JPH0633453B2 - 陰極スパツタリング処理により基板に薄層を被着する装置 - Google Patents

陰極スパツタリング処理により基板に薄層を被着する装置

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JPH0633453B2
JPH0633453B2 JP61137229A JP13722986A JPH0633453B2 JP H0633453 B2 JPH0633453 B2 JP H0633453B2 JP 61137229 A JP61137229 A JP 61137229A JP 13722986 A JP13722986 A JP 13722986A JP H0633453 B2 JPH0633453 B2 JP H0633453B2
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
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    • C23C14/0047—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスパッタすべき陽極と陰極との間にシャッタを
設け、これにより陰極と被覆すべき基板との間のスペー
スを分割して陰極スパッタリング処理により基板に薄層
を被着する装置に関するものである。
この種の技術分野では或る目標物体に純粋な物質の極め
て薄い層を被着する必要がある。かかる例としてはウイ
ンドウガラスがあり、このガラスに金属薄層又は金属酸
化物層を設けて或る波長領域の太陽光から遮蔽し得るよ
うにする。又、半導体技術では第２基板を構成する薄層
を第１基板に被着する場合がしばしばある。特にこの薄
層は極めて純粋な層とするだけでなく、極めて精密に不
純物を添加して実際の層厚、化合物の層の場合にはその
組成を精密に再現し得るようにする。一般にこれらの層
の厚さは２nm〜数千nmである。
特に箔、ガラスその他の物質に薄層被着する処理として
は３つの異なる処理が知られている。第１の処理では薄
層を化学的堆積又は電気化学的堆積により被着するが第
２の処理ではこの薄層を真空蒸着により被着する。
しかしこれら２つの処理によれば広い表面に極めて薄い
層を所望の均一精度で再現性をもって被着することがで
きず、従って第３の処理、いわゆるスパッタリング又は
陰極分解が多用されるようになる。
この陰極スパッタリング処理では真空チェンバ内にガス
放電プラズマ、ターゲットとも称される陰極上にスパッ
タすべき物質および被覆すべき基板を配設する。
スパッタすべき陰極基板と衝突するグロー放電プラズマ
のイオンによってターゲットから原子を遊離すると共に
これを被覆すべき基板に堆積する。このグロー放電は陽
極および陰極間の約１００Ｖの電圧により生ずる電界に
よって行う。この際殆んどの場合陽極は真空容器の金属
壁により形成する。陰極は高エネルギーで衝突するイオ
ンによって有効に分解されるため、陰極の材料は原子状
に除去され、陰極からガスとして拡散され陰極の近くで
固体表面に被膜の形態で堆積され、この被膜は強力に接
着し、その厚さはスパッタリングの期間に比例して増大
する。
純粋な金属又は不純物を添加して導電性となる半導体は
その酸化物よりも陰極スパッタリング材料として特に好
適である。従って例えば二酸化珪素より成る陰極は高周
波でのみスパッタし得ると共に低速でもスパッタし得る
が、不純物添加珪素のスパッタリングは直流電圧で高速
で行うことができる。又、技術的に高価であるため、関
連する材料の高周波スパッタリングによる誘電体層の被
着は１m2以下の基板表面に対してのみ経済的となる。金
属酸化物の薄層を基板に被着する必要がある場合には陰
極スパッタリング処理により金属原子を金属陰極からた
たき出す。次いでこれら原子を酸化して基板に堆積す
る。かかる処理を実施するには２種類の異なるガスを必
要とする。即ち第１のガスはグロー放電プラズマを発生
するに必要なアルゴンのような不活性ガスであり、第２
のガスは金属又は半導体原子との酸化物を形成する酸素
のような反応性ガスである。
容易に酸化し得る金属または関連する金属合金より成る
本体に酸化の困難な層を被着する処理は西ドイツ国特許
第2626270 号明細書から既知である。この場合、容易に
酸化し得る本体を真空下でアニーリングしてその酸化物
“スキン”からほぼ遊離すると共に真空中で酸化の困難
な保護層を断続することなく被着する。この処理では容
易に酸化し得ない材料をスパッタリングする前に高価な
エッチング処理を行う必要のある欠点がある。
また、酸化物または炭化物のような化合物の層を被着す
るために好適に用いられるプラズマトロンにより反応性
被覆を行う装置は東ドイツ国特許第142568号明細書から
既知である。この装置において反応の度合および縮合速
度を増大するためには陰極付近を僅かに負の電位とし、
これにより放電によって生ずる低速電子を、接地され、
従って正の基板上に反射させるようにする。しかし、こ
の処理は基板が導電性でない個所では使用し得ない。更
に短時間後補助電極に非導電層が被覆されるようにな
り、これによっても効果が減少する。
更に金属および半導体の化合物を反応スパッタリングす
る装置は西ドイツ国特許公開第3331707 号明細書から既
知である。この場合にはターゲット材料と所望の化合を
行う希ガスおよび反応ガスを、ターゲットを有するマグ
ネトロン陰極と基板との間のチェンバまたはスペース内
に個別に導入する。この処理ではスパッタリングを長時
間に亘り安定に保持するためにターゲットおよび基板間
の流れの絞りをシャッタにより行っている。この既知の
装置によれば、大面積の極めて高価な均一薄層を箔等に
被着することができる。しかしこの装置では特に反応性
ターゲット材料に対し、ターゲットおよび基板間のシャ
ッタにより流れの極めて強力な絞り作用を呈し、陰極か
ら反応性ガスを排除し、これによりたたき出されたター
ゲット原子の大部分が基板に到達せず、しかもこれら原
子は基板上への薄層の成長に寄与しない。シャッタの開
口が大きい場合には、たたき出されたターゲット原子が
反応ガスの原子に反応して形成された酸化物が陰極上に
捕捉されるようになる。ターゲットへのこの酸化物の堆
積により不活性ガスのイオンにより他の原子がたたき出
されるのが一層困難となり、従って被覆処理が徐々に劣
化するようになる。更に既知の装置は過熱する傾向にあ
り、従って絶縁支持された陽極に絶縁材料が被覆される
ようになる。
また、原子または分子源を有し、イオン衝撃により固体
材料をスパッタリングして基板を被覆する装置は東ドイ
ツ国特許第138879号明細書から既知である。この場合基
板スペースから分離されたチェンバ内でターゲットを高
い放電圧でスパッタするためターゲットと基板スペース
との間の開口が圧力段として作用する。しかしこの装置
は反応性スパッタリングに対しては好適でない。その理
由はターゲットにおける反応性ガスとの反応を防止する
必要があるからであり、これはターゲットにおける部分
圧を低くする必要がある。
更にショットキーバリア型の固体成分およびその製造処
理は米国特許第4218495 明細書から既知である。この場
合には金属層に半導電層を設け：この際金属層はこの金
属層と半導電層との間にショットキーバリアを形成し得
る金属を以て構成する。半導電性被膜の外側表面に接続
された半導電側の接続電極を適宜接続してこれによりビ
ーム接点を形成し得るようにする。この場合いわゆるイ
オン化クラスタビーム堆積処理によって半導電層を少な
くとも被着する。この処理では蒸発ビームの液滴への縮
合を行う特定の形態の蒸着を必要とし、この液滴は指向
方向に加速され、従って薄層の成長形状を調整する。し
かし、この処理は反応スパッタリングに好適ではない。
その理由はグロー放電が発生せず、反応および不活性ガ
スの混合物の供給されないからである。
また陰極スパッタリングで作動するルミネッセントガラ
ス層を形成する処理は米国特許第4447308号明細書から
既知である。この場合ターゲットは珪素と、ルミネッセ
ントセンタを発生する少なくとも１種の化合物、例えば
酸化セリウムとを具える。ターゲットとキャリアとの
間、特に２つのスクリーン間にはアルゴンイオンによる
プラズマを形成する。これがため、単一のプラズマのみ
が形成される。
最後に、高堆積速度で陰極スパッタリングを行う他の装
置も米国特許第4074764 号明細書から既知であり、この
場合排気ハウジング内に位置する基板に堆積を行うと共
にターゲットを陽極に対して負電位に保持するようにし
ている。従ってガスはターゲットと陽極との間のスペー
ス内に圧力Ｐで流入する。この場合ターゲットと基板と
の間には高いガス圧傾度が発生する。また、ターゲット
表面に平行な方向に磁界をかけ、この磁界をターゲット
表面に対向させてターゲットの囲りを遮蔽するようにす
る。この場合ターゲットのすぐ近くではガス圧が著しく
高くなるが基板の近くではガス圧が著しく低くなり、こ
れによりプラズマのスパッタされた粒子に対する吸収容
量が著しく低くなるため、堆積速度が速くなる。しか
し、この装置では堆積速度を増大するためにターゲット
のすぐ前面の反応ガスの部分を減少させることはできな
い。換言すれば、西ドイツ国公開特許第3331707号明細
書による装置と対比し、上記装置ではターゲットと陽極
との間にシャッタを設けることはできない。
本発明の目的はターゲット材料の利用効率を高くして長
期間に亘り精密な被覆を行い得るようにした陰極スパッ
タリング処理を提供せんとするにある。
本発明陰極スパッタリング処理により基板に薄層を被着
する装置は、開口を有し、スパッタすべき陰極および陽
極間に配設され、陰極との間に第１グロー放電スペース
を形成するとともに陽極との間に第２グロー放電スペー
スを形成する機械式遮蔽体と；他の開口が設けられた陽
極の下側に配設された基板と；非反応ガスまたは反応ガ
ス混合物を導入するためのガス分配装置と；ポンプ手段
とを具え；前記陽極は第２遮蔽体として前記基板上に直
接配設し；前記第２グロー放電スペース内に主としてガ
スを導入し；前記ポンプ手段を前記第１グロー放電スペ
ースに連結して前記陰極の全面のガスまたはガス混合物
を導出するようにしたことを特徴とする。
本発明によれば、２種類のガス、即ち反応ガスおよび不
活性ガスを個別に供給する必要はなく、それにもかかわ
らず、薄層を著しく良好に被着することができる。既知
の装置では圧力は 1〜2 ×10-2mBとなるのが、本発明装
置では圧力は 2×10-3mBとなる。しかし圧力が低いこと
は汚染も低くなり従って一層純粋な蒸発物質が得られる
ことを意味する。更に本発明によれば、層の品質が良好
となるほかに、既知の処理に比較し誘電体層に対する層
の成長速度が高くなると共に導入された反応ガスとター
ゲット材料の化学反応により得られた層の組成を良好に
制御することができる。殆んどの場合化合物の反応スパ
ッタリングを行う既知の装置では化学反応速度は層の成
長速度に対し処理が制限されるようになる。この点基板
の直前で追加のグロー放電を行う本発明装置によればス
パッタリング処理の陰極におけるグロー放電とは無関係
に陽極装置の電位によりグロー放電の強度を制御するこ
とができる。基板の前面のグロー放電スペースに反応ガ
スを導入し、且つガスの化学反応をこのグロー放電のイ
オン化によって高めるため、基板表面に化合物を形成す
るための化学反応が増大し、これにより層の成長速度も
増大する。
また、或る場合には所望の層の特性を得るために被着し
た層の組成または化学当量を精密に制御する必要があ
る。これがため、酸化インジウムおよび酸化錫の化合物
から形成した透明な導電層を被着する。これらの層では
層の酸素含有量に依存して導電性が著しく敏感となる。
本発明装置によれば、基板の前面でグロー放電を制御す
ることにより層の組成を所望の如く制御することがで
き、従って２ｍまでの幅のプラスチック箔にもこれら化
合物の層を迅速且つ良好な品質で被着することができ
る。
本発明の他の利点は既知の装置に比べ、移動基板にかか
る化合物の層を被着すると共に純粋な金属層を被着し得
る点である。基板表面の追加のプラズマによってこれが
被覆領域に到達する直前に移動基板の電子およびイオン
衝撃を行うことができる。これがため、被着層の接着に
悪影響を与える基板表面を粒子をゆるやかに除去又はス
パッタリングすることができる。これは純粋な金属また
は半金属層を被着し、従って唯１種類の反応ガスを導入
する場合にも特に有効である。
図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図に示す陰極スパッタリング装置１はドラム２に対
向して配設する。ドラム２の表面３には酸化物、例えば
酸化アルミニウムAl2O3 を被覆すべき薄い箔を設ける。
陰極スパッタリング装置１には陰極装置５を設け、この
陰極装置５は実際のスパッタリング陰極６および陰極マ
ウント７を具える。例えば純アルミニウムより成るスパ
ッタリング陰極６と陰極マウント７との間には永久磁石
８，９，10を設ける。これら永久磁石は中空体11に載置
すると共に共通ヨーク12により閉成する。中空体11のリ
ムを陰極マウント７に気密且つ液密に連結する。ターゲ
ット即ちスパッタリング陰極６と直接または間接に接触
する中空体11には冷却液例えば水を循環させる。このタ
ーゲット即ちスパッタリング陰極６は中空体11の前面に
配設すると共に陰極マウント７に対し電気的に接続し、
且つ良伝熱的に連結する。
陰極マウント７に設けたフランジ状縁部13と陰極チェン
バ40のカバー15との間には絶縁体14を介在させる。又、
吸引断面の大きな１個以上のポンプ16,17 をこのカバー
15に連通し、これにより陰極チェンバ40を常時一定に排
気し得るようにする。陰極マウント７は、約400 Ｖの直
流電圧を発生する直流電圧源18の負極に電気的に接続す
る。陰極装置５には陽極装置19を関連させると共にこれ
を、約30〜100 Ｖの直流電圧を発生する直流電源20の正
極に接続する。陽極装置19には２個の互いに直角を成す
シャンク21,22 を設け、一方のシャンク21を絶縁体23を
介して陰極チェンバ40の一方の側壁24に連結する。陽極
装置19および陰極装置５間にはシャッタ25を設け、この
シャッタ25にはその中央部に中央開口26を設けると共に
側部に少なくとも２個の横方向開口27,28 を設け、これ
ら開口27,28 を経て２重矢印29,30 で示すようにガスを
流通せしめ得るようにする。このガスはガス源31,32か
ら発生させると共に調整弁33,34 を経てシャッタ25の上
側に設けられたアンチチェンバ35,36 に夫々供給する。
このガスとしては、例えばアルゴンと酸素の混合ガスが
好適である。
実際上、ポンプ16,17 は陰極チェンバ40に連通するだけ
でなく装置の全周囲に、即ちギャップ37,38を経てチェ
ンバ41にも連通する。しかし、本例ではギャップ37,38
をできるだけ機械的および電気的に狭く保持して、即ち
開口の断面をポンプに対するチェンバ40の開口の断面の
多くとも約20％として、ギャップ37,38 を経てポンプに
流れるガス流を小さく保持し得るようにする。かように
して導入された反応ガス混合物はガス放電43,44 により
更に活性化されて基板４の前方に集中して基板上で反応
ガスとターゲット材料の所望の化学的な結合が加速され
るようにする。これに対し陰極チェンバ40は開口断面が
大きなポンプ16,17 に連通してチェンバ41を経てチェン
バ40に流入するガスの反応成分をできなるだけ迅速に排
出し得るようにする。これは、この化合物の導電性がな
い場合特に反応ガスとターゲット表面６との化学反応が
生ずるのを調整し、従って、短時間後に直流電圧スパッ
タリング処理を終了する。又、これは従来既知の装置
（例えば米国特許第４２０４９２４号および第４２９８
４４４号明細書に記載された装置）に比へ著しく相違す
る。その理由は薄層の成長に使用されない導入ガス混合
物が、本発明装置のギャップ37,38 に相当する、基板と
これに対向する機械式シャッタとにより形成れるギャッ
プを経てのみ排除され得るからである。
更に本発明によれば、ドラム２の囲りに配設された個別
の装置間にカバーシートを設けて多重被覆を行うことも
できる。その理由はギャップ37,38が、前述した米国特
許第４２０４９２４号および第４２９８４４４号明細書
に記載の装置のギャップよりも広いからである。ドラム
２の相対移動方向を矢印39で示す。しかし、この方向を
矢印とは逆の方向とすることもできる。
ガスを導入し、直流電圧を陰極装置５および陽極装置19
に供給する場合には２つのプラズマ領域（チェンバ）4
0,41 が形成され、第１図にはそのうちの２つの領域4
1′，42および43,44 を夫々示す。
基板表面におけるこの追加のプラズマ43,44 によって、
これが被覆領域に到達する直前に移動している基板に電
子およびイオンが集中的に衝突するようになる。これが
ため基板表面でゆるやかにバウンドする粒子がスパッタ
リングされ、これは被覆層の接着し対しては悪影響を与
える。これは純金属または半導電層を被着する必要があ
る場合にも特に有効である、従って反応性ガスのみを導
入する。
永久磁石８，９，10の配置は既知であり、本発明の要旨
ではない。その理由はこれら永久磁石８，９，10はスパ
ッタリング陰極６の前方の領域にプラズマ41′，42を集
中するためにのみ作用するからである。陰極チェンバの
２つの異なる個所にプラズマが形成されるのは、陽極装
置19および陰極装置５間に直流電源18,20 からの電位に
より電界が生ずると共にこの電界にシャッタ25が挿入さ
れるからである。
陽極装置19および陽極装置５間のシャッタ25が電界に影
響を与えるにもかかわらず、直流電源18,20の電位を適
宜定めてスパッタリング陰極６の前面の実際の電界強度
がグロー放電を生ずるに十分となり、従ってスパッタリ
ング陰極６から原子がノックアウトされるに十分となる
ようにする。これがため、シャッタ25は電気的にみて放
電管の制御グリッドの機能を呈するようになる。しかし
外側領域ではガス状原子および分子が完全に妨害される
が中央領域26では原子および分子が妨害されることなく
通過する点でシャッタ25はグリットとは相違する。
シャッタ25を接地すると共に陽極装置19に対し負にバイ
アスする。陽極装置19を流れる電流の強度従ってチェン
バ41内のガスのイオン化程度は陽極装置19の電源20によ
って調整することができる。この場合には陰極プラズマ
の領域において多数の自由電荷キャリアが存在し、特に
陽極装置19が正電位のために生ずる負に帯電した電子が
シャッタ開口26を経てシャッタ22に向けて加速される。
このチェンバ内に導入されたガス粒子は電子と衝突して
イオン化される。陽極装置19を適宜配設してこれがシャ
ッタ25により電気的に遮蔽され、従って正電位を印加す
ることなく陰極電流の単に数％程度の極めて僅かな電流
が陽極装置19に流れるようになる。これがため電子に対
し充分大きな加速路が得られ、これにより陰極プラズマ
41′，42から離間してプラズマ43,44 を発生し、且つ衝
突によるイオン化によって追加の電荷キャリアを発生し
得るようにする。陽極装置19に正電位を印加しないかま
たは僅かに正の電位を供給する場合には陰極プラズマに
より発生した電子は接地シャッタ25を経て電源20に帰還
される。又、この場合にはチェンバ41内の基板の前面に
はプラズマは発生しない。作動時には陰極に流れる電流
の50％〜100 ％の値の電流を陽極装置19に供給する。陽
極装置19にこの目的のために必要な電位はほぼ+30V〜+1
00V の範囲の電位である。
前述したように被覆すべき薄膜４のすぐ前面でチェンバ
内のグロー放電によりArおよびO2の流入ガス混合物をイ
オン化する。イオン化した酸素によってスパッタリング
陰極６からのアルミニウムに対し化合物を形成して薄膜
４上に酸化アルミニウムAl2O3 を被着する。これがため
酸素混合物は、これがスパッタリング陰極６の開口26を
通過する前にすでに広範囲に除去される。
アルミニウムとの化合物を形成しない酸素がスパッタリ
ング陰極に到来するのを防止するためおよびスパッタリ
ング処理に悪影響を与える酸化物を形成するのを防止す
るために、ポンプ16,17 によりスパッタリング陰極６か
らガスを連続的に排除する。
上述した個別の手段、即ち前段の追加のスペースへのガ
ス混合物の導入およびスパッタリング陰極６からのガス
の吸引による排除の各々によって夫々を実施して充分な
技術的な進歩が得られるようにする。この進歩は両手段
を共に利用する場合には一層大きくなる。
第１図に原理的に示す装置を実施する手段を第２図に示
す。本例ではスパッタリング陰極６（図示せず）のマウ
ント７を示す。このスパッリリング陰極６はねじ孔50,5
1,52にねじにより固着することができる。次いで冷却パ
イプ53,54 をマンウト７まで延在して冷却パイプ55,56
を連通する。追加のグロー放電のスペースをウェブ57,5
8,59および60により形成する。ガス搬送パイプ61,62 を
経て、このスペース即ちチェンバにガスを流入する。シ
ャッタによって２つのグロー放電スペース63,64 を互い
に分離する。
吸引を行うスリットは第２図には示さない。しかし、こ
れらスリットは側面、例えば側面58の下側に位置させ
る。第２図に示す装置の全体を、或る場合には複数の同
様の装置をポンプにより排気された真空チェンバ内に収
納する。これがため装置の排気は例えば側面58の下側の
眼に見えないスリットを介して第２図に示す装置を囲む
ハウジングに配設したポンプによって行う。上述した排
気ハウジング内に第２図に示す型の装置を複数個設ける
場合にはこれら装置間又はこれら装置の群間に少なくと
も１個の封止板を夫々設けるようにする。かかる封止板
は第２図に示す装置の後方に延在する側面に或る程度平
行に延在させると共に上述した印極マウントとすべきド
ラム２の表面３に垂直に延在させるようにする。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明陰極スパッタリング装置をドラム上に被
着された薄層と共に示す断面図、 第２図は本発明陰極線スパッタリング装置の実際の構成
を示す斜視図である。 １……陰極スパンタリング装置 ２……ドラム、３……表面 ４……基板、５……陰極装置 ６……スパッタリング陰極 ７……陰極マウント ８，９，10……永久磁石、11……中空体 12……共通ヨーク、13……フランジ状縁部 14……絶縁体、15……カバー 16,17 ……ポンプ、18,20 ……直流電源 19……陽極装置、21,22 ……シャンク 23……絶縁体、24……側壁(40) 25……シャッタ、26……中央開口 27,28 ……横方向開口、29,30 ……２重矢印 31,32 ……ガス源、33,34 ……調整弁 35,36 ……アンチチェンバ 37,38 ……ギャップ、39……矢 41……チェンバ 41′,42,43,44 ……プラズマ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】開口（26）を有し、スパッタすべき陰極
    （６）および陽極（19）間に配設され、陰極（６）との
    間に第１グロー放電スペース（40）を形成するとともに
    陽極（19）との間に第２グロー放電スペース（41）を形
    成する機械式遮蔽体（25）と；他の開口が設けられた陽
    極（19）の下側に配設された基板（４）と；非反応ガス
    または反応ガス混合物を導入するためのガス分配装置
    （31，32，33，34；35，36；27，28）と；ポンプ手段
    （16，17）とを具え；前記陽極（19）は第２遮蔽体とし
    て前記基板（４）上に直接配設し；前記第２グロー放電
    スペース（41）内に主としてガスを導入し；前記ポンプ
    手段（16，17）を前記第１グロー放電スペース（40）に
    連結して前記陰極（６）の全面のガスまたはガス混合物
    を導出するようにしたことを特徴とする陰極スパッタリ
    ング処理により基板に薄層を被着する装置。
  2. 【請求項２】スパッタすべき陰極（６）を−400Vの電位
    点に接続し、前記陽極（６）を＋30乃至＋100Vの電位点
    に接続するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の陰極スパッタリング処理により基板に薄
    層を被着する装置。
  3. 【請求項３】前記第２遮蔽体（22）を形成する陽極（1
    9）は前記基板（４）と相俟って幅狭ギャップを画成
    し、その開口断面が前記ポンプへの開口断面の多くとも
    20％であり、これにより導入されたガス混合物の極めて
    少量のみをこれらギャップを経て排出し得るようにした
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の陰極ス
    パッタリング処理により基板に薄層を被着する装置。
  4. 【請求項４】陰極スパッタリング装置（１）を被膜すべ
    き基板（４）と共にハウジング内に配設し、このハウジ
    ングにポンプを設け、このポンプによって陰極スパッタ
    リング装置（１）のハウジング（15，24）内に存在する
    ガスをギャップを介して排出するようにしたことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載の陰極スパッタリン
    グ処理により基板に薄層を被着する装置。
  5. 【請求項５】ｎ個の陰極スパッタリング装置（１）をド
    ラム（２）の周りに配設し、これらｎ個の陰極スパッタ
    リング装置（１）の分離ブロックによりｍ個の群に分割
    し、各群にはそれ自体の関連するポンプ手段を有するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の陰極スパ
    ッタリング処理により基板に薄層を被着する装置。
  6. 【請求項６】前記ポンプ手段は陰極スパッタリング装置
    の長手軸線に沿って種々の位置に配設された少なくとも
    ２つのポンプを具えることを特徴とする特許請求の範囲
    第５項に記載の陰極スパッタリング処理により基板に薄
    層を被着する装置。
  7. 【請求項７】前記ドラム（２）は多重構成部品搬送装置
    の一部分としたことを特徴とする特許請求の範囲第５項
    に記載の陰極スパッタリング処理により基板に薄層を被
    着する装置。
  8. 【請求項８】約−500Vの電位にある直流電源（18）の負
    極を陰極スパッタリング装置（６）に接続し、直流電源
    （18）の正極を金属容器（24）の壁部、特に遮蔽体（2
    5）に接続し、さらに約−25V 乃至−100Vの電位にある
    第２の可調整直流電源（20）の正極を関連する陽極装置
    （19）に接続し、この第２の可調整直流電源（20）の負
    極を同様に前記遮蔽体（25）に接続するようにしたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の陰極スパッ
    タリング処理により基板に薄層を被着する装置。
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