JPH06323941A - 静電容量型センサ - Google Patents
静電容量型センサInfo
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- JPH06323941A JPH06323941A JP13948293A JP13948293A JPH06323941A JP H06323941 A JPH06323941 A JP H06323941A JP 13948293 A JP13948293 A JP 13948293A JP 13948293 A JP13948293 A JP 13948293A JP H06323941 A JPH06323941 A JP H06323941A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高い小型の圧力センサを提供する。
【構成】 単結晶シリコンウエハよりダイヤフラム４を
弾性的に支持させたフレーム３を異方性エッチングによ
り作製し、ダイヤフラム４に可動電極５を形成する。別
な単結晶シリコンウエハよりカバー２を作製し、可動電
極５に対向するように固定電極７を形成する。カバー２
の下面全体にはＣＶＤ法によりＳｉＯ2の酸化膜６を形
成し、固定電極７が形成された領域に重なるように、酸
化膜６の内側に、可動電極５と固定電極７とで構成され
るコンデンサの静電容量Ｃの変化を検出するための検出
回路９を半導体製造プロセスにより形成する。このよう
にして作製されたフレーム３とカバー２とを低温接合技
術を用いて接合して圧力センサ１を作製する。
弾性的に支持させたフレーム３を異方性エッチングによ
り作製し、ダイヤフラム４に可動電極５を形成する。別
な単結晶シリコンウエハよりカバー２を作製し、可動電
極５に対向するように固定電極７を形成する。カバー２
の下面全体にはＣＶＤ法によりＳｉＯ2の酸化膜６を形
成し、固定電極７が形成された領域に重なるように、酸
化膜６の内側に、可動電極５と固定電極７とで構成され
るコンデンサの静電容量Ｃの変化を検出するための検出
回路９を半導体製造プロセスにより形成する。このよう
にして作製されたフレーム３とカバー２とを低温接合技
術を用いて接合して圧力センサ１を作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電容量型センサに関す
る。具体的には、検知部の変位に比例して生じる静電容
量の変化を検出して、自動車の加速度や空気等のゲージ
圧を測定するために用いられる静電容量型センサに関す
る。
る。具体的には、検知部の変位に比例して生じる静電容
量の変化を検出して、自動車の加速度や空気等のゲージ
圧を測定するために用いられる静電容量型センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体静電容量型圧力センサにお
いては、例えば特開平４−９７２７号公報に開示された
ように、シリコン基板のダイヤフラム部に可動電極を形
成し、またガラス基板には固定電極を形成して、シリコ
ン基板とガラス基板とを陽極接合することによりコンデ
ンサを構成させる構造の圧力センサが知られている。ま
た、上記公報に開示されている圧力センサにあっては、
当該コンデンサの静電容量の変化を検出する検出回路は
別途ＩＣチップに構成され、ガラス基板の上に搭載され
ている。
いては、例えば特開平４−９７２７号公報に開示された
ように、シリコン基板のダイヤフラム部に可動電極を形
成し、またガラス基板には固定電極を形成して、シリコ
ン基板とガラス基板とを陽極接合することによりコンデ
ンサを構成させる構造の圧力センサが知られている。ま
た、上記公報に開示されている圧力センサにあっては、
当該コンデンサの静電容量の変化を検出する検出回路は
別途ＩＣチップに構成され、ガラス基板の上に搭載され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造の圧力センサにおいて、検出回路を圧力センサ
に一体型として作り込む場合、当該検出回路はダイヤフ
ラム部を有するシリコン基板に設けなければならなかっ
た。その一方シリコン基板にダイヤフラム部を形成する
ために、通常ＫＯＨ溶液などのアルカリ金属イオンを含
んだエッチング液を用いて異方性エッチングを行なって
いた。このため、シリコン基板の検出回路上にＳｉＮ膜
などのアルカリ金属イオンを通さないパッシベーション
層を設けなければならず、圧力センサの製造工程が増え
るという問題点があった。
うな構造の圧力センサにおいて、検出回路を圧力センサ
に一体型として作り込む場合、当該検出回路はダイヤフ
ラム部を有するシリコン基板に設けなければならなかっ
た。その一方シリコン基板にダイヤフラム部を形成する
ために、通常ＫＯＨ溶液などのアルカリ金属イオンを含
んだエッチング液を用いて異方性エッチングを行なって
いた。このため、シリコン基板の検出回路上にＳｉＮ膜
などのアルカリ金属イオンを通さないパッシベーション
層を設けなければならず、圧力センサの製造工程が増え
るという問題点があった。
【０００４】また、検出回路をダイヤフラム部を有する
シリコン基板に設ける場合には、シリコン基板上に残留
したアルカリ金属イオンが検出回路に悪影響を及ぼし、
長期安定性に欠けるという問題点もあった。
シリコン基板に設ける場合には、シリコン基板上に残留
したアルカリ金属イオンが検出回路に悪影響を及ぼし、
長期安定性に欠けるという問題点もあった。
【０００５】さらに、検出回路はシリコン基板のダイヤ
フラム部の領域以外に作り込まなければならず、検出回
路を設けるためのスペースを確保するためシリコン基板
を大きく作製する必要があって、結果的に圧力センサが
大きくなってしまうという問題点があった（電子情報通
信学会論文誌 １９９２年８月号 Vol.Ｊ７５−Ｃ−II
Ｎｏ.８ Ｐ.４５１〜４６１）。
フラム部の領域以外に作り込まなければならず、検出回
路を設けるためのスペースを確保するためシリコン基板
を大きく作製する必要があって、結果的に圧力センサが
大きくなってしまうという問題点があった（電子情報通
信学会論文誌 １９９２年８月号 Vol.Ｊ７５−Ｃ−II
Ｎｏ.８ Ｐ.４５１〜４６１）。
【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、シリコン基
板同士を接合して、固定電極が形成されたシリコン基板
上に検出回路を形成し、なおかつ、固定電極の下に絶縁
膜を介して検出回路を形成することにより、上記問題点
を解決することにある。
れたものであり、その目的とするところは、シリコン基
板同士を接合して、固定電極が形成されたシリコン基板
上に検出回路を形成し、なおかつ、固定電極の下に絶縁
膜を介して検出回路を形成することにより、上記問題点
を解決することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の静電容量型セン
サは、弾性を有する検知部を半導体支持基板に設け、当
該支持基板のいずれか一方の面に半導体固定基板を接合
し、前記検知部に設けた可動電極と対向させて前記固定
基板の内面に固定電極を設け、前記可動電極及び前記固
定電極によりコンデンサを構成した静電容量型センサに
おいて、前記コンデンサの静電容量の変化を検出する検
出回路を前記固定基板に設けたことを特徴としている。
サは、弾性を有する検知部を半導体支持基板に設け、当
該支持基板のいずれか一方の面に半導体固定基板を接合
し、前記検知部に設けた可動電極と対向させて前記固定
基板の内面に固定電極を設け、前記可動電極及び前記固
定電極によりコンデンサを構成した静電容量型センサに
おいて、前記コンデンサの静電容量の変化を検出する検
出回路を前記固定基板に設けたことを特徴としている。
【０００８】また、前記固定基板に設けた前記検出回路
上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜を介して前記検出回路と
少なくとも一部を重複させて前記固定基板に前記固定電
極を設けることとしてもよい。
上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜を介して前記検出回路と
少なくとも一部を重複させて前記固定基板に前記固定電
極を設けることとしてもよい。
【０００９】
【作用】本発明の静電容量型センサは、当該センサに構
成されるコンデンサの静電容量の変化を検出するための
検出回路を固定基板に設けている。固定基板には検知部
を形成するためのエッチング処理を施す必要がないた
め、ダイヤフラム部のような検知部を支持基板に形成す
る際に使用するアルカリエッチング液から保護するため
のパッシベーション層が不要になる。したがって、セン
サの製造工程を少なくすることができ、プロセスコスト
を下げることができる。
成されるコンデンサの静電容量の変化を検出するための
検出回路を固定基板に設けている。固定基板には検知部
を形成するためのエッチング処理を施す必要がないた
め、ダイヤフラム部のような検知部を支持基板に形成す
る際に使用するアルカリエッチング液から保護するため
のパッシベーション層が不要になる。したがって、セン
サの製造工程を少なくすることができ、プロセスコスト
を下げることができる。
【００１０】また、固定基板はエッチング不要にできる
ので、アルカリエッチング液のアルカリ金属イオンが残
留することもなく、検出回路はアルカリ金属イオン等に
より悪影響を受けることがなく、静電容量型センサの信
頼性が向上し、また長期安定性に欠けることもない。
ので、アルカリエッチング液のアルカリ金属イオンが残
留することもなく、検出回路はアルカリ金属イオン等に
より悪影響を受けることがなく、静電容量型センサの信
頼性が向上し、また長期安定性に欠けることもない。
【００１１】また、固定基板に設けた検出回路上に絶縁
膜を設け、絶縁膜を介して検出回路と少なくとも一部を
重複させて固定基板に固定電極を設けることにすれば、
固定電極を設けた領域外に検出回路を作り込むためのス
ペースを小さくできる。このため、固定基板上に検出回
路を設けるために固定基板自身を大きくする必要がな
く、静電容量型センサを小型化することができる。
膜を設け、絶縁膜を介して検出回路と少なくとも一部を
重複させて固定基板に固定電極を設けることにすれば、
固定電極を設けた領域外に検出回路を作り込むためのス
ペースを小さくできる。このため、固定基板上に検出回
路を設けるために固定基板自身を大きくする必要がな
く、静電容量型センサを小型化することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である圧力センサ
１の断面図、図２は圧力センサ１を構成するカバー２の
底面図、図３は圧力センサ１を構成するフレーム３の平
面図である。以下、図１、図２、図３に基づき実施例に
ついて詳細に説明する。
１の断面図、図２は圧力センサ１を構成するカバー２の
底面図、図３は圧力センサ１を構成するフレーム３の平
面図である。以下、図１、図２、図３に基づき実施例に
ついて詳細に説明する。
【００１３】圧力センサ１は、角枠状の枠内全面に薄膜
状のダイヤフラム４を弾性的に支持させたフレーム３の
上面にカバー２が重ねられ、カバー２の周辺部は、カバ
ー２又はフレーム３のいずれかの接合面にガラス材を薄
膜状に塗布して互いに接着したのち低温処理（約１００
〜２００℃）して接合を行なう低温接合技術によりフレ
ーム３に接合されている。
状のダイヤフラム４を弾性的に支持させたフレーム３の
上面にカバー２が重ねられ、カバー２の周辺部は、カバ
ー２又はフレーム３のいずれかの接合面にガラス材を薄
膜状に塗布して互いに接着したのち低温処理（約１００
〜２００℃）して接合を行なう低温接合技術によりフレ
ーム３に接合されている。
【００１４】フレーム３及びダイヤフラム４は単結晶シ
リコンウエハから水酸化カリウム溶液による異方性エッ
チングによって一体形成され、ダイヤフラム４はその弾
性変形によりその厚さ方向に自由に微小変位できるよう
に形成され、例えばダイヤフラム４は１０μｍ程度の厚
さに、カバー２の固定電極７とのギャップ量は約２μｍ
となるように形成されている。また、ダイヤフラム４に
はその内面に可動電極５が形成されている。
リコンウエハから水酸化カリウム溶液による異方性エッ
チングによって一体形成され、ダイヤフラム４はその弾
性変形によりその厚さ方向に自由に微小変位できるよう
に形成され、例えばダイヤフラム４は１０μｍ程度の厚
さに、カバー２の固定電極７とのギャップ量は約２μｍ
となるように形成されている。また、ダイヤフラム４に
はその内面に可動電極５が形成されている。
【００１５】カバー２は単結晶シリコンウエハより作製
されていて、カバー２の下面全体に、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）法により堆積したＳｉＯ2組成の絶
縁性の酸化膜６が形成されている。酸化膜６の表面には
ダイヤフラム４の可動電極５と微小なギャップを隔てて
固定電極７が形成され、可動電極５と固定電極７により
コンデンサが構成されている。カバー２の酸化膜６の内
側には検出回路９が半導体製造プロセスにより作り込ま
れていて、検出回路９は当該コンデンサの静電容量Ｃを
周波数に変換する静電容量−周波数変換回路（Ｃ−ｆ変
換回路）などから構成され、コンデンサの静電容量Ｃの
変化を検出することができる。
されていて、カバー２の下面全体に、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）法により堆積したＳｉＯ2組成の絶
縁性の酸化膜６が形成されている。酸化膜６の表面には
ダイヤフラム４の可動電極５と微小なギャップを隔てて
固定電極７が形成され、可動電極５と固定電極７により
コンデンサが構成されている。カバー２の酸化膜６の内
側には検出回路９が半導体製造プロセスにより作り込ま
れていて、検出回路９は当該コンデンサの静電容量Ｃを
周波数に変換する静電容量−周波数変換回路（Ｃ−ｆ変
換回路）などから構成され、コンデンサの静電容量Ｃの
変化を検出することができる。
【００１６】固定電極７は、酸化膜６に設けられたコン
タクトホール１０を通じて検出回路９の入力端子に接続
されている。一方ダイヤフラム４に設けられた可動電極
５はフレーム３の上面に配設された接続配線１１と接続
され、接続配線１１が接合時の圧着によりカバー２に設
けられた接続配線１２と接触することにより、別なコン
タクトホール１０を通して検出回路９の入力端子と電気
的に接続されている。また、検出回路９の出力端子は、
酸化膜６に設けられたさらに別なコンタクトホール１
０，１０を通じてカバー２の接合面に設けられた引き出
しパッド１３，１３に接続され、カバー２とフレーム３
の接合時の圧着によりフレーム３上の外部引き出し配線
１４，１４に接触して電気的に接続されている。
タクトホール１０を通じて検出回路９の入力端子に接続
されている。一方ダイヤフラム４に設けられた可動電極
５はフレーム３の上面に配設された接続配線１１と接続
され、接続配線１１が接合時の圧着によりカバー２に設
けられた接続配線１２と接触することにより、別なコン
タクトホール１０を通して検出回路９の入力端子と電気
的に接続されている。また、検出回路９の出力端子は、
酸化膜６に設けられたさらに別なコンタクトホール１
０，１０を通じてカバー２の接合面に設けられた引き出
しパッド１３，１３に接続され、カバー２とフレーム３
の接合時の圧着によりフレーム３上の外部引き出し配線
１４，１４に接触して電気的に接続されている。
【００１７】しかして、ダイヤフラム４に空気の圧力が
加えられると、空気の圧力に比例してダイヤフラム４が
変位して、可動電極５と固定電極７とのギャップ量が変
化し、当該コンデンサの静電容量Ｃが変化する。この静
電容量Ｃの変化は検出回路９により検出され、フレーム
３上の外部引き出し配線１４，１４から外部に取り出す
ことができる。このようにして、圧力センサ１に加えら
れた空気の圧力を知ることができる。
加えられると、空気の圧力に比例してダイヤフラム４が
変位して、可動電極５と固定電極７とのギャップ量が変
化し、当該コンデンサの静電容量Ｃが変化する。この静
電容量Ｃの変化は検出回路９により検出され、フレーム
３上の外部引き出し配線１４，１４から外部に取り出す
ことができる。このようにして、圧力センサ１に加えら
れた空気の圧力を知ることができる。
【００１８】以下図４及び図５にしたがって圧力センサ
１の作製方法を説明する。まず、カバー２となるシリコ
ン基板２１、例えば（１００）単結晶シリコンウエハか
らなるシリコン基板２１に、通常の半導体製造プロセス
によって検出回路９を作り込む。次に、その検出回路９
を覆うようにシリコン基板２１全面に亘り、低温ＣＶＤ
法によりＰＳＧ（Phosphosilicate glass：リンけい酸
ガラス）による酸化膜６を層間絶縁膜として１μｍ堆積
する〔図４（ａ）〕。この酸化膜６に４つのコンタクト
ホール１０をエッチングにより形成する。酸化膜６の表
面にスパッタリングによってアルミニウムによる金属膜
２３を形成すると共に各コンタクトホール１０を介して
金属膜２３を検出回路９の入力端子及び出力端子と接続
する〔図４（ｂ）〕。次いで、この金属膜２３をエッチ
ングすることによって、固定電極７、接続配線１２及び
引き出しパッド１３，１３を形成してカバー２となるシ
リコン基板２１を作製する〔図４（ｃ）〕。
１の作製方法を説明する。まず、カバー２となるシリコ
ン基板２１、例えば（１００）単結晶シリコンウエハか
らなるシリコン基板２１に、通常の半導体製造プロセス
によって検出回路９を作り込む。次に、その検出回路９
を覆うようにシリコン基板２１全面に亘り、低温ＣＶＤ
法によりＰＳＧ（Phosphosilicate glass：リンけい酸
ガラス）による酸化膜６を層間絶縁膜として１μｍ堆積
する〔図４（ａ）〕。この酸化膜６に４つのコンタクト
ホール１０をエッチングにより形成する。酸化膜６の表
面にスパッタリングによってアルミニウムによる金属膜
２３を形成すると共に各コンタクトホール１０を介して
金属膜２３を検出回路９の入力端子及び出力端子と接続
する〔図４（ｂ）〕。次いで、この金属膜２３をエッチ
ングすることによって、固定電極７、接続配線１２及び
引き出しパッド１３，１３を形成してカバー２となるシ
リコン基板２１を作製する〔図４（ｃ）〕。
【００１９】次に図５に示すようにダイヤフラム４が支
持されたフレーム３となるシリコン基板２２を作製す
る。例えば（１００）単結晶シリコンウエハからなるシ
リコン基板２２の両面全面にマスク用薄膜としてＳｉＮ
膜２４をＣＶＤ法により形成する〔図５（ａ）〕。次に
ギャップ形成用のパターニングを行ってＳｉＮ膜２４に
エッチング処理を行う〔図５（ｂ）〕。エッチングによ
りＳｉＮ膜２４を開口されたシリコン基板２２を局所酸
化（ＬＯＣＯＳ）法により酸化を行い、形成された酸化
膜をバッファ弗酸により除去することで、ギャップを形
成するための凹部２５を形成する〔図５（ｃ）〕。シリ
コン基板２２の凹部２５を形成した面の残りのＳｉＮ膜
２４をドライエッチングにより除去し、可動電極５を形
成するためにアルミニウムをスパッタリングにより堆積
させてアルミニウム膜を形成したのち、このアルミニウ
ム膜にエッチング処理を施し可動電極５及び接続配線１
１並びに外部引き出し配線１４を形成する〔図５
（ｄ）〕。続いて、ダイヤフラム４を形成させるために
可動電極５が形成された面と反対面のＳｉＮ膜２４をパ
ターニングする。このパターニングの際、マスク合わせ
は可動電極５との位置合わせが重要になるので両面マス
クアライナを用いて行なった後、ＳｉＮ膜２４をドライ
エッチングにて一部除去する〔図５（ｅ）〕。このよう
にして形成したシリコン基板２２のパターン面を４５ｗ
ｔ％ＫＯＨ溶液を用いて、異方性エッチングを行ない、
シリコン基板２２のエッチング部分の厚さが１０μｍと
なったところでエッチングを終了し、ダイヤフラム４が
支持されたフレーム３となるシリコン基板２２を作製す
る。
持されたフレーム３となるシリコン基板２２を作製す
る。例えば（１００）単結晶シリコンウエハからなるシ
リコン基板２２の両面全面にマスク用薄膜としてＳｉＮ
膜２４をＣＶＤ法により形成する〔図５（ａ）〕。次に
ギャップ形成用のパターニングを行ってＳｉＮ膜２４に
エッチング処理を行う〔図５（ｂ）〕。エッチングによ
りＳｉＮ膜２４を開口されたシリコン基板２２を局所酸
化（ＬＯＣＯＳ）法により酸化を行い、形成された酸化
膜をバッファ弗酸により除去することで、ギャップを形
成するための凹部２５を形成する〔図５（ｃ）〕。シリ
コン基板２２の凹部２５を形成した面の残りのＳｉＮ膜
２４をドライエッチングにより除去し、可動電極５を形
成するためにアルミニウムをスパッタリングにより堆積
させてアルミニウム膜を形成したのち、このアルミニウ
ム膜にエッチング処理を施し可動電極５及び接続配線１
１並びに外部引き出し配線１４を形成する〔図５
（ｄ）〕。続いて、ダイヤフラム４を形成させるために
可動電極５が形成された面と反対面のＳｉＮ膜２４をパ
ターニングする。このパターニングの際、マスク合わせ
は可動電極５との位置合わせが重要になるので両面マス
クアライナを用いて行なった後、ＳｉＮ膜２４をドライ
エッチングにて一部除去する〔図５（ｅ）〕。このよう
にして形成したシリコン基板２２のパターン面を４５ｗ
ｔ％ＫＯＨ溶液を用いて、異方性エッチングを行ない、
シリコン基板２２のエッチング部分の厚さが１０μｍと
なったところでエッチングを終了し、ダイヤフラム４が
支持されたフレーム３となるシリコン基板２２を作製す
る。
【００２０】以上のようにして作製された２枚のシリコ
ン基板２１，２２を、可動電極５と固定電極７とが対向
するように互いに位置合わせを行ない、低温接合技術を
用いて接合して、最後に所定の大きさにダイシングによ
り切り出して圧力センサ１を作製する。
ン基板２１，２２を、可動電極５と固定電極７とが対向
するように互いに位置合わせを行ない、低温接合技術を
用いて接合して、最後に所定の大きさにダイシングによ
り切り出して圧力センサ１を作製する。
【００２１】このようにして圧力センサ１を簡単に作製
することができる。また、圧力センサ１にあっては、圧
力センサ１に加えられた空気の圧力を検知するための検
出回路９を、酸化膜６を介して固定電極７と重なるよう
にカバー２に設けているので、圧力センサ１を小さく作
製することができ、検出回路９上にはエッチング液のア
ルカリ金属イオンも残留することもないので、圧力セン
サ１の信頼性を高くすることができる。
することができる。また、圧力センサ１にあっては、圧
力センサ１に加えられた空気の圧力を検知するための検
出回路９を、酸化膜６を介して固定電極７と重なるよう
にカバー２に設けているので、圧力センサ１を小さく作
製することができ、検出回路９上にはエッチング液のア
ルカリ金属イオンも残留することもないので、圧力セン
サ１の信頼性を高くすることができる。
【００２２】なお、上記実施例では圧力センサの場合に
ついて説明したが、本発明は静電容量型の加速度センサ
にも用いることができるのはいうまでもない。
ついて説明したが、本発明は静電容量型の加速度センサ
にも用いることができるのはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】本発明の静電容量型センサによれば、セ
ンサに構成されるコンデンサの静電容量の変化を検出す
るための検出回路を固定基板に設けることにより、検出
回路をアルカリエッチング液から保護するためのパッシ
ベーション層が不要になり、センサの製造工程を少なく
することができ、プロセスコストを下げることができ
る。
ンサに構成されるコンデンサの静電容量の変化を検出す
るための検出回路を固定基板に設けることにより、検出
回路をアルカリエッチング液から保護するためのパッシ
ベーション層が不要になり、センサの製造工程を少なく
することができ、プロセスコストを下げることができ
る。
【００２４】また、アルカリエッチング液中のアルカリ
金属イオンが残留して検出回路に対して悪影響を及ぼす
ことがなく、センサの信頼性や長期安定性の向上を図る
ことができる。
金属イオンが残留して検出回路に対して悪影響を及ぼす
ことがなく、センサの信頼性や長期安定性の向上を図る
ことができる。
【００２５】さらに、検出回路を固定基板に設けている
ので、検知部の変形による歪みが検出回路に伝わること
がなく、検出回路の信頼性が向上する。
ので、検知部の変形による歪みが検出回路に伝わること
がなく、検出回路の信頼性が向上する。
【００２６】また、固定基板に設けた検出回路上に絶縁
膜を設け、絶縁膜を介して検出回路と少なくとも一部を
重複させて固定基板に固定電極を設けることにすれば、
固定電極を設けた領域外に検出回路を作り込むためのス
ペースを小さくでき、静電容量型センサを小型化するこ
とができる。
膜を設け、絶縁膜を介して検出回路と少なくとも一部を
重複させて固定基板に固定電極を設けることにすれば、
固定電極を設けた領域外に検出回路を作り込むためのス
ペースを小さくでき、静電容量型センサを小型化するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例である圧力センサの断面図で
ある。
ある。
【図２】同上の圧力センサを構成するカバーの底面図で
ある。
ある。
【図３】同上の圧力センサを構成するフレームの平面図
である。
である。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、同上の圧力センサを構
成するカバーの作製方法を示す断面図である。
成するカバーの作製方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は、同
上の圧力センサを構成するフレームの作製方法を示す断
面図である。
上の圧力センサを構成するフレームの作製方法を示す断
面図である。
２ カバー ５ 可動電極 ６ 酸化膜 ７ 固定電極 ９ 検出回路 １１ 接続配線 １２ 接続配線 １４ 外部引き出し配線 ２４ ＳｉＮ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 弾性を有する検知部を半導体支持基板に
設け、当該支持基板のいずれか一方の面に半導体固定基
板を接合し、前記検知部に設けた可動電極と対向させて
前記固定基板の内面に固定電極を設け、前記可動電極及
び前記固定電極によりコンデンサを構成した静電容量型
センサにおいて、 前記コンデンサの静電容量の変化を検出する検出回路を
前記固定基板に設けたことを特徴とする静電容量型セン
サ。 - 【請求項２】 前記固定基板に設けた前記検出回路上に
絶縁膜を設け、前記絶縁膜を介して前記検出回路と少な
くとも一部を重複させて前記固定基板に前記固定電極を
設けたことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13948293A JPH06323941A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 静電容量型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13948293A JPH06323941A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 静電容量型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06323941A true JPH06323941A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=15246284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13948293A Pending JPH06323941A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 静電容量型センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06323941A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041607A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Pressure sensor |
| KR20140028126A (ko) * | 2011-06-29 | 2014-03-07 | 인벤센스 인코포레이티드. | 수직으로 집적된 전자장치를 갖는 환경에 노출된 부분을 구비한 기밀하게 밀봉된 mems 디바이스 |
| CN108545691A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-18 | 广东和宇传感器有限公司 | 新型表压传感器及其制作方法 |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP13948293A patent/JPH06323941A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041607A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Pressure sensor |
| US7992445B2 (en) | 2006-10-02 | 2011-08-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Pressure sensor |
| KR20140028126A (ko) * | 2011-06-29 | 2014-03-07 | 인벤센스 인코포레이티드. | 수직으로 집적된 전자장치를 갖는 환경에 노출된 부분을 구비한 기밀하게 밀봉된 mems 디바이스 |
| JP2014521071A (ja) * | 2011-06-29 | 2014-08-25 | インベンセンス，インク． | 一部が縦型集積電子回路とともに環境に曝露された密閉封止型ｍｅｍｓデバイス |
| CN108545691A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-18 | 广东和宇传感器有限公司 | 新型表压传感器及其制作方法 |
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