JPH06326295A - ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法 - Google Patents
ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法Info
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- JPH06326295A JPH06326295A JP5112845A JP11284593A JPH06326295A JP H06326295 A JPH06326295 A JP H06326295A JP 5112845 A JP5112845 A JP 5112845A JP 11284593 A JP11284593 A JP 11284593A JP H06326295 A JPH06326295 A JP H06326295A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 瞬時にビーム強度を変化させることを可能と
し、しかも１つのビーム源から複数のビーム強度を得る
ことができるシャッターの提供を目的とする。また、組
成比の異なる層で構成される超格子をＭＢＥ法で作製す
る場合や、異なる不純物濃度を有する層作製する場合、
装置的には簡便でしかも瞬時に所望の超格子の製造方法
や、ドーピング方法の提供を目的とする。 【構成】 ビーム強度を変化させたいセル２３、２４、
２５と基板３２の間に所望の透過率を有するシャッター
１１を挿入することによって、ビーム強度を変化させ、
シャッター１１の有無で超格子あるいは不純物濃度の異
なる領域を作製するものである。
し、しかも１つのビーム源から複数のビーム強度を得る
ことができるシャッターの提供を目的とする。また、組
成比の異なる層で構成される超格子をＭＢＥ法で作製す
る場合や、異なる不純物濃度を有する層作製する場合、
装置的には簡便でしかも瞬時に所望の超格子の製造方法
や、ドーピング方法の提供を目的とする。 【構成】 ビーム強度を変化させたいセル２３、２４、
２５と基板３２の間に所望の透過率を有するシャッター
１１を挿入することによって、ビーム強度を変化させ、
シャッター１１の有無で超格子あるいは不純物濃度の異
なる領域を作製するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着法あるいは分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法において、原料ビームの
強度を変化させる機能を有するシャッターに関する。ま
た、組成比のことなる超格子を簡便に提供する技術、お
よび、異なる不純物濃度を有する領域を簡便に作製する
ドーピング技術に関する。
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法において、原料ビームの
強度を変化させる機能を有するシャッターに関する。ま
た、組成比のことなる超格子を簡便に提供する技術、お
よび、異なる不純物濃度を有する領域を簡便に作製する
ドーピング技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＢＥ装置のシャッターは一枚板
であるため、ビームのＯＮ、ＯＦＦは可能であるが、例
えば２分の１や５分の１にする等のビーム強度に変化さ
せることが困難であった。そのため、組成比の異なる超
格子の作製は困難であった。
であるため、ビームのＯＮ、ＯＦＦは可能であるが、例
えば２分の１や５分の１にする等のビーム強度に変化さ
せることが困難であった。そのため、組成比の異なる超
格子の作製は困難であった。
【０００３】また、従来ＭＢＥ法で不純物濃度の異なる
領域を作製する場合、不純物の原料の温度を変化させる
ことが行なわれていた。
領域を作製する場合、不純物の原料の温度を変化させる
ことが行なわれていた。
【０００４】これらの問題点を解決する方法としては、
ビーム強度の異なる複数の原料ビーム源を用意すること
や、ビーム強度を変化させるために原料ビーム源の温度
を変化させる等の手段が考えられる。
ビーム強度の異なる複数の原料ビーム源を用意すること
や、ビーム強度を変化させるために原料ビーム源の温度
を変化させる等の手段が考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、原料ビーム源
を複数設置するため、装置により多くのビーム源用ポー
トが必要になるという問題点がある。
を複数設置するため、装置により多くのビーム源用ポー
トが必要になるという問題点がある。
【０００６】また、原料ビーム源の温度を変化させる場
合、ビーム強度の安定まで長時間要するため、結晶成長
に時間がかかり過ぎるという問題がある。
合、ビーム強度の安定まで長時間要するため、結晶成長
に時間がかかり過ぎるという問題がある。
【０００７】本発明は上記の欠点を解消し、ビーム源の
数を増やすことなく、また、瞬時にビーム強度を変化さ
せる手段と、組成比の異なる超格子を簡便に作製する技
術、および異なる不純物濃度の領域を作製するドーピン
グ方法を提供することを目的とする。
数を増やすことなく、また、瞬時にビーム強度を変化さ
せる手段と、組成比の異なる超格子を簡便に作製する技
術、および異なる不純物濃度の領域を作製するドーピン
グ方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装
置の何れかに用いるシャッターであって、基板と原料蒸
発源との間で、前記原料蒸発源から前記基板への原料ビ
ームの通過経路に出入りし、かつ、前記原料ビームの一
部が通過できる穴もしくはスリットの何れかを有するビ
ーム強度可変シャッター、このシャッターを用いた分子
線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装置を用いた超格
子の製造方法および不純物のドーピング方法である。
本発明は、分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装
置の何れかに用いるシャッターであって、基板と原料蒸
発源との間で、前記原料蒸発源から前記基板への原料ビ
ームの通過経路に出入りし、かつ、前記原料ビームの一
部が通過できる穴もしくはスリットの何れかを有するビ
ーム強度可変シャッター、このシャッターを用いた分子
線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装置を用いた超格
子の製造方法および不純物のドーピング方法である。
【０００９】
【作用】ビームを通過可能にするために、シャッターの
表面積のｎ分の１は穴またはスリットになっており、こ
のシャッターにビームが遮られることによってビーム強
度はｎ分に１に減少する。
表面積のｎ分の１は穴またはスリットになっており、こ
のシャッターにビームが遮られることによってビーム強
度はｎ分に１に減少する。
【００１０】また、通常のＯＮ、ＯＦＦシャッターと本
発明のシャッターとを複数組み合わせることにより、１
つのビーム源から複数のビーム強度を得ることができ
る。
発明のシャッターとを複数組み合わせることにより、１
つのビーム源から複数のビーム強度を得ることができ
る。
【００１１】すなわち、通常のＯＮ、ＯＦＦシャッター
と、表面積のｎ分の１の穴またはスリットの何れかを有
するシャッターを組み合わせることにより、１倍、１／
ｎ倍および０倍の３通りのビーム強度を選択することが
できる。
と、表面積のｎ分の１の穴またはスリットの何れかを有
するシャッターを組み合わせることにより、１倍、１／
ｎ倍および０倍の３通りのビーム強度を選択することが
できる。
【００１２】さらに、通常のシャッターと、表面積のｎ
分の１の穴またはスリットの何れかを有するシャッター
と、表面積のｍ分の１の穴またはスリットの何れかを有
するシャッターを組み合わせることにより、１倍、１／
ｍ倍、１／ｎ倍、１／（ｍ×ｎ）倍、０倍の５通りのビ
ーム強度を選択することが可能である。
分の１の穴またはスリットの何れかを有するシャッター
と、表面積のｍ分の１の穴またはスリットの何れかを有
するシャッターを組み合わせることにより、１倍、１／
ｍ倍、１／ｎ倍、１／（ｍ×ｎ）倍、０倍の５通りのビ
ーム強度を選択することが可能である。
【００１３】また、ビーム強度の変化はシャッターの動
作速度で決まるため、瞬時に所望のビーム強度に変化さ
せることができる。
作速度で決まるため、瞬時に所望のビーム強度に変化さ
せることができる。
【００１４】そのため、シャッターを選択することによ
り所望の組成比の超格子を作製することができる。つま
り、例えば構成元素は同じであるが組成比の異なる超格
子を作製する場合、本発明のシャッターを用いることに
より、特定のビームを所望の強度に変化できるため、シ
ャッターの出し入れによって組成比の異なる超格子を簡
便に作製することができる。
り所望の組成比の超格子を作製することができる。つま
り、例えば構成元素は同じであるが組成比の異なる超格
子を作製する場合、本発明のシャッターを用いることに
より、特定のビームを所望の強度に変化できるため、シ
ャッターの出し入れによって組成比の異なる超格子を簡
便に作製することができる。
【００１５】また、不純物原料の温度すなわちビーム強
度は変えることなく、本発明のシャッターを用いて不純
物濃度の異なる領域を作製するものである。つまり、本
発明のシャッターを用いることにより、不純物濃度の異
なる結晶を連続的に作製することができる。
度は変えることなく、本発明のシャッターを用いて不純
物濃度の異なる領域を作製するものである。つまり、本
発明のシャッターを用いることにより、不純物濃度の異
なる結晶を連続的に作製することができる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して具体的実施例を挙げ、
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は、本発明のシャッター
１１を有するＭＢＥ装置の一実施例の原理図である。す
なわち、金属Ｚｎを入れたセル２１と金属Ｓｅを入れた
セル２２には、通常のビームをＯＮ、ＯＦＦできるシャ
ッター１２を設置してある。また、金属Ｃｄを入れたセ
ル２３、塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2）を入れたセル２４、お
よび窒素プラズマ源２５には通常のシャッター１２と本
発明のシャッター１１が設置してある。また、基板ホル
ダー３１には、ＧａＡｓ基板３２がＩｎ半田により貼付
けてある。
１１を有するＭＢＥ装置の一実施例の原理図である。す
なわち、金属Ｚｎを入れたセル２１と金属Ｓｅを入れた
セル２２には、通常のビームをＯＮ、ＯＦＦできるシャ
ッター１２を設置してある。また、金属Ｃｄを入れたセ
ル２３、塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2）を入れたセル２４、お
よび窒素プラズマ源２５には通常のシャッター１２と本
発明のシャッター１１が設置してある。また、基板ホル
ダー３１には、ＧａＡｓ基板３２がＩｎ半田により貼付
けてある。
【００１８】ＭＢＥ成長で結晶を成長している間、基板
ホルダー３１は１分間に１０回転させている。基板３２
の面内均一性を高めるためには、回転速度は装置の許す
限り早いことが望ましい。
ホルダー３１は１分間に１０回転させている。基板３２
の面内均一性を高めるためには、回転速度は装置の許す
限り早いことが望ましい。
【００１９】本発明のシャッターの形状としては、図２
に示す如く櫛形および図３に示す如く多孔形が適当であ
る。特に、本発明のシャッターを２種類以上組み合わせ
る場合、図２に示した櫛形シャッター同士の櫛の方向を
垂直あるいは適当な角度に設定することによって、低減
されたビーム強度を容易に予測することができるため好
ましい。
に示す如く櫛形および図３に示す如く多孔形が適当であ
る。特に、本発明のシャッターを２種類以上組み合わせ
る場合、図２に示した櫛形シャッター同士の櫛の方向を
垂直あるいは適当な角度に設定することによって、低減
されたビーム強度を容易に予測することができるため好
ましい。
【００２０】櫛形の隙間の間隔はビーム強度をどの程度
変化させるに依存するため一概に規定できないが、基板
３２の表面での均一性を高めるために、前記間隔は狭く
し、その櫛の周期を多くすることが望ましい。例えばビ
ーム強度を２分の１にする場合には、櫛形は幅１ｍｍの
櫛を１ｍｍの間隔を有すればよい。
変化させるに依存するため一概に規定できないが、基板
３２の表面での均一性を高めるために、前記間隔は狭く
し、その櫛の周期を多くすることが望ましい。例えばビ
ーム強度を２分の１にする場合には、櫛形は幅１ｍｍの
櫛を１ｍｍの間隔を有すればよい。
【００２１】次に、本発明の超格子の製造方法、および
ドーピング方法を半導体レーザ素子を実施例として述べ
る。
ドーピング方法を半導体レーザ素子を実施例として述べ
る。
【００２２】（実施例２）キャリヤ密度１０19ｃｍ-3の
ｎ+型ＺｎＳｅ層４１を作製する際、Ｚｎセル２１とＳ
ｅセル２２およびＺｎＣｌ2セル２４のシャッター１２
および１１は全開にしている。
ｎ+型ＺｎＳｅ層４１を作製する際、Ｚｎセル２１とＳ
ｅセル２２およびＺｎＣｌ2セル２４のシャッター１２
および１１は全開にしている。
【００２３】ｎ+型ＺｎＳｅ層４１が約５００ｎｍ成長
したところで、本発明のシャッター１１をＺｎＣｌ2セ
ル２４とＧａＡｓ基板３２の間に入れる。
したところで、本発明のシャッター１１をＺｎＣｌ2セ
ル２４とＧａＡｓ基板３２の間に入れる。
【００２４】前記シャッター１１は面積の１０分の１が
穴になっており、ＺｎＣｌ2のビーム強度は約１０分の
１になり、ｎ型ＺｎＳｅ層４２が連続的に成長できる。
穴になっており、ＺｎＣｌ2のビーム強度は約１０分の
１になり、ｎ型ＺｎＳｅ層４２が連続的に成長できる。
【００２５】得られたｎ型ＺｎＳｅ層４２のキャリヤ密
度は、８×１０17ｃｍ-3で、およそ１０分の１になって
いた。
度は、８×１０17ｃｍ-3で、およそ１０分の１になって
いた。
【００２６】従来、ｎ+型ＺｎＳｅ層４１を作製しｎ型
ＺｎＳｅ層４２を作製する場合、ＺｎＣｌ2セル２４の
温度を２５０℃から２００℃に変化させていた。
ＺｎＳｅ層４２を作製する場合、ＺｎＣｌ2セル２４の
温度を２５０℃から２００℃に変化させていた。
【００２７】この従来の方法では、ＺｎＣｌ2セル２４
の温度が安定するまで約１時間程度待たなければならな
かった。
の温度が安定するまで約１時間程度待たなければならな
かった。
【００２８】しかし本発明のシャッター１１を用いる
と、シャッター１１のＯＮ，ＯＦＦでビーム強度を瞬時
に変化させることが可能となった。
と、シャッター１１のＯＮ，ＯＦＦでビーム強度を瞬時
に変化させることが可能となった。
【００２９】また、本発明のシャッター１１を用いたド
ーピング方法は、ｎ型ＺｎＳｅ層４２とｎ+型ＺｎＳｅ
層４１とに必要なキャリヤ密度を、瞬時に切り換えるこ
とを可能とした。
ーピング方法は、ｎ型ＺｎＳｅ層４２とｎ+型ＺｎＳｅ
層４１とに必要なキャリヤ密度を、瞬時に切り換えるこ
とを可能とした。
【００３０】ｎ型ＺｎＳｅ層４２を２μｍ成長後、Ｚｎ
0.85Ｃｄ0.15Ｓｅ層４３とＺｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅ層４４
の超格子層を作製する。前記超格子層は、Ｃｄ組成が異
なる層４３と４４から構成されている。
0.85Ｃｄ0.15Ｓｅ層４３とＺｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅ層４４
の超格子層を作製する。前記超格子層は、Ｃｄ組成が異
なる層４３と４４から構成されている。
【００３１】従来このような構造は、作製されたことが
なかった。しかし、本発明のシャッターを用いると可能
となる。
なかった。しかし、本発明のシャッターを用いると可能
となる。
【００３２】その手順は、まずＣｄセル２３のビーム強
度をＺｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅの組成になるように設定して
おく。典型的には、ビームフラックスモニターの測定で
は、Ｚｎ＝１.０×１０-6Ｔｏｒｒ、Ｃｄ＝０.５×１０
-6、Ｓｅ＝２.０×１０-6Ｔｏｒｒである。
度をＺｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅの組成になるように設定して
おく。典型的には、ビームフラックスモニターの測定で
は、Ｚｎ＝１.０×１０-6Ｔｏｒｒ、Ｃｄ＝０.５×１０
-6、Ｓｅ＝２.０×１０-6Ｔｏｒｒである。
【００３３】そして、Ｚｎ0.85Ｃｄ0.15Ｓｅ層４３を作
製する際に、ビーム強度を５０％にすることのできる本
発明のシャッター１１を、Ｃｄセル２３と基板３２の間
に入れ、Ｃｄビームを５０％に低減している。
製する際に、ビーム強度を５０％にすることのできる本
発明のシャッター１１を、Ｃｄセル２３と基板３２の間
に入れ、Ｃｄビームを５０％に低減している。
【００３４】ビーム強度を２分の１にする前記シャッタ
ー１１は、幅１ｍｍの櫛を１ｍｍの間隔を有している。
この時の基板回転速度は、１分間に５０回転であった。
ー１１は、幅１ｍｍの櫛を１ｍｍの間隔を有している。
この時の基板回転速度は、１分間に５０回転であった。
【００３５】なお作製した超格子の厚みは、Ｚｎ0.85Ｃ
ｄ0.15Ｓｅ層４３が７.５ｎｍ、Ｚｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅ
層４４が８ｎｍであった。
ｄ0.15Ｓｅ層４３が７.５ｎｍ、Ｚｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅ
層４４が８ｎｍであった。
【００３６】さらに、ｐ型ＺｎＳｅ層４５とｐ+型Ｚｎ
Ｓｅ層４６を作製する際、窒素プラズマ源２５はｐ+型
ＺｎＳｅを作製する条件に予め設定しておく。ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ層４５を作製する場合、ビーム強度を３分の１にす
る本発明のシャッター１１を窒素プラズマ源２５と基板
３２の間に挿入し、ビーム強度を３分の１に低減させる
ことによってｐ型ＺｎＳｅ層４５を作製する。そして、
前記シャッター１１を開くことによって、ビーム強度は
元の強度になるため、ｐ+型ＺｎＳｅ層４６の作製に瞬
時に移ることができる。
Ｓｅ層４６を作製する際、窒素プラズマ源２５はｐ+型
ＺｎＳｅを作製する条件に予め設定しておく。ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ層４５を作製する場合、ビーム強度を３分の１にす
る本発明のシャッター１１を窒素プラズマ源２５と基板
３２の間に挿入し、ビーム強度を３分の１に低減させる
ことによってｐ型ＺｎＳｅ層４５を作製する。そして、
前記シャッター１１を開くことによって、ビーム強度は
元の強度になるため、ｐ+型ＺｎＳｅ層４６の作製に瞬
時に移ることができる。
【００３７】図４に示された構造を有するウエハーは、
酸化膜ストライプ型のレーザを作製すると、Ｚｎ0.70Ｃ
ｄ0.30Ｓｅを活性層とするレーザ素子を得ることができ
る。このレーザ素子は、７７Ｋで波長５２０ｎｍのコヒ
ーレント光を発した。そのしきい電流密度は４００Ａ／
ｃｍ2であった。
酸化膜ストライプ型のレーザを作製すると、Ｚｎ0.70Ｃ
ｄ0.30Ｓｅを活性層とするレーザ素子を得ることができ
る。このレーザ素子は、７７Ｋで波長５２０ｎｍのコヒ
ーレント光を発した。そのしきい電流密度は４００Ａ／
ｃｍ2であった。
【００３８】なお、上記実施例で適応した本発明のシャ
ッターは何れも穴を有していたが、本発明のシャッター
は穴に限らず通過するビームの通過量を制限できるスリ
ット形状を有していてもよいこと勿論である。
ッターは何れも穴を有していたが、本発明のシャッター
は穴に限らず通過するビームの通過量を制限できるスリ
ット形状を有していてもよいこと勿論である。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、分子線エピタ
キシー装置あるいは真空蒸着装置の何れかに用いられる
シャッターであって、基板と原料蒸発源との間で、原料
蒸発源から基板への原料ビームの通過経路に出入りで
き、かつ、原料ビームの一部が通過し得る穴またはスリ
ットの何れかを有するビーム強度可変シャッターである
ため、ビーム強度可変シャッターは瞬時にビーム強度を
変化させることを可能とし、しかも１つのビーム源から
複数のビーム強度を得ることができる効果がある。
キシー装置あるいは真空蒸着装置の何れかに用いられる
シャッターであって、基板と原料蒸発源との間で、原料
蒸発源から基板への原料ビームの通過経路に出入りで
き、かつ、原料ビームの一部が通過し得る穴またはスリ
ットの何れかを有するビーム強度可変シャッターである
ため、ビーム強度可変シャッターは瞬時にビーム強度を
変化させることを可能とし、しかも１つのビーム源から
複数のビーム強度を得ることができる効果がある。
【００４０】また、このシャッターを用いた超格子の製
造方法およびドーピング方法であるため、組成比の異な
る層で構成される超格子をＭＢＥ法で製造する場合、簡
便に前記超格子を作製できる効果があり、また、異なる
不純物濃度を有する層をビーム強度を瞬時に切り換える
不純物ドーピングを可能とする効果がある。
造方法およびドーピング方法であるため、組成比の異な
る層で構成される超格子をＭＢＥ法で製造する場合、簡
便に前記超格子を作製できる効果があり、また、異なる
不純物濃度を有する層をビーム強度を瞬時に切り換える
不純物ドーピングを可能とする効果がある。
【図１】本発明の実施例のＭＢＥ装置原理図
【図２】本発明の実施例の櫛形のビーム強度可変シャッ
ター（厚みは約２００μｍ）の正面図
ター（厚みは約２００μｍ）の正面図
【図３】本発明の実施例の多孔型のビーム強度可変シャ
ッター（厚みは約２００μｍ）の正面図
ッター（厚みは約２００μｍ）の正面図
【図４】本発明の実施例の半導体レーザ素子のエピタキ
シャル成長後の断面図
シャル成長後の断面図
１１ ビーム強度可変シャッター １２ 通常のシャッター ２１ Ｚｎセル ２２ Ｓｅセル ２３ Ｃｄセル ２４ ＺｎＣｌ2セル ２５ 窒素プラズマセル ３１ 基板ホルダー ３２ ＧａＡｓ基板 ４１ ｎ+型ＺｎＳｅ層 ４２ ｎ型ＺｎＳｅ層 ４３ Ｚｎ0.85Ｃｄ0.15Ｓｅ層 ４４ Ｚｎ0.70Ｃｄ0.30Ｓｅ層 ４５ ｐ型ＺｎＳｅ層 ４６ ｐ+型ＺｎＳｅ層
Claims (3)
- 【請求項１】分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着
装置の何れかに用いるシャッターであって、基板と原料
蒸発源との間で、前記原料蒸発源から前記基板への原料
ビームの通過経路に出入りし、かつ、前記原料ビームの
一部が通過できる穴もしくはスリットの何れかを有する
ことを特徴とするビーム強度可変シャッター。 - 【請求項２】基板と原料蒸発源との間で、前記原料蒸発
源から前記基板への原料ビームの通過経路に出入りし、
かつ、前記原料ビームの一部が通過できる穴もしくはス
リットの何れかを有するビーム強度可変シャッターを具
備した分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装置の
何れかを用い、所望の前記原料ビームの強度を複数の段
階に分け、結晶中の前記原料の組成が周期的に異なる超
格子を作製することを特徴とする超格子の製造方法。 - 【請求項３】基板と原料蒸発源との間で、前記原料蒸発
源から前記基板への原料ビームの通過経路に出入りし、
かつ、前記原料ビームの一部が通過できる穴もしくはス
リットの何れかを有するビーム強度可変シャッターを具
備した分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装置の
何れかを用い、特定の不純物原料ビームの強度を複数の
段階に分け、不純物濃度が異なる領域を有する半導体結
晶を作製することを特徴とするドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112845A JPH06326295A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112845A JPH06326295A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326295A true JPH06326295A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14596976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5112845A Pending JPH06326295A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326295A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460211B1 (en) * | 1989-12-27 | 1996-11-13 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Production of anticorrosive and antiwearing alloy |
| KR101405067B1 (ko) * | 2013-02-20 | 2014-06-10 | 한국에너지기술연구원 | 소스 오염 방지 구조를 갖는 진공증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| CN119876861A (zh) * | 2024-09-29 | 2025-04-25 | 西安交通大学 | 一种超高真空多源共沉积装置及其工作方法 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5112845A patent/JPH06326295A/ja active Pending
Cited By (6)
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