JPH06325418A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06325418A JPH06325418A JP11048393A JP11048393A JPH06325418A JP H06325418 A JPH06325418 A JP H06325418A JP 11048393 A JP11048393 A JP 11048393A JP 11048393 A JP11048393 A JP 11048393A JP H06325418 A JPH06325418 A JP H06325418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- recording medium
- optical recording
- write
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録バイアス磁界が大きくでき、ドメインが
安定な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 熱磁気記録・光磁気読み出しを行うメモリ層
３と、そのメモリ層３と交換結合力によつてオーバーラ
イトを可能にするために設けられたライト層５と、前記
メモリ層３とライト層５の間にその交換結合力を制御し
かつ読み出しの際の反射層としても利用できる膜面内に
磁化容易軸をもつ中間層４とを備えた光磁気記録媒体に
おいて、前記ライト層５に補償温度を持たず、希土類金
属の副格子磁化が優勢である組成の希土類遷移金属合金
を用い、かつ前記中間層４にフエロ磁性材料である貴金
属遷移金属合金を用いたことを特徴とする。
安定な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 熱磁気記録・光磁気読み出しを行うメモリ層
３と、そのメモリ層３と交換結合力によつてオーバーラ
イトを可能にするために設けられたライト層５と、前記
メモリ層３とライト層５の間にその交換結合力を制御し
かつ読み出しの際の反射層としても利用できる膜面内に
磁化容易軸をもつ中間層４とを備えた光磁気記録媒体に
おいて、前記ライト層５に補償温度を持たず、希土類金
属の副格子磁化が優勢である組成の希土類遷移金属合金
を用い、かつ前記中間層４にフエロ磁性材料である貴金
属遷移金属合金を用いたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録媒体に係わり、さらに詳しくはそのオーバーラ
イト特性の改良に関する。
磁気記録媒体に係わり、さらに詳しくはそのオーバーラ
イト特性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の媒体においては、例えば
特開昭６３−１１７３５４号公報に示されているよう
に、メモリ層（Ｍ層）とライト層（Ｗ層）との間の磁壁
エネルギーを調整するために中間層を設けるという記述
はあつた。
特開昭６３−１１７３５４号公報に示されているよう
に、メモリ層（Ｍ層）とライト層（Ｗ層）との間の磁壁
エネルギーを調整するために中間層を設けるという記述
はあつた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録用のバイ
アス磁界と中間層との静磁エネルギーは考慮されていな
かつたため、消去時にバイアス磁界が妨げるという欠点
があつた。
アス磁界と中間層との静磁エネルギーは考慮されていな
かつたため、消去時にバイアス磁界が妨げるという欠点
があつた。
【０００４】本発明の目的は、上記従来品が持つていた
記録バイアス磁界が消去の妨げとなるという欠点を解決
し、以て記録バイアス磁界を大きくでき、ドメインが安
定なものとなり、ＣＮＲも向上する光磁気記録媒体を提
供することにある。
記録バイアス磁界が消去の妨げとなるという欠点を解決
し、以て記録バイアス磁界を大きくでき、ドメインが安
定なものとなり、ＣＮＲも向上する光磁気記録媒体を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】光変調オーバーライト方
式を用いた光磁気記録媒体では、Ｍ層とＷ層との交換結
合力を制御して、初期化磁界の大きさを低減すると共
に、Ｍ層とＷ層の遷移金属モーメントが反平行に結合し
ている場合に存在する界面磁壁を安定化させるために、
面内方向に磁化容易軸を持つ中間層（Ｉ層）が必要とな
る。
式を用いた光磁気記録媒体では、Ｍ層とＷ層との交換結
合力を制御して、初期化磁界の大きさを低減すると共
に、Ｍ層とＷ層の遷移金属モーメントが反平行に結合し
ている場合に存在する界面磁壁を安定化させるために、
面内方向に磁化容易軸を持つ中間層（Ｉ層）が必要とな
る。
【０００６】今、光磁気読み出しを行う際、Ｍ層とＷ層
を光学的に遮断し、Ｍ層を透過した光を反射させて再生
信号強度を大きくするために、Ｉ層には反射率の高い材
料を使う方が有利である。
を光学的に遮断し、Ｍ層を透過した光を反射させて再生
信号強度を大きくするために、Ｉ層には反射率の高い材
料を使う方が有利である。
【０００７】面内磁化膜で反射率の高い材料としては貴
金属・遷移金属合金があるが、これはフエロ磁性であ
る。ところが、フエロ磁性材料のＩ層と、従来の補償温
度を持つフエリ磁性材料で、記録を補償温度以上つまり
遷移金属の副格子磁化が優勢となる温度領域で行うＷ層
とを組合せた場合、記録時に必要なバイアス磁界の方向
が、消去過程でＷ層からＭ層へ磁化方向を転写する時
に、Ｉ層が向かなければならない方向と逆方向となり、
消去が困難になる。
金属・遷移金属合金があるが、これはフエロ磁性であ
る。ところが、フエロ磁性材料のＩ層と、従来の補償温
度を持つフエリ磁性材料で、記録を補償温度以上つまり
遷移金属の副格子磁化が優勢となる温度領域で行うＷ層
とを組合せた場合、記録時に必要なバイアス磁界の方向
が、消去過程でＷ層からＭ層へ磁化方向を転写する時
に、Ｉ層が向かなければならない方向と逆方向となり、
消去が困難になる。
【０００８】この問題を解決する手段としては２通り考
えられる。１つはＩ層にフエリ磁性材料、Ｗ層を補償温
度のあるフエリ磁性材料を使うことである。しかし、こ
の組合せでは、Ｉ層に反射率の高い貴金属・遷移金属合
金を使うことはできない。
えられる。１つはＩ層にフエリ磁性材料、Ｗ層を補償温
度のあるフエリ磁性材料を使うことである。しかし、こ
の組合せでは、Ｉ層に反射率の高い貴金属・遷移金属合
金を使うことはできない。
【０００９】もう１つは、Ｉ層をフエロ磁性材料、Ｗ層
を補償温度のない希土類金属の副格子磁化が優勢なフエ
リ磁性材料を使うことである。
を補償温度のない希土類金属の副格子磁化が優勢なフエ
リ磁性材料を使うことである。
【００１０】
【作用】この場合、記録温度でも希土類金属の副格子磁
化が優勢であり、そこで必要なバイアス磁界の方向は、
消去過程でＷ層からＭ層へ磁化方向を転写する時に、Ｉ
層が向かなければならない方向と同じとなり、バイアス
磁界は、Ｉ層に関しては消去をサポートすることにな
る。従つて、印加可能なバイアス磁界が大きくなり、記
録ドメインの安定性も向上する。
化が優勢であり、そこで必要なバイアス磁界の方向は、
消去過程でＷ層からＭ層へ磁化方向を転写する時に、Ｉ
層が向かなければならない方向と同じとなり、バイアス
磁界は、Ｉ層に関しては消去をサポートすることにな
る。従つて、印加可能なバイアス磁界が大きくなり、記
録ドメインの安定性も向上する。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の要部
拡大断面図、図２はエアサンドイツチ型デイスクに適用
した場合の断面図、図３は密着貼り合わせ型デイスクに
適用した場合の断面図である。
る。図１は本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の要部
拡大断面図、図２はエアサンドイツチ型デイスクに適用
した場合の断面図、図３は密着貼り合わせ型デイスクに
適用した場合の断面図である。
【００１２】これらの図において、１はガラスあるいは
透明合成樹脂からなる基板、２はエンハンス層、３はＭ
層、４はＩ層、５はＷ層、６は保護層、７は内周スペー
サ、８は外周スペーサ、９はハブ、１０は接着剤層であ
る。
透明合成樹脂からなる基板、２はエンハンス層、３はＭ
層、４はＩ層、５はＷ層、６は保護層、７は内周スペー
サ、８は外周スペーサ、９はハブ、１０は接着剤層であ
る。
【００１３】次に具体例について説明する。
【００１４】具体例１ ガラス板に紫外線硬化樹脂でプリグルーブ、プリフオー
マツトを成形した基板上に、窒化ケイ素誘電体膜のエン
ハンス層を８００Å、Ｔｂ22.5Ｆｅ67Ｃｏ10.5非晶質合
金膜のＭ層を２００Å、Ｐｔ79.5Ｃｏ20.5合金膜のＩ層
を５０Å、Ｔｂ30Ｆｅ58Ｃｏ12非晶質合金膜のＷ層を５
００Å、窒化ケイ素誘電体膜の保護層を１０００Å、順
次積層し、エアーサンドイツチ構造で貼り合わせた光磁
気デイスクを作製した。
マツトを成形した基板上に、窒化ケイ素誘電体膜のエン
ハンス層を８００Å、Ｔｂ22.5Ｆｅ67Ｃｏ10.5非晶質合
金膜のＭ層を２００Å、Ｐｔ79.5Ｃｏ20.5合金膜のＩ層
を５０Å、Ｔｂ30Ｆｅ58Ｃｏ12非晶質合金膜のＷ層を５
００Å、窒化ケイ素誘電体膜の保護層を１０００Å、順
次積層し、エアーサンドイツチ構造で貼り合わせた光磁
気デイスクを作製した。
【００１５】初期化磁界を２ＫＯｅとして、４．９３Ｍ
Ｈｚで記録しておいたトラツク上に、３．７ＭＨｚの信
号をバイアス磁界６００Ｏｅ高パワー１２ｍＷ、低パワ
ー５ｍＷで変調した光でオーバーライトした。その後、
１．５ｍＷで再生すると、４．９３ＭＨｚの信号は完全
に消去され、３．７ＭＨｚのＣＮＲは５５ｄＢであつ
た。
Ｈｚで記録しておいたトラツク上に、３．７ＭＨｚの信
号をバイアス磁界６００Ｏｅ高パワー１２ｍＷ、低パワ
ー５ｍＷで変調した光でオーバーライトした。その後、
１．５ｍＷで再生すると、４．９３ＭＨｚの信号は完全
に消去され、３．７ＭＨｚのＣＮＲは５５ｄＢであつ
た。
【００１６】この結果から、本実施例のデイスクは、大
きなバイアス磁界でもオーバーライトでき、ＣＮＲも充
分にとれることがわかつた。
きなバイアス磁界でもオーバーライトでき、ＣＮＲも充
分にとれることがわかつた。
【００１７】具体例２ ポリカーボネート基板上に、窒化ケイ素誘電体膜のエン
ハンス層を８００Å、Ｔｂ23.5Ｆｅ66.5Ｃｏ10非晶質合
金膜のＭ層を１５０Å、Ｐｔ84Ｃｏ16合金膜のＩ層を２
０Å、Ｇｄ10Ｔｂ20Ｆｅ60Ｃｏ10非晶質合金膜のＷ層を
４００Å、窒化ケイ素誘電体膜の保護層を１５０Å、ア
ルミニウムチタン非晶質合金膜の熱拡散層を３００Å、
順次積層し、密着貼り合わせした光磁気デイスクを作製
した。
ハンス層を８００Å、Ｔｂ23.5Ｆｅ66.5Ｃｏ10非晶質合
金膜のＭ層を１５０Å、Ｐｔ84Ｃｏ16合金膜のＩ層を２
０Å、Ｇｄ10Ｔｂ20Ｆｅ60Ｃｏ10非晶質合金膜のＷ層を
４００Å、窒化ケイ素誘電体膜の保護層を１５０Å、ア
ルミニウムチタン非晶質合金膜の熱拡散層を３００Å、
順次積層し、密着貼り合わせした光磁気デイスクを作製
した。
【００１８】初期化磁界を２．５ＫＯｅとして、４．９
３ＭＨｚで記録しておいたトラツク上に、３．７ＭＨｚ
の信号をバイアス磁界４５０Ｏｅ高パワー１３ｍＷ、低
パワー５．５ｍＷでオーバーライトした。その後、１．
５ｍＷで再生すると、４．９３ＭＨｚの信号は完全に消
去され、３．７ＭＨｚのＣＮＲは５２ｄＢであつた。こ
の結果から、本実施例のデイスクは、大きなバイアス磁
界でもオーバーライトでき、ＣＮＲも充分にとれること
がわかつた。
３ＭＨｚで記録しておいたトラツク上に、３．７ＭＨｚ
の信号をバイアス磁界４５０Ｏｅ高パワー１３ｍＷ、低
パワー５．５ｍＷでオーバーライトした。その後、１．
５ｍＷで再生すると、４．９３ＭＨｚの信号は完全に消
去され、３．７ＭＨｚのＣＮＲは５２ｄＢであつた。こ
の結果から、本実施例のデイスクは、大きなバイアス磁
界でもオーバーライトでき、ＣＮＲも充分にとれること
がわかつた。
【００１９】図４はＭ層ならびにＷ層の磁気特性の温度
依存性を示す特性図、図５はＩ層の磁気特性の温度依存
性を示す特性図、図６はキヤリア・ノイズレベルのレー
ザパワー依存性を示す特性図である。
依存性を示す特性図、図５はＩ層の磁気特性の温度依存
性を示す特性図、図６はキヤリア・ノイズレベルのレー
ザパワー依存性を示す特性図である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、Ｗ層
にフエリ磁性で補償温度のない、希土類金属の副格子磁
化が優勢である組成の希土類・遷移金属合金を用い、Ｍ
層とＷ層との間のＩ層に、フエロ磁性で膜面内に磁化容
易軸を持ち、反射率の高い貴金属・遷移金属合金を用い
たので、バイアス磁界を大きくすることができ、安定な
ドメインを形成することができてＣＮＲも向上した。
にフエリ磁性で補償温度のない、希土類金属の副格子磁
化が優勢である組成の希土類・遷移金属合金を用い、Ｍ
層とＷ層との間のＩ層に、フエロ磁性で膜面内に磁化容
易軸を持ち、反射率の高い貴金属・遷移金属合金を用い
たので、バイアス磁界を大きくすることができ、安定な
ドメインを形成することができてＣＮＲも向上した。
【図１】本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の要部拡
大図である。
大図である。
【図２】本発明の実施例に係るエアーサンドイツチ型光
磁気記録媒体の断面図である。
磁気記録媒体の断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る密着貼り合わせ型光磁気
記録媒体の断面図である。
記録媒体の断面図である。
【図４】Ｍ層、Ｗ層の磁気特性の温度依存性を示す特性
図である。
図である。
【図５】Ｉ層の磁気特性の温度依存性を示す特性図であ
る。
る。
【図６】キヤリア・ノイズレベルのレーザパワー依存性
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１ 基板 ２ エンハンス層 ３ Ｍ層 ４ Ｉ層 ５ Ｗ層 ６ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 熱磁気記録・光磁気読み出しを行うメモ
リ層と、そのメモリ層と交換結合力によつてオーバーラ
イトを可能にするために設けられたライト層と、前記メ
モリ層とライト層の間にその交換結合力を制御しかつ読
み出しの際の反射層としても利用できる膜面内に磁化容
易軸をもつ中間層とを備えた光磁気記録媒体において、 前記ライト層に補償温度を持たず、希土類金属の副格子
磁化が優勢である組成の希土類遷移金属合金を用い、 かつ前記中間層にフエロ磁性材料である貴金属遷移金属
合金を用いたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記中間層に白
金コバルト合金あるいはパラジウムコバルト合金を用い
たことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記中間層の膜
厚ｔを ０＜ｔ≦１００Å としたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048393A JPH06325418A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048393A JPH06325418A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325418A true JPH06325418A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14536878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11048393A Withdrawn JPH06325418A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06325418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863504A3 (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory medium and reproducing method thereof |
-
1993
- 1993-05-12 JP JP11048393A patent/JPH06325418A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863504A3 (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory medium and reproducing method thereof |
| US6272077B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in plane magnetization |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |