JPH0632680Y2 - 半導体製造装置の加熱炉 - Google Patents
半導体製造装置の加熱炉Info
- Publication number
- JPH0632680Y2 JPH0632680Y2 JP8823789U JP8823789U JPH0632680Y2 JP H0632680 Y2 JPH0632680 Y2 JP H0632680Y2 JP 8823789 U JP8823789 U JP 8823789U JP 8823789 U JP8823789 U JP 8823789U JP H0632680 Y2 JPH0632680 Y2 JP H0632680Y2
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- Japan
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- heating furnace
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- semiconductor manufacturing
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- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、半導体製造装置の一つである拡散装置、化学
蒸着（ＣＶＤ）装置等に於ける加熱炉に関するものであ
る。
蒸着（ＣＶＤ）装置等に於ける加熱炉に関するものであ
る。
［従来の技術］ 拡散装置、ＣＶＤ装置等に於いて加熱雰囲気中でシリコ
ンウェーハに表面処理を施すが、この表面処理の品質に
加熱温度が大きく影響する。従って、これら装置の処理
室内の温度は熱電対等により検出され、温度制御用のデ
ータに供されている。
ンウェーハに表面処理を施すが、この表面処理の品質に
加熱温度が大きく影響する。従って、これら装置の処理
室内の温度は熱電対等により検出され、温度制御用のデ
ータに供されている。
上記装置に於ける従来の加熱炉を、第２図〜第４図に於
いて説明する。
いて説明する。
加熱炉１は金属製のケース２、断熱材３、セラミックフ
ァイバーブロック４、ヒータエレメント５、内面コート
層６の多層構造となっており、熱電対が内装されたアル
ミナ管７が前記ケース２の表面より挿入されている。図
中８は、ヒータエレメント用の電源接続端子、9,10は端
板である。
ァイバーブロック４、ヒータエレメント５、内面コート
層６の多層構造となっており、熱電対が内装されたアル
ミナ管７が前記ケース２の表面より挿入されている。図
中８は、ヒータエレメント用の電源接続端子、9,10は端
板である。
ヒータ挿入用の挿通孔11は、前記セラミックファイバー
ブロック４の成形時に形成し、前記ヒータエレメント５
の絶縁、保護の為の内面コート層６はセラミックファイ
バーブロック４を成形した後コート材を塗布して成形し
ている。
ブロック４の成形時に形成し、前記ヒータエレメント５
の絶縁、保護の為の内面コート層６はセラミックファイ
バーブロック４を成形した後コート材を塗布して成形し
ている。
又、熱電対の挿通固定はアルミナ管７を介して行われ、
該アルミナ管７の基部に設けたホルダ12とケース表面に
取付けた受座13とを、アルミナ管７を挿通孔11に挿通し
た後、固着することで行う。
該アルミナ管７の基部に設けたホルダ12とケース表面に
取付けた受座13とを、アルミナ管７を挿通孔11に挿通し
た後、固着することで行う。
［考案が解決しようとする課題］ 然し、上記した従来の加熱炉では以下に述べる不具合が
ある。
ある。
ファイバーブロック成形後にコート材に塗布する為、コ
ート材が挿通孔11に回込み、挿通孔11の径を小さくした
り、回込んだ部分が剥れ易くなっている。従って、加熱
炉完成後、アルミナ管７を挿入する際、コート材を剥離
してしまう。
ート材が挿通孔11に回込み、挿通孔11の径を小さくした
り、回込んだ部分が剥れ易くなっている。従って、加熱
炉完成後、アルミナ管７を挿入する際、コート材を剥離
してしまう。
このコート材の剥離は、処理品質に悪影響を及ぼす発塵
源となり、或はヒータエレメントの保持が弱くなって、
加熱時ヒータエレメントの熱膨張でエレメント同士の接
触、ショートと原因となっていた。
源となり、或はヒータエレメントの保持が弱くなって、
加熱時ヒータエレメントの熱膨張でエレメント同士の接
触、ショートと原因となっていた。
本考案は、斯かる実情に鑑み、熱電対取付け時にコート
材が剥離しない様にしようとするものである。
材が剥離しない様にしようとするものである。
［課題を解決するための手段］ 本考案は、加熱炉の壁の内側に内面コート層を設け、前
記壁と前記内面コート層に熱電対取付け用の挿通孔を設
け、前記挿通孔に熱電対を取付けた半導体製造装置の加
熱炉に於いて、前記内面コート層に設けた挿通孔の周縁
を前記壁に設けた挿通孔より大径にしたことを特徴とす
るものである。
記壁と前記内面コート層に熱電対取付け用の挿通孔を設
け、前記挿通孔に熱電対を取付けた半導体製造装置の加
熱炉に於いて、前記内面コート層に設けた挿通孔の周縁
を前記壁に設けた挿通孔より大径にしたことを特徴とす
るものである。
［作用］ 内面コート層の挿通孔周縁が挿通孔よりも大径となって
いるので熱電対を挿通孔に挿入して取付ける際に、内面
コート層を剥離させることがない。
いるので熱電対を挿通孔に挿入して取付ける際に、内面
コート層を剥離させることがない。
［実施例］ 以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
尚、第１図中、第３図中で示したものと同一のものには
同符号を付してある。
同符号を付してある。
ファイバーブロック成形後、コート材塗布前に、挿通孔
11に治具14を挿入する。
11に治具14を挿入する。
該治具14は挿通孔11に嵌合する案内部15と挿通孔11より
大径の基部16と、該案内部15と基部16とを連続させるテ
ーパ部17とから成っており、表面は剥離性のよいフッ化
樹脂コーティングをする。
大径の基部16と、該案内部15と基部16とを連続させるテ
ーパ部17とから成っており、表面は剥離性のよいフッ化
樹脂コーティングをする。
コート材の塗布は、治具14を挿通孔11に挿入した状態で
行う。
行う。
コート材の塗布が完了、乾燥し内面コート層６が成形さ
れると、前記治具14を抜脱する。該治具14を抜脱した後
では、前記内面コート層６の挿通孔11に臨む周縁部は、
前記治具14のテーパ部17と同形状のテーパ状に成形され
ている。
れると、前記治具14を抜脱する。該治具14を抜脱した後
では、前記内面コート層６の挿通孔11に臨む周縁部は、
前記治具14のテーパ部17と同形状のテーパ状に成形され
ている。
而して、コート材が挿通孔11に回込むことがなく、又強
度的に弱い内面コート層６の挿通孔周縁部が面取された
状態となっている為、アルミナ管７を挿通孔11に挿通す
る際に、強度的に弱い挿通孔周縁がアルミナ管７に接触
することがなく、コート材を剥離することはない。
度的に弱い内面コート層６の挿通孔周縁部が面取された
状態となっている為、アルミナ管７を挿通孔11に挿通す
る際に、強度的に弱い挿通孔周縁がアルミナ管７に接触
することがなく、コート材を剥離することはない。
尚、上記実施例では治具14の案内部15と基部16との間を
テーパ部17としたが、案内部15より若干大径の段差部と
してもよい。この治具を用いて内面コート層６の成形を
すると、挿通孔11の周囲にコート材が塗布されない部分
が同心状に成形され、前述した実施例同様、アルミナ管
７の挿入時にコート材が剥離することが防止される。
テーパ部17としたが、案内部15より若干大径の段差部と
してもよい。この治具を用いて内面コート層６の成形を
すると、挿通孔11の周囲にコート材が塗布されない部分
が同心状に成形され、前述した実施例同様、アルミナ管
７の挿入時にコート材が剥離することが防止される。
［考案の効果］ 以上述べた如く、本考案によれば、コート材の挿通孔内
面への回込みを防止できるので、熱電対取付時にコート
材が剥離するのが防止でき、剥離による発塵、エレメン
ト同士のショートを防止することができる。
面への回込みを防止できるので、熱電対取付時にコート
材が剥離するのが防止でき、剥離による発塵、エレメン
ト同士のショートを防止することができる。
第１図は本考案の一実施例を示す説明図、第２図は加熱
炉の一部を破断した正面図、第３図は第２図のＡ−Ａ矢
視図、第４図は第３図のＢ部に相当する従来例の説明図
である。 ４はセラミックファイバーブロック、５はヒータエレメ
ント、６は内面コート層、14は治具、17はテーパ部を示
す。
炉の一部を破断した正面図、第３図は第２図のＡ−Ａ矢
視図、第４図は第３図のＢ部に相当する従来例の説明図
である。 ４はセラミックファイバーブロック、５はヒータエレメ
ント、６は内面コート層、14は治具、17はテーパ部を示
す。
Claims (1)
- 【請求項１】加熱炉の壁の内側に内面コート層を設け、
前記壁と前記内面コート層に熱電対取付け用の挿通孔を
設け、前記挿通孔に熱電対を取付けた半導体製造装置の
加熱炉に於いて、前記内面コート層に設けた挿通孔の周
縁を前記壁に設けた挿通孔より大径にしたことを特徴と
する半導体製造装置の加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8823789U JPH0632680Y2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体製造装置の加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8823789U JPH0632680Y2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体製造装置の加熱炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327039U JPH0327039U (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0632680Y2 true JPH0632680Y2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=31637860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8823789U Expired - Lifetime JPH0632680Y2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体製造装置の加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632680Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP8823789U patent/JPH0632680Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0327039U (ja) | 1991-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |