JPH06338087A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH06338087A JPH06338087A JP16223093A JP16223093A JPH06338087A JP H06338087 A JPH06338087 A JP H06338087A JP 16223093 A JP16223093 A JP 16223093A JP 16223093 A JP16223093 A JP 16223093A JP H06338087 A JPH06338087 A JP H06338087A
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- Japan
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- magneto
- optical disk
- layer
- flying head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 たとえ光磁気ディスク表面に結露が生じるよ
うな悪条件下においても、フライングヘッドの光磁気デ
ィスク表面の吸着を極力防止できる信頼性の高い光磁気
ディスクを提供すること。 【構成】 基板１の一主面上に少なくとも光記録層２及
び樹脂保護層３を順次積層して成り、樹脂保護層３の表
面に高さ 0.5μm 以上の突起を 2個／mm2 以上の密度で
形成したことを特徴とする。これにより、光磁気ディス
ク表面に結露が生じるような悪条件下においても、フラ
イングヘッドが光磁気ディスク表面に吸着することが無
く、常に安定したフライングヘッドの浮上が期待でき
る。
うな悪条件下においても、フライングヘッドの光磁気デ
ィスク表面の吸着を極力防止できる信頼性の高い光磁気
ディスクを提供すること。 【構成】 基板１の一主面上に少なくとも光記録層２及
び樹脂保護層３を順次積層して成り、樹脂保護層３の表
面に高さ 0.5μm 以上の突起を 2個／mm2 以上の密度で
形成したことを特徴とする。これにより、光磁気ディス
ク表面に結露が生じるような悪条件下においても、フラ
イングヘッドが光磁気ディスク表面に吸着することが無
く、常に安定したフライングヘッドの浮上が期待でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の一主面に少なく
とも光記録層と、該光記録層を保護する樹脂保護層とを
形成した光磁気ディスクに関する。
とも光記録層と、該光記録層を保護する樹脂保護層とを
形成した光磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】現在、記録情報を一度だけ
書き込めるライト・ワンス型、情報の再書き込みが可能
なリライタブル型等の光磁気ディスクが開発され実用化
され始めている。これらの光磁気ディスクは、通常、基
板上に光記録層と該光記録層を保護する保護層とを順次
積層したものが使用される。
書き込めるライト・ワンス型、情報の再書き込みが可能
なリライタブル型等の光磁気ディスクが開発され実用化
され始めている。これらの光磁気ディスクは、通常、基
板上に光記録層と該光記録層を保護する保護層とを順次
積層したものが使用される。
【０００３】このような光磁気ディスクのうち、情報の
書き込みにフライングヘッド（浮上式磁気ヘッド）を使
用するものでは、フライングヘッドが光磁気ディスクの
回転開始時及び停止時に保護層表面に接触した場合、フ
ライングヘッドが動作不良となったり、保護層に傷やク
ラック等が発生して光記録層を損傷させるという問題が
あった。
書き込みにフライングヘッド（浮上式磁気ヘッド）を使
用するものでは、フライングヘッドが光磁気ディスクの
回転開始時及び停止時に保護層表面に接触した場合、フ
ライングヘッドが動作不良となったり、保護層に傷やク
ラック等が発生して光記録層を損傷させるという問題が
あった。
【０００４】そこで、保護層である樹脂層に潤滑剤やフ
ィラーを混入させて、保護層の表面硬度を向上させると
ともに潤滑性をもたせることでフライングヘッドの接触
による問題を解消する提案がなされている（特開平2-40
149 号公報等参照) 。また、保護層上に粗面化した樹脂
層を積層させてフライングヘッドの吸着を防止し、フラ
イングヘッドの摺動摩擦や衝撃を避ける提案がなされて
いる（特開平2-232836号公報等参照) 。
ィラーを混入させて、保護層の表面硬度を向上させると
ともに潤滑性をもたせることでフライングヘッドの接触
による問題を解消する提案がなされている（特開平2-40
149 号公報等参照) 。また、保護層上に粗面化した樹脂
層を積層させてフライングヘッドの吸着を防止し、フラ
イングヘッドの摺動摩擦や衝撃を避ける提案がなされて
いる（特開平2-232836号公報等参照) 。
【０００５】しかしながら、上記いずれの提案も適当な
表面粗さが得られても、光磁気ディスク表面の結露時や
たばこのやに等が表面に付着した場合には、表面が平坦
となりフライングヘッドの吸着を十分に防止することが
できない。
表面粗さが得られても、光磁気ディスク表面の結露時や
たばこのやに等が表面に付着した場合には、表面が平坦
となりフライングヘッドの吸着を十分に防止することが
できない。
【０００６】
【発明の目的】そこで、たとえ光磁気ディスク表面に結
露が生じるような悪条件下においても、フライングヘッ
ドの光磁気ディスク表面の吸着を極力防止できる信頼性
の高い光磁気ディスクを提供することを目的とする。
露が生じるような悪条件下においても、フライングヘッ
ドの光磁気ディスク表面の吸着を極力防止できる信頼性
の高い光磁気ディスクを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ディスク
は、情報の書き込みにフライングヘッドを使用する光磁
気ディスクであって、基板の一主面上に少なくとも光記
録層及び樹脂保護層を順次積層して成り、該樹脂保護層
の表面に高さ 0.5μm 以上で、かつフライングヘッドの
浮上高さ未満の突起を 2個／mm2 以上の密度で形成した
ことを特徴とする。なお、ここで光記録層とは少なくと
も光磁気記録層を含む層を指し、周知の層構成を採りう
る。
は、情報の書き込みにフライングヘッドを使用する光磁
気ディスクであって、基板の一主面上に少なくとも光記
録層及び樹脂保護層を順次積層して成り、該樹脂保護層
の表面に高さ 0.5μm 以上で、かつフライングヘッドの
浮上高さ未満の突起を 2個／mm2 以上の密度で形成した
ことを特徴とする。なお、ここで光記録層とは少なくと
も光磁気記録層を含む層を指し、周知の層構成を採りう
る。
【０００８】
【実施例】本発明に係る一実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１に示す光磁気ディスクＤは、ポリカー
ボネート等の樹脂から成るディスク状の基板１の一主面
上に、光記録層２をスパッタ法で形成し、さらにスピン
コート法により樹脂保護層３を形成したものである。
に説明する。図１に示す光磁気ディスクＤは、ポリカー
ボネート等の樹脂から成るディスク状の基板１の一主面
上に、光記録層２をスパッタ法で形成し、さらにスピン
コート法により樹脂保護層３を形成したものである。
【０００９】ここで、光記録層２は、窒化珪素の第１誘
電体層、非晶質Gd-Dy-Fe系の光磁気記録層、窒化珪素の
第２誘電体層、及び金属アルミニウムの反射層を順次積
層したものである。なお、第１及び第２誘電体層の材質
としては他に窒化シリコン、窒化アルミニウム、炭化シ
リコン、硫化カドミウム、窒化チタン、硫化亜鉛、フッ
化マグネシウム、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどが
単体あるいは組合せて用いられる。また、特に光磁気記
録層の材料としてはGd-Dy-Fe系の他に例えばGd-Dy-Fe,G
d-Tb-Fe,Tb-Fe-Co,Dy-Fe-Co,Gd-Tb-Dy-Fe,Gd-Tb-Fe-Co,
Tb-Dy-Fe-Co,Gd-Dy-Fe-Co,Nd-Gd-Dy-Fe,Nd-Dy-Fe-Co,Nd
-Gd-Dy-Fe-Co系などの合金系が用いられる。また、反射
層の材質としては、他にCr,Ti,Cu,Ag,SUS などが単体あ
るいは組合わせて用いられる。
電体層、非晶質Gd-Dy-Fe系の光磁気記録層、窒化珪素の
第２誘電体層、及び金属アルミニウムの反射層を順次積
層したものである。なお、第１及び第２誘電体層の材質
としては他に窒化シリコン、窒化アルミニウム、炭化シ
リコン、硫化カドミウム、窒化チタン、硫化亜鉛、フッ
化マグネシウム、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどが
単体あるいは組合せて用いられる。また、特に光磁気記
録層の材料としてはGd-Dy-Fe系の他に例えばGd-Dy-Fe,G
d-Tb-Fe,Tb-Fe-Co,Dy-Fe-Co,Gd-Tb-Dy-Fe,Gd-Tb-Fe-Co,
Tb-Dy-Fe-Co,Gd-Dy-Fe-Co,Nd-Gd-Dy-Fe,Nd-Dy-Fe-Co,Nd
-Gd-Dy-Fe-Co系などの合金系が用いられる。また、反射
層の材質としては、他にCr,Ti,Cu,Ag,SUS などが単体あ
るいは組合わせて用いられる。
【００１０】また、樹脂保護層３は下部層４と上部層５
とから成る。ここで、下部層４はウレタンアクリル系の
紫外線硬化型樹脂を約 5μm 厚に塗布形成したものであ
り、上部層５はアクリル系の紫外線硬化型樹脂にシリカ
のフィラー６（粒径1 〜10μm , 平均粒径4 μm ) を加
えたものを約5 μm 厚に塗布形成したものである。下部
層４及び上部層５の材料としては、上記材料の他に例え
ばエポキシ系、ポリエステル系、アクリル酸エステル
系、ポリエーテル系、シリコン系等の紫外線硬化型、熱
硬化型、嫌気性硬化型、湿気性硬化型など各種の樹脂が
使用可能である。
とから成る。ここで、下部層４はウレタンアクリル系の
紫外線硬化型樹脂を約 5μm 厚に塗布形成したものであ
り、上部層５はアクリル系の紫外線硬化型樹脂にシリカ
のフィラー６（粒径1 〜10μm , 平均粒径4 μm ) を加
えたものを約5 μm 厚に塗布形成したものである。下部
層４及び上部層５の材料としては、上記材料の他に例え
ばエポキシ系、ポリエステル系、アクリル酸エステル
系、ポリエーテル系、シリコン系等の紫外線硬化型、熱
硬化型、嫌気性硬化型、湿気性硬化型など各種の樹脂が
使用可能である。
【００１１】また、上部層５のフィラー６は上記材料の
他に Al 2 O 3 ,Si 3 N 4 ,SiC,CdS,ZnS,SiO等のセラミ
ックとを樹脂に混合しても良く、さらに導電性のあるセ
ラミック例えばＩＴＯ( SnO 2 添加のIn2 O 3 ),Sb2 O
3 ,IrO2 ,MoO2 ,NbO2 ,PtO2,RuO2 ,WO 2 等の酸化物、M
oC,NbC,TaC,TiC,WC等の炭化物、NbN,Ta2 N,TiN,ZrN,VN
等の窒化物等を混合しても良い。
他に Al 2 O 3 ,Si 3 N 4 ,SiC,CdS,ZnS,SiO等のセラミ
ックとを樹脂に混合しても良く、さらに導電性のあるセ
ラミック例えばＩＴＯ( SnO 2 添加のIn2 O 3 ),Sb2 O
3 ,IrO2 ,MoO2 ,NbO2 ,PtO2,RuO2 ,WO 2 等の酸化物、M
oC,NbC,TaC,TiC,WC等の炭化物、NbN,Ta2 N,TiN,ZrN,VN
等の窒化物等を混合しても良い。
【００１２】上部層５の表面に、高さ0.5 μm 以上のフ
ライングヘッドの浮上に支障が無い突起を形成させるに
は、突起形成に寄与するフィラー６の粒径が上部層５の
層厚より大きく、かつ〔層厚＋フライングヘッドの浮上
高さ〕より小さい必要があるが、本実施例の場合、平均
粒径が上部層５の層厚より小さい4 μm であっても 1〜
10μm の幅広い粒度分布を有するので、この層厚より大
きな粒径のフィラー６により適度な密度で突起が形成さ
れるのである。ここで、本実施例のように保護層３を下
部層４と上部層５との二層構造とするような場合には、
上部層５に添加するフィラーの粒度分布が重要となる。
例えば粒径が7.5 〜8.5 μm といった粒度分布の幅が 1
μm 程度の狭いフィラーを用いた場合、フィラーの樹脂
中への混入時に凝集（フィラーの樹脂中への混入前に生
じる樹脂の凝集（一次凝集）に対して、これを二次凝集
という）することがあり、上部層の形成時に上部層表面
にフライングヘッドの浮上高さを越えるような大きな突
起（例えば10μm 以上) が発生して、フライングヘッド
の浮上時にフライングヘッドが突起に衝突する、いわゆ
るヘッドクラッシュが生じるので問題である。このた
め、少なくとも 4μm以上の粒径の幅を有するフィラー
が好適に用いられる。
ライングヘッドの浮上に支障が無い突起を形成させるに
は、突起形成に寄与するフィラー６の粒径が上部層５の
層厚より大きく、かつ〔層厚＋フライングヘッドの浮上
高さ〕より小さい必要があるが、本実施例の場合、平均
粒径が上部層５の層厚より小さい4 μm であっても 1〜
10μm の幅広い粒度分布を有するので、この層厚より大
きな粒径のフィラー６により適度な密度で突起が形成さ
れるのである。ここで、本実施例のように保護層３を下
部層４と上部層５との二層構造とするような場合には、
上部層５に添加するフィラーの粒度分布が重要となる。
例えば粒径が7.5 〜8.5 μm といった粒度分布の幅が 1
μm 程度の狭いフィラーを用いた場合、フィラーの樹脂
中への混入時に凝集（フィラーの樹脂中への混入前に生
じる樹脂の凝集（一次凝集）に対して、これを二次凝集
という）することがあり、上部層の形成時に上部層表面
にフライングヘッドの浮上高さを越えるような大きな突
起（例えば10μm 以上) が発生して、フライングヘッド
の浮上時にフライングヘッドが突起に衝突する、いわゆ
るヘッドクラッシュが生じるので問題である。このた
め、少なくとも 4μm以上の粒径の幅を有するフィラー
が好適に用いられる。
【００１３】次に、上部層５に添加する上記シリカのフ
ィラー６（粒径1 〜10μm , 平均粒径4 μm ) の濃度を
変化させることにより、0.5 μm 以上の高さの突起の密
度を制御した試料１〜４、及び下部層４のみでこの表面
を #2000のサンドペーパーによる粗面化した試料５を作
製して、フライングヘッドの浮上試験を行った結果につ
いて表１に基づき説明する。なお、突起密度は顕微鏡等
を用いて0.5 μm 以上の突起について計測したものであ
る。
ィラー６（粒径1 〜10μm , 平均粒径4 μm ) の濃度を
変化させることにより、0.5 μm 以上の高さの突起の密
度を制御した試料１〜４、及び下部層４のみでこの表面
を #2000のサンドペーパーによる粗面化した試料５を作
製して、フライングヘッドの浮上試験を行った結果につ
いて表１に基づき説明する。なお、突起密度は顕微鏡等
を用いて0.5 μm 以上の突起について計測したものであ
る。
【００１４】
【表１】
【００１５】ここで、フライングヘッドの浮上試験と
は、例えば 0℃の環境に置かれた試料を30℃,90 ％RHの
環境に放置して結露させ、これを3600rpm の回転数で回
転させて、荷重4g重のフライングヘッドをこの試料上で
浮上させるというものであり、この試験によれば、樹脂
保護層表面の突起密度が 2個／mm2 以上の試料１〜３で
は、フライングヘッドが吸着することは全く無かった。
一方、樹脂保護層表面の突起密度が 2個／mm2 より小さ
い試料４及び５ではフライングヘッドの吸着が生じた。
このように、少なくとも樹脂保護層の表面に高さ 0.5μ
m 以上の突起が 2個／mm2 以上の密度で形成されていれ
ば、たとえ光磁気ディスク表面に結露が生じるような悪
条件下においても、フライングヘッドが光磁気ディスク
表面に吸着しないことがわかった。さらに、突起を形成
するフィラーの粒度分布を適当とすることにより、樹脂
の二次凝集を極力防止することができ、一層信頼性の高
い光磁気ディスクを提供できる。
は、例えば 0℃の環境に置かれた試料を30℃,90 ％RHの
環境に放置して結露させ、これを3600rpm の回転数で回
転させて、荷重4g重のフライングヘッドをこの試料上で
浮上させるというものであり、この試験によれば、樹脂
保護層表面の突起密度が 2個／mm2 以上の試料１〜３で
は、フライングヘッドが吸着することは全く無かった。
一方、樹脂保護層表面の突起密度が 2個／mm2 より小さ
い試料４及び５ではフライングヘッドの吸着が生じた。
このように、少なくとも樹脂保護層の表面に高さ 0.5μ
m 以上の突起が 2個／mm2 以上の密度で形成されていれ
ば、たとえ光磁気ディスク表面に結露が生じるような悪
条件下においても、フライングヘッドが光磁気ディスク
表面に吸着しないことがわかった。さらに、突起を形成
するフィラーの粒度分布を適当とすることにより、樹脂
の二次凝集を極力防止することができ、一層信頼性の高
い光磁気ディスクを提供できる。
【００１６】次に、上記突起を研削する最良の方法につ
いて説明する。樹脂保護層表面の粗面化は、ハードディ
スク用のバーニッシュヘッド等でも行うことができる
が、以下に説明するように、適当な粒度のラッピングフ
ィルムで行うことが最良である。樹脂保護層は上述した
ような厚み等の条件を有する下部層と上部層との二層構
造とし、高さ10μm 以上の局所的な突起が発生するよう
に作製した。なお、他の層構成等の条件は上述の実施例
と同様である。
いて説明する。樹脂保護層表面の粗面化は、ハードディ
スク用のバーニッシュヘッド等でも行うことができる
が、以下に説明するように、適当な粒度のラッピングフ
ィルムで行うことが最良である。樹脂保護層は上述した
ような厚み等の条件を有する下部層と上部層との二層構
造とし、高さ10μm 以上の局所的な突起が発生するよう
に作製した。なお、他の層構成等の条件は上述の実施例
と同様である。
【００１７】ここで、ターンテーブル上に突起を発生せ
しめた面を上にした光磁気ディスクＤを固定し、ラッピ
ングフィルムをバックアップロールに巻いたものを、光
磁気ディスクＤの表面に押しつけることにより表面研削
を行うのである。バックアップロールの硬度は、デュロ
メータ硬度で約50度以下がよい。これは50度を越える場
合、バックアップロールが固すぎて光磁気ディスクＤの
円周方向に研削むらが生じるためである。そこで、バッ
クアップロールのデュロメータ硬度を30度とし、ターン
テーブルの回転数を100 rpm 、バックアップロールの押
し圧を6kg/cm 2、ラッピングフィルムの送り速度を300m
m/min.として、ラッピングフィルムの粒度を#320〜#400
0 の範囲で変化させて、突起の最大高さが3 μm 以下と
なるように研削し、その後、CaTiO 3 製のフライングヘ
ッドを用いて、フライングヘッドの浮上試験及び吸着試
験を行った。この浮上試験は光磁気ディスクの回転数を
3600rpm 、ヘッド荷重を4gf で行い、光磁気ディスクＤ
とフライングヘッドとの接触音を確認したものである。
また、吸着試験は、光磁気ディスクＤの表面を結露させ
た状態でフライングヘッドを押し当てて、フライングヘ
ッドの光磁気ディスクＤへの吸着の有無を確認したもの
である。これら試験の結果、粒度が#1000 以下のラッピ
ングフィルムを用いて表面研削を施した光磁気ディスク
では、フライングヘッドの浮上時に接触音が発生するこ
とはなく、またフライングヘッドの吸着も認められなか
った。したがって、デュロメータ硬度で約50度以下のバ
ックアップロールに、粒度が#1000 以下のラッピングフ
ィルムを巻いて、これを樹脂保護層表面に押しつけて研
削すると最良であることが判明した。
しめた面を上にした光磁気ディスクＤを固定し、ラッピ
ングフィルムをバックアップロールに巻いたものを、光
磁気ディスクＤの表面に押しつけることにより表面研削
を行うのである。バックアップロールの硬度は、デュロ
メータ硬度で約50度以下がよい。これは50度を越える場
合、バックアップロールが固すぎて光磁気ディスクＤの
円周方向に研削むらが生じるためである。そこで、バッ
クアップロールのデュロメータ硬度を30度とし、ターン
テーブルの回転数を100 rpm 、バックアップロールの押
し圧を6kg/cm 2、ラッピングフィルムの送り速度を300m
m/min.として、ラッピングフィルムの粒度を#320〜#400
0 の範囲で変化させて、突起の最大高さが3 μm 以下と
なるように研削し、その後、CaTiO 3 製のフライングヘ
ッドを用いて、フライングヘッドの浮上試験及び吸着試
験を行った。この浮上試験は光磁気ディスクの回転数を
3600rpm 、ヘッド荷重を4gf で行い、光磁気ディスクＤ
とフライングヘッドとの接触音を確認したものである。
また、吸着試験は、光磁気ディスクＤの表面を結露させ
た状態でフライングヘッドを押し当てて、フライングヘ
ッドの光磁気ディスクＤへの吸着の有無を確認したもの
である。これら試験の結果、粒度が#1000 以下のラッピ
ングフィルムを用いて表面研削を施した光磁気ディスク
では、フライングヘッドの浮上時に接触音が発生するこ
とはなく、またフライングヘッドの吸着も認められなか
った。したがって、デュロメータ硬度で約50度以下のバ
ックアップロールに、粒度が#1000 以下のラッピングフ
ィルムを巻いて、これを樹脂保護層表面に押しつけて研
削すると最良であることが判明した。
【００１８】なお、樹脂保護層の上部層における突起密
度の制御は、上述の実施例に限定されるものではなく、
例えば樹脂の混入させるフィラーの平均粒径や上部層の
膜厚の調整によっても実現できる。また、樹脂保護層は
上述の実施例のように二層構造に限定されるものではな
く、種々の層構成を採ることができ、さらに光記録層は
少なくとも光磁気記録層を含む層を指し、周知の層構成
を採りうる。
度の制御は、上述の実施例に限定されるものではなく、
例えば樹脂の混入させるフィラーの平均粒径や上部層の
膜厚の調整によっても実現できる。また、樹脂保護層は
上述の実施例のように二層構造に限定されるものではな
く、種々の層構成を採ることができ、さらに光記録層は
少なくとも光磁気記録層を含む層を指し、周知の層構成
を採りうる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気デ
ィスクによれば、たとえ光磁気ディスク表面に結露が生
じるような悪条件下においても、フライングヘッドが光
磁気ディスク表面に吸着することが無く、常に安定した
フライングヘッドの浮上が期待できる信頼性の高い光磁
気ディスクが提供される。
ィスクによれば、たとえ光磁気ディスク表面に結露が生
じるような悪条件下においても、フライングヘッドが光
磁気ディスク表面に吸着することが無く、常に安定した
フライングヘッドの浮上が期待できる信頼性の高い光磁
気ディスクが提供される。
【図１】本発明に係る一実施例の光磁気ディスクの部分
断面図である。
断面図である。
１ ・・・ 基板 ２ ・・・ 光記
録層 ３ ・・・ 樹脂保護層 ４ ・・・ 下部
層 ５ ・・・ 上部層 ６ ・・・ フィ
ラー Ｄ ・・・ 光磁気ディスク
録層 ３ ・・・ 樹脂保護層 ４ ・・・ 下部
層 ５ ・・・ 上部層 ６ ・・・ フィ
ラー Ｄ ・・・ 光磁気ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】 情報の書き込みにフライングヘッドを使
用する光磁気ディスクであって、基板の一主面上に少な
くとも光記録層及び樹脂保護層を順次積層して成り、該
樹脂保護層の表面に高さ 0.5μm 以上で、かつ前記フラ
イングヘッドの浮上高さ未満の突起を 2個／mm2 以上の
密度で形成したことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16223093A JPH06338087A (ja) | 1993-03-31 | 1993-06-30 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7390493 | 1993-03-31 | ||
| JP5-73904 | 1993-03-31 | ||
| JP16223093A JPH06338087A (ja) | 1993-03-31 | 1993-06-30 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338087A true JPH06338087A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=26415045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16223093A Pending JPH06338087A (ja) | 1993-03-31 | 1993-06-30 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338087A (ja) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16223093A patent/JPH06338087A/ja active Pending
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