JPH06326078A

JPH06326078A - 熱処理装置

Info

Publication number: JPH06326078A
Application number: JP5132595A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Tanaka; 澄田中; Yuichiro Fujikawa; 雄一郎藤川; Tomihiro Yonenaga; 富廣米永
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-05-10
Filing date: 1993-05-10
Publication date: 1994-11-25
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: JP3099101B2

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体の汚染防止及び均一な加熱温度制御
を可能にする。【構成】処理室１０内に収容されるサセプタ４０によ
って隙間ｓをおいて半導体ウエハＷを保持する。加熱ラ
ンプ３０を、回転体３３に取付けられた複数組に組分け
される加熱ランプ体からなる加熱ランプ群にて形成す
る。これにより、加熱ランプ３０からの光エネルギー線
がサセプタ４０全面に照射されてサセプタ４０が加熱さ
れ、加熱されたサセプタ４０からの熱が半導体ウエハＷ
に均一に伝熱される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は熱処理装置に関するも
ので、例えば半導体ウエハ等の被処理体を光照射により
間接的に加熱して処理する熱処理装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体の製造工程においては、
被処理体である半導体ウエハ（以下にウエハという）の
表面に集積回路を形成する目的で、ウエハ上に薄膜を形
成する工程がスパッタ装置やＣＶＤ装置を用いて行われ
ている。

【０００３】かかる成膜処理工程においては、薄膜をウ
エハ上に均一に成長させるために、ウエハの全面を均一
かつ所定の温度に加熱維持すると共に、ウエハに処理ガ
スを供給することが重要とされている。

【０００４】そこで、従来のこの種の熱処理装置は、図
９に示すように、ウエハＷを所定位置に保持する保持手
段である載置台ｂを有する処理室ａと、この処理室ａの
下部に設けられた開口に取付けられる透過窓ｃを介して
載置台ｂに光エネルギー線を照射する加熱手段である加
熱ランプｄとで主に構成されている。この場合、処理室
ａは、図示しない処理ガス供給源より供給される処理ガ
スを処理ガス供給口ｅを介してウエハＷの表面に供給す
ることが可能なように構成されている。また、処理室ａ
は、図示しない排気手段により排気口ｆから所定の真空
雰囲気になるように排気することが可能に形成されてい
る。

【０００５】このように構成される熱処理装置におい
て、ウエハ上に薄膜を形成するには、図示しない搬送ア
ームによって処理室ａ内に搬入されたウエハＷを載置台
ｂにて保持した状態で、載置台ｂの裏面に加熱手段ｄか
らの光エネルギー線を照射して処理室内を所定温度に加
熱すると共に、処理ガス供給手段から供給される処理ガ
スを処理ガス供給口ｅからウエハ上に供給して処理を行
うことができる。このような光エネルギー線を載置台ｂ
に照射して間接的にウエハＷを加熱する方式によれば、
短時間に処理室ａ内を所定温度に設定することができる
ので、処理時間の短縮化を図ることができ、また、ウエ
ハＷの種類や異なる処理工程にも対応できるという利点
がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の熱処理装置においては、ウエハＷの全面が載置
台ｂに接触しているため、接触部において微細塵埃がウ
エハＷに付着してウエハＷが汚染（コンタミネーショ
ン）されるという問題があった。また、載置台ｂは熱容
量を小さくすることによりウエハＷへの熱伝達が良好と
なるため、できる限り薄く形成する方がよいが、載置台
ｂを薄く形成する程、加熱ランプｄからの照射熱によっ
て載置台ｂが変形する虞れがあり、載置台ｂの熱変形に
よって載置台ｂとウエハＷとの接触部にばらつきが生
じ、載置台ｂからのウエハＷへの熱伝達による温度分布
が不均一となると共に、成膜の膜厚が不均一になるとい
う問題があった。更には、加熱ランプｄが固定されてい
るため、ウエハＷの均一な加熱を行い、かつ処理中のウ
エハＷの温度を均一に保持することが困難であった。

【０００７】また、従来のこの種の熱処理装置において
は、加熱手段からの光エネルギー線を載置台ｂに照射し
て間接的に被処理体であるウエハＷを加熱するため、ウ
エハＷの処理温度を最適な温度にするための制御が難し
いという問題もあった。

【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、この発明の第１の目的とするところは、被処理体の
汚染を防止し、かつ被処理体の均一な加熱を迅速に行う
と共に、被処理体の温度を均一にして歩留り及びスルー
プットの向上を図れるようにした熱処理装置を提供する
ことである。

【０００９】また、この発明の第２の目的とするところ
は、加熱手段を温度制御して被処理体を最適温度下で処
理できるようにした熱処理装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の第１の熱処理装置は、被処理体を保持する
保持手段を収容する処理室と、上記保持手段側から上記
被処理体に対して光エネルギー線を照射する加熱手段と
を具備する熱処理装置を前提とし、上記被処理体の裏面
と上記保持手段との間に隙間をおいて被処理体を保持
し、上記加熱手段を、回転体に取付けられた複数組に組
分けされるランプ体からなる加熱ランプ群にて形成して
なることを特徴とするものである。

【００１１】この第１の発明において、上記保持手段は
被処理体の裏面との間に隙間をおいて被処理体を保持す
るものであれば、その形態は任意でよく、例えば保持手
段を、薄板状基板と、この基板の表面から起立して上記
被処理体の周縁部の少なくとも３箇所を保持する保持部
とで構成することができる。

【００１２】また、上記各組のランプ体の光軸を所定の
方向に設定することにより、加熱手段の照射領域を所定
位置に決定できる点で好ましい。

【００１３】また、この発明の第２の熱処理装置は、被
処理体を保持する保持手段を収容する処理室と、回転体
に取付けられる複数組に組分けされるランプ体からなる
加熱ランプ群にて形成されると共に、各組のランプ体の
光軸を上記保持手段の所定の照射領域に照射すべく所定
方向に設定する加熱手段と、上記保持手段又は被処理体
と保持手段との間に配設される温度検出手段と、上記温
度検出手段からの検出信号と、予め記憶された被処理体
加熱温度とを比較演算処理すると共に、その出力信号を
上記加熱手段に伝達する制御手段とを具備してなること
を特徴とするものである。

【００１４】この第２の発明において、上記被処理体の
裏面全面を保持手段にて保持するものであっても差し支
えないが、好ましくは被処理体の裏面と保持手段との間
に隙間をおいて被処理体を保持する方がよい。

【００１５】

【作用】上記のように構成されるこの発明の第１の熱処
理装置によれば、被処理体の裏面と保持手段との間に隙
間をおいて被処理体を保持し、回転体に取付けられた複
数組に組分けされるランプ体からなる加熱ランプ群から
光エネルギー線を保持手段に照射することにより、保持
手段を全体的に均一に加熱することができ、加熱された
保持手段の熱を被処理体の全面に均一に伝熱して被処理
体の熱処理を行うことができる。この際、被処理体は隙
間をおいて保持手段にて保持されているので、被処理体
は接触による汚染の虞れがなく、しかも、保持手段が加
熱によって熱変形しても、隙間の存在によって保持手段
が被処理体に接触することがなく、被処理体の加熱を均
一にすることができる。この場合、各組のランプ体の光
軸を所定の方向に設定することにより、加熱手段の照射
領域を所定位置に決定することができ、被処理体の種類
や処理工程に応じて被処理体を加熱することができる。

【００１６】また、この発明の第２の熱処理装置によれ
ば、予め測定されて記憶された被処理体の処理温度と、
温度検出手段により測定された温度情報とに基いて加熱
手段をコントロールすることにより、加熱ランプの照射
割合を制御することができ、被処理体の加熱処理の温度
制御をより正確にかつ細分化することができる。

【００１７】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の熱処理装置を半導体
ウエハのＣＶＤ装置に適用した場合について説明する。
図１はこの発明の熱処理装置の断面図が示されている。

【００１８】この発明の熱処理装置は、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を所定位置に収
容する上部が開口１１する処理室１０と、この処理室１
０の上部に図示しないヒンジを介して開閉可能に装着さ
れて開口１１を開閉する蓋体２０と、処理室１０の下部
に配置されて処理室１０内に収容されるウエハＷの裏面
（下面）に光エネルギー線を照射して所定の温度に加熱
する加熱手段３０を有する加熱室３１とで主要部が構成
されている。

【００１９】上記処理室１０は例えばアルミニウム合金
製の箱状チャンバにて形成されており、この処理室１０
の側壁１４及び底部１６には処理室１０内に連通するパ
ージガス供給路１７が設けられており、このパージガス
供給路１７には例えば窒素（Ｎ2 ）やアルゴン（Ａr ）
等の不活性ガス等のパージガス供給源（図示せず）が接
続されている。

【００２０】なお、処理室１０の側壁１４には冷却水の
循環通路１８が形成されており、この循環通路１８に図
示しない冷却水供給管路及び排出管路が接続されてい
る。また、処理室１０の側壁１２には排気口１２が設け
られており、この排気口１２には図示しない真空ポンプ
を介設する排気管路が接続されて、真空ポンプの作動に
より処理室１０内が所定の真空度（例えば１０Torr〜１
０^-6Torr）に維持されるようになっている。

【００２１】また、処理室１０内には、ウエハＷを所定
位置に保持する保持手段である載置台４０（以下にサセ
プタという）が収容されている。このサセプタ４０は、
図２及び図３に示すように、外周縁に起立壁４１を周設
する円形の薄板状基板４２と、この基板４２の表面側に
起立すると共に起立壁４１の内側の等分された面から内
方に突出する３つの保持部４３とで構成されている。こ
のサセプタ４０の基板４２には後述する温度検出手段で
ある熱電対５０が埋設されている。

【００２２】このように構成されるサセプタ４０は、例
えばアルモルファスカーボンやグラファイト等の熱容量
の小さいカーボン系部材にて形成されると共に、全体に
黒色が施されて光エネルギーの吸収率が高められるよう
に考慮されている。この場合、基板４２の厚みは約１mm
に設定され、保持部４３の高さすなわちウエハＷ裏面と
基板４２表面との隙間ｓは約０．４mmに設定されてい
る。なお、ここでは保持部４３が周方向に３等分された
位置に設けられる場合について説明したが、必ずしも保
持部４３は３箇所である必要はなく、少なくとも３箇所
以上であれば４箇所以上であってもよく、あるいは全周
に設けてもよい。

【００２３】また、上記蓋体２０は、処理室１０に接触
するアルミニウム合金製の蓋体基部２２と、この蓋体基
部２２に連結されるアルミニウム合金製の処理ガス案内
部２６と、処理ガス案内部２６の上部に連結される処理
ガス供給口２１を有する処理ガス供給部２８とで構成さ
れており、図示しないヒンジを介して処理室１０の開口
１１を開閉し得るように装着されている。そして、処理
ガス案内部２６におけるウエハＷと対向する部位には、
多数の小孔を有する多孔板にて形成される処理ガス整流
分散板２４が設けられている。したがって、処理ガス供
給口２１に接続する処理ガス供給手段（図示せず）から
供給される処理ガスが処理ガス整流分散板２４にて整流
・分散されて処理室１０内に流入してウエハＷ上に供給
される。

【００２４】この場合、ウエハＷにタングステン膜を成
膜するには、処理ガスは、成膜用処理ガスとして六フッ
化タングステン（ＷＦ6 ）が使用され、還元用処理ガス
として水素（Ｈ2 ），モノシラン（Ｓi Ｈ4 ）あるいは
ジクロールシラン（Ｓi Ｈ2Ｃl2）が使用され、これら
のキャリア用ガスとしてＮ2 やＡr が使用されクリーニ
ング用処理ガスとして三フッ化塩素（Ｃl Ｆ3 ）が使用
される。

【００２５】なお、蓋体２０の処理ガス案内部２６にも
冷却水循環通路（図示せず）を形成し、この冷却水循環
通路に図示しない冷却水供給管路及び排水管路を接続す
ることにより、蓋体２０を冷却することができるので好
ましい。

【００２６】一方、処理室１０の底部１６に設けられた
下部開口１６ｂに石英製の透過窓３２が取付けられ、こ
の透過窓３２を介して加熱室３１が配置されている。加
熱室３１内には、加熱手段である複数の加熱ランプ３０
が上下２枚の回転板３３，３４の所定位置に固定されて
いる。この加熱ランプ３０は例えばタングステンランプ
あるいはハロゲンランプ等のランプ本体３０ａと反射鏡
３０ｂとで構成され、後述するようにそれぞれ所定の方
向（Ａ，Ｂ，Ｃ）に光エネルギー線を照射するように構
成されている。

【００２７】この場合、回転板３３，３４は、駆動モー
タ３５との間にベルト伝達機構３６を介して連結され
て、シャフト３７を中心として水平方向に回転可能に形
成されている。なお、加熱室３１の側部には冷却エア導
入口３８が設けられており、この冷却エア導入口３８か
ら冷却エアを導入することにより室内及び透過窓３２の
過熱が防止される。

【００２８】上記加熱ランプ３０は、図４に示すよう
に、８つの外側円周配列の加熱ランプ体３０Ａと、４つ
の内側円周配列の加熱ランプ体３０Ｂ及び３０Ｃの２列
配列の組に組分けされたランプ群で構成されている。な
お、加熱ランプ３０の数及び配列は一例であって、必ず
しもこのような数及び配列である必要はない。

【００２９】上記のように構成される加熱ランプ３０に
よれば、各加熱ランプ体３０Ａ〜３０Ｃの光軸及び反射
鏡３０ｂの光エネルギー線反射方向は、回転板３３を回
転させることにより、図５及び図６に示すように、図１
のＶ−Ｖ線断面において、３つの照射軌跡又は照射領域
Ａ1 ，Ｂ，Ｃ，Ａ2 を形成するように調整されており、
その照射領域ごとに照射出力を調整することが可能であ
る。

【００３０】すなわち、図１の例では、外側配列の８つ
の加熱ランプ体３０Ａは全て外側方向、すなわちＡ1 又
はＡ2 方向に傾斜しており、結果として、図５又は図６
において、軌跡又は温度分布Ａ1 （Ａ2 ）として示すよ
うな１つの光エネルギー線照射領域を形成している。こ
れに対して内側配列の４つの加熱ランプ体３０Ｂ及び３
０Ｃは異なる方向に傾斜されており、結果として、４つ
の加熱ランプ体３０Ｂ，３０Ｃが一対づつ２組に組み合
わされて（具体的には、加熱ランプ対３０Ｂは外側方向
を向き、加熱ランプ対３０Ｃは回転軸方向を向く）、そ
れぞれ図５又は図６において、軌跡又は温度分布Ｂ（加
熱ランプ体３０Ｂによるもの）又はＣ（加熱ランプ体３
０Ｃによるもの）として示すような、２つの光エネルギ
ー線照射領域を形成している。

【００３１】上記のように構成される加熱ランプ３０に
よれば、回転板３３を回動させると、適当に組合された
加熱ランプ群により、例えば図１のＶ−Ｖ線断面におい
て測定した場合に、図６に示すような３つのほぼ同心円
状に配置される照射領域が形成され、その照射領域単位
で照射出力を調整することが可能である。ただし、図示
の例では、上記加熱ランプ群を３つの照射領域が形成さ
れるように組合せて配列しているが、この発明は上記配
列に限定されず、より少数の照射領域、あるいはより多
数の照射領域が形成されるように加熱ランプ群を組合せ
ることも可能である。

【００３２】一方、上記サセプタ４０に埋設される熱電
対５０は、分解能が例えば１℃に設定されており、その
検出信号（出力電圧）は制御手段であるＣＰＵ６０（中
央演算処理装置）に送られ（具体的には適当なバス手段
により制御器６１に送られる）、加熱ランプ３０の温度
制御に供せられるようになっている。すなわち、サンプ
ルウエハを用いて、周囲の処理条件、被処理体の種類及
び処理工程に応じて、結果的にウエハＷの均一な加熱が
達成できる照射出力を領域単位のパワー比として複数パ
ターンを予めＣＰＵ６０のメモリ（図示せず）に記憶し
ておく。更に、予め設定されたパワー比のパターンを、
図７に示すように、各照射領域に対するパワーを制御す
るための制御器からの出力信号と、それぞれの照射領域
に対応する所定の係数（Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ）の組により
予め関連付けておく。このような関連付けを予め行うこ
とにより、この発明に基く実施例によれば、単一の熱電
対５０を設置するので、ＣＰＵ６０からの出力に対し
て、適当に選択された係数の組に基いて加熱ランプ３０
を照射するだけで、処理工程、被処理体の種類又は処理
雰囲気に応じた適当な半導体ウエハの加熱制御を行うこ
とが可能である。

【００３３】例えば、図８に示すように、処理準備工程
（０〜Ｓ）においては、被処理体であるウエハＷを急速
にかつオーバーシュートを最小限に加えながら、所定の
成膜温度にまで到達させることが好ましい。これに対し
て、成膜処理工程（Ｓ〜Ｅ）においては、ウエハＷの温
度を精度よく均一に保持するような温度制御が要求され
る。このように、同じ処理工程においても、要求される
制御要求が異なり、しかもその工程に応じて処理雰囲気
（例えば、処理ガスの有無、圧力の相違）も大きく異な
る場合がある。かかる場合には、熱電対５０からの出力
は同じであっても、異なる温度精度が要求されるため、
従来の制御方法では精度の高い温度制御を達成すること
ができなかった。

【００３４】しかしながら、このような異なる条件下に
おいても、この発明によれば、処理工程に応じて適宜係
数（Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ）を変更することにより、同一の
熱電対５０からの同一の出力に基いて、処理工程、被処
理体の種類又は処理雰囲気に応じた最適な温度制御を達
成することが可能である。

【００３５】例えば、図８に示すように、５００℃を最
適な成膜条件とする場合には、この発明によれば、準備
加熱モード（０〜Ｓ）においては、例えば外側照射領域
（Ａ）を内側照射領域（Ｂ，Ｃ）よりも高いパワー比と
することにより、オーバーシュートの少ない急速加熱を
達成することができる。これに対して、成膜時加熱モー
ド（Ｓ〜Ｅ）においては、例えば外側照射領域（Ａ）を
内側照射領域（Ｂ，Ｃ）よりも小さなパワー比とするこ
とにより、精度よく温度の均一性を保持することが可能
となる。

【００３６】次に、上記のように構成される熱処理装置
の動作態様について説明する。まず、蓋体２０を閉じて
処理室１０の開口１１を閉塞した状態で、図示しないゲ
ートバルブを開放して搬送アーム（図示せず）によりウ
エハＷを、排気手段により予め所定の真空雰囲気に減圧
されている処理室１０内に搬入する。次いで、図示しな
い移載ピンを上昇させて搬送アーム上のウエハＷをサセ
プタ４０上に載置する。

【００３７】次いで、加熱ランプ３０から光エネルギー
線が透過窓３２を透過してサセプタ４０に照射される
と、サセプタ４０は短時間で、例えば３０秒程で、常温
から成膜処理温度、例えば５００℃まで急速加熱される
ので、サセプタ４０からウエハＷに熱が伝達されて、ウ
エハＷ全体が均一に加熱される。そして、所定の温度に
達した後、処理ガスの成膜用のＷＦ6 ガスと還元用の例
えばＳi Ｈ4 ガスが処理ガス供給口２１から処理室１０
内に供給されると、処理ガスは処理ガス案内部２６の整
流分散手段２９にて整流・分散されてウエハＷの上面に
均一に供給されて、成膜処理に供される。この際、例え
ばＮ2 ガス等のパージガスがパージガス供給路１７から
処理室１０内に供給されてウエハＷの周縁部や裏面に処
理ガス成分のＷ膜が生成されるのを防止する。

【００３８】上記のようにして、所定時間成膜処理を行
った後、処理ガスの供給が停止されると共に、加熱ラン
プ３０の電源が切られる。そして、処理室１０内の処理
ガスが排気手段により排気口１２から排気された後、再
びゲートバルブが開放され、搬送アーム５２によって成
膜処理が終了したウエハＷが外部に搬出される。

【００３９】上記のように成膜処理が終了したウエハＷ
を処理室１０から取出した後に、処理室１０内及び処理
ガス整流分散手段２９をクリーニングする場合には、ク
リーニング用処理ガスすなわちＣl Ｆ3 ガスを処理ガス
供給口２１から処理室１０内に供給すれば、このＣl Ｆ
3 ガスの成分が整流分散板２４や処理室１０内に付着し
た処理ガスの成分と反応して、付着した処理ガス成分を
除去し、排気手段により排気口１２から排出することが
できる。

【００４０】以上のように動作するランプ加熱式ＣＶＤ
装置において、加熱ランプ３０を制御するには、上述し
たように、熱電対５０によって検出されたサセプタ４０
の温度検出信号がＣＰＵ６０の制御器６１に入力され、
この温度情報と予め記憶された加熱ランプ群の組単位の
パワー比のパターンとが比較演算処理されて、その出力
信号を加熱ランプ３０に伝達することにより行う。した
がって、ウエハＷの成膜処理を最適処理温度下で行うこ
とができる。

【００４１】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハである場合について説明したが、必ずしも被処理体
は半導体ウエハに限定されるものではなく、半導体ウエ
ハ以外の液晶基板の製造工程におけるガラス基板等につ
いても適用することができる。また、上記実施例では、
この発明の熱処理装置をＣＶＤ装置に適用した場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、例え
ばスパッタ装置にも適用できることは勿論である。

【００４２】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の熱処
理装置によれば、上記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。

【００４３】１）請求項１及び２に記載の熱処理装置に
よれば、被処理体の裏面と保持手段との間に隙間をおい
て被処理体を保持し、回転体に取付けられた複数組に組
分けされるランプ体からなる加熱ランプ群から光エネル
ギー線を保持手段に照射するので、保持手段を介して被
処理体の全面に均一に伝熱して被処理体の熱処理を行う
ことができる。この際、被処理体は隙間をおいて保持手
段にて保持されているので、被処理体は接触による汚染
の虞れがなく、しかも、保持手段が加熱によって熱変形
しても、隙間の存在によって保持手段が被処理体に接触
することがなく、被処理体の加熱を均一にすることがで
きる。

【００４４】２）請求項３に記載の熱処理装置によれ
ば、各組のランプ体の光軸を所定の方向に設定するの
で、加熱手段の照射領域を所定位置に決定することがで
き、被処理体の種類や処理工程に応じて被処理体を加熱
することができる。

【００４５】３）請求項４記載の熱処理装置によれば、
予め測定されて記憶された被処理体の処理温度と、温度
検出手段により測定された温度情報とに基いて加熱手段
をコントロールするので、加熱ランプの照射割合を制御
することができ、被処理体の加熱処理の温度制御をより
正確にかつ細分化することができる。

【００４６】４）請求項５記載の熱処理装置によれば、
上記３）に加えて被処理体の汚染を防止することができ
ると共に、被処理体の加熱温度の均一化を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の熱処理装置の断面図である。

【図２】この発明における保持手段の一例を示す平面図
である。

【図３】図２の III−III 線断面図である。

【図４】この発明における加熱ランプ群の平面図であ
る。

【図５】図１のＶ−Ｖ線断面における温度分布を示す説
明図である。

【図６】図１のVI−VI線断面における照射領域を示す説
明図である。

【図７】この発明における加熱手段の温度制御を示すブ
ロック図である。

【図８】成膜処理時の被処理体温度の経時変化を示すグ
ラフである。

【図９】従来の熱処理装置の概略断面図である。

【符号の説明】

１０処理室３０加熱ランプ（加熱手段）３０Ａ外側ランプ体３０Ｂ，３０Ｃ内側ランプ体３３回転板３５駆動モータ３６ベルト伝達機構４０サセプタ（保持手段）４２薄板状基板４３保持部５０熱電対（温度検出手段）６０ＣＰＵ（制御手段）Ｗ半導体ウエハ（被処理体）ｓ隙間

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を保持する保持手段を収容する
処理室と、上記保持手段側から上記被処理体に対して光
エネルギー線を照射する加熱手段とを具備する熱処理装
置において、上記被処理体の裏面と上記保持手段との間に隙間をおい
て被処理体を保持し、上記加熱手段を、回転体に取付けられた複数組に組分け
されるランプ体からなる加熱ランプ群にて形成してなる
ことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】保持手段を、薄板状基板と、この基板の
表面から起立して上記被処理体の周縁部の少なくとも３
箇所を保持する保持部とで構成してなることを特徴とす
る請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】各組のランプ体の光軸を所定の方向に設
定してなることを特徴とする請求項１記載の熱処理装
置。
【請求項４】被処理体を保持する保持手段を収容する
処理室と、回転体に取付けられる複数組に組分けされるランプ体か
らなる加熱ランプ群にて形成されると共に、各組のラン
プ体の光軸を上記保持手段の所定の照射領域に照射すべ
く所定方向に設定する加熱手段と、上記保持手段又は被処理体と保持手段との間に配設され
る温度検出手段と、上記温度検出手段からの検出信号と、予め記憶された被
処理体加熱温度とを比較演算処理すると共に、その出力
信号を上記加熱手段に伝達する制御手段とを具備してな
ることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】被処理体の裏面と保持手段との間に隙間
をおいて被処理体を保持することを特徴とする請求項４
記載の熱処理装置。