われる。
合金(1)をクロム酸酸洗液で酸洗後リン酸1.91〜2.22mo
l、酸性フッ化アンモン1.72〜1.84molに調整した活性化
液を用いて活性化処理することによりマグネシウム合金
(1)の表面にMgF2(6)の皮膜を形成した後に亜鉛置換を施
すことによりマグネシウム合金(1)の表面は均一な亜鉛
置換膜(2)で覆われる。
次に電気分解による銅めっき皮膜(3)を0.1ないし2μ施
しPH12.3ないし12.7に制御したパラホルムアルデヒドを
還元剤とした無電解銅めっき膜(7)を2μを施すことに
より複雑形状品や高アスペクト品に均一な成膜ができ
る。
しPH12.3ないし12.7に制御したパラホルムアルデヒドを
還元剤とした無電解銅めっき膜(7)を2μを施すことに
より複雑形状品や高アスペクト品に均一な成膜ができ
る。
すなわち上記無電解銅めっき膜(7)はマグネシウム合金
(1)との間では反応性がないという特性を有しており、
電気分解による銅めっき皮膜(3)上に本発明による無電
解銅めっき膜(7)を施すことにより均一な成膜ができ
る。
(1)との間では反応性がないという特性を有しており、
電気分解による銅めっき皮膜(3)上に本発明による無電
解銅めっき膜(7)を施すことにより均一な成膜ができ
る。
次に防錆バリアーとして膜厚を均等とするため次亜リン
酸ソーダを還元剤とするニッケルめっき膜(8)を5ない
し10μ施すことにより複雑形状品やアスベスト比の高
い物品に均一な膜形成が可能となり、めっき液中での物
品の腐食を起こすことがない。
酸ソーダを還元剤とするニッケルめっき膜(8)を5ない
し10μ施すことにより複雑形状品やアスベスト比の高
い物品に均一な膜形成が可能となり、めっき液中での物
品の腐食を起こすことがない。
第2図はこの発明の他の実施例を示す図であり、第1図
の方法と異なるところは無電解ニッケルめっき膜(8)を
形成した後にその無電解ニッケルめっき膜(8)の微視孔
に四弗化エチレン(13)を含浸させたところである。この
四弗化エチレン(13)の含浸による特徴は無電解ニッケル
めっき膜(8)を最終膜とする場合、第1図の方法に比べ
てさらに耐食性を向上させるところである。
の方法と異なるところは無電解ニッケルめっき膜(8)を
形成した後にその無電解ニッケルめっき膜(8)の微視孔
に四弗化エチレン(13)を含浸させたところである。この
四弗化エチレン(13)の含浸による特徴は無電解ニッケル
めっき膜(8)を最終膜とする場合、第1図の方法に比べ
てさらに耐食性を向上させるところである。
以上のようにこの発明は電気分解による銅めっき膜上に
マグネシウム合金との間で反応しない特性を有する無電
解銅めっき膜を形成することによりマグネシウム合金を
安定した状態でめっき成膜を行うことができるため高ア
スペクト、複雑形状品のマグネシウム合金に均一なめっ
き成膜を施すことができる。また無電解銅めっき膜上に
防錆バリアとしての無電解ニッケルめっき膜を形成する
ことにより耐食性を向上させることができる。さらに無
電解ニッケルめっきの微視孔に四弗化エチレンを含浸さ
せることでめっき液中での物品の腐食、皮膜不均一によ
る腐食をさらに防止することが可能となり製造コスト、
信頼性を向上させることができマグネシウム合金を用い
た製品の軽量化に対応することができる。
マグネシウム合金との間で反応しない特性を有する無電
解銅めっき膜を形成することによりマグネシウム合金を
安定した状態でめっき成膜を行うことができるため高ア
スペクト、複雑形状品のマグネシウム合金に均一なめっ
き成膜を施すことができる。また無電解銅めっき膜上に
防錆バリアとしての無電解ニッケルめっき膜を形成する
ことにより耐食性を向上させることができる。さらに無
電解ニッケルめっきの微視孔に四弗化エチレンを含浸さ
せることでめっき液中での物品の腐食、皮膜不均一によ
る腐食をさらに防止することが可能となり製造コスト、
信頼性を向上させることができマグネシウム合金を用い
た製品の軽量化に対応することができる。
第1図はこの発明のマグネシウム合金へのめっき皮膜方
法を説明するための図、第2図はこの発明の他の実施例
を説明するための図、第3図は従来のマグネシウム合金
へのめっき皮膜方法を説明するための図である。 図中、(1)はマグネシウム合金、(2)は亜鉛置換膜、(3)
は銅めっき膜、(4)はニッケルめっき皮膜、(5)はめっき
膜、(6)はMgF2、(7)は無電解銅めっき膜、(8)は無電解
ニッケルめっき膜、(9)は四弗化エチレンである。
法を説明するための図、第2図はこの発明の他の実施例
を説明するための図、第3図は従来のマグネシウム合金
へのめっき皮膜方法を説明するための図である。 図中、(1)はマグネシウム合金、(2)は亜鉛置換膜、(3)
は銅めっき膜、(4)はニッケルめっき皮膜、(5)はめっき
膜、(6)はMgF2、(7)は無電解銅めっき膜、(8)は無電解
ニッケルめっき膜、(9)は四弗化エチレンである。
Claims (2)
- 【請求項1】マグネシウム合金に亜鉛置換膜を施し、そ
の膜上に電気分解による銅めっき膜を設けた後、所要の
めっき膜を形成するようにしたマグネシウム合金へのめ
っき成膜方法において、上記銅めっき膜上に無電解銅め
っき膜を形成し、その無電解銅めっき膜上に防錆バリア
ーとして無電解ニッケルめっき膜を形成したことを特徴
とするマグネシウム合金へのめっき成膜方法。 - 【請求項2】上記無電解ニッケルめっき膜を形成した後
に、その微視孔に四弗化エチレンを含浸させたことを特
徴とする請求項1記載のマグネシウム合金へのめっき成
膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7432289A JPH0631443B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マグネシウム合金へのめっき成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7432289A JPH0631443B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マグネシウム合金へのめっき成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254179A JPH02254179A (ja) | 1990-10-12 |
| JPH0631443B2 true JPH0631443B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=13543764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7432289A Expired - Fee Related JPH0631443B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マグネシウム合金へのめっき成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105525290A (zh) * | 2014-10-23 | 2016-04-27 | 吴长义 | 镁合金材料、终端、通讯设备、交通工具及制备方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2378993C (en) | 2002-03-26 | 2007-12-18 | National Research Council Of Canada | Acousto-immersion coating and process for magnesium and its alloys |
| US7704366B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-04-27 | Trevor Pearson | Pretreatment of magnesium substrates for electroplating |
| CN100430520C (zh) * | 2005-12-30 | 2008-11-05 | 东北大学 | 一种镁及镁合金表面化学镀铜的方法 |
| US8231743B2 (en) | 2009-10-22 | 2012-07-31 | Atotech Deutschland Gmbh | Composition and process for improved zincating magnesium and magnesium alloy substrates |
| CN105586590A (zh) * | 2014-10-23 | 2016-05-18 | 吴长义 | 镁合金材料、终端、通讯设备、交通工具及制备方法 |
| CN105586598A (zh) * | 2014-10-23 | 2016-05-18 | 吴长义 | 镁合金材料、终端、通讯设备、交通工具及制备方法 |
| CN114045476B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-10-20 | 重庆大学 | 一种铜镁复合材料及其制备方法和应用 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7432289A patent/JPH0631443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105525290A (zh) * | 2014-10-23 | 2016-04-27 | 吴长义 | 镁合金材料、终端、通讯设备、交通工具及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02254179A (ja) | 1990-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |