JPH06333797A - 転写工程におけるマスクの位置合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスクの位置ずれを容易且つ正確に補正する
ことができる転写工程におけるマスクの位置合わせ方法
を、簡単な手段によって提供すること。 【構成】 マスクに形成されたパターンを基材に転写す
る転写工程におけるマスクの位置合わせ方法であって、
基材とマスクとの各々にアライメントマーク６０ａ、６
０ｂを備えると共に、各アライメントマーク６０ａ、６
０ｂを、互いに重ね合わせることにより各々の外形の間
に隙間６１を形成する形状とし、隙間６１を検出するこ
とによりマスクの位置ずれを補正した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、転写工程におけるマス
クの位置合わせ方法に関し、詳しくは、マスクに形成さ
れたパターンを基材に転写する転写工程における前記マ
スクの位置合わせ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体チップ等の電子部品を搭
載してこの電子部品を外部と接続する電子部品搭載用基
板の中には、多数の導体回路層を有するものがある。こ
のような電子部品搭載用基板（以下多層基板という）の
製造方法の一つに、写真法や印刷法等によりマスクに形
成されたパターンを基材に転写して、下層の導体回路に
順次導体回路を積層する、所謂ビルドアップ方法があ
る。ここで、従来の転写工程におけるマスクの位置合わ
せ方法を、図１０及び図１１に示すような多層基板の製
造工程を例にして以下に説明する。なお、図１０及び図
１１に示した電子部品搭載用基板は、内部のコア材の表
面に形成された導体回路（以下Ｐ層回路という）と、こ
のＰ層回路の上層に絶縁基材層を介して形成された導体
回路（以下Ｓ層回路という）とを備えており、Ｐ層回路
とＳ層回路とは、絶縁基材層を貫通するように形成され
たビアにより接続されている。そして、Ｓ層回路及びビ
アは、図１２（ａ）〜（ｉ）に示すような一連の工程に
よって形成されている。

【０００３】まず、コア材の表面に予めＰ層回路を形成
しておき（ａ）、このＰ層回路の上面に透明な感光性樹
脂を塗布する（ｂ）。そして、ビアのパターンが形成さ
れたビア形成用のマスクにより感光性樹脂を露光する
（ｃ）のであるが、この時のマスクの位置合わせは、図
１３に示すように、透明な感光性樹脂を介して、Ｐ層回
路とマスクのビアのパターンとを重ね合わせることによ
って行われる。そして、感光性樹脂を露光し、Ｐ層回路
上の所望の位置にビアとなる凹部が形成された絶縁基材
層を得る（ｄ）。

【０００４】次に、絶縁基材層の上面に、感光性樹脂に
より形成された透明なドライフィルムレジストを貼着し
（ｅ）、Ｓ層回路のパターンが形成されたＳ層回路形成
用のマスクによりドライフィルムレジストを露光する
（ｆ）のであるが、この時のマスクの位置合わせは、図
１３における括弧内に示すように、透明なドライフィル
ムレジストを介して、絶縁基材層に形成されたビアの凹
部とマスクのＳ層回路のパターンとを重ね合わせること
によって行われる。そして、ドライフィルムレジストを
露光し、ビアの凹部上を含む所望の部分にＳ層回路とな
る凹部が形成されたレジストを得る（ｇ）。

【０００５】最後に、メッキにより、Ｐ層回路とＳ層回
路とを接続するビア、及びＳ層回路を形成し（ｈ）、不
要なレジストを剥離すると、Ｐ層回路の上層に絶縁基材
層を介してＳ層回路が積層され、Ｐ層回路とＳ層回路と
がビアにより接続された多層基板を得る（ｉ）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のマス
クの位置合わせ方法においては、図１３に示すように、
マスクのビアのパターンがＰ層回路に完全に重なり、ビ
アの凹部がマスクのＳ層回路のパターンに完全に重なっ
てしまい、しかも、各々が同系色であるため、各々の中
心を正確に合わせることができず、マスクを正確に位置
合わせすることができなかった。このため、図１４及び
図１５に示すように、Ｐ層回路とビアとに、或はビアと
Ｓ層回路とに位置ずれが生じ、ビアによるＰ層回路とＳ
層回路との接続信頼性を著しく損なったり、Ｐ層回路と
Ｓ層回路とを正確な位置に形成できず、導体回路の細密
化の要望に十分に対応することができないという問題が
あった。

【０００７】一方、例えば特公平５ー２３４９０号公報
に開示されているように、基材とマスクとの各々に、位
置合わせの指標となるアライメントマークを形成し、基
材のアライメントマークとマスクのアライメントマーク
とを重ね合わせて、基材とマスクとを正確に位置合わせ
する方法がある。これは、基材とマスクとの各々のアラ
イメントマークを、互いに交差させる構成とすると共に
位置ずれによってこの交差部分の面積が変化する形状と
し、交差部分の面積を検出することにより位置ずれを補
正して、基材とマスクとを正確に位置合わせできるよう
にしたものである。

【０００８】しかしながら、このような方法によると、
交差部分の面積を算出しなければならず、非常に面倒な
作業を必要とし、また、基材とマスクとを相対的に移動
させることにより位置ずれの方向や程度を算出しなけれ
ばならず、位置ずれを補正するために複雑な処理を必要
とし、簡単に位置ずれを補正することができなかった。

【０００９】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、マス
クの位置ずれを容易且つ正確に補正することができる転
写工程におけるマスクの位置合わせ方法を、簡単な手段
によって提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに本発明の採った手段を、図面に使用する符号を付し
て説明すると、「マスク７０に形成されたパターン７１
を基材に転写する転写工程における前記マスク７０の位
置合わせ方法であって、基材とマスク７０との各々にア
ライメントマーク６０ａ、６０ｂを備えると共に、これ
ら各アライメントマーク６０ａ、６０ｂを、互いに重ね
合わせることにより各々の外形の間に隙間６１を形成す
る形状とし、前記隙間６１を検出することによりマスク
７０の位置ずれを補正することを特徴とする転写工程に
おけるマスク７０の位置合わせ方法」である。

【００１１】

【発明の作用】このように構成された本発明の転写工程
におけるマスク７０の位置合わせ方法においては、基材
とマスク７０との各々に備えられたアライメントマーク
６０ａ、６０ｂを重ね合わせると各アライメントマーク
６０ａ、６０ｂの外形の間に隙間６１が形成される。そ
して、この隙間６１の状態を、例えば目視或は光学的な
検知器等により確認すれば、各アライメントマーク６０
ａ、６０ｂの中心を正確に合わせし得ることになり、マ
スク７０を正確に位置合わせし得ることになる。

【００１２】また、隙間６１の状態によって、位置ずれ
が生じているか否かを、また、位置ずれが生じている場
合にはその方向や程度を、明瞭に確認し得るため、従来
の如く複雑な処理を必要とせず、簡単に位置ずれを補正
し得ることになる。

【００１３】

【実施例】次に、本発明に係る転写工程におけるマスク
７０の位置合わせ方法の一実施例を、図面に従って詳細
に説明する。なお、本実施例においては、写真法により
マスク７０のパターン７１を転写して多層基板１００を
製造する際に、本発明の位置合わせ方法を採用した例に
基づき説明するが、本発明の位置合わせ方法は、これに
限らず、例えば印刷法等の転写工程においても採用で
き、また、パターン７１が転写される基材及びそのパタ
ーン７１も、特に限定するものではない。

【００１４】図１及び図２には、多層基板１００の一例
が示してある。この多層基板１００においては、合成樹
脂により形成されたコア材１０の表裏に、銅箔により形
成された導体回路、すなわちＰ層回路２０を備えてあ
り、表裏のＰ層回路２０は、コア材１０を貫通するスル
ーホール（図示しない）によって接続されている。そし
て、各Ｐ層回路２０の上層には、絶縁基材層３０を介し
て導体回路、すなわちＳ層回路４０を備えており、４層
の導体回路層を有する４層基板となっている（図２にお
いては下側の２層が省略してある）。また、Ｐ層回路２
０とＳ層回路４０とは、絶縁基材層３０を貫通するビア
５０により接続されている。なお、このビア５０及びＳ
層回路４０は、図３に示すような、本発明の位置合わせ
方法を採用してマスク７０のパターン７１を基材に転写
する工程を含む一連の工程により形成してあり、次に、
この一連の工程を説明する。

【００１５】まず、コア材１０の表面に、Ｐ層回路２０
と、このＰ層回路２０外にリング形状のアライメントマ
ーク６０ａを形成しておき（ａ）、これらのＰ層回路２
０及びアライメントマーク６０ａの上面に透明な感光性
樹脂３０ａを塗布する（ｂ）。そして、ビア５０のパタ
ーン７１と、このパターン７１外にアライメントマーク
６０ｂとが形成されたビア形成用のマスク７０により感
光性樹脂を露光する（ｃ）。

【００１６】ここで、マスク７０のアライメントマーク
６０ｂは、コア材１０に形成されたリング形状のアライ
メントマーク６０ａの内径より小さな外径の円形状とし
てあり、マスク７０が正確に位置合わせされると、図４
に示すように、コア材１０のアライメントマーク６０ａ
の内周と、マスク７０のアライメントマーク６０ｂの外
周との間の全周に渡って隙間６１が形成されるようにし
てある。また、マスク７１が正確に位置合わせされてい
ないと、図５に示すように、コア材１０のアライメント
マーク６０ａの内周と、マスク７０のアライメントマー
ク６０ｂの外周との間の全周に渡って隙間６１が形成さ
れず、位置ずれが生じていること、及びその方向や程度
が容易に確認できるようにしてある。そして、全周に渡
って隙間６１が形成されるように、すなわちマスク７０
が正確に位置合わせされるように、簡単に補正できるよ
うにしてある。

【００１７】次に、マスク７０を正確に位置合わして感
光性樹脂３０ａを露光すると、感光性樹脂３０ａの感光
された部分が硬化して残存し、ビア５０となる凹部５１
が形成された絶縁基材層３０が得られる（ｄ）。また、
この時、絶縁基材層３０には、マスク７０のアライメン
トマーク６０ｂによって円形状の新たなアライメントマ
ーク６０ｂが形成される。

【００１８】次に、絶縁基材層３０の表面に、感光性樹
脂により形成された透明なドライフィルムレジスト８０
ａを貼着し（ｅ）、Ｓ層回路４０のパターン７１と、こ
のパターン７１外にアライメントマーク６０ａとが形成
されたＳ層回路形成用のマスク７０によりドライフィル
ムレジスト８０ａを露光する（ｆ）。

【００１９】ここで、アライメントマーク６０ｂは、絶
縁基材層３０に新たに形成された円形状のアライメント
マーク６０ｂの外径より大きな内径のリング形状、すな
わちコア材１０に形成されたアライメントマーク６０ａ
と同一形状としてある。そして、マスク７０が正確に位
置合わせされると、同様に、絶縁基材層３０のアライメ
ントマーク６０ｂの外周と、マスク７０のアライメント
マーク６０ａの内周との間全周に渡って隙間６１が形成
されるようにしてあり、マスク７０を正確に位置合わせ
できるようにしてある。なお、ドライフィルムレジスト
８０ａの貼着前に、後述するメッキ９０の前処理とし
て、絶縁基材層３０の表面に粗面化処理及び核付与処理
が施してあるため、絶縁基材層３０の表面は白濁したも
のとなっている。このため、コア材１０のアライメント
マーク６０ａが絶縁基材層３０を透過して見えることは
なく、絶縁基材層３０のアライメントマーク６０ｂとマ
スク７０のアライメントマーク６０ａとだけを、正確に
位置合わせすることができる。また、絶縁基材層３０の
表面が白濁しており、絶縁基材層３０のアライメントマ
ーク６０ｂ及びマスク７０のアライメントマーク６０ａ
が黒色系であるため、各アライメントマーク６０ａ、６
０ｂの外形の間の隙間６１は、明瞭に確認できる。この
ため、マスク７０の位置合わせは、確実に行える。

【００２０】次に、正確に位置合わせされたＳ層回路形
成用のマスク７０により、ドライフィルムレジスト８０
ａを露光すると、ビア５０の凹部５１を含む所望の部分
にＳ層回路４０を形成するための凹部４１が形成された
レジスト８０を得る（ｇ）。

【００２１】最後に、メッキ９０によってＰ層回路２０
とＳ層回路４０とを接続するビア５０と、Ｓ層回路４０
とを形成し（ｈ）、不要なレジスト８０を剥離すると、
Ｐ層回路２０の上層にＳ層回路４０が積層され、Ｐ層回
路２０とＳ層回路４０とがビア５０により接続された多
層基板１００が得られる（ｉ）。なお、絶縁基材層３０
の表面には、Ｓ層回路４０以外に新たなアライメントマ
ーク６０ａが形成されており、これを基準して、さらに
上層に導体回路を形成することもできる。

【００２２】以上、本実施例においては、一方が円形状
であり、他方がリング形状である一組のアライメントマ
ーク６０ａ、６０ｂの例を示したが、アライメントマー
ク６０ａ、６０ｂの形状は特に限定するものではなく、
例えば四角や三角等でもよい。

【００２３】また、例えば図６に示すように、最下層の
アライメントマーク６０ａの上層のアライメントマーク
６０ｂを、最下層のアライメントマーク６０ａの外周全
周との間に隙間６１を形成する形状とし、このアライメ
ントマーク６０ｂのさらに上層のアライメントマーク６
０ｃを、下層のアライメントマーク６０ｂの外周全周と
の間に隙間６１を形成する形状として、順次重ね合わせ
るようにしてもよい。

【００２４】さらに、一方のアライメントマーク６０ａ
の外周全周に渡って隙間６１を形成するように他方のア
ライメントマーク６０ｂを形成する必要はなく、例えば
図７に示すように、一方のアライメントマーク６０ａの
外周の複数部分との間に隙間６１を形成するように他方
のアライメントマーク６０ｂを形成してもよい。この場
合、少なくとも三箇所にて隙間６１を形成するようにす
れば、各アライメントマーク６０ａ、６０ｂを正確に位
置合わせすることができる。

【００２５】さらにまた、例えば図８に示すように、各
アライメントマーク６０ａ、６０ｂを互いに重ね合わせ
ると、各アライメントマーク６０ａ、６０ｂの一部が重
なり合うような形状であってもよい。この場合、各アラ
イメントマーク６０ａ、６０ｂの重なり合わない外形部
分によって隙間６１が形成されるようにし、その隙間６
１によって位置ずれを補正できるような形状にすればよ
い。

【００２６】なお、本実施例においては、ネガ型の写真
法によりマスク７０のパターンを転写する例を示した
が、ポジ型の写真法であってもよく、この場合、各アラ
イメントマーク６０ａ、６０ｂは、例えば図９に示すよ
うなものとなる。

【００２７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の転
写工程におけるマスクの位置合わせ方法は、重ね合わせ
た各アライメントマークの外形の間に形成された隙間を
検出することにより、マスクの位置ずれを補正するよう
にしたものであり、マスクの位置ずれ及びその方向や程
度を明瞭に確認できるようにしたものである。

【００２８】従って、本発明によれば、マスクの位置ず
れを容易且つ正確に補正することができる転写工程にお
けるマスクの位置合わせ方法を、簡単な手段によって提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る転写工程におけるマスクの位置合
わせ方法により形成した多層基板の一例を示す部分平面
図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。

【図３】図１に示した多層基板の製造工程を示す工程図
である。

【図４】アライメントマークの一例を示す概略図であ
る。

【図５】図４に示したアライメントマークに位置ずれが
生じた状態を示す概略図である。

【図６】アライメントマークの他の例を示す概略図であ
る。

【図７】アライメントマークの他の例を示す概略図であ
る。

【図８】アライメントマークの他の例を示す概略図であ
る。

【図９】アライメントマークの他の例を示す概略図であ
る。

【図１０】従来の転写工程におけるマスクの位置合わせ
方法により形成した多層基板の一例を示す部分平面図で
ある。

【図１１】図１０におけるＢ−Ｂ断面図である。

【図１２】図１０に示した多層基板の製造工程を示す工
程図である。

【図１３】従来の転写工程におけるマスクの位置合わせ
方法を示す概略図である。

【図１４】従来の転写工程におけるマスクの位置合わせ
方法により形成した多層基板の一例を示す部分平面図で
ある。

【図１５】図１４におけるＣ−Ｃ断面図である。

【符号の説明】

１０ コア材 ２０ Ｐ層回路 ３０ 絶縁基材層 ３０ａ 感光性樹脂 ４０ Ｓ層回路 ４１ 凹部 ５０ ビア ５１ 凹部 ６０ａ アライメントマーク ６０ｂ アライメントマーク ６０ｃ アライメントマーク ６１ 隙間 ７０ マスク ７１ パターン ８０ レジスト ８０ａ ドライレジストフィルム ９０ メッキ １００ 多層基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを基材に転
   写する転写工程における前記マスクの位置合わせ方法で
   あって、 基材とマスクとの各々にアライメントマークを備えると
   共に、これら各アライメントマークを、互いに重ね合わ
   せることにより各々の外形の間に隙間を形成する形状と
   し、 前記隙間を検出することによりマスクの位置ずれを補正
   することを特徴とする転写工程におけるマスクの位置合
   わせ方法。