JPH06321371A - ウェーハの分離方法及び装置 - Google Patents
ウェーハの分離方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06321371A JPH06321371A JP11261893A JP11261893A JPH06321371A JP H06321371 A JPH06321371 A JP H06321371A JP 11261893 A JP11261893 A JP 11261893A JP 11261893 A JP11261893 A JP 11261893A JP H06321371 A JPH06321371 A JP H06321371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- uppermost
- suction
- close contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のウェーハを密着状態で積み重ねた積層
体からのウェーハの分離を自動化することにある。 【構成】 多数の薄板状ウェーハ(1)を密着状態で積
み重ねた積層体(2)から、最上層のウェーハ(1)を分
離して順次一枚ずつ切り出すに際し、ウェーハ(1)の
積層体(2)の上方に、二個の吸着パッド(3a)(3b)
を上下動自在に配置し、両吸着パッド(3a)(3b)で最
上層のウェーハ(1)の周縁部二ヶ所を真空吸着する。
その上で、一方の吸着パッド(3a)を微小量上昇させる
と共に傾倒させることにより、その吸着パッド(3a)で
保持されたウェーハ(1)の周縁部を撓ませ、ウェーハ
間に間隙(m)を形成し、その間隙(m)から空気が入り
込んで密着状態が開放される。その後、両方の吸着パッ
ド(3a)(3b)を上昇させることにより、最上層のウェ
ーハ(1)のみを分離して一枚だけ確実に切り出す。
体からのウェーハの分離を自動化することにある。 【構成】 多数の薄板状ウェーハ(1)を密着状態で積
み重ねた積層体(2)から、最上層のウェーハ(1)を分
離して順次一枚ずつ切り出すに際し、ウェーハ(1)の
積層体(2)の上方に、二個の吸着パッド(3a)(3b)
を上下動自在に配置し、両吸着パッド(3a)(3b)で最
上層のウェーハ(1)の周縁部二ヶ所を真空吸着する。
その上で、一方の吸着パッド(3a)を微小量上昇させる
と共に傾倒させることにより、その吸着パッド(3a)で
保持されたウェーハ(1)の周縁部を撓ませ、ウェーハ
間に間隙(m)を形成し、その間隙(m)から空気が入り
込んで密着状態が開放される。その後、両方の吸着パッ
ド(3a)(3b)を上昇させることにより、最上層のウェ
ーハ(1)のみを分離して一枚だけ確実に切り出す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハの分離方法及び
装置に関し、詳しくは、半導体装置の製造に使用され、
多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み重ねた積層体か
ら、ウェーハを分離して順次一枚ずつ切り出す分離方法
及び装置に関する。
装置に関し、詳しくは、半導体装置の製造に使用され、
多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み重ねた積層体か
ら、ウェーハを分離して順次一枚ずつ切り出す分離方法
及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造では、シリコン単結晶
のインゴットをスライスして薄板状ウェーハを形成し、
その上で、多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み重ね
た積層体から、ウェーハを分離して順次一枚ずつ切り出
し、後工程へ供給するようにしている。
のインゴットをスライスして薄板状ウェーハを形成し、
その上で、多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み重ね
た積層体から、ウェーハを分離して順次一枚ずつ切り出
し、後工程へ供給するようにしている。
【0003】このウェーハの分離は、図3に示すように
多数の薄板状ウェーハ(1)を密着状態で積み重ねた積
層体(2)を用意し、その積層体(2)の最上層のウェー
ハ(1)から行なわれる。この時、ウェーハ(1)はその
処理面が下向きとなっている。従来は、最上層のウェー
ハ(1)とその下のウェーハ(1)との間に、図中矢印で
示すように作業者が側方からナイフエッジやピンセット
を挿入することにより、その最上層のウェーハ(1)を
強制的に引き剥がすように分離して順次一枚ずつ切り出
していた。
多数の薄板状ウェーハ(1)を密着状態で積み重ねた積
層体(2)を用意し、その積層体(2)の最上層のウェー
ハ(1)から行なわれる。この時、ウェーハ(1)はその
処理面が下向きとなっている。従来は、最上層のウェー
ハ(1)とその下のウェーハ(1)との間に、図中矢印で
示すように作業者が側方からナイフエッジやピンセット
を挿入することにより、その最上層のウェーハ(1)を
強制的に引き剥がすように分離して順次一枚ずつ切り出
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したウ
ェーハ(1)の表面は非常に平滑な状態であり、これら
ウェーハ(1)を積み重ねた場合、各ウェーハ(1)は強
固に密着した状態となっている。従って、従来のように
作業者が手でナイフエッジやピンセットをウェーハ
(1)間に挿入するだけでウェーハ(1)を引き剥がすこ
とは非常に困難で、無理をすればウェーハ(1)が傷つ
いたり欠けたりすることが多く、このような手作業では
熟練を要し、時間がかかって作業効率が悪いという問題
があった。
ェーハ(1)の表面は非常に平滑な状態であり、これら
ウェーハ(1)を積み重ねた場合、各ウェーハ(1)は強
固に密着した状態となっている。従って、従来のように
作業者が手でナイフエッジやピンセットをウェーハ
(1)間に挿入するだけでウェーハ(1)を引き剥がすこ
とは非常に困難で、無理をすればウェーハ(1)が傷つ
いたり欠けたりすることが多く、このような手作業では
熟練を要し、時間がかかって作業効率が悪いという問題
があった。
【0005】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、多数のウェー
ハを密着状態で積み重ねた積層体からのウェーハの分離
を自動化することにある。
されたもので、その目的とするところは、多数のウェー
ハを密着状態で積み重ねた積層体からのウェーハの分離
を自動化することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明方法は、多数の薄板状ウェ
ーハを密着状態で積み重ねた積層体から、最上層のウェ
ーハを分離して順次一枚ずつ切り出すに際し、最上層の
ウェーハの周縁部をその上方から吸着して局所的に微小
量だけ撓ませるようにしたことを特徴とする。尚、上記
方法において、最上層のウェーハを吸着して局所的に微
小量だけ撓ませた後、そのウェーハと残りの積層体との
間に形成された間隙に向けてエアブローすることが望ま
しい。
の技術的手段として、本発明方法は、多数の薄板状ウェ
ーハを密着状態で積み重ねた積層体から、最上層のウェ
ーハを分離して順次一枚ずつ切り出すに際し、最上層の
ウェーハの周縁部をその上方から吸着して局所的に微小
量だけ撓ませるようにしたことを特徴とする。尚、上記
方法において、最上層のウェーハを吸着して局所的に微
小量だけ撓ませた後、そのウェーハと残りの積層体との
間に形成された間隙に向けてエアブローすることが望ま
しい。
【0007】また、本発明装置は、多数の薄板状ウェー
ハを密着状態で積み重ねた積層体から、最上層のウェー
ハを分離して順次一枚ずつ切り出すものにおいて、最上
層のウェーハの周縁部をその上方から吸着して局所的に
微小量だけ撓ませる吸着パッドを有することを特徴とす
る。尚、上記吸着パッドとして、ウェーハのほぼ全面を
吸着する凸曲面状の吸着面を具備したものも可能であ
る。
ハを密着状態で積み重ねた積層体から、最上層のウェー
ハを分離して順次一枚ずつ切り出すものにおいて、最上
層のウェーハの周縁部をその上方から吸着して局所的に
微小量だけ撓ませる吸着パッドを有することを特徴とす
る。尚、上記吸着パッドとして、ウェーハのほぼ全面を
吸着する凸曲面状の吸着面を具備したものも可能であ
る。
【0008】
【作用】本発明では、最上層のウェーハの周縁部をその
上方から吸着して局所的に微小量だけ撓ませることによ
り、その下に位置するウェーハとの間に間隙を形成し、
その間隙から上下のウェーハ間に空気が入り込むことに
よって密着状態が開放されて最上層のウェーハを容易に
分離できる。
上方から吸着して局所的に微小量だけ撓ませることによ
り、その下に位置するウェーハとの間に間隙を形成し、
その間隙から上下のウェーハ間に空気が入り込むことに
よって密着状態が開放されて最上層のウェーハを容易に
分離できる。
【0009】
【実施例】本発明に係るウェーハの分離方法及び装置の
実施例を図1及び図2に示して説明する。尚、図3と同
一部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
実施例を図1及び図2に示して説明する。尚、図3と同
一部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
【0010】本発明の特徴は、多数の薄板状ウェーハ
(1)を密着状態で積み重ねた積層体(2)から、最上層
のウェーハ(1)を分離して順次一枚ずつ切り出すに際
し、最上層のウェーハ(1)の周縁部をその上方から吸
着して局所的に微小量だけ撓ませるようにしたことにあ
る。
(1)を密着状態で積み重ねた積層体(2)から、最上層
のウェーハ(1)を分離して順次一枚ずつ切り出すに際
し、最上層のウェーハ(1)の周縁部をその上方から吸
着して局所的に微小量だけ撓ませるようにしたことにあ
る。
【0011】具体的には、まず、図1(a)に示すよう
にウェーハ(1)の積層体(2)の上方に、所定間隔だけ
離隔した二個の吸着パッド(3a)(3b)を上下動自在に
配置し、両吸着パッド(3a)(3b)で最上層のウェーハ
(1)の周縁部二ヶ所を真空吸着する。ここで、そのま
まの状態でウェーハ(1)を吸着パッド(3a)(3b)で
持ち上げようとすると、ウェーハ(1)が密着状態にあ
るために最上層のウェーハ(1)のみを分離することが
困難である。
にウェーハ(1)の積層体(2)の上方に、所定間隔だけ
離隔した二個の吸着パッド(3a)(3b)を上下動自在に
配置し、両吸着パッド(3a)(3b)で最上層のウェーハ
(1)の周縁部二ヶ所を真空吸着する。ここで、そのま
まの状態でウェーハ(1)を吸着パッド(3a)(3b)で
持ち上げようとすると、ウェーハ(1)が密着状態にあ
るために最上層のウェーハ(1)のみを分離することが
困難である。
【0012】そこで、図1(b)に示すように一方の吸
着パッド(3a)を微小量上昇させると共に傾倒させるこ
とにより、その吸着パッド(3a)で保持されたウェーハ
(1)の周縁部を撓ませる。ここで、ウェーハ(1)の撓
み量としては、例えば、350μm厚の3インチのウェ
ーハ(1)で、その周縁部を2mm程度持ち上げるだけ
で分離可能である。
着パッド(3a)を微小量上昇させると共に傾倒させるこ
とにより、その吸着パッド(3a)で保持されたウェーハ
(1)の周縁部を撓ませる。ここで、ウェーハ(1)の撓
み量としては、例えば、350μm厚の3インチのウェ
ーハ(1)で、その周縁部を2mm程度持ち上げるだけ
で分離可能である。
【0013】これによってその箇所で、最上層のウェー
ハ(1)とその下に位置するウェーハ(1)との間に間隙
(m)が形成され、その間隙(m)から上下のウェーハ
(1)間に空気が入り込み、その密着状態が開放され
る。その結果、図1(c)に示すように両方の吸着パッ
ド(3a)(3b)を上昇させることにより、最上層のウェ
ーハ(1)のみを分離して一枚だけ確実に切り出すこと
ができる。
ハ(1)とその下に位置するウェーハ(1)との間に間隙
(m)が形成され、その間隙(m)から上下のウェーハ
(1)間に空気が入り込み、その密着状態が開放され
る。その結果、図1(c)に示すように両方の吸着パッ
ド(3a)(3b)を上昇させることにより、最上層のウェ
ーハ(1)のみを分離して一枚だけ確実に切り出すこと
ができる。
【0014】尚、上述した実施例では、二個の吸着パッ
ド(3a)(3b)を使用し、そのうちの一方の吸着パッド
(3a)でウェーハ(1)を撓ませ、その後、両方の吸着
パッド(3a)(3b)でウェーハ(1)を上昇させて分離
するようにしたが、他方の吸着パッド(3b)はウェーハ
(1)を撓ませることに関与しないため、この吸着パッ
ド(3b)の代わりに、単なる押えパッドを使用し、ウェ
ーハ(1)を撓ませた後は、その押えパッドによる押え
を解除した上で、一方の吸着パッド(3a)のみで上昇さ
せて分離するようにしてもよい。このようにウェーハ
(1)が軽量であるため、一つの吸着パッド(3a)のみ
での保持も可能である。
ド(3a)(3b)を使用し、そのうちの一方の吸着パッド
(3a)でウェーハ(1)を撓ませ、その後、両方の吸着
パッド(3a)(3b)でウェーハ(1)を上昇させて分離
するようにしたが、他方の吸着パッド(3b)はウェーハ
(1)を撓ませることに関与しないため、この吸着パッ
ド(3b)の代わりに、単なる押えパッドを使用し、ウェ
ーハ(1)を撓ませた後は、その押えパッドによる押え
を解除した上で、一方の吸着パッド(3a)のみで上昇さ
せて分離するようにしてもよい。このようにウェーハ
(1)が軽量であるため、一つの吸着パッド(3a)のみ
での保持も可能である。
【0015】また、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく、例えば、図2に示すような一つの吸着パッド
(4)を使用することも可能である。この吸着パッド
(4)は、凸曲面状〔例えば、円筒曲面状〕の吸着面
(5)を有する表面多孔のスポンジ状部材からなる。
となく、例えば、図2に示すような一つの吸着パッド
(4)を使用することも可能である。この吸着パッド
(4)は、凸曲面状〔例えば、円筒曲面状〕の吸着面
(5)を有する表面多孔のスポンジ状部材からなる。
【0016】この吸着パッド(4)を利用する場合、図
2(a)に示すように吸着パッド(4)を一方向に傾倒
させた状態で、その吸着面(5)の一部を積層体(2)の
最上層のウェーハ(1)の周縁部に当接させることによ
り、ウェーハ(1)のその箇所を吸着保持し、更に、吸
着パッド(4)を傾倒方向とは逆方向に傾動させ、図2
(b)に示すように吸着パッド(4)を水平姿勢状態に
する。これにより、吸着パッド(4)の吸着面(5)の一
部に吸着された最上層のウェーハ(1)の周縁部が撓む
ことになり、前述の実施例と同様、その下に位置するウ
ェーハ(1)との間に間隙(m)が形成され、その間隙
(m)から上下のウェーハ(1)間に空気が入り込んで密
着状態が開放される。その後、図2(c)に示すように
吸着パッド(4)を更に同一方向に傾動させれば、その
吸着面(5)の全面に沿って最上層のウェーハ(1)のみ
が吸着されて分離し、一枚だけ確実に切り出すことがで
きる。ここで、ウェーハ(1)は吸着パッド(4)の吸着
面(5)に沿って撓んだ状態となるが、この程度の撓み
はウェーハ(1)自体に悪影響を及ぼすことはない。
2(a)に示すように吸着パッド(4)を一方向に傾倒
させた状態で、その吸着面(5)の一部を積層体(2)の
最上層のウェーハ(1)の周縁部に当接させることによ
り、ウェーハ(1)のその箇所を吸着保持し、更に、吸
着パッド(4)を傾倒方向とは逆方向に傾動させ、図2
(b)に示すように吸着パッド(4)を水平姿勢状態に
する。これにより、吸着パッド(4)の吸着面(5)の一
部に吸着された最上層のウェーハ(1)の周縁部が撓む
ことになり、前述の実施例と同様、その下に位置するウ
ェーハ(1)との間に間隙(m)が形成され、その間隙
(m)から上下のウェーハ(1)間に空気が入り込んで密
着状態が開放される。その後、図2(c)に示すように
吸着パッド(4)を更に同一方向に傾動させれば、その
吸着面(5)の全面に沿って最上層のウェーハ(1)のみ
が吸着されて分離し、一枚だけ確実に切り出すことがで
きる。ここで、ウェーハ(1)は吸着パッド(4)の吸着
面(5)に沿って撓んだ状態となるが、この程度の撓み
はウェーハ(1)自体に悪影響を及ぼすことはない。
【0017】尚、図1(b)及び図2(b)に示す状
態、即ち、最上層のウェーハ(1)の周縁部を撓ませ
て、その下に位置するウェーハ(1)との間に間隙(m)
を形成した時点で、その間隙(m)に向けてエアブロー
すれば、最上層のウェーハ(1)とその下のウェーハ
(1)との密着状態を開放することがより一層確実とな
る。
態、即ち、最上層のウェーハ(1)の周縁部を撓ませ
て、その下に位置するウェーハ(1)との間に間隙(m)
を形成した時点で、その間隙(m)に向けてエアブロー
すれば、最上層のウェーハ(1)とその下のウェーハ
(1)との密着状態を開放することがより一層確実とな
る。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、多数の薄板状ウェーハ
を密着状態で積み重ねた積層体から、ウェーハを傷つけ
ることなく順次一枚ずつ確実に分離して切り出すことが
でき、安定したウェーハ分離作業の自動化を実現できる
と共に、作業時間の短縮化が図れてインデックスが大幅
に向上する。
を密着状態で積み重ねた積層体から、ウェーハを傷つけ
ることなく順次一枚ずつ確実に分離して切り出すことが
でき、安定したウェーハ分離作業の自動化を実現できる
と共に、作業時間の短縮化が図れてインデックスが大幅
に向上する。
【図1】本発明に係るウェーハの分離方法及び装置の一
実施例を示す説明図
実施例を示す説明図
【図2】本発明の他の実施例を示す説明図
【図3】従来のウェーハの分離方法及び装置を示す説明
図
図
1 ウェーハ 2 積層体 3a、3b 吸着パッド 4 吸着パッド 5 吸着面 m 間隙
Claims (4)
- 【請求項1】 多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み
重ねた積層体から、最上層のウェーハを分離して順次一
枚ずつ切り出すに際し、最上層のウェーハの周縁部をそ
の上方から吸着して局所的に微小量だけ撓ませるように
したことを特徴とするウェーハの分離方法。 - 【請求項2】 最上層のウェーハを吸着して局所的に微
小量だけ撓ませた後、そのウェーハと残りの積層体との
間に形成された間隙に向けてエアブローするようにした
ことを特徴とする請求項1記載のウェーハの分離方法。 - 【請求項3】 多数の薄板状ウェーハを密着状態で積み
重ねた積層体から、最上層のウェーハを分離して順次一
枚ずつ切り出すものにおいて、最上層のウェーハの周縁
部をその上方から吸着して局所的に微小量だけ撓ませる
吸着パッドを有することを特徴とするウェーハの分離装
置。 - 【請求項4】 請求項3記載の吸着パッドは、ウェーハ
のほぼ全面を吸着する凸曲面状の吸着面を具備したこと
を特徴とするウェーハの分離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261893A JPH06321371A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ウェーハの分離方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261893A JPH06321371A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ウェーハの分離方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06321371A true JPH06321371A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=14591246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261893A Pending JPH06321371A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ウェーハの分離方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06321371A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007161354A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 開包システムおよび開包方法 |
| JP2011054665A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Rozefu Technol:Kk | ウエーハ分離搬送方法及び分離搬送装置 |
| JP2011124481A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | 液中ウェーハ単離方法及び液中ウェーハ単離装置 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11261893A patent/JPH06321371A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007161354A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 開包システムおよび開包方法 |
| JP2011054665A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Rozefu Technol:Kk | ウエーハ分離搬送方法及び分離搬送装置 |
| JP2011124481A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | 液中ウェーハ単離方法及び液中ウェーハ単離装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5037138B2 (ja) | ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置 | |
| US7465142B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
| JPH07509351A (ja) | 回路ダイスをウエーハから分離するための方法および装置 | |
| KR20080052431A (ko) | 기판 접합 방법 및 이를 이용한 장치 | |
| JP2008103494A (ja) | 固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置 | |
| JP2013102126A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| CN103311150B (zh) | 半导体制造装置以及半导体制造装置的控制方法 | |
| JP2002353082A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JP2019109292A (ja) | 端材除去装置、及び、端材除去方法 | |
| JPH07240355A (ja) | 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置 | |
| JPS59117235A (ja) | ウエハブレ−キング方法および装置 | |
| JP4812660B2 (ja) | 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法 | |
| JP2008251749A (ja) | 基板の取り外し方法 | |
| JP4459023B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| US3565306A (en) | Method for dicing and cleaning semiconductor slices | |
| JP2003292160A (ja) | ガラス基板の取り出し装置 | |
| JPH01101112A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| CN109791319B (zh) | 柔性基板的剥离方法和剥离设备 | |
| JP2002033378A (ja) | ウェーハハンドリング装置 | |
| JP2019107796A (ja) | 基板分断装置 | |
| TWI893274B (zh) | 片材貼附裝置 | |
| JPS61156749A (ja) | ウエハ−ス平板型裏面真空チヤツク | |
| JP2021129078A (ja) | ピックアップ装置およびピックアップ方法 | |
| JPH03296242A (ja) | ウエハ支持装置 | |
| JPS6312539A (ja) | 可撓性板状体の分離方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021004 |