JPH06321631A - マイクロ波誘電体磁器組成物 - Google Patents

マイクロ波誘電体磁器組成物

Info

Publication number
JPH06321631A
JPH06321631A JP5136881A JP13688193A JPH06321631A JP H06321631 A JPH06321631 A JP H06321631A JP 5136881 A JP5136881 A JP 5136881A JP 13688193 A JP13688193 A JP 13688193A JP H06321631 A JPH06321631 A JP H06321631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
xtio
bao
zno
mno
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5136881A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Yokoyama
義昭 横山
Hirobumi Ozeki
博文 尾関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP5136881A priority Critical patent/JPH06321631A/ja
Publication of JPH06321631A publication Critical patent/JPH06321631A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 無負荷Q(Qu)を実用的な特性範囲に維持
しつつ、高い比誘電率(εr )を備え、共振周波数の温
度係数(τf )を絶対値が比較的小さな値とし(又はゼ
ロに近づけるようにし)、更に焼成温度を変えても安定
した性能を示すマイクロ波誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】 本組成物は、BaO−xTiO2 〔但し、3
≦x≦5〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
aO−xTiO2 100重量部に対して0.2〜0.8
重量部のSb2 3 、0.2〜0.4重量部のMn
2 、5〜10重量部のZnO、又は2〜4重量部のT
2 5 が添加含有されている。また、BaO−xTi
2 で示される組成を主成分とし、これに所定量のSb
2 3 、更に所定量のMnO2 、ZnO及びTa2 5
のうちの2種又は3種を添加含有させた組成物とするこ
ともできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波誘電体磁器
組成物に関し、更に詳しく言えば、無負荷Q(以下、単
にQuという。)を実用的な特性範囲で維持しつつ、高
い比誘電率(以下、単にεr という。)及び正負絶対値
の比較的小さな(即ち0近辺の)共振周波数の温度係数
(以下、単にτf という。)を備えるマイクロ波誘電体
磁器組成物に関する。本発明は、マイクロ波領域におい
て誘電体共振器、マイクロ波集積回路基板、各種マイク
ロ波回路のインピーダンス整合等に利用される。
【0002】
【従来の技術】従来のマイクロ波誘電体磁器組成物(以
下、単に、誘電体磁器組成物という。)としては、Ba
O−4TiO2 磁器組成物(特開昭58−84179号
公報)等が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の誘
電体磁器組成物では、εr が高く、Quが大きいが、τ
f が比較的正に大きいため安定性に欠けているという問
題があった。
【0004】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、Quを実用的な特性範囲に維持しつつ、高いεr
備え、τf を0近辺の比較的小さな値とし(又は小さな
値に近づけるようにし)、更に焼成温度を変えても安定
した性能を示すマイクロ波誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、誘電体磁
器組成物において、Quを実用的な特性範囲に維持しつ
つ、高いεr を備え、τf をゼロに近づけることがで
き、更に焼成温度を変えても安定した品質を備える組成
について種々検討した結果、Sb2 3 、更にMn
2 、ZnO及びTa2 5 のうちの1種又は2種以上
を添加することによりこの欠点が解消されることを見出
して、本発明を完成するに至ったのである。
【0006】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、Ba
O−xTiO2 〔但し、3.0≦x≦5.0〕で示され
る組成を主成分とし、これに上記BaO−xTiO2
00重量%に対して0.2〜0.8重量%のSb
2 3 、更に、0.2〜0.4重量%のMnO2 (第1
発明)又は5〜10重量%のZnO(第2発明)又は2
〜4重量%のTa2 5 (第3発明)が添加含有された
ことを特徴とする。
【0007】上記xが3未満でもxが5を越えても、Q
uが低下し、τf が正側に著しく増大し、好ましくない
からである。また、上記Sb2 3 の添加量が0.2重
量%未満では、再現性に乏しく、逆に0.8重量%を越
えると、焼結性が乏しく、好ましくない。上記MnO2
添加量が0.2重量%未満では、τf の信頼性に乏し
く、0.4重量%を越えると、εr の低下を招き、好ま
しくない。
【0008】上記ZnO添加量が5重量%未満では、τ
f が正側に大きく、10重量%を越えると、εr が低下
し、焼結性が不充分であるため好ましくない。上記Ta
2 5 添加量が2重量%未満では、τf が正の方向に向
かうとともに、焼結性が不充分となり、4重量%を越え
ると、Qu及びεr が低下し、焼結性も不充分であるた
め好ましくない。
【0009】特に、上記ZnOの添加量が10.0重量
%、焼成温度が1200〜1250℃である場合は、表
2に示すように、εr が32.67〜33.89と若干
低いものの、Quが3940〜4212、τf が−0.
32〜+0.39ppm/℃とほぼ0となり、いずれも
バラツキは極めて小さく、安定した性能を有するため実
用的には充分と言える。また、焼結密度に関しては、焼
成温度及びいずれの添加量を変えても4.1以上と安定
しており、大変優れている。以上より、図1〜9及び表
1〜6に示すように、各々適当量の添加により、また広
い温度範囲にて焼成しても、性能が安定し且つ焼結密度
の高い焼結体を製造できる。
【0010】第4発明の誘電体磁器組成物は、BaO−
xTiO2 〔但し、3.5≦x≦5.0〕で示される組
成を主成分とし、これに上記BaO−xTiO2 100
重量%に対して0.1〜0.8重量%のSb2 3
0.1〜0.8重量%のMnO2 及び0.1〜25重量
%のZnOが添加含有されたことを特徴とする。以下の
実施例にて示されるように、これらの組成範囲において
バランスのとれた優れた性能を示すからである。
【0011】第5発明の誘電体磁器組成物は、BaO−
xTiO2 〔但し、4.0≦x≦5.0〕で示される組
成を主成分とし、これに上記BaO−xTiO2 100
重量%に対して0.1〜0.8重量%のSb2 3
0.1〜20重量%のZnO及び0.1〜16重量%の
Ta2 5 が添加含有されたことを特徴とする。同様
に、これらの組成範囲においてバランスのとれた優れた
性能を示すからである。
【0012】第6発明の誘電体磁器組成物は、BaO−
xTiO2 〔但し、4.0≦x≦5.0〕で示される組
成を主成分とし、これに上記BaO−xTiO2 100
重量%に対して、0を越えて0.8重量%以下のSb2
3 、0を越えて0.8重量%以下のMnO2 及び0を
越えて18重量%以下のTa2 5 が添加含有されたこ
とを特徴とする。同様に、これらの組成範囲においてバ
ランスのとれた優れた性能を示すからである。
【0013】第7発明の誘電体磁器組成物は、BaO−
xTiO2 〔但し、3.5≦x≦5.0〕で示される組
成を主成分とし、これに上記BaO−xTiO2 100
重量%に対して、0を越えて0.8重量%以下のSb2
3 、0を越えて0.8重量%以下のMnO2 、0を越
えて15重量%以下のZnO及び0を越えて16重量%
以下のTa2 5 が添加含有されたことを特徴とする。
同様に、これらの組成範囲においてバランスのとれた優
れた性能を示すからである。
【0014】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 (1)磁器組成物における組成の検討 BaOとしてBaCO3 粉末(純度;99.88%)、
TiO2 粉末(純度;99.98%)、Sb2 3 粉末
(純度;99.9%)、MnO2 粉末(純度;96
%)、ZnO粉末(純度;99.5%)、Ta2 5
末(純度;99.9%)を出発原料として、表1〜24
に示すように、TiO2 、Sb2 3 、MnO2 、Zn
O、Ta2 5 が各々変化した組成になるように、所定
量(いずれも全量として約600g)を秤量、混合し
た。
【0015】尚、各表における組成式は以下の通りであ
る。 表1;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +0〜
0.4重量%MnO2 表2;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +0.
2〜0.4重量%MnO2 (焼成温度:1200〜13
25℃) 表3;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +0〜
10重量%ZnO 表4;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +5〜
10重量%ZnO(焼成温度:1200〜1325℃) 表5;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +0〜
4重量%Ta2 5 表6;BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3 +2〜
4重量%Ta2 5 (焼成温度:1200〜1325
℃) 表7;BaO−xTiO2 +0〜1重量%Sb2 3 表8〜10;BaO−xTiO2 +aSb2 3 +bM
nO2 +cZnO 表11〜14;BaO−xTiO2 +aSb2 3 +c
ZnO+dTa2 5 表15〜18;BaO−xTiO2 +aSb2 3 +b
MnO2 +dTa2 5 表19〜24;BaO−xTiO2 +aSb2 3 +b
MnO2 +cZnO+dTa2 5
【0016】
【表1】
【0017】
【表2】
【0018】
【表3】
【0019】
【表4】
【0020】
【表5】
【0021】
【表6】
【0022】
【表7】
【0023】
【表8】
【0024】
【表9】
【0025】
【表10】
【0026】
【表11】
【0027】
【表12】
【0028】
【表13】
【0029】
【表14】
【0030】
【表15】
【0031】
【表16】
【0032】
【表17】
【0033】
【表18】
【0034】
【表19】
【0035】
【表20】
【0036】
【表21】
【0037】
【表22】
【0038】
【表23】
【0039】
【表24】
【0040】その後、ミキサーで乾式による混合(20
〜30分)及び一次粉砕を施した後、大気雰囲気中にて
1000℃の温度で2時間仮焼した。次いで、この仮焼
粉末に適量の有機バインダー(29g)と水300gを
加え、20mmφのアルミナボールで、90rpm、2
3時間粉砕した。その後、真空凍結乾燥(約0.4To
rr、−20〜50℃、約20時間)により造粒し、こ
の造粒された原料を用いて1000kg/cm2 のプレ
ス圧で19mmφ×10mmt(高さ)の円柱状に成形
した。
【0041】次に、この成形体を大気中、650℃、3
時間にて脱脂し、その後、1200〜1325℃の範囲
の各温度(各表に示す。)で、3.5時間焼成し、最後
に両端面を約16mmφ×8mmt(高さ)の円柱状に
研磨して、各誘電体試料とした。そして、各試料につ
き、平行導体板型誘電体円柱共振器法(TE011 MOD
E)等により、εr 、Qu及びτf 、更に、アルキメデ
ス法により焼結密度を測定した。尚、共振周波数は4.
4〜4.5GHzである。τf は、室温から80℃の温
度領域でτf =(f80℃−f室温)/〔(80℃−室温)
・f室温〕にて求めた。但し、f80℃、f室温は各々8
0℃、室温の共振周波数である。これらの結果を表1〜
24及び図1〜19に示す。尚、表中の棒線の欄は溶解
等により満足な焼結体が得られなかったものである。
【0042】(2)実施例の効果 TiO2 の置換/Sb2 3 の添加 表7に示すように、BaO・xTiO2 のxを2から6
に大きくすれば、εr及びQuは低下するものの、xが
5までτf を減少させるので、TiO2 の添加は大きな
τf を0に近づけるという調整効果を有する。また、S
2 3 は適度な量まで添加を増やせば(表7では0.
5重量%まで)、Quを増大させる効果がある。
【0043】Sb2 3 /MnO2 の添加 図1〜3、図10〜12及び表1〜2に示すように、M
nO2 の添加によりεr 、Qu、τf には著しい向上は
認められないものの広範囲な焼成温度(1200℃〜1
325℃)で安定した特性が得られる。更にMnO2
添加量の増大とともに最適焼成温度が低下する等の傾向
にある。
【0044】Sb2 3 /ZnOの添加 図4〜6及び表3〜4に示すように、ZnOの添加によ
りQuはやや上がる傾向にあり、また、τf は下がる傾
向にあり、この10重量%の添加ではτf がほぼ0とな
る。更に、ZnOの添加によりεr は下がる傾向にある
が、10重量%の添加でも34付近と大きな値を維持で
きる。以上の点からZnOの添加は5〜10重量%が好
ましい。また、図10〜図13に示すように、一部の場
合を除いて、1200〜1350℃の焼成温度範囲にお
いて比較的安定した性能を示している。
【0045】Sb2 3 /Ta2 5 の添加 図7〜9及び表5〜6に示すように、Ta2 5 の添加
によりQu及びεr は下がる傾向にあるものの実用的範
囲(4.0重量%の添加の場合、Qu;約3000、ε
r ;約33)を維持している。また、Ta2 5 の添加
によりτf も下がる傾向にあり、4.0重量%で約+1
0ppm/℃まで低下する。以上の点からTa2 5
添加は2〜4重量%が好ましい。また、図10〜図13
に示すように、Ta2 5 の添加が2重量%の場合を除
いて、1200〜1350℃の焼成温度範囲において比
較的安定した性能を示している。
【0046】Sb2 3 /MnO2 /ZnOの添加 表8〜10の結果によれば、以下の組成範囲において、
以下に示すようなバランスのとれた優れた性能を示し
た。 BaO−3.5TiO2 +0.5重量%Sb2 3
0.2〜0.6重量%MnO2 +10〜20重量%Zn
O〔εr ;34〜36、Qu;3220〜3510、τ
f ;+5〜+19ppm/℃〕 BaO−4.0TiO2 +0.1〜0.5重量%Sb2
3 +0.2〜0.8重量%MnO2 +3〜15重量%
ZnO〔εr ;36〜38、Qu;3510〜411
0、τf ;−10〜+17ppm/℃〕 BaO−5.0TiO2 +0.5重量%Sb2 3
0.4〜0.8重量%MnO2 +10〜25重量%Zn
O〔εr ;32〜34、Qu;3000〜3150、τ
f ;−14〜+18ppm/℃〕
【0047】Sb2 3 /ZnO/Ta2 5 の添加 表11〜14の結果によれば、以下の組成範囲におい
て、以下に示すようなバランスのとれた優れた性能を示
した。 BaO−4.0TiO2 +0.1〜0.8重量%Sb2
3 +5〜15重量%ZnO+4〜16重量%Ta2
5 〔εr ;34〜38、Qu;3755〜4210、τ
f ;−15〜+9ppm/℃〕 BaO−4.5TiO2 +0.5重量%Sb2 3 +5
〜10重量%ZnO+4〜10重量%Ta2
5 〔εr ;32〜33、Qu;3030〜3580、τ
f ;−18〜−4ppm/℃〕 BaO−5.0TiO2 +0.5〜0.8重量%Sb2
3 +10〜20重量%ZnO+8〜16重量%Ta2
5 〔εr ;32〜33、Qu;3230〜3820、
τf ;−10〜+12ppm/℃〕
【0048】Sb2 3 /MnO2 /Ta2 5 の添
加 表15〜18の結果によれば、以下の組成範囲におい
て、以下に示すようなバランスのとれた優れた性能を示
した。 BaO−4.0TiO2 +0.1〜0.8重量%Sb2
3 +0〜0.8重量%MnO2 +2〜16重量%Ta
2 5 〔εr ;37〜39、Qu;3930〜433
0、τf ;−2〜+19ppm/℃〕 BaO−4.5TiO2 +0.5〜0.8重量%Sb2
3 +0.4〜0.8重量%MnO2 +4〜16重量%
Ta2 5 〔εr ;32〜33、Qu;3030〜35
10、τf ;−13〜+1ppm/℃〕 BaO−5.0TiO2 +0.8重量%Sb2 3
0.8重量%MnO2 +16〜18重量%Ta2
5 〔εr ;32、Qu;3010〜3120、τf ;+
8〜+11ppm/℃〕
【0049】Sb2 3 /MnO2 /ZnO/Ta2
5 の添加 表19〜24の結果によれば、以下の組成範囲におい
て、以下に示すようなバランスのとれた優れた性能を示
した。 BaO−3.5TiO2 +0.5重量%Sb2 3
0.4〜0.8重量%MnO2 +15重量%ZnO+1
2重量%Ta2 5 〔εr ;43〜47、Qu;305
0〜3120、τf ;+4〜+5ppm/℃〕 BaO−4.0TiO2 +0.1〜0.8重量%Sb2
3 +0.4〜0.8重量%MnO2 +5〜15重量%
ZnO+4〜16重量%Ta2 5 〔εr ;33〜3
8、Qu;3820〜4420、τf ;−17〜+8p
pm/℃〕 BaO−4.5TiO2 +0.5重量%Sb2 3
0.4〜0.8重量%MnO2 +10重量%ZnO+4
〜10重量%Ta2 5 〔εr ;31〜33、Qu;3
130〜3720、τf ;−19〜−3ppm/℃〕 BaO−5.0TiO2 +0.5〜0.8重量%Sb2
3 +0.4〜0.8重量%MnO2 +10〜20重量
%ZnO+8〜16重量%Ta2 5 〔εr ;31〜3
3、Qu;3280〜3930、τf ;−13〜+13
ppm/℃〕
【0050】(3)焼結体の結晶構造 Sb2 3 /MnO2 、Sb2 3 /ZnO又はSb2
3 /Ta2 5 を添加した焼結体(磁器組成物)の結
晶構造をX線回折により分析し、その結果を図14〜1
9に示した。まず、〔BaTiO9 +0.5重量%Sb
2 3 +(0.2、0.4)重量%MnO2 〕焼結体の
X線回折ピークとしては、図14〜15に示すように、
BaTi4 9 、Ba2 Ti9 20、Ba4 Ti
1330、Ba6 Ti1740、BaMnO4 及びTiO2
等の各ピークを示し、未反応のBaOを含んでいないこ
とを示している。焼結反応におけるMnO2 添加の場合
には、主にBa4 Ti1330、Ba6 Ti1740が見ら
れるが、添加量を増加するとその大半がBaTi4 9
に変化している。
【0051】また、〔BaTiO9 +0.5重量%Sb
2 3 +(5.0、10.0)重量%ZnO〕焼結体の
X線回折ピークとしては、図16〜17に示すように、
BaTi4 9 、Ba2 Ti9 20、Ba4 Ti
1330、Ba6 Ti1740、Zn2Ti3 8 、Ba3
Ti12Zn7 24、Zn2 Ti3 8 及びTiO2 等の
各ピークを示し、未反応のBaOを含んでいないことを
示している。ZnO添加の場合には、主にBaTi4
9 、Zn2 Ti3 8 、Ba3 Ti12Zn7 34が見ら
れるが、その添加量の増加に伴いBa3 Ti12Zn7
34が増加の傾向を示した。
【0052】更に、〔BaTiO9 +0.5重量%Sb
2 3 +(2.0、4.0)重量%Ta2 5 〕焼結体
のX線回折ピークとしては、図18〜19に示すよう
に、BaTi4 9 、Ba2 Ti9 20、Ba(Ta4
Ti4 )O21及びTiO2 等の各ピークを示し、未反応
のBaOを含んでいないことを示している。Ta2 5
添加の場合には、その添加量の増加に関係なくBaTi
4 9 のピークが全域に強く現れた。
【0053】尚、仮焼反応におけるMnO2 添加の場合
には、主にBaTi4 9 、TiO2 、BaTiO3
構成されるが、添加量の増加に伴いTiO2 、BaTi
4 9 が増加し、BaTiO3 は減少の傾向を示した。
他成分のピークは変化が見られなかった。また、同様に
ZnO添加の場合には、主にTiO2 、BaTiO3
Ba4 Ti1330が見られるが、添加量の増加に伴いB
aTiO3 以外の全てのピークが減少の傾向を示した。
更に、Ta2 5 添加の場合には、主なピークはMnO
2 添加の場合とほぼ同じであるが、添加量の増加に関係
なくTa2 5固有のピークは認められなかった。
【0054】尚、本発明においては、前記具体的実施例
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記焼成温度等の焼成条件等は種々選択できる。また、
酸化物についても、加熱により酸化物となる他種化合物
を用いることができる。
【0055】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、BaO−
xTiO2 系において、Sb2 3 の添加量、更にMn
2 、ZnO及びTa2 5 のうちの1種又は2種以上
の添加量を加減することによって、Quを実用的な特性
範囲に維持しつつ、高いεr を備え、τf を絶対値が比
較的小さな値に(又はゼロに)近づけることができる。
更に、所定の上記組成成分の添加によって、焼成温度を
種々変動させても、密度が高く且つ高品質な焼結体を安
定して製造できる。即ち、焼成温度の変化に対して安定
した性能を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
0〜0.4重量%MnO2 〕磁器組成物において、Mn
2 添加量とQuとの関係を示すグラフである。
【図2】図1にて示す磁器組成物において、MnO2
加量とεr との関係を示すグラフである。
【図3】図1にて示す磁器組成物において、MnO2
加量とτf との関係を示すグラフである。
【図4】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
0〜10.0重量%ZnO〕磁器組成物において、Zn
O添加量とQuとの関係を示すグラフである。
【図5】図4にて示す磁器組成物において、ZnO添加
量とεr との関係を示すグラフである。
【図6】図4にて示す磁器組成物において、ZnO添加
量とτf との関係を示すグラフである。
【図7】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
0〜4.0重量%Ta2 5 〕磁器組成物において、T
2 5 添加量とQuとの関係を示すグラフである。
【図8】図7にて示す磁器組成物において、Ta2 5
添加量とεr との関係を示すグラフである。
【図9】図7にて示す磁器組成物において、Ta2 5
添加量とτf との関係を示すグラフである。
【図10】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+{(0.2,0.4)重量%MnO2 ,(5.0,1
0.0)重量%ZnO,(2.0,4.0)重量%Ta
25 }〕磁器組成物において、焼成温度とQuとの関
係を示すグラフである。
【図11】図10にて示す磁器組成物において、焼成温
度とεr との関係を示すグラフである。
【図12】図10にて示す磁器組成物において、焼成温
度とτf との関係を示すグラフである。
【図13】図10にて示す磁器組成物において、焼成温
度と焼結密度との関係を示すグラフである。
【図14】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+0.2重量%MnO2 〕磁器組成物のX線回折結果を
示すグラフである。
【図15】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+0.4重量%MnO2 〕磁器組成物のX線回折結果を
示すグラフである。
【図16】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+5.0重量%ZnO〕磁器組成物のX線回折結果を示
すグラフである。
【図17】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+10.0重量%ZnO〕磁器組成物のX線回折結果を
示すグラフである。
【図18】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+2.0重量%Ta2 5 〕磁器組成物のX線回折結果
を示すグラフである。
【図19】〔BaTi4 9 +0.5重量%Sb2 3
+4.0重量%Ta2 5 〕磁器組成物のX線回折結果
を示すグラフである。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 BaO−xTiO2 〔但し、3.0≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して0.2〜0.8
    重量%のSb2 3 、0.2〜0.4重量%のMnO2
    が添加含有されたことを特徴とするマイクロ波誘電体磁
    器組成物。
  2. 【請求項2】 BaO−xTiO2 〔但し、3.0≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して0.2〜0.8
    重量%のSb2 3 、5〜10重量%のZnOが添加含
    有されたことを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成
    物。
  3. 【請求項3】 BaO−xTiO2 〔但し、3.0≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して0.2〜0.8
    重量%のSb2 3 、2〜4重量%のTa2 5 が添加
    含有されたことを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成
    物。
  4. 【請求項4】 BaO−xTiO2 〔但し、3.5≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して0.1〜0.8
    重量%のSb2 3 、0.1〜0.8重量%のMnO2
    及び0.1〜25重量%のZnOが添加含有されたこと
    を特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。
  5. 【請求項5】 BaO−xTiO2 〔但し、4.0≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して0.1〜0.8
    重量%のSb2 3 、0.1〜20重量%のZnO及び
    0.1〜16重量%のTa2 5 が添加含有されたこと
    を特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。
  6. 【請求項6】 BaO−xTiO2 〔但し、4.0≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して、0を越えて
    0.8重量%以下のSb2 3 、0を越えて0.8重量
    %以下のMnO2 及び0を越えて18重量%以下のTa
    2 5 が添加含有されたことを特徴とするマイクロ波誘
    電体磁器組成物。
  7. 【請求項7】 BaO−xTiO2 〔但し、3.5≦x
    ≦5.0〕で示される組成を主成分とし、これに上記B
    aO−xTiO2 100重量%に対して、0を越えて
    0.8重量%以下のSb2 3 、0を越えて0.8重量
    %以下のMnO2 、0を越えて15重量%以下のZnO
    及び0を越えて16重量%以下のTa25 が添加含有
    されたことを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。
JP5136881A 1993-05-13 1993-05-13 マイクロ波誘電体磁器組成物 Pending JPH06321631A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5136881A JPH06321631A (ja) 1993-05-13 1993-05-13 マイクロ波誘電体磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5136881A JPH06321631A (ja) 1993-05-13 1993-05-13 マイクロ波誘電体磁器組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06321631A true JPH06321631A (ja) 1994-11-22

Family

ID=15185730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5136881A Pending JPH06321631A (ja) 1993-05-13 1993-05-13 マイクロ波誘電体磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06321631A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007153710A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007153710A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05211007A (ja) マイクロ波用誘電体磁器組成物
JP3322742B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3436770B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物の製造方法
JPH06321631A (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物
JP2003146752A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH06333426A (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
JP3067815B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物
JP2609362B2 (ja) マイクロ波用誘電体磁器材料
US5939344A (en) Microwave dielectric porcelain composition
JPH0680467A (ja) 誘電体磁器組成物
JP2000143336A (ja) 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ
JPH06239663A (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3351600B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP2974823B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物
JP3550414B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物の製造方法
JPH06199568A (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物
JP2684255B2 (ja) 電子デバイス用誘電体磁器組成物
JP3384598B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3365873B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3384611B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3384610B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3024300B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
JP3357479B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP2003201177A (ja) 誘電体磁器
JP3322739B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法