JPH06314861A

JPH06314861A - 電子部品搭載用基板

Info

Publication number: JPH06314861A
Application number: JP5102571A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Noma; 浩史野間
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1993-04-28
Filing date: 1993-04-28
Publication date: 1994-11-08
Anticipated expiration: 2015-02-28
Also published as: JP3014892B2

Abstract

(57)【要約】【目的】放熱性に優れた電子部品搭載用基板を得る。【構成】基材に、導体回路及び電子部品搭載部を有す
る電子部品搭載用基板において、前記電子部品搭載部以
外の部分に、複数の開口部を有する絶縁材層が形成され
てなり、その絶縁材層表面の大部分には金属層が形成さ
れてなる電子部品搭載用基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品搭載用基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばＩＣチップ等の電子部品を
搭載するための基板に用いられるプリント配線板には、
電子部品の熱の放散を目的として、種々の放熱対策（メ
タルコア化、基板の空洞化、放熱板の使用、空冷等）が
施されている。

【０００３】また、この種の基板に放熱対策を施してお
くことは、高機能化・高集積化する傾向にある電子部品
を熱破壊等から守り、より基板の高信頼化を図るうえで
必要不可欠であると考えられている。

【０００４】図７，図８には、従来における種々の放熱
対策のうちの一種として、金属製の放熱板を採用した電
子部品搭載用基板５０が例示されている。この基板５０
の表面側には、導体回路５１やＩＣチップ５２搭載用の
キャビティ５３等が形成されている。一方、前記基板５
０の裏面側にはざぐり加工等によって凹部５４が設けら
れており、その凹部５４内には略四角形状の放熱板５５
が嵌合されている。そして、この放熱板５５の上面に
は、発熱体であるＩＣチップ５２が直に載置されてい
る。

【０００５】従って、このような構成の基板５０にあっ
ては、ＩＣチップ５２の熱が放熱板５５側に伝導して、
基板５０の裏面側から大気中に放散されるようになって
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の基板
５０のように放熱板５５を備えた構造では、必ずしも充
分な放熱効果を得ることができない場合もある。

【０００７】例えば、ＩＣチップ５２の発熱量が大きい
場合などには、放熱板５５もそれに応じてある程度大型
のものとする必要がある。しかし、通常は周囲に存在す
る配線パターン５６等によりスペース上の制約を受ける
ため、放熱板５５の外形に合った凹部５４のための設置
スペースを確保することは容易なことではない。

【０００８】従って、放熱板５５の大型化による放熱効
率の向上を充分に図ることができなくなり、結果として
回路の誤動作、基板５０の破壊、ＩＣチップ５２の剥が
れ等といった不具合が生じ易くなる。

【０００９】また、バイト等の工具を用いたざぐり加工
には、例えば凹部５４の底面に段差が生じ易くなる等と
いうように、精度良く加工することが難しいという問題
がある。

【００１０】更に、近年増えつつあるマルチチップモジ
ュール等のように、基板５０上に多数の凹部５４を形成
する必要がある場合、ざぐり加工では極めて作業が煩雑
になり、かつコスト的にも高くなってしまう。

【００１１】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、容易にかつ安価に形成することが
可能であるにも関わらず、電子部品の熱を確実に放散す
ることができ、高い信頼性を確保することができる電子
部品搭載用基板を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、基材に導体回路及び
電子部品搭載部が設けられた電子部品搭載用基板におい
て、前記基材の外表面における前記電子部品搭載部以外
の領域に、凹部を有する樹脂絶縁層が形成され、その樹
脂絶縁層表面の大部分に金属層が形成されてなる電子部
品搭載用基板をその要旨としている。

【００１３】また、請求項２に記載の発明では、基材に
導体回路及び電子部品搭載部が設けられた電子部品搭載
用基板において、前記基材の外表面における前記電子部
品搭載部以外の領域に、複数の開口部を有する感光性樹
脂製の絶縁層が形成され、その絶縁層表面の大部分に無
電解金属めっき層が形成されてなる電子部品搭載用基板
をその要旨としている。

【００１４】この場合、電子部品搭載部と無電解金属め
っき層とを熱伝導体を介して接続したり、熱伝導体をス
ルーホールまたはバイアホールから選択される少なくと
も一種としても良い。

【００１５】

【作用】請求項１記載の発明の構成によると、電子部品
の熱は、凹部を有する樹脂絶縁層表面の大部分に形成さ
れた金属層から効率良く大気中に放散される。

【００１６】また、請求項２に記載の発明に構成による
と、電子部品の熱は、複数の開口部を有する感光性樹脂
製の絶縁層表面の大部分に形成された無電解金属めっき
層から効率良く大気中に放散される。

【００１７】この場合、電子部品搭載部と無電解金属め
っき層とを熱伝導体を介して接続することによって、無
電解金属めっき層側への熱の伝導が一層確実なものとな
り、放熱効率が向上する。

【００１８】また、熱伝導体をスルーホールまたはバイ
アホールから選択される少なくとも一種とすることが望
ましい。通常の基板の製造工程によって容易に形成可能
なスルーホール等であれば、工程が煩雑化することもな
く、コスト的にも有利だからである。

【００１９】

【実施例】以下、本発明を具体化した各実施例を図面に
基づき詳細に説明する。〔実施例１〕まず、図１，図２に基づいて実施例１の電
子部品搭載用基板１を詳細に説明する。

【００２０】図１に示されるように、本実施例の電子部
品搭載用基板１を構成する基材２の表面には、導体回路
３としての配線パターン３ａやボンディングパッド３ｂ
等が形成されている。また、基材２の表面には、電子部
品搭載部としてのキャビティ４が設けられている。この
キャビティ４内には、電子部品としてのＩＣチップ５が
収容されている。そして、図示しないＩＣチップ５側の
ボンディングパッドと基材２側のボンディングパッド３
ｂとは、ワイヤボンディング６を介して電気的に接続さ
れている。

【００２１】一方、図１，２に示されるように、基材２
の裏面側には、樹脂絶縁層としての感光性樹脂製の絶縁
層７が形成されている。また、その絶縁層７には、凹部
としての複数のインタスティシャルバイアホール（以下
「ＩＶＨ」という）形成用穴８が形成されている。前記
絶縁層７上の大部分の領域には金属層としての無電解銅
めっき層９が形成されている。つまり、この実施例の基
板１は、外見上、表裏両面に二層の導体層を持つ、いわ
ゆる両面板に類似した構成を有していることになる。

【００２２】また、本実施例では前記無電解銅めっき層
９は、放熱体としての役割を果たす部分として形成され
ている。そして、この無電解銅めっき層９には、通常の
ベタ状の金属層に比べて大きな表面積が確保されてい
る。

【００２３】次に、この電子部品搭載用基板１を作製す
る手順の一例を示す。まず、基材２の片面に厚さ３５μ
ｍの銅箔が貼り付けられたガラス−トリアジン銅張積層
板（厚さ１．６mm）を出発材料とし、その表面側にざぐ
り加工を施してキャビティ４を形成する。次いで、銅箔
上にエッチングレジストを配置し、常法に従ってエッチ
ングを行うことにより、基材２の所定部分に配線パター
ン３ａ及びボンディングパッド３ｂ等を形成する。

【００２４】前記エッチングレジストを剥離した後、基
材２の裏面側に感光性を有する接着剤をスクリーン印刷
等によって塗布する。この場合、樹脂マトリックス中に
樹脂フィラーが分散された、いわゆるアディティブ用の
接着剤が使用される。このとき、前記樹脂マトリックス
としては感光性樹脂を用いることが望ましい。

【００２５】前記樹脂フィラーとしては、平均粒径が
１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末を凝集させて平均粒径が２μｍ〜１
０μｍの大きさとした凝集粒子、平均粒径が２μｍ〜
１０μｍの耐熱性樹脂粉末と、平均粒径が２μｍ以下の
耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２μｍ〜１０
μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子から選ばれることが望ま
しい。

【００２６】また、このような接着剤層に形成されるア
ンカーの形状、アンカーの深さについては、粒径の異な
るフィラーにて表面粗度が１μｍ〜２０μｍの範囲内に
なることが望ましく、その場合には導体に充分な密着強
度が得られる。

【００２７】なお、本実施例では次のような手順により
感光性接着剤の調製を行っている。まず、６０重量部フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂の５０％アクリル化
物（日本化薬製）と、４０重量部のビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（油化シェル製，Ｅ−１００１）とをブ
チルセルソルブアセテート溶液に溶解させ、次いで硬化
剤としての５重量部の２−フェニルイミダゾール（四国
化成製，２ＰＺ）と、１０重量部のエポキシ樹脂粒子
（東レ製，トレパールＥＰ−Ｂ平均粒径３．９μｍ）
と、２０重量部のエポキシ樹脂粒子（東レ製，トレパー
ルＥＰ−Ｂ平均粒径０．５μｍ）とを混合する。そし
て、この混合物にジメチルホルムアミド溶液を添加しな
がらホモディスパー分散機にて混練することにより、粘
度を１２０ｃｐｓに調整する。この結果、所望の感光性
接着剤が得られる。

【００２８】次いで、接着剤層上にフォトマスクを配置
して露光・現像を行うことにより、前記接着剤層を部分
的に硬化させる。この処理によって、基材２の裏面には
厚さ約１５０μｍの絶縁層７が形成される。また、前記
絶縁層７には、同時に複数のＩＶＨ形成用穴（最大径３
００μｍ，深さ１５０μｍ）８が形成される。

【００２９】続いて、クロム酸処理等の処理によって絶
縁層７の表面を粗化することにより、直径約１０μｍの
アンカー用凹部を多数有する粗化面７ａを形成する。そ
して、前記粗化面７ａ及びＩＶＨ形成用穴８の底部に、
無電解銅めっきを析出させるためのＰｄ触媒核を付与す
る。更に、不要部分への無電解銅めっきの析出を防ぐた
めに、基材２の表面側にめっきレジストを配置する。

【００３０】ここで、前記触媒核を活性化した後、直ち
に厚付け無電解銅めっきを行い、基材２裏面の大部分の
領域に厚さ２０μｍの無電解銅めっき層９を形成する。
なお、本実施例では、上記ような無電解銅めっきを行う
ための厚付けめっき浴として、銅−トリエチレンジアミ
ン系の銅めっき浴（日本電装製，商品名：ＮＤ）が用い
られている。

【００３１】この実施例の場合、形成される無電解銅め
っき層９の厚さは５μｍ〜５０μｍ程度、更には１５μ
ｍ〜２５μｍ程度であることが望ましい。この厚さが５
μｍ未満であると、前記範囲内に設定した場合に比べて
放熱速度が遅くなるという現象が生じるため好ましくな
い。一方、この厚さが５０μｍを越えると、前記範囲内
に設定した場合に比べて無電解銅めっき層９の表面積が
減少し、放熱効率が低下してしまう。

【００３２】また、絶縁層７に形成されるＩＶＨ形成用
穴８の最大径及び深さについても、それぞれ１００μｍ
〜１５０，２００μｍ〜３００μｍ程度であることが良
い。その理由は、放熱速度を考慮した場合、かかる範囲
内であることが好適だからである。

【００３３】この後、常法に従って基材２からのめっき
レジストの剥離、ＩＣチップ５の実装及びワイヤボンデ
ィング等を行うことにより、最終的に図１のような状態
の基板１が得られる。

【００３４】さて、本実施例の電子部品搭載用基板１に
よると、ＩＣチップ５の熱は、基材２及び絶縁層７を経
て、基材２の裏面側の無電解銅めっき層９に伝導する。
そして、前記熱は無電解銅めっき層９の外表面から大気
中に放散され、その結果としてＩＣチップ５の温度上昇
が回避される。

【００３５】しかも、表面積の大きな無電解銅めっき層
９を裏面の大部分に設けた本実施例の構成によれば、Ｉ
Ｃチップ５の発熱量が大きくても確実にかつ効率良く熱
放散が行われる。従って、熱に起因する不具合（ＩＣチ
ップ５の剥がれ・基板１の破壊等）が回避され、基板１
に高い信頼性が確保される。

【００３６】また、基本的に本実施例においては、放熱
体である無電解銅めっき層９は、通常のビルドアップ法
のプロセスにて作製可能であるということを特徴とす
る。よって、従来のときとは異なり、放熱板の嵌め込み
作業や、収容部形成のためのざぐり加工等のような煩雑
かつコスト高を招くような作業が不要となる。

【００３７】以上のことに加えて、前記プロセスによっ
て作製される無電解銅めっき層９によると、その形状を
任意の形状にすることができるという利点がある。ゆえ
に、放熱板を有する従来の基板のときのように、放熱板
の設置場所に制約を受けることもなく、配線の自由度を
低下させるということもない。

【００３８】更に、無電解銅めっき層９を裏面の大部分
に設けた本実施例の構成によれば、放熱性の向上に加え
て電磁シールド性も確実に向上する。〔実施例２〕次に、図３に基づき実施例２の電子部品搭
載用基板１１を詳細に説明する。

【００３９】本実施例の電子部品搭載用基板１１では、
基材２の表裏両面に導体回路３を有する両面板１２の裏
面側に、ビルドアップ層Ｂ1 が配置された構成を採用し
ている。

【００４０】基材２の表面側には、導体回路３としての
配線パターン３ａ、ボンディングパッド３ｂ、電子部品
搭載部としてのダイパッド３ｃ等が形成されている。一
方、基材２の裏面側には、配線パターン３ａが形成され
ている。

【００４１】前記ダイパッド３ｃ上にはＩＣチップ５が
搭載されている。そして、図示しないＩＣチップ５側の
ボンディングパッドと基材２側のボンディングパッド３
ｂとは、ワイヤボンディング６を介して電気的に接続さ
れている。

【００４２】また、ＩＣチップ５の下面となる部分に
は、複数のスルーホール１３が基材２の表裏を貫通する
ように形成されている。前記ビルドアップ層Ｂ1 は、基
本的に、樹脂絶縁層としての感光性樹脂製の絶縁層１
４，１５と、導体層及び金属層とが交互に積層されたよ
うな構成を有している。

【００４３】内層側に位置する第一の絶縁層１４におい
て、前記ＩＣチップ５の下面となる部分には、複数のＩ
ＶＨ形成用孔１６ａが形成されている。ＩＶＨ形成用孔
１６ａの内面には、第一の導体層としての無電解銅めっ
き層１６ｂが形成されている。つまり、この基板１１で
は、ＩＶＨ形成用孔１６ａと無電解銅めっき層１６ｂと
からなるＩＶＨ１６が設けられていることになる。

【００４４】外層側に位置する第二の絶縁層１５には、
凹部としての複数のＩＶＨ形成用穴１７ａが形成されて
いる。前記絶縁層１５上の大部分の領域には、金属層と
しての無電解銅めっき層１７ｂが形成されている。

【００４５】前記ダイパッド３ｃと無電解銅めっき層１
７ｂとは、各スルーホール１３と各ＩＶＨ１６とによっ
て接続された状態にある。即ち、この基板１１において
は、両者３ｃ，１７ｂとの間に介在する各スルーホール
１３と各ＩＶＨ１６とによって熱伝導体Ｈが構成されて
いることになる。

【００４６】次に、この電子部品搭載用基板１１を作製
する手順の一例を示す。まず、基材２の両面に厚さ３５
μｍの銅箔を有するガラス−トリアジン銅張積層板（厚
さ１．６mm）を出発材料とし、その所定位置にドリル加
工を施すことによりスルーホール１３となる貫通孔を形
成する。次いで、通常のサブトラクティブ法のプロセス
に従って、導体回路３及びスルーホール（内径約２００
μｍ）１３を有する両面板１２を作製する。

【００４７】この両面板１２を脱脂・酸洗・バフ研磨・
水洗・乾燥した後、その表裏両面に実施例１のときと同
様のアディティブ用接着剤をロールコータ等によって塗
布する。次いで、接着剤層上にフォトマスクを配置して
露光・現像を行うことにより、前記接着剤層を部分的に
硬化させる。

【００４８】この処理によって、基板１１の裏面には、
厚さ約１５０μｍの第一の絶縁層１４が形成される。ま
た、前記第一の絶縁層１４の所定部分には、複数のＩＶ
Ｈ形成用穴（最大径３００μｍ，深さ約１５０μｍ）１
６ａが形成される。

【００４９】続いて、クロム酸処理等の処理によって第
一の絶縁層１４の表面を粗化することにより、直径約１
０μｍのアンカー用凹部を多数有する粗化面を形成す
る。そして、無電解銅めっきを析出させるためのＰｄ触
媒核を付与した後、不要部分への無電解銅めっきの析出
を防ぐために、基材２の表裏の所定部分にめっきレジス
トを配置する。

【００５０】ここで、前記触媒核を活性化した後、直ち
に厚付け無電解銅めっきを行う。このめっき処理によっ
て、ＩＶＨ形成用穴１６ａの内面には、厚さ２０μｍの
無電解銅めっき層１６ｂが形成される。本実施例では、
上記ような無電解銅めっきを行うための厚付けめっき浴
として、前記実施例１と同じ銅めっき浴が用いられてい
る。

【００５１】次に、基材２の裏面に再び前記接着剤を塗
布し、フォトマスクを配置した状態での露光・現像を行
うことにより、第二の絶縁層（厚さ約１５０μｍ）１５
を形成する。このとき、前記第二の絶縁層１５の大部分
の領域には、複数のＩＶＨ形成用穴（最大径３００μ
ｍ，深さ約１５０μｍ）１７ａが形成される。

【００５２】続いて、前述した表面粗化処理・触媒核の
付与・触媒核の活性化を行った後、前記めっき浴を用い
て直ちに厚付け無電解銅めっきを行う。このめっき処理
によって、ＩＶＨ形成用穴１７ａの内面及びＩＶＨ形成
用穴１７ａから露出した第一の絶縁層１４の表面に、厚
さ２０μｍの無電解銅めっき層１７ｂが形成される。こ
の後、常法に従って基材２からのめっきレジストの剥
離、ＩＣチップ５の実装及びワイヤボンディング等を行
うことにより、最終的に図３のような状態の基板１１が
得られる。

【００５３】さて、本実施例の電子部品搭載用基板１１
は、表面積の大きな無電解銅めっき層１７ｂを裏面の大
部分に設けるという、前記実施例１と同じ基本構成を有
していることがわかる。このため、この構成であって
も、実施例１にて詳述した種々の作用・効果が得られる
ことは明白である。

【００５４】また、本実施例の電子部品搭載用基板１１
では、ＩＣチップ５の熱は、熱伝導体Ｈとしてのスルー
ホール１３及びＩＶＨ１６を介して、裏面側の無電解銅
めっき層１７ｂに伝導されることを特徴としている。従
って、実施例１のときよりも更に熱が効率良く無電解銅
めっき層１７ｂに伝導するようになる。その結果、放熱
効率が確実に向上する。

【００５５】更に、この構成によると、無電解銅めっき
層１７ｂを裏面の大部分に設けたときでも、ビルドアッ
プ層Ｂ1 の下層となる部分に導体回路３を配置すること
ができる。ゆえに、配線の自由度を損なうことがないと
いう点において有利である。〔実施例３〕続いて、図４に基づいて実施例３の電子部
品搭載用基板２１を説明する。

【００５６】本実施例の電子部品搭載用基板２１では、
基材２の表裏両面に導体回路３を有する両面板２２に、
ビルドアップ層Ｂ2 ，Ｂ3 が配置された構成を採用して
いる。なお、この基板２１においては、前記実施例２の
ときとは異なり、ビルドアップ層Ｂ2 ，Ｂ3 が基板２１
の表面側及び裏面側の両方に形成されている。また、前
記両面板２２は、基材２の表裏を貫通するような複数の
スルーホール１３を備えている。

【００５７】両面板２２を構成する基材２の表面側に
は、導体回路３としての配線パターン３ａ、電子部品搭
載部としてのダイパッド３ｃ及び放熱用接続パターン３
ｄ等が形成されている。一方、基材２の裏面側には、配
線パターン３ａが形成されている。そして、前記配線パ
ターン３ａ等の導体回路３は、多層板としての構造を有
するこの基板２１において、いわゆる内層の導体回路と
いう位置付けになっている。

【００５８】両面板２２の表面側に配置されたビルドア
ップ層Ｂ2 は、基本的に、樹脂絶縁層としての感光性樹
脂製の絶縁層２３，２４と、導体層及び金属層とが交互
に積層された構成を有している。

【００５９】内層側に位置する第一の絶縁層２３の所定
部分には、ダイパッド３ｃを露出させるようにキャビテ
ィ２６が形成されている。そして、このキャビティ２６
と前記ダイパッド３ｃとによって構成される電子部品搭
載部には、ＩＣチップ５が搭載されている。

【００６０】前記キャビティ２６の周縁部には、放熱用
接続パターン３ｄの一部を露出させるような複数のＩＶ
Ｈ形成用孔２５ａが形成されている。また、ＩＶＨ形成
用孔２５ａの内面には、第一の導体層としての無電解銅
めっき層２５ｂが形成されている。つまり、この基板２
１においてＩＣチップ５の近傍には、ＩＶＨ形成用孔２
５ａと無電解銅めっき層２５ｂとからなるＩＶＨ２５が
設けられていることになる。

【００６１】また、第一の絶縁層２３においてキャビテ
ィ２６の周縁領域には、ボンディングパッド３ｂが形成
されている。そして、図示しないＩＣチップ５側のボン
ディングパッドと前記ボンディングパッド３ｂとは、ワ
イヤボンディング６を介して電気的に接続されている。

【００６２】第一の絶縁層２３の外層側において、前記
キャビティ２６の周縁領域を除くほぼ全領域には、第二
の絶縁層２４が形成されている。第二の絶縁層２４には
複数のＩＶＨ形成用穴２７ａが形成されており、それら
の内面には金属層としての無電解銅めっき層２７ｂが形
成されている。

【００６３】前記無電解銅めっき層２５ｂとダイパッド
３ｃとは、ＩＶＨ２５と放熱用接続パターン３ｄとを介
して接続された状態にある。即ち、この基板２１におい
ては、両者２５ｂ，３ｃ間に介在するＩＶＨ２５と放熱
用接続パターン３ｄとによって、基板２１の表面側の熱
伝導体Ｈ1 が構成されていることになる。

【００６４】一方、両面板２２の裏面側に配置されたビ
ルドアップ層Ｂ3 も、基本的に、樹脂絶縁層としての感
光性樹脂製の絶縁層２８，２９と、導体層及び金属層と
が交互に積層された構成を有している。

【００６５】内層側に位置する第一の絶縁層２８上に
は、配線パターン３０ｃ等が形成されている。また、第
一の絶縁層２８には複数のＩＶＨ形成用孔３０ａが形成
されており、それらの内面には第一の導体層としての無
電解銅めっき層３０ｂが形成されている。そして、ＩＶ
Ｈ形成用孔３０ａと無電解銅めっき層３０ｂとによって
ＩＶＨ３０が構成されている。

【００６６】第一の絶縁層２８の外層側のほぼ全領域に
は、表面に金属層を備えた第二の絶縁層２９が形成され
ている。但し、本実施例の第二の絶縁層２９は、図４に
示されるように各々に異なる機能を持たせることを目的
として、３つの領域Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 に分割されてい
る。

【００６７】第二の絶縁層２９のうち図４にてＲ2 で示
される領域には、グランド層として機能する金属層とし
て、ベタ状の導体パターン３２が形成されている。ま
た、図４にてＲ3 で示される領域には、信号層として機
能する金属層として、ライン状の導体パターン３３が形
成されている。

【００６８】本実施例の第二の絶縁層２９においてＲ2
，Ｒ3 以外の領域Ｒ1 は、本質的にＩＣチップ５の放
熱を図るための部分として確保されている。前記領域Ｒ
1 には複数のＩＶＨ形成用穴３１ａが形成されており、
それらの内面には放熱体として機能する金属層として、
無電解銅めっき層３１ｂが形成されている。

【００６９】そして、この無電解銅めっき層３１ｂとダ
イパッド３ｃとは、スルーホール１３及びＩＶＨ３０と
を介して接続された状態にある。即ち、この基板２１に
おいては、スルーホール１３とＩＶＨ３０とによって、
基板２１の裏面側の熱伝導体Ｈ2 が構成されていること
になる。

【００７０】次に、この電子部品搭載用基板２１を作製
する手順の一例を簡単に述べる。本実施例では、前記実
施例２のときと同様に、通常のサブトラクティブ法のプ
ロセスに従って、導体回路３及びスルーホール１３を有
する両面板２２を作製する。以下、基本的には、前記実
施例１，２にて詳述したようなビルドアップ法のプロセ
スが行われる。

【００７１】まず、前記両面板２２に脱脂等を施した
後、その表裏両面に前述のアディティブ用接着剤を塗布
し、露光・現像を行う。この処理によって、基板２１の
表面側にキャビティ２６及びＩＶＨ形成用穴２５ａを備
える第一の絶縁層２３が形成され、裏面側にＩＶＨ形成
用穴３０ａを備える第一の絶縁層２８が形成される。次
いで、第一の絶縁層２３，２８の表面粗化、触媒核の付
与、めっきレジストの形成を行う。

【００７２】ここで、前記触媒核を活性化した後、実施
例２のめっき浴を用いて直ちに厚付け無電解銅めっきを
行う。このめっき処理によって、ＩＶＨ形成用穴２５
ａ，３０ａの内面に無電解銅めっき層２５ｂ，３０ｂが
形成される。

【００７３】次に、基板２１の両面に再び前記接着剤を
塗布し、露光・現像を行う。この処理により、基板２１
の表面側にＩＶＨ形成用穴２７ａを備える第二の絶縁層
２４が形成され、裏面側にＩＶＨ形成用穴３１ａを備え
る第二の絶縁層２９が形成される。次いで、第二の絶縁
層２４，２９の表面粗化、触媒核の付与、めっきレジス
トの形成及び触媒核の活性化を行う。

【００７４】更に、前記めっき浴を用いた厚付け無電解
銅めっきにより、所定部分に無電解銅めっき層２７ｂ，
３１ｂ、ボンディングパッド３ｂ、ベタ状の導体パター
ン３２、ライン状の導体パターン３３を形成する。この
後、常法に従ってめっきレジストの剥離、ＩＣチップ５
の実装及びワイヤボンディング等を行うことにより、最
終的に図４のような状態の基板２１が得られる。

【００７５】さて、本実施例の電子部品搭載用基板２１
は、表面積の大きな無電解銅めっき層２７ｂ，３１ｂを
大部分の領域に設けるという、前記実施例１，２と同じ
基本構成を有していることがわかる。このため、この構
成であっても、実施例１，２にて詳述した作用・効果が
得られることは明白である。

【００７６】特に、表裏両面に無電解銅めっき層２７
ｂ，３１ｂを設けた本実施例の基板２１によると、放熱
効率が更に向上するばかりでなく、電磁シールド性も格
段に向上する。

【００７７】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ることはなく、以下のように変更することが可能であ
る。例えば、（ａ）本発明において放熱体として機能する金属層は、
必ずしも基板の全面に設けられている必要はなく、例え
ば周囲に存在する配線パターン等に応じて任意の形状に
分割して設けることなども許容される。また、金属層の
設置場所は基板の表面及び裏面に限られず、側面に設け
ることも可能である。

【００７８】（ｂ）本発明を、例えば図５に示される別
例１の電子部品搭載用基板４０のように、両面に複数の
ＩＣチップ５やチップ部品４１を搭載した、いわゆるマ
ルチチップモジュールに具体化することも可能である。

【００７９】このような基板４０の構成とすると、少な
くとも放熱板用の収容部を形成するためのざぐり加工が
不要になるため、従来のときと比べて加工必要箇所が少
なくなる。従って、加工作業自体がそれほど煩雑になる
こともなく、かつコスト高も回避できるという利益がも
たらされる。

【００８０】（ｃ）樹脂絶縁層に形成される凹部の形状
は、各実施例にて示したＩＶＨ形成用穴８，１７ａ，２
７ａ，３１ａのように、断面略円形状の開口部のような
形状のみに限定されることはない。例えば、各実施例の
ように下層まで完全に貫通したものとせずに、底浅のＩ
ＶＨ形成用穴としても良い。

【００８１】また、図６に示される別例２の電子部品搭
載用基板４２のように、樹脂絶縁層４３上に凹部として
の溝４３ａを多数かつ平行に形成し、その上に金属層４
３ｂを形成した構造（チャンネル状）としても良い。な
お、金属層の表面積を増加させることが可能な形状・構
造であれば、各実施例及び前記別例２とは異なるものを
採用することも勿論可能である。

【００８２】（ｄ）金属層を形成するための無電解銅め
っき浴は、各実施例のものに限定されることはなく、例
えばＴＡＦII、ＫＣ−５００、ＣＵＳ７−３０００等を
使用することも可能である。また、無電解めっきは、必
ずしも無電解銅めっきでなくても良く、例えば無電解ニ
ッケルめっき、無電解クロムめっき、無電解金めっき、
無電解銀めっき等であっても良い。

【００８３】（ｅ）金属層を形成するために無電解めっ
きを行うという各実施例の方法に代え、通常の電解めっ
きとすることも可能である。また、予め薄付けの無電解
めっき層を形成しておき、その後に厚付けの電解めっき
を行うというような方法であっても良い。

【００８４】（ｆ）また、金属層を形成する手段は、各
実施例のような金属めっきのみに限定されることはな
い。例えば、導電性ペーストの印刷、イオンプレーティ
ング、スパッタリング等というような形成手段を採用す
ることも可能である。

【００８５】（ｇ）アディティブ用接着剤として感光性
を有する樹脂を用いた各実施例に代え、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、メラミン樹脂等の他の種類の樹脂を使
用することも勿論可能である。

【００８６】（ｈ）本発明にて基板１，１１，２１の母
材として使用される基材２は、ガラス−トリアジン樹脂
材のみに限定されることはない。その代わりに、例えば
ＰＰ材、ポリイミド材、ＰＥ材、ＧＥ材等を使用しても
良い。また、各実施例にて使用した片面板や両面板の代
わりに多層板を用いることも可能である。更に、これら
の片面板・両面板・多層板に設けられるビルドアップ層
Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の層数も任意に設定することが可能で
ある。

【００８７】（ｉ）金属層の表面積を大きくするための
一つの手段として、例えば金属層自身にも凹凸を持たせ
るという方法を採ることも可能である。（ｊ）無電解めっきによる金属層の形成を行う場合、樹
脂絶縁層に凹部（凹凸）を設けるための方法として、各
実施例にて示したフォトリソグラフィとは異なる方法を
採用しても良い。

【００８８】例えば、サンドブラスト処理等を行った
り、表面に細かい傷を設けたり、樹脂絶縁層をラフに塗
布したり、硬化前に樹脂絶縁層に凹凸のついた型を押し
つけたりするというような各種の方法を採っても良い。

【００８９】また、粒径が数十μｍ〜百μｍ程度の大き
な樹脂フィラーを樹脂マトリクス中に含んだ接着剤を使
用するという方法もある。そして、この接着剤の塗布・
硬化後に粗化を行い、樹脂フィラーを溶解除去すること
によって、当該部分に凹部を形成しても良い。

【００９０】なお、これらの方法を適宜組み合わせて実
施しても良い。（ｋ）無電解めっきによる金属層の形成を行う場合、ブ
リッジ式のクロスオーバーといったようなエアギャップ
構造を採用しても良い。

【００９１】（ｌ）熱伝導体Ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 は、スルー
ホールとバイアホールとからなる構成であっても良く、
スルーホールのみまたはバイアホールのみからなる構成
であっても良い。また、スルーホールやバイアホールに
よる接続に代えて、例えば金属ワイヤ等の他の熱伝導体
による接続を用いても勿論良い。

【００９２】（ｎ）勿論、本実施例のような放熱対策
と、それ以外の放熱対策とを適宜組み合わせて行うこと
で、熱放散効率のさらなる向上を図ることも可能であ
る。

【００９３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の電子部品
搭載用基板によれば、容易にかつ安価に形成することが
可能であるにも関わらず、電子部品の発熱を確実に放散
することができるという優れた効果を奏する。また、本
発明によれば、基板に高い信頼性を確保することができ
るという優れた効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の電子部品搭載用基板を示す部分概略
断面図である。

【図２】実施例１の電子部品搭載用基板の裏面に形成さ
れた無電解銅めっき層の形状を説明するための部分概略
斜視図である。

【図３】実施例２の電子部品搭載用基板を示す部分概略
断面図である。

【図４】実施例３の電子部品搭載用基板を示す部分概略
断面図である。

【図５】別例１の電子部品搭載用基板を示す部分概略断
面図である。

【図６】別例２の電子部品搭載用基板における無電解め
っき層（チャンネル状）の形状を示す部分概略斜視図で
ある。

【図７】従来の電子部品搭載用基板を示す部分概略断面
図である。

【図８】従来の電子部品搭載用基板を示す部分概略底面
図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，４０，４２…電子部品搭載用基板、２
…基材、３…導体回路、４，２６…電子部品搭載部とし
てのキャビティ、３ｃ…電子部品搭載部としてのダイパ
ッド、７，１４，１５，２３，２４，２８，２９…樹脂
絶縁層、８，１７ａ，２７ａ，３１ａ…凹部としてのＩ
ＶＨ形成用穴、９，１７ｂ，２７ｂ，３１ｂ…金属層と
しての無電解銅めっき層、１３…熱伝導体を構成するス
ルーホール、１６，２５，３０…熱伝導体を構成するバ
イアホール、４３…樹脂絶縁層、４３ａ…凹部としての
溝、４３ｂ…金属層、Ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 …熱伝導体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材（２）に導体回路（３）及び電子部品
搭載部（３ｃ，４，２６）が設けられた電子部品搭載用
基板（１，１１，２１，４０，４２）において、前記基材（２）の外表面における前記電子部品搭載部
（３ｃ，４，２６）以外の領域に、凹部（８，１７ａ，
２７ａ，３１ａ，４３ａ）を有する樹脂絶縁層（７，１
４，１５，２３，２４，２８，２９，４３）が形成さ
れ、その樹脂絶縁層（７，１４，１５，２３，２４，２
８，２９，４３）表面の大部分に金属層（９，１７ｂ，
２７ｂ，３１ｂ，４３ｂ）が形成されてなることを特徴
とした電子部品搭載用基板。
【請求項２】基材（２）に導体回路（３）及び電子部品
搭載部（３ｃ，４，２６）が設けられた電子部品搭載用
基板（１，１１，２１，４０）において、前記基材（２）の外表面における前記電子部品搭載部
（３ｃ，４，２６）以外の領域に、複数の開口部（８，
１７ａ，２７ａ，３１ａ）を有する感光性樹脂製の絶縁
層（７，１４，１５，２３，２４，２８，２９）が形成
され、その絶縁層（７，１４，１５，２３，２４，２
８，２９）表面の大部分に無電解金属めっき層（９，１
７ｂ，２７ｂ，３１ｂ）が形成されてなることを特徴と
した電子部品搭載用基板。
【請求項３】前記電子部品搭載部（３ｃ，２６）と前記
無電解金属めっき層（１７ｂ，２７ｂ，３１ｂ）とが熱
伝導体（Ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）を介して接続されてなること
を特徴とした請求項１または２に記載の電子部品搭載用
基板。
【請求項４】前記熱伝導体（Ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）は、スル
ーホール（１３）またはバイアホール（１６，２５，３
０）から選択される少なくとも一種であることを特徴と
した請求項３に記載の電子部品搭載用基板。