JPH06324077A - 半導体加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサおよびその製造方法Info
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- JPH06324077A JPH06324077A JP4321456A JP32145692A JPH06324077A JP H06324077 A JPH06324077 A JP H06324077A JP 4321456 A JP4321456 A JP 4321456A JP 32145692 A JP32145692 A JP 32145692A JP H06324077 A JPH06324077 A JP H06324077A
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的簡単な構成でもって可動電極（重り
部）を密封された封止空間内に配置可能な半導体加速度
センサおよびその製造方法を提供すること 【構成】 ガラス板１０の上面全面にアルミ蒸着を施し
固定電極１１を形成する。その固定電極１１の上面をス
パッタにより肉薄のガラス層１２を設ける。なお、この
ガラス層はその１辺側が細長帯状に切除され、係る切除
部位で固定電極１１が露出し、取り出しリード線１４を
接続する。ガラス層の上面にシリコン板１５を配置し、
略ロ字状の枠体１６の下面とガラス層と画面接触し、そ
こにおいて気密性が保持される。また、シリコン板１５
の上方にはガラス板２０が配置され、枠体の上面との間
で面接触され接合される。シリコン板の重り部１８，可
動電極１９は、センサの製造により自動的に形成される
封止空間内に位置される。
部）を密封された封止空間内に配置可能な半導体加速度
センサおよびその製造方法を提供すること 【構成】 ガラス板１０の上面全面にアルミ蒸着を施し
固定電極１１を形成する。その固定電極１１の上面をス
パッタにより肉薄のガラス層１２を設ける。なお、この
ガラス層はその１辺側が細長帯状に切除され、係る切除
部位で固定電極１１が露出し、取り出しリード線１４を
接続する。ガラス層の上面にシリコン板１５を配置し、
略ロ字状の枠体１６の下面とガラス層と画面接触し、そ
こにおいて気密性が保持される。また、シリコン板１５
の上方にはガラス板２０が配置され、枠体の上面との間
で面接触され接合される。シリコン板の重り部１８，可
動電極１９は、センサの製造により自動的に形成される
封止空間内に位置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサお
よびその製造方法に関するもので、より具体的には電極
リードの実装構造の改良に関する。
よびその製造方法に関するもので、より具体的には電極
リードの実装構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車の車体制御やエンジン制御等に用
いられる静電容量式の半導体加速度センサは、図９に示
すように一般に可動電極を構成するシリコン板１の上下
両面にガラス板２を配置する。この時、可動電極と、ガ
ラス板２の対向面との間には、所定の空隙が形成され、
可動電極の揺動を許容している。そしてこのガラス板２
の内面、すなわち、可動電極に対向する面の所定位置に
アルミ蒸着等により固定電極を形成する。そして、上記
のように可動電極が揺動すると、上記可動電極と固定電
極の間隙が変動し、両電極間に生じる静電容量が変化す
る。
いられる静電容量式の半導体加速度センサは、図９に示
すように一般に可動電極を構成するシリコン板１の上下
両面にガラス板２を配置する。この時、可動電極と、ガ
ラス板２の対向面との間には、所定の空隙が形成され、
可動電極の揺動を許容している。そしてこのガラス板２
の内面、すなわち、可動電極に対向する面の所定位置に
アルミ蒸着等により固定電極を形成する。そして、上記
のように可動電極が揺動すると、上記可動電極と固定電
極の間隙が変動し、両電極間に生じる静電容量が変化す
る。
【０００３】そして、係る静電容量の変化を検出するた
め、両電極に接続された配線（電極リード）を外部に引
き出す必要があるが、係る引き出しは、例えば固定電極
側ではそれに連続するようにしてアルミ配線３をガラス
板２の上面に形成する。そして、シリコン板１の所定部
位を切除して上記アルミ配線３の端部３ａを露出して取
り出し用のパッドとするとともに、シリコン板１の下面
側のアルミ配線３に対応する部位は凹溝１ａが形成さ
れ、その凹溝１ａ以外の下面と下側のガラス板２とが接
合するようになっている。
め、両電極に接続された配線（電極リード）を外部に引
き出す必要があるが、係る引き出しは、例えば固定電極
側ではそれに連続するようにしてアルミ配線３をガラス
板２の上面に形成する。そして、シリコン板１の所定部
位を切除して上記アルミ配線３の端部３ａを露出して取
り出し用のパッドとするとともに、シリコン板１の下面
側のアルミ配線３に対応する部位は凹溝１ａが形成さ
れ、その凹溝１ａ以外の下面と下側のガラス板２とが接
合するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の構成では、シリコン板１に形成する凹溝１ａのうち形
状とアルミ配線の外形状とを一致させることは困難であ
るため、凹溝１ａの幅並びに深さは、それぞれアルミ配
線３の幅並びに高さよりも一回り以上大きく設定するこ
とになり、図示するように両者の間には隙間を生じてし
まう。したがって、隙間を介して内部に塵等が入り込む
おそれがあり、故障の原因となる。よって、製造後隙間
内に樹脂などを充填して密封する必要があり、かかる作
業が煩雑となる。
の構成では、シリコン板１に形成する凹溝１ａのうち形
状とアルミ配線の外形状とを一致させることは困難であ
るため、凹溝１ａの幅並びに深さは、それぞれアルミ配
線３の幅並びに高さよりも一回り以上大きく設定するこ
とになり、図示するように両者の間には隙間を生じてし
まう。したがって、隙間を介して内部に塵等が入り込む
おそれがあり、故障の原因となる。よって、製造後隙間
内に樹脂などを充填して密封する必要があり、かかる作
業が煩雑となる。
【０００５】さらに空気は温度によりその圧力が変動す
るため、センサ内部を減圧するとともに封止することが
好ましい。しかし上記のセンサではアルミ配線３とシリ
コン板１の凹溝１ａとの間に形成される隙間を介してセ
ンサ内部が外部と連通状態となり、また、仮に上記のご
とく製造後密封したとしても内部を減圧状態にすること
はできず、センサ内に空気が存在し、その空気の影響を
受けてセンサの精度が落ちてしまう。
るため、センサ内部を減圧するとともに封止することが
好ましい。しかし上記のセンサではアルミ配線３とシリ
コン板１の凹溝１ａとの間に形成される隙間を介してセ
ンサ内部が外部と連通状態となり、また、仮に上記のご
とく製造後密封したとしても内部を減圧状態にすること
はできず、センサ内に空気が存在し、その空気の影響を
受けてセンサの精度が落ちてしまう。
【０００６】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、可動電極を有するシ
リコンなどの半導体基板と、それに接続する他の板材と
の接合面を面接触させ、比較的簡単な構成でもって可動
電極（揺動する重り部）を密封された封止空間内に配置
可能で、しかもその封止空間を減圧することも可能な半
導体加速度センサおよびその製造方法を提供することに
ある。
もので、その目的とするところは、可動電極を有するシ
リコンなどの半導体基板と、それに接続する他の板材と
の接合面を面接触させ、比較的簡単な構成でもって可動
電極（揺動する重り部）を密封された封止空間内に配置
可能で、しかもその封止空間を減圧することも可能な半
導体加速度センサおよびその製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る半導体加速度センサでは、基板上
に金属性の固定電極を設け、その固定電極並びに必要に
応じて前記基板の露出部位を覆うようにして接合用ガラ
ス層を設け、その接合用ガラス層に対して前記固定電極
に対向する可動電極を有する半導体基板を接合するよう
にし、かつ、その接合部位は無端状とした。
ために、本発明に係る半導体加速度センサでは、基板上
に金属性の固定電極を設け、その固定電極並びに必要に
応じて前記基板の露出部位を覆うようにして接合用ガラ
ス層を設け、その接合用ガラス層に対して前記固定電極
に対向する可動電極を有する半導体基板を接合するよう
にし、かつ、その接合部位は無端状とした。
【０００８】また、基板上に所定形状からなる金属性の
固定電極と、その固定電極と離反して可動電極用の金属
性の配線を設け、前記固定電極，前記配線並びに前記基
板の露出部位を覆うようにして接合用ガラス層を設け、
その接合用ガラス層に対して前記固定電極に対向する可
動電極を有する半導体基板を接合するようにし、かつ、
その接合部位は無端状とするとともに、前記接合用ガラ
ス層の前記接合部位の内側所定位置に前記配線の一部を
露出可能とする窓孔を設け、前記窓孔を介して前記半導
体基板に形成した可動電極に導通するパッドの端面を前
記配線の一部に接触させるようにしてもよい。
固定電極と、その固定電極と離反して可動電極用の金属
性の配線を設け、前記固定電極，前記配線並びに前記基
板の露出部位を覆うようにして接合用ガラス層を設け、
その接合用ガラス層に対して前記固定電極に対向する可
動電極を有する半導体基板を接合するようにし、かつ、
その接合部位は無端状とするとともに、前記接合用ガラ
ス層の前記接合部位の内側所定位置に前記配線の一部を
露出可能とする窓孔を設け、前記窓孔を介して前記半導
体基板に形成した可動電極に導通するパッドの端面を前
記配線の一部に接触させるようにしてもよい。
【０００９】また、上記構成のセンサの製造方法として
は、基板上にアルミ等の金属を蒸着して前記固定電極を
形成し、次いで、その固定電極を覆うようにガラスコー
ティングし、そのコーティングの所定部位を除去して接
合用ガラス層を形成し、次いで、別工程で形成された所
定形状からなる可動電極を有する半導体基板を前記接合
用ガラス層上に接合することである。
は、基板上にアルミ等の金属を蒸着して前記固定電極を
形成し、次いで、その固定電極を覆うようにガラスコー
ティングし、そのコーティングの所定部位を除去して接
合用ガラス層を形成し、次いで、別工程で形成された所
定形状からなる可動電極を有する半導体基板を前記接合
用ガラス層上に接合することである。
【００１０】また、基板上にアルミ等の金属を蒸着し、
その蒸着した金属の所定部位を切除して前記固定電極並
びに前記可動電極用の配線を形成し、次いで、その固定
電極並びに配線を覆うようにガラスコーティングし、そ
のガラスコーティングのうち前記配線上の所定部位を除
去して前記窓孔付きの接合用ガラス層を形成し、次い
で、別工程で形成された所定形状からなる可動電極を有
するとともに所定位置に前記パッドを備えた半導体基板
を前記接合用ガラス層上に接合するようにしてもよい。
その蒸着した金属の所定部位を切除して前記固定電極並
びに前記可動電極用の配線を形成し、次いで、その固定
電極並びに配線を覆うようにガラスコーティングし、そ
のガラスコーティングのうち前記配線上の所定部位を除
去して前記窓孔付きの接合用ガラス層を形成し、次い
で、別工程で形成された所定形状からなる可動電極を有
するとともに所定位置に前記パッドを備えた半導体基板
を前記接合用ガラス層上に接合するようにしてもよい。
【００１１】
【作用】シリコン板は、接合用ガラス層とのみ接合し、
しかもその接合部位は無端状となっているため、完全に
密封される。そして、センサの製造により自動的に封止
されるため、製造後に特別な密封処理が不要となる。さ
らに、その製造を例えば減圧雰囲気中で行えば、センサ
内部を減圧状態とすることができ、接合部位の内側に位
置する可動電極等が係る減圧された内部に位置するた
め、温度の影響を可及的に抑えた高精度の検出が可能と
なる。
しかもその接合部位は無端状となっているため、完全に
密封される。そして、センサの製造により自動的に封止
されるため、製造後に特別な密封処理が不要となる。さ
らに、その製造を例えば減圧雰囲気中で行えば、センサ
内部を減圧状態とすることができ、接合部位の内側に位
置する可動電極等が係る減圧された内部に位置するた
め、温度の影響を可及的に抑えた高精度の検出が可能と
なる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る半導体加速度センサおよ
びその製造方法の好適な実施例を添付図面を参照にして
詳述する。図１，図２は本発明の第１実施例を示してい
る。同図に示すように、基板たる矩形状のガラス板１０
の上面に固定電極１１を形成している。この固定電極１
１は、本例ではガラス板１０の平面形状と略同一、すな
わち、ガラス板１０の上面全面を覆うようにしてアルミ
を蒸着することにより形成している。
びその製造方法の好適な実施例を添付図面を参照にして
詳述する。図１，図２は本発明の第１実施例を示してい
る。同図に示すように、基板たる矩形状のガラス板１０
の上面に固定電極１１を形成している。この固定電極１
１は、本例ではガラス板１０の平面形状と略同一、すな
わち、ガラス板１０の上面全面を覆うようにしてアルミ
を蒸着することにより形成している。
【００１３】その固定電極１１の上面を覆うようにして
肉薄のガラス層１２を形成する。このガラス層１２は、
図２に示すように固定電極１１の平面形状に対し、その
１辺側が細長帯状に切除された矩形状からなり、固定電
極１１のほぼ全面を覆うようになっている。そして、ガ
ラス層１２が形成されずに露出した固定電極１１の表面
に、パッド１３を形成し、そのパッド１３に取り出しリ
ード線１４を接続するようになっている。
肉薄のガラス層１２を形成する。このガラス層１２は、
図２に示すように固定電極１１の平面形状に対し、その
１辺側が細長帯状に切除された矩形状からなり、固定電
極１１のほぼ全面を覆うようになっている。そして、ガ
ラス層１２が形成されずに露出した固定電極１１の表面
に、パッド１３を形成し、そのパッド１３に取り出しリ
ード線１４を接続するようになっている。
【００１４】さらに、上記ガラス層１２の上面にシリコ
ン板１５を配置する。このシリコン板１５は、略ロ字状
の枠体１６の内面に梁部１７を介して揺動可能に重り部
１８を形成した形状からなり、その重り部１８の下面が
可動電極１９となる。そして、その枠体１６の外形状と
ガラス層１２の外形状とを略一致させている。これによ
り、枠体１６の下面は、ガラス層１２とのみ接触し、そ
の接合面は、共に面一となっているため、面接触した接
合部位における気密性が向上する。そして、この接合部
位は、枠体１６の全面にわたって形成されるため、無端
状で全周囲に渡って位置され、そのシリコン板１５とガ
ラス層１２との接合面では完全に密封される。なお、こ
の可動電極１９と、上記固定電極１１との間で静電容量
を発生させている。
ン板１５を配置する。このシリコン板１５は、略ロ字状
の枠体１６の内面に梁部１７を介して揺動可能に重り部
１８を形成した形状からなり、その重り部１８の下面が
可動電極１９となる。そして、その枠体１６の外形状と
ガラス層１２の外形状とを略一致させている。これによ
り、枠体１６の下面は、ガラス層１２とのみ接触し、そ
の接合面は、共に面一となっているため、面接触した接
合部位における気密性が向上する。そして、この接合部
位は、枠体１６の全面にわたって形成されるため、無端
状で全周囲に渡って位置され、そのシリコン板１５とガ
ラス層１２との接合面では完全に密封される。なお、こ
の可動電極１９と、上記固定電極１１との間で静電容量
を発生させている。
【００１５】さらにまた、上記シリコン板１５の上方に
は、ガラス板２０が配置され、このシリコン板１５とガ
ラス板２０との接合面も共に全周にわたって面接触する
ため、接合面は気密となる。これにより、重り部１８，
可動電極１９は、封止空間内に位置され、また、この封
止構造は、センサの製造により自動的に行われるため、
その封止空間を減圧することも可能となり、係る場合に
は温度に対する影響も抑制できる。なお、このガラス板
２０も、上記ガラス層１２と同様に、その下方に位置す
るシリコン板１５の平面形状に対し、その１辺側が細長
帯状に切除された矩形状（但し、枠体１６の内形状より
は大きい）からなり、シリコン板１５のほぼ全面を覆う
ようになっている。そして、ガラス板２０が形成されず
に露出したシリコン板１５の枠体１６表面所定位置にパ
ッド２１を形成し、そのパッド２１に取り出しリード線
２２を接続するようになっている。
は、ガラス板２０が配置され、このシリコン板１５とガ
ラス板２０との接合面も共に全周にわたって面接触する
ため、接合面は気密となる。これにより、重り部１８，
可動電極１９は、封止空間内に位置され、また、この封
止構造は、センサの製造により自動的に行われるため、
その封止空間を減圧することも可能となり、係る場合に
は温度に対する影響も抑制できる。なお、このガラス板
２０も、上記ガラス層１２と同様に、その下方に位置す
るシリコン板１５の平面形状に対し、その１辺側が細長
帯状に切除された矩形状（但し、枠体１６の内形状より
は大きい）からなり、シリコン板１５のほぼ全面を覆う
ようになっている。そして、ガラス板２０が形成されず
に露出したシリコン板１５の枠体１６表面所定位置にパ
ッド２１を形成し、そのパッド２１に取り出しリード線
２２を接続するようになっている。
【００１６】すなわち、本例では、従来からある一般的
な半導体加速度センサの構成である可動電極を備えたシ
リコン板の上下両側にガラス板を配置し、さらに、その
少ないとも一方のガラス板のシリコン板対向面所定位置
にアルミ蒸着により固定電極並びにその配線を形成した
（シリコン板との接合面には、ガラス板（陽極接合して
いる）とアルミ蒸着の配線が位置する）ものを基準と
し、固定電極並びに配線を構成するアルミ蒸着と、シリ
コン板との間に接合用のガラス層１２を配置し、シリコ
ン板との接合面にはガラス層のみ位置させることによ
り、気密性の向上を図っている。
な半導体加速度センサの構成である可動電極を備えたシ
リコン板の上下両側にガラス板を配置し、さらに、その
少ないとも一方のガラス板のシリコン板対向面所定位置
にアルミ蒸着により固定電極並びにその配線を形成した
（シリコン板との接合面には、ガラス板（陽極接合して
いる）とアルミ蒸着の配線が位置する）ものを基準と
し、固定電極並びに配線を構成するアルミ蒸着と、シリ
コン板との間に接合用のガラス層１２を配置し、シリコ
ン板との接合面にはガラス層のみ位置させることによ
り、気密性の向上を図っている。
【００１７】なお、この例では、アルミをガラス板１０
の上面全面に蒸着することにより固定電極１１を形成し
たため、厳密にいうと、固定電極１１のうちの一部は、
従来でいう配線を兼ねることになる。
の上面全面に蒸着することにより固定電極１１を形成し
たため、厳密にいうと、固定電極１１のうちの一部は、
従来でいう配線を兼ねることになる。
【００１８】また、本例では、全面にアルミ蒸着を施し
たが、従来の所定パターンからなる固定電極と配線のよ
うに、パターニングしても良い。その場合には、ガラス
層は所定のパターンからなるアルミ蒸着（固定電極）の
上面と、露出したガラス板の表面の両者を覆うようにな
り、いずれにしても、シリコン板との接合は、かかるガ
ラス層を介して行うようになる。
たが、従来の所定パターンからなる固定電極と配線のよ
うに、パターニングしても良い。その場合には、ガラス
層は所定のパターンからなるアルミ蒸着（固定電極）の
上面と、露出したガラス板の表面の両者を覆うようにな
り、いずれにしても、シリコン板との接合は、かかるガ
ラス層を介して行うようになる。
【００１９】さらに、この実施例では、下側に固定電極
１１を形成したが、具体的な図示は省略するがそれとは
逆に上側のガラス板２０の下面に、全面或いは上記のご
とく所定のパターンからなる固定電極を形成し、その固
定電極を覆うようにしてガラス層を配置するようにして
もちろん良い。
１１を形成したが、具体的な図示は省略するがそれとは
逆に上側のガラス板２０の下面に、全面或いは上記のご
とく所定のパターンからなる固定電極を形成し、その固
定電極を覆うようにしてガラス層を配置するようにして
もちろん良い。
【００２０】さらにまた、図３に示すように、上側，下
側のガラス板１０，２０の両面に固定電極１１，２４を
形成しても良い。すなわち、ガラス板２０の下面にアル
ミ蒸着により形成した固定電極２４の下面をさらに覆う
ようにしてガラス層２５を形成する。そして、重り部１
８の上面を可動電極２６とし、その可動電極２６と固定
電極２４との間で静電容量を発揮させるようにしてい
る。さらに、固定電極２４の露出面にパッド２７を介し
て取り出しリード線２８を形成し、さらにシリコン板１
５の所定位置に可動電極２６に接続されたパッド２９お
よび取り出しリード線３０を形成している。なお、下側
のガラス板１０側は、上記した第１実施例と同様である
ため同一符号を付しその説明を省略する。
側のガラス板１０，２０の両面に固定電極１１，２４を
形成しても良い。すなわち、ガラス板２０の下面にアル
ミ蒸着により形成した固定電極２４の下面をさらに覆う
ようにしてガラス層２５を形成する。そして、重り部１
８の上面を可動電極２６とし、その可動電極２６と固定
電極２４との間で静電容量を発揮させるようにしてい
る。さらに、固定電極２４の露出面にパッド２７を介し
て取り出しリード線２８を形成し、さらにシリコン板１
５の所定位置に可動電極２６に接続されたパッド２９お
よび取り出しリード線３０を形成している。なお、下側
のガラス板１０側は、上記した第１実施例と同様である
ため同一符号を付しその説明を省略する。
【００２１】次に、図４を用いて上記した実施例の製造
方法の説明をする。まず基板となるガラス板１０を用意
し、その上面にアルミ蒸着を行い固定電極１１を製造
し、さらにその上面にガラスコーティング（或いはスパ
ッタ，蒸着等）によりガラス層を形成する（〜）。
そして、ガラスエッチングを行い形成したガラス層の所
定位置を切除してガラス層１２を形成する（）。
方法の説明をする。まず基板となるガラス板１０を用意
し、その上面にアルミ蒸着を行い固定電極１１を製造
し、さらにその上面にガラスコーティング（或いはスパ
ッタ，蒸着等）によりガラス層を形成する（〜）。
そして、ガラスエッチングを行い形成したガラス層の所
定位置を切除してガラス層１２を形成する（）。
【００２２】次いで、別工程で製造した所定形状のシリ
コン板１５を、ガラス層１２の上に載置すると共に陽極
接合を行い一体化する（）。そして、上記〜と同
様の工程により製造されたガラス層２５でガラスコーテ
ィングされたアルミ蒸着（固定電極２４）を備えたガラ
ス板２０を用意し、ガラス層２５側を下にしてシリコン
板１５の上に載置し、陽極接合を行い一体化する
（）。そして、露出面の所定位置にワイヤーボンディ
ングを行い、リード線等を形成し、製造を終了する
（）。
コン板１５を、ガラス層１２の上に載置すると共に陽極
接合を行い一体化する（）。そして、上記〜と同
様の工程により製造されたガラス層２５でガラスコーテ
ィングされたアルミ蒸着（固定電極２４）を備えたガラ
ス板２０を用意し、ガラス層２５側を下にしてシリコン
板１５の上に載置し、陽極接合を行い一体化する
（）。そして、露出面の所定位置にワイヤーボンディ
ングを行い、リード線等を形成し、製造を終了する
（）。
【００２３】なお、この例では図３に示す両側に固定電
極を配置した構造用の製造プロセスであるが、上記の
工程で、シリコン板１５の上面に接合する部材をガラス
板２０のみとすると、図１に示す第１実施例の半導体加
速度センサの製造用のプロセスとなる。
極を配置した構造用の製造プロセスであるが、上記の
工程で、シリコン板１５の上面に接合する部材をガラス
板２０のみとすると、図１に示す第１実施例の半導体加
速度センサの製造用のプロセスとなる。
【００２４】図５，図６は、本発明の第２実施例を示し
ている。本例では上記した第１実施例と相違して可動電
極の取り出し２４を固定電極側、すなわちガラス板側か
ら取り出すようにしている。つまり、下側のガラス板１
０の上面に所定形状からなる固定電極１１′をアルミ蒸
着により形成する。さらに、このガラス板１０の上面所
定位置で上記固定電極１１′と離反した位置に可動電極
用の配線３１をアルミ蒸着により形成している。
ている。本例では上記した第１実施例と相違して可動電
極の取り出し２４を固定電極側、すなわちガラス板側か
ら取り出すようにしている。つまり、下側のガラス板１
０の上面に所定形状からなる固定電極１１′をアルミ蒸
着により形成する。さらに、このガラス板１０の上面所
定位置で上記固定電極１１′と離反した位置に可動電極
用の配線３１をアルミ蒸着により形成している。
【００２５】一方、上記第１実施例と同様に固定電極１
１′並びに配線３１の上方を覆うようにしてガラス層１
２′をスパッタ等により形成している。そして、このガ
ラス層１２′もその１辺が細長帯状に切除されガラス板
１０の一部が露出している。そして、その露出部位に固
定電極１１′の端部１１′ａ並びに配線３１の一端３１
ａを配置させ、取り出し用のパッドとしている。
１′並びに配線３１の上方を覆うようにしてガラス層１
２′をスパッタ等により形成している。そして、このガ
ラス層１２′もその１辺が細長帯状に切除されガラス板
１０の一部が露出している。そして、その露出部位に固
定電極１１′の端部１１′ａ並びに配線３１の一端３１
ａを配置させ、取り出し用のパッドとしている。
【００２６】さらに本例では、ガラス層１２′の所定位
置、すなわち、上記配線３１の他端３１ｂの対向位置に
上下に貫通する窓孔１２′ａを形成し、係る配線３１の
他端３１ｂが露出するようにしている。
置、すなわち、上記配線３１の他端３１ｂの対向位置に
上下に貫通する窓孔１２′ａを形成し、係る配線３１の
他端３１ｂが露出するようにしている。
【００２７】そして、このガラス層１２′の上方に、可
動電極１９を備えたシリコン板１５′を配置するが、こ
のシリコン板１５′の下面の上記窓孔１２′ａに対向す
る位置には可動電極１９に導通するアルミパッド３２が
設けられ、シリコン板１５′をガラス層１２′上に装着
した状態では、そのアルミパッド３２の下端が、窓孔１
２′ａ内を通り配線３１の他端３１ｂに圧着する。これ
により、可動電極１９と配線３０の導通が取られ、配線
３１の一端３１ａを介して外部に取り出し可能となる。
なお、その他の構成並びに作用は、上記した第１実施例
と同様であるので、その説明を省略する。
動電極１９を備えたシリコン板１５′を配置するが、こ
のシリコン板１５′の下面の上記窓孔１２′ａに対向す
る位置には可動電極１９に導通するアルミパッド３２が
設けられ、シリコン板１５′をガラス層１２′上に装着
した状態では、そのアルミパッド３２の下端が、窓孔１
２′ａ内を通り配線３１の他端３１ｂに圧着する。これ
により、可動電極１９と配線３０の導通が取られ、配線
３１の一端３１ａを介して外部に取り出し可能となる。
なお、その他の構成並びに作用は、上記した第１実施例
と同様であるので、その説明を省略する。
【００２８】また、この第２実施例のタイプのもので
も、上記した第１実施の変形例（図３に示す）と同様
に、シリコン板１５′の重り部１７′の両面に可動電極
１９′，２６′並びに両ガラス板１０，１２の対向面所
定位置に固定電極１１′，２４′を設けるようにしても
良い。すなわち、上方のガラス板１２の下面所定位置に
形成する固定電極２４′をガラス板１２の下面全面では
なく、所定形状から構成し、その未配置部位に可動電極
用の配線３３を形成する。そして、シリコン板１５′の
上面所定位置に、その上面側に形成した可動電極２６′
に導通するアルミパッド３５を形成し、そのアルミパッ
ド３５を上方のガラス層２５′に形成した窓孔２５′ａ
内を挿入配置させ、その上端を配線３３の他端３３ｂに
圧着させる。なお、その他の構成並びに作用は、上記し
た各実施例並びに変形例と同様であるためその説明を省
略する。
も、上記した第１実施の変形例（図３に示す）と同様
に、シリコン板１５′の重り部１７′の両面に可動電極
１９′，２６′並びに両ガラス板１０，１２の対向面所
定位置に固定電極１１′，２４′を設けるようにしても
良い。すなわち、上方のガラス板１２の下面所定位置に
形成する固定電極２４′をガラス板１２の下面全面では
なく、所定形状から構成し、その未配置部位に可動電極
用の配線３３を形成する。そして、シリコン板１５′の
上面所定位置に、その上面側に形成した可動電極２６′
に導通するアルミパッド３５を形成し、そのアルミパッ
ド３５を上方のガラス層２５′に形成した窓孔２５′ａ
内を挿入配置させ、その上端を配線３３の他端３３ｂに
圧着させる。なお、その他の構成並びに作用は、上記し
た各実施例並びに変形例と同様であるためその説明を省
略する。
【００２９】図７は上記第２実施例の加速度センサの製
造プロセスを示している。同図に示すように、ガラス板
１０の上面全面にアルミを蒸着した後、所定位置をパタ
ーニングして、その蒸着したアルミの一部を除去する。
これにより、図５に示すような固定電極と配線を形成す
る（′〜′）。
造プロセスを示している。同図に示すように、ガラス板
１０の上面全面にアルミを蒸着した後、所定位置をパタ
ーニングして、その蒸着したアルミの一部を除去する。
これにより、図５に示すような固定電極と配線を形成す
る（′〜′）。
【００３０】次いで、それらアルミ蒸着部位（１１′，
３１）並びにガラス板１０の上面露出部位に対してガラ
スコーティングを行い、その表面を面一状態にする。そ
して、そのガラスコーティングしたガラス層の所定部位
（上記１辺の細長帯状部位と窓孔１２′ａ）をガラスエ
ッチングして除去する（′，′） 次いで、別工程で製造した所定位置にアルミパッド３
２，３５を設けた所定形状のシリコン板１５′を、ガラ
ス層１２′の上に載置すると共に陽極接合を行い一体化
する（′）。そして、上記′〜′と同様の工程に
より製造されたガラス層２５′でガラスコーティングさ
れたアルミ蒸着（固定電極，配線）を備えたガラス板２
０を用意し、ガラス層２５′側を下にしてシリコン板１
５′の上に載置し、陽極接合を行い一体化する
（′）。そして、露出面の所定位置にワイヤーボンデ
ィングを行い、リード線等を形成し、製造を終了する
（′）。
３１）並びにガラス板１０の上面露出部位に対してガラ
スコーティングを行い、その表面を面一状態にする。そ
して、そのガラスコーティングしたガラス層の所定部位
（上記１辺の細長帯状部位と窓孔１２′ａ）をガラスエ
ッチングして除去する（′，′） 次いで、別工程で製造した所定位置にアルミパッド３
２，３５を設けた所定形状のシリコン板１５′を、ガラ
ス層１２′の上に載置すると共に陽極接合を行い一体化
する（′）。そして、上記′〜′と同様の工程に
より製造されたガラス層２５′でガラスコーティングさ
れたアルミ蒸着（固定電極，配線）を備えたガラス板２
０を用意し、ガラス層２５′側を下にしてシリコン板１
５′の上に載置し、陽極接合を行い一体化する
（′）。そして、露出面の所定位置にワイヤーボンデ
ィングを行い、リード線等を形成し、製造を終了する
（′）。
【００３１】なお、この例では図３に示す両側に固定電
極を配置した構造用の製造プロセスであるが、上記の
工程で、シリコン板１５の上面に接合する部材をガラス
板２０のみとするとともに、シリコン板１５′の下面側
のみにアルミパッドを設けたものを用いることにより、
図５に示す第１実施例の半導体加速度センサの製造用の
プロセスとなる。
極を配置した構造用の製造プロセスであるが、上記の
工程で、シリコン板１５の上面に接合する部材をガラス
板２０のみとするとともに、シリコン板１５′の下面側
のみにアルミパッドを設けたものを用いることにより、
図５に示す第１実施例の半導体加速度センサの製造用の
プロセスとなる。
【００３２】なお、本発明は上記した実施例に限ること
無く、例えば両側に固定，可動電極を設けるタイプの場
合に、一方は、第１実施例の構造を用い、他方は第２実
施例の構造を用いるようにしても良い。さらにまた、上
記した各実施例では各固定電極や配線はアルミ蒸着によ
り形成したが、他の金属でも良いのはもちろんである。
無く、例えば両側に固定，可動電極を設けるタイプの場
合に、一方は、第１実施例の構造を用い、他方は第２実
施例の構造を用いるようにしても良い。さらにまた、上
記した各実施例では各固定電極や配線はアルミ蒸着によ
り形成したが、他の金属でも良いのはもちろんである。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体加速
度センサおよびその製造方法では、固定電極（並びに配
線）は、シリコンなどの半導体基板の接合面に位置せ
ず、その表面を覆うようにして形成された接合ガラス層
と半導体基板とが接合するため、その接合部位は面接触
され気密性が保持される。そして、その気密性は、セン
サ製造により自動的に行われるため、特別な密封処理が
不要となり、簡易に製造できる。
度センサおよびその製造方法では、固定電極（並びに配
線）は、シリコンなどの半導体基板の接合面に位置せ
ず、その表面を覆うようにして形成された接合ガラス層
と半導体基板とが接合するため、その接合部位は面接触
され気密性が保持される。そして、その気密性は、セン
サ製造により自動的に行われるため、特別な密封処理が
不要となり、簡易に製造できる。
【図１】本発明に係る半導体加速度センサの第１実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】その要部を示す斜視図である。
【図３】その変形例を示す断面図である。
【図４】係る加速度センサの製造プロセスを示す図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る半導体加速度センサの第２実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】その要部を示す斜視図である。
【図７】その変形例を示す断面図である。
【図８】係る加速度センサの製造プロセスを示す図であ
る。
る。
【図９】従来の半導体加速度センサの一例を示す図であ
る。
る。
１０ ガラス板（基板） １１，１１′ 固定電極 １２，１２′ ガラス層（接合用ガラス層） １５，１５′ シリコン板（半導体基板） １９ 可動電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に金属性の固定電極を設け、その
固定電極並びに必要に応じて前記基板の露出部位を覆う
ようにして接合用ガラス層を設け、その接合用ガラス層
に対して前記固定電極に対向する可動電極を有する半導
体基板を接合するようにし、かつ、その接合部位は無端
状としてなることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 基板上に所定形状からなる金属性の固定
電極と、その固定電極と離反して可動電極用の金属性の
配線を設け、 前記固定電極，前記配線並びに前記基板の露出部位を覆
うようにして接合用ガラス層を設け、 その接合用ガラス層に対して前記固定電極に対向する可
動電極を有する半導体基板を接合するようにし、 かつ、その接合部位は無端状とするとともに、前記接合
用ガラス層の前記接合部位の内側所定位置に前記配線の
一部を露出可能とする窓孔を設け、前記窓孔を介して前
記半導体基板に形成した可動電極に導通するパッドの端
面を前記配線の一部に接触させてなることを特徴とする
半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 前記接合用ガラス層のうち前記接合部位
の外周側所定部位が切除されて少なくとも前記固定電極
の一部が露出して取り出し用パッドを構成する請求項１
または２に記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項４】 基板上にアルミ等の金属を蒸着して前記
固定電極を形成し、次いで、その固定電極を覆うように
ガラスコーティングし、そのコーティングの所定部位を
除去して接合用ガラス層を形成し、次いで、別工程で形
成された所定形状からなる可動電極を有する半導体基板
を前記接合用ガラス層上に接合するようにした半導体加
速度センサの製造方法。 - 【請求項５】 基板上にアルミ等の金属を蒸着し、その
蒸着した金属の所定部位を切除して前記固定電極並びに
前記可動電極用の配線を形成し、次いで、その固定電極
並びに配線を覆うようにガラスコーティングし、そのガ
ラスコーティングのうち前記配線上の所定部位を除去し
て前記窓孔付きの接合用ガラス層を形成し、次いで、別
工程で形成された所定形状からなる可動電極を有すると
ともに所定位置に前記パッドを備えた半導体基板を前記
接合用ガラス層上に接合するようにした半導体加速度セ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4321456A JPH06324077A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4321456A JPH06324077A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324077A true JPH06324077A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=18132771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4321456A Withdrawn JPH06324077A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06324077A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6909170B2 (en) * | 1999-12-10 | 2005-06-21 | Siliconix Incorporated | Semiconductor assembly with package using cup-shaped lead-frame |
| WO2007020701A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | C & N Inc | 加速度センサ装置 |
| US7331228B2 (en) | 2005-02-16 | 2008-02-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor |
| US7589396B2 (en) | 1999-09-13 | 2009-09-15 | Vishay-Siliconix | Chip scale surface mount package for semiconductor device and process of fabricating the same |
| US7595547B1 (en) | 2005-06-13 | 2009-09-29 | Vishay-Siliconix | Semiconductor die package including cup-shaped leadframe |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4321456A patent/JPH06324077A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589396B2 (en) | 1999-09-13 | 2009-09-15 | Vishay-Siliconix | Chip scale surface mount package for semiconductor device and process of fabricating the same |
| US6909170B2 (en) * | 1999-12-10 | 2005-06-21 | Siliconix Incorporated | Semiconductor assembly with package using cup-shaped lead-frame |
| US9040356B2 (en) | 1999-12-10 | 2015-05-26 | Vishay-Siliconix | Semiconductor including cup-shaped leadframe packaging techniques |
| US7331228B2 (en) | 2005-02-16 | 2008-02-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor |
| US7673514B2 (en) | 2005-02-16 | 2010-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor having single and multi-layer substrates |
| US7595547B1 (en) | 2005-06-13 | 2009-09-29 | Vishay-Siliconix | Semiconductor die package including cup-shaped leadframe |
| WO2007020701A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | C & N Inc | 加速度センサ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |