JPH06338562A - 半導体ウェーハのダイシング装置 - Google Patents
半導体ウェーハのダイシング装置Info
- Publication number
- JPH06338562A JPH06338562A JP12868193A JP12868193A JPH06338562A JP H06338562 A JPH06338562 A JP H06338562A JP 12868193 A JP12868193 A JP 12868193A JP 12868193 A JP12868193 A JP 12868193A JP H06338562 A JPH06338562 A JP H06338562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning water
- wafer
- dicing
- rotary blade
- washing water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハ（５）をダイシングして半導
体ペレットを製作する際に、半導体ウェーハ（５）の表
面に付着している切屑を洗浄除去する。 【構成】 ダイシング装置（20）の洗浄水ノズル（15）
（17）に穿設される洗浄水噴出孔（16）（18）の開口位
置をダイシング装置（20）の高さ方向に沿って多段階的
に変化させ、洗浄水の拡散範囲を半導体ウェーハ（５）
の表面全域に拡げる。また、洗浄水ノズルの一部（17）
を回転型とすることによって、洗浄水の拡散範囲を非回
転型の洗浄水ノズル（15）のみを使用した場合に比較し
て更に拡大させる。
体ペレットを製作する際に、半導体ウェーハ（５）の表
面に付着している切屑を洗浄除去する。 【構成】 ダイシング装置（20）の洗浄水ノズル（15）
（17）に穿設される洗浄水噴出孔（16）（18）の開口位
置をダイシング装置（20）の高さ方向に沿って多段階的
に変化させ、洗浄水の拡散範囲を半導体ウェーハ（５）
の表面全域に拡げる。また、洗浄水ノズルの一部（17）
を回転型とすることによって、洗浄水の拡散範囲を非回
転型の洗浄水ノズル（15）のみを使用した場合に比較し
て更に拡大させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハのダイシ
ング装置に関するものであり、詳細には、回転ブレード
で半導体ウェーハをペレット状にダイシングする際に発
生した切屑を半導体ウェーハの表面から洗浄除去する目
的で使用する洗浄ノズルの改良に関するものである。
ング装置に関するものであり、詳細には、回転ブレード
で半導体ウェーハをペレット状にダイシングする際に発
生した切屑を半導体ウェーハの表面から洗浄除去する目
的で使用する洗浄ノズルの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ等の半導体装置の製
造は、不純物の選択拡散等の工程により半導体ウェーハ
（以下、ウェーハと称す）に、格子状に多数の素子を一
括形成して行われている。素子を形成されたウェーハ
は、各素子部分毎に分割してペレット化される。このペ
レッタイズ方法は、ダイヤモンドカッタまたはレーザビ
ームを用いるスクライブ法と、回転ダイシング法を用い
るダイシング法とに大別される。前者のスクライブ法
は、予めダイヤモンドカッタまたはレーザビームを用
い、切断ラインに沿ってスクライブ溝を形成しておき、
この後、ウェーハに曲げ荷重を加えることによってスク
ライブ溝に沿って分割するものである。しかし、このス
クライブ法は、ウェーハがシリコン単結晶から形成され
ており劈開性を持っているため、破断面が結晶方向に沿
いウェーハ表面に対して傾斜するため、切断縁が鋭利な
形状となり、欠損し易い。この欠損は、特に集積度の高
い半導体装置または高耐圧を要求される半導体装置、例
えばＭＯＳ型ＩＣ等で特性に悪影響を及ぼす。
造は、不純物の選択拡散等の工程により半導体ウェーハ
（以下、ウェーハと称す）に、格子状に多数の素子を一
括形成して行われている。素子を形成されたウェーハ
は、各素子部分毎に分割してペレット化される。このペ
レッタイズ方法は、ダイヤモンドカッタまたはレーザビ
ームを用いるスクライブ法と、回転ダイシング法を用い
るダイシング法とに大別される。前者のスクライブ法
は、予めダイヤモンドカッタまたはレーザビームを用
い、切断ラインに沿ってスクライブ溝を形成しておき、
この後、ウェーハに曲げ荷重を加えることによってスク
ライブ溝に沿って分割するものである。しかし、このス
クライブ法は、ウェーハがシリコン単結晶から形成され
ており劈開性を持っているため、破断面が結晶方向に沿
いウェーハ表面に対して傾斜するため、切断縁が鋭利な
形状となり、欠損し易い。この欠損は、特に集積度の高
い半導体装置または高耐圧を要求される半導体装置、例
えばＭＯＳ型ＩＣ等で特性に悪影響を及ぼす。
【０００３】このため、最近のペレッタイズでは、後者
のダイシング法を採用し、回転ダイシングソウ（その本
体部分を以下、回転ブレードと称す）のみで、固定治具
にワックス等によって固定されたウェーハを表面から裏
面迄切断する、所謂、スルーカット法が多用されてい
る。
のダイシング法を採用し、回転ダイシングソウ（その本
体部分を以下、回転ブレードと称す）のみで、固定治具
にワックス等によって固定されたウェーハを表面から裏
面迄切断する、所謂、スルーカット法が多用されてい
る。
【０００４】このスルーカット法を実施するために使用
されているダイシング装置の従来例を図２に示して説明
する。同図において（１）は回転ダイシングソウであっ
て、環状ハブ（２）で回転ブレード（３）を一体に固定
した形状を有し、ハブ（２）が図示しない回転駆動源に
取付けられて定位置で高速回転（例えば30000rpm）する
ことによって回転ブレード（３）に切断力を発生させて
いる。（４）は回転ダイシングソウ（１）の下部に設け
られたＸ−Ｙテーブルで、その上面にウェーハ（５）を
ワックス（６）で固定した塩化ビニールシート（７）が
真空吸着されている。（８）（８）は回転ブレード
（３）の下部と一定間隔を置いて回転ブレード（３）を
両側から挟むように対設された冷却兼洗浄水の供給管路
で、その先端に接続され、Ｘ−Ｙテーブル（４）のウェ
ーハ（５）積載面と平行に延びる洗浄水ノズル（９）に
は、図２（Ａ）に点線で示すように、回転ブレード
（３）側に開口するように洗浄水の噴出構体として複数
のノズル孔（10）が所定の間隔を置いて単列配置で穿設
されている。（11）は回転ブレード（３）の冷却構体と
して後記ホイールカバー（13）に設けられた冷却水ノズ
ルで、回転ダイシングソウ（１）の回転軸と略同一高さ
で、回転ブレード（３）の周縁側から回転ブレード
（３）の回転方向に向けて配設され、回転ブレード
（３）の端縁に噴出中心を合わせて冷却水を噴射する。
この冷却水によってウェーハ（５）のダイシング時に、
ウェーハ（５）と常時接触して発熱する回転ブレード
（３）を冷却し、回転ブレード（３）の焼鈍に起因する
切削性の低下を防止している。（12）はシャワー水ノズ
ルで、Ｘ−Ｙテーブル（４）上に固定されているウェー
ハ（５）に上方からシャワー水を分散させながら注ぎ、
ウェーハ（５）上に生じる切屑等を洗い流す。（13）は
ホイールカバーで、回転ダイシングソウ（１）を覆い安
全性を確保すると共に、冷却水や洗浄水等の周辺への飛
散を防止する。
されているダイシング装置の従来例を図２に示して説明
する。同図において（１）は回転ダイシングソウであっ
て、環状ハブ（２）で回転ブレード（３）を一体に固定
した形状を有し、ハブ（２）が図示しない回転駆動源に
取付けられて定位置で高速回転（例えば30000rpm）する
ことによって回転ブレード（３）に切断力を発生させて
いる。（４）は回転ダイシングソウ（１）の下部に設け
られたＸ−Ｙテーブルで、その上面にウェーハ（５）を
ワックス（６）で固定した塩化ビニールシート（７）が
真空吸着されている。（８）（８）は回転ブレード
（３）の下部と一定間隔を置いて回転ブレード（３）を
両側から挟むように対設された冷却兼洗浄水の供給管路
で、その先端に接続され、Ｘ−Ｙテーブル（４）のウェ
ーハ（５）積載面と平行に延びる洗浄水ノズル（９）に
は、図２（Ａ）に点線で示すように、回転ブレード
（３）側に開口するように洗浄水の噴出構体として複数
のノズル孔（10）が所定の間隔を置いて単列配置で穿設
されている。（11）は回転ブレード（３）の冷却構体と
して後記ホイールカバー（13）に設けられた冷却水ノズ
ルで、回転ダイシングソウ（１）の回転軸と略同一高さ
で、回転ブレード（３）の周縁側から回転ブレード
（３）の回転方向に向けて配設され、回転ブレード
（３）の端縁に噴出中心を合わせて冷却水を噴射する。
この冷却水によってウェーハ（５）のダイシング時に、
ウェーハ（５）と常時接触して発熱する回転ブレード
（３）を冷却し、回転ブレード（３）の焼鈍に起因する
切削性の低下を防止している。（12）はシャワー水ノズ
ルで、Ｘ−Ｙテーブル（４）上に固定されているウェー
ハ（５）に上方からシャワー水を分散させながら注ぎ、
ウェーハ（５）上に生じる切屑等を洗い流す。（13）は
ホイールカバーで、回転ダイシングソウ（１）を覆い安
全性を確保すると共に、冷却水や洗浄水等の周辺への飛
散を防止する。
【０００５】上記ダイシング装置は、各ノズル（９）
（11）（12）から純水を噴出させながらＸ−Ｙテーブル
（４）を縦方向および横方向に動かし、ウェーハ（５）
に回転ブレード（３）を押し当てることによって、予め
設定された切断ラインに沿い所定のピッチ間隔でウェー
ハ（５）を分断し、目的とする半導体素子を取得してい
る。
（11）（12）から純水を噴出させながらＸ−Ｙテーブル
（４）を縦方向および横方向に動かし、ウェーハ（５）
に回転ブレード（３）を押し当てることによって、予め
設定された切断ラインに沿い所定のピッチ間隔でウェー
ハ（５）を分断し、目的とする半導体素子を取得してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すダイシング
装置を使用することによって、ウェーハ（５）の表面に
付着した切屑は可成りの程度迄洗浄除去される。しかし
ながら、近時のＴＡＢ式半導体装置に見られるように、
半導体素子が高い集積度を有し、電極間隔が狭い場合、
この部分に切屑が付着すると、特に微小の切屑の洗浄除
去がむづかしくなる。この原因としては種々考えられる
が最大の要因として図２に示す従来装置では、冷却水や
洗浄水の噴射位置が一定であるため、当該冷却水及び洗
浄水の拡散範囲が狭く、かつ、冷却水や洗浄水の噴射域
に一種のデッドスペースが形成されてしまうことが挙げ
られる。半導体素子の表面に洗い流されずに残ったＳｉ
の微細粒子が切屑として付着し、固化してしまうと、後
工程、例えばワイヤボンディング工程等でこれを取除く
ことは困難であるから、最終製品に耐圧不良や短絡等の
品質欠陥が発生する。
装置を使用することによって、ウェーハ（５）の表面に
付着した切屑は可成りの程度迄洗浄除去される。しかし
ながら、近時のＴＡＢ式半導体装置に見られるように、
半導体素子が高い集積度を有し、電極間隔が狭い場合、
この部分に切屑が付着すると、特に微小の切屑の洗浄除
去がむづかしくなる。この原因としては種々考えられる
が最大の要因として図２に示す従来装置では、冷却水や
洗浄水の噴射位置が一定であるため、当該冷却水及び洗
浄水の拡散範囲が狭く、かつ、冷却水や洗浄水の噴射域
に一種のデッドスペースが形成されてしまうことが挙げ
られる。半導体素子の表面に洗い流されずに残ったＳｉ
の微細粒子が切屑として付着し、固化してしまうと、後
工程、例えばワイヤボンディング工程等でこれを取除く
ことは困難であるから、最終製品に耐圧不良や短絡等の
品質欠陥が発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決手段とし
て本発明は、Ｘ−Ｙテーブル上に固定されたウェーハを
ダイシングする回転ブレードと、この回転ブレードに冷
却水を噴射する冷却水ノズルと、上記ウェーハのダイシ
ング時に発生した切屑をウェーハの表面から洗浄除去す
る洗浄水の噴射手段とを有するダイシング装置におい
て、上記洗浄水の噴射手段が、高さ方向に開口位置を異
ならせて多数の洗浄水噴出孔を穿設し、かつ、上記回転
ブレードの両側に所定の対向間隔を置いて対設され、ウ
ェーハ上の異なる位置に洗浄水を噴射する洗浄水ノズル
から構成されていることを特徴とする半導体ウェーハの
ダイシング装置を提供するものである。
て本発明は、Ｘ−Ｙテーブル上に固定されたウェーハを
ダイシングする回転ブレードと、この回転ブレードに冷
却水を噴射する冷却水ノズルと、上記ウェーハのダイシ
ング時に発生した切屑をウェーハの表面から洗浄除去す
る洗浄水の噴射手段とを有するダイシング装置におい
て、上記洗浄水の噴射手段が、高さ方向に開口位置を異
ならせて多数の洗浄水噴出孔を穿設し、かつ、上記回転
ブレードの両側に所定の対向間隔を置いて対設され、ウ
ェーハ上の異なる位置に洗浄水を噴射する洗浄水ノズル
から構成されていることを特徴とする半導体ウェーハの
ダイシング装置を提供するものである。
【０００８】上記洗浄水の噴射手段としては、回転ブレ
ードと反対側の管壁面に洗浄水の噴出孔を多数個、横方
向に所定ピッチで、かつ、高さ方向では２列以上に亘っ
て穿設した横長のノズル構体からなる非回転型洗浄水ノ
ズルや、回転ブレードの両側に所定の対向間隔を置き、
かつ、管路の軸線方向を縦向きにして対設された縦長の
ノズル構体からなる非回転型洗浄水ノズル、あるいは、
高さ方向に位置を異ならせて多数の洗浄水噴出孔を開口
させ、かつ、回転ブレードの両側に所定の対向間隔を置
き、軸線方向を縦向きにした状態で対設された縦長のノ
ズル構体からなる回転型洗浄水ノズルを使用する。
ードと反対側の管壁面に洗浄水の噴出孔を多数個、横方
向に所定ピッチで、かつ、高さ方向では２列以上に亘っ
て穿設した横長のノズル構体からなる非回転型洗浄水ノ
ズルや、回転ブレードの両側に所定の対向間隔を置き、
かつ、管路の軸線方向を縦向きにして対設された縦長の
ノズル構体からなる非回転型洗浄水ノズル、あるいは、
高さ方向に位置を異ならせて多数の洗浄水噴出孔を開口
させ、かつ、回転ブレードの両側に所定の対向間隔を置
き、軸線方向を縦向きにした状態で対設された縦長のノ
ズル構体からなる回転型洗浄水ノズルを使用する。
【０００９】
【作用】洗浄水ノズルの管壁面に高さ方向に開口位置を
異ならせて２列以上に亘って多数の洗浄水噴出孔を穿設
する。これらの噴出孔から噴出する洗浄水は、上記高さ
方向の開口位置の相違によって、回転ブレードによるダ
イシング点の近傍からウェーハの周縁部に及ぶ広い領域
で薄膜状に拡散し、ダイシングによって発生した切屑を
ウェーハの表面から洗い流す。洗浄水ノズルは非回転型
であってもよいが、回転型とすることによって洗浄水に
遠心力が働き、その拡散領域は一層広くなる。
異ならせて２列以上に亘って多数の洗浄水噴出孔を穿設
する。これらの噴出孔から噴出する洗浄水は、上記高さ
方向の開口位置の相違によって、回転ブレードによるダ
イシング点の近傍からウェーハの周縁部に及ぶ広い領域
で薄膜状に拡散し、ダイシングによって発生した切屑を
ウェーハの表面から洗い流す。洗浄水ノズルは非回転型
であってもよいが、回転型とすることによって洗浄水に
遠心力が働き、その拡散領域は一層広くなる。
【００１０】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の実施例を
説明する。尚、以下の記述において、従来技術を示す図
２と同一の構成部材は原則として同一の参照番号で表示
し、重複事項に関しては説明を省略する。
説明する。尚、以下の記述において、従来技術を示す図
２と同一の構成部材は原則として同一の参照番号で表示
し、重複事項に関しては説明を省略する。
【００１１】本発明に係るダイシング装置（20）は、Ｘ
−Ｙテーブル（４）上に固定されたウェーハ（５）を所
定寸法にダイシングする回転ブレード（３）と、この回
転ブレード（３）に冷却水を噴射する冷却水ノズル（1
1）と、ウェーハ（５）のダイシング時に、発生した切
屑をウェーハ（５）の表面から洗浄除去する洗浄水の噴
射手段から構成されている。
−Ｙテーブル（４）上に固定されたウェーハ（５）を所
定寸法にダイシングする回転ブレード（３）と、この回
転ブレード（３）に冷却水を噴射する冷却水ノズル（1
1）と、ウェーハ（５）のダイシング時に、発生した切
屑をウェーハ（５）の表面から洗浄除去する洗浄水の噴
射手段から構成されている。
【００１２】本発明の第１の実施例における洗浄水の噴
射手段は、高さ方向に開口位置（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）
を異ならせた横向きの多列配置で多数の洗浄水噴出孔
（16）（16）…を穿設し、かつ、回転ブレード（３）の
側面下方部分とそれぞれ所定の対向間隔を置いて２本１
組に対設された非回転型の洗浄水ノズル（15）（15）か
ら構成されている。洗浄水噴出孔（16）は、ウェーハ
（５）の表面全域に亘って広い洗浄水の拡散領域が形成
されるように洗浄水ノズル（15）の外側［回転ブレード
（３）と反対側］の管側壁面に開口位置の高さを異なら
せた多列配置で穿設されているが、回転ブレード（３）
によるダイシングポイントの近傍にも洗浄水が供給され
るようにするため、回転ブレード（３）の側面下方部分
と対向する洗浄水ノズル（15）の内側の管側壁面にも穿
設することが好ましい。この洗浄水ノズル（15）の内側
の管側壁面に穿設される洗浄水噴出孔（16）は、外側の
管側壁面に穿設されるものとは異なり、高さ方向に対し
て多列配置とする外、単列配置とすることもできる。
射手段は、高さ方向に開口位置（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）
を異ならせた横向きの多列配置で多数の洗浄水噴出孔
（16）（16）…を穿設し、かつ、回転ブレード（３）の
側面下方部分とそれぞれ所定の対向間隔を置いて２本１
組に対設された非回転型の洗浄水ノズル（15）（15）か
ら構成されている。洗浄水噴出孔（16）は、ウェーハ
（５）の表面全域に亘って広い洗浄水の拡散領域が形成
されるように洗浄水ノズル（15）の外側［回転ブレード
（３）と反対側］の管側壁面に開口位置の高さを異なら
せた多列配置で穿設されているが、回転ブレード（３）
によるダイシングポイントの近傍にも洗浄水が供給され
るようにするため、回転ブレード（３）の側面下方部分
と対向する洗浄水ノズル（15）の内側の管側壁面にも穿
設することが好ましい。この洗浄水ノズル（15）の内側
の管側壁面に穿設される洗浄水噴出孔（16）は、外側の
管側壁面に穿設されるものとは異なり、高さ方向に対し
て多列配置とする外、単列配置とすることもできる。
【００１３】本発明の第２の実施例において洗浄水の噴
射手段は、回転ブレード（３）の側面両側と所定の対向
間隔を置き、かつ、管路の軸線方向を縦向きにして対設
された２本１組の非回転型洗浄水ノズル（17）（17）か
ら構成されている。この縦向き洗浄水ノズル（17）（1
7）は、有底円筒状に成形されており、その側周壁面に
は略その全周に亘って高さ方向に開口位置（Ｌ4）（Ｌ
5）（Ｌ6）を異ならせた多孔配置で多数の洗浄水噴出孔
（18）（18）…が穿設されている。この洗浄水噴出孔
（18）は、洗浄水の噴射域にデッドスペースができない
ようにするため、必要に応じて洗浄水ノズル（17）（1
7）の底壁部分にも穿設することができる。また、洗浄
水ノズル（17）（17）は、図１（Ｂ）に二点鎖線で示す
ように、ダイシング条件に応じて回転ブレード（３）に
対する相対位置を上下方向に変化させることが可能であ
る。
射手段は、回転ブレード（３）の側面両側と所定の対向
間隔を置き、かつ、管路の軸線方向を縦向きにして対設
された２本１組の非回転型洗浄水ノズル（17）（17）か
ら構成されている。この縦向き洗浄水ノズル（17）（1
7）は、有底円筒状に成形されており、その側周壁面に
は略その全周に亘って高さ方向に開口位置（Ｌ4）（Ｌ
5）（Ｌ6）を異ならせた多孔配置で多数の洗浄水噴出孔
（18）（18）…が穿設されている。この洗浄水噴出孔
（18）は、洗浄水の噴射域にデッドスペースができない
ようにするため、必要に応じて洗浄水ノズル（17）（1
7）の底壁部分にも穿設することができる。また、洗浄
水ノズル（17）（17）は、図１（Ｂ）に二点鎖線で示す
ように、ダイシング条件に応じて回転ブレード（３）に
対する相対位置を上下方向に変化させることが可能であ
る。
【００１４】本発明の第３の実施例においては、上記第
２の実施例に示す洗浄水ノズル（17）（17）の上端にモ
ータ（19）（19）を取付け、洗浄水ノズル（17）（17）
を回転型の洗浄水噴射手段に形成している。
２の実施例に示す洗浄水ノズル（17）（17）の上端にモ
ータ（19）（19）を取付け、洗浄水ノズル（17）（17）
を回転型の洗浄水噴射手段に形成している。
【００１５】回転ブレード（３）でウェーハ（５）をダ
イシングする際に、上記第１乃至第３の実施例に示す洗
浄水ノズル（15）（17）から洗浄水を噴出させ、これに
よってウェーハ（５）の表面に付着している切屑を洗い
流す。洗浄水ノズル（15）は非回転型の洗浄水噴出手段
として機能し、洗浄水ノズル（17）は非回転型または回
転型の洗浄水噴出手段として機能するが、何れも洗浄水
噴出孔（16）（18）の開口位置（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）
または（Ｌ4）（Ｌ5）（Ｌ6）を高さ方向に沿って変化
させることによって、洗浄水がウェーハ（５）上の異な
る位置に噴射される広い洗浄領域を持ったダイシング装
置（20）が形成される。この際、洗浄水ノズル（17）
（17）を回転型にすると、洗浄水に高速回転に起因する
遠心力が作用する。これによって、洗浄水はより広い範
囲に拡散し、切屑の洗い流しに寄与する。
イシングする際に、上記第１乃至第３の実施例に示す洗
浄水ノズル（15）（17）から洗浄水を噴出させ、これに
よってウェーハ（５）の表面に付着している切屑を洗い
流す。洗浄水ノズル（15）は非回転型の洗浄水噴出手段
として機能し、洗浄水ノズル（17）は非回転型または回
転型の洗浄水噴出手段として機能するが、何れも洗浄水
噴出孔（16）（18）の開口位置（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）
または（Ｌ4）（Ｌ5）（Ｌ6）を高さ方向に沿って変化
させることによって、洗浄水がウェーハ（５）上の異な
る位置に噴射される広い洗浄領域を持ったダイシング装
置（20）が形成される。この際、洗浄水ノズル（17）
（17）を回転型にすると、洗浄水に高速回転に起因する
遠心力が作用する。これによって、洗浄水はより広い範
囲に拡散し、切屑の洗い流しに寄与する。
【００１６】
【発明の効果】洗浄水噴出孔（16）（16）、（18）（1
8）の開口位置をダイシング装置（20）の高さ方向に沿
って多段階的に変化させることによって、ウェーハ
（５）の表面に広い洗浄水の拡散域が確保される。洗浄
水ノズル（17）を回転型にした場合には、非回転型の洗
浄水ノズル（15）（15）のみを使用した場合に比較し
て、洗浄水の拡散域が更に広くなる。この結果、ダイシ
ングによって発生した切屑がウェーハ（５）の表面から
略完全に除去され、不十分な洗浄に起因する耐圧不良や
短絡等の品質欠陥が未然に回避される。
8）の開口位置をダイシング装置（20）の高さ方向に沿
って多段階的に変化させることによって、ウェーハ
（５）の表面に広い洗浄水の拡散域が確保される。洗浄
水ノズル（17）を回転型にした場合には、非回転型の洗
浄水ノズル（15）（15）のみを使用した場合に比較し
て、洗浄水の拡散域が更に広くなる。この結果、ダイシ
ングによって発生した切屑がウェーハ（５）の表面から
略完全に除去され、不十分な洗浄に起因する耐圧不良や
短絡等の品質欠陥が未然に回避される。
【図１】（Ａ）は本発明に係るダイシング装置の正面図
である。（Ｂ）は本発明に係るダイシング装置の側面図
である。
である。（Ｂ）は本発明に係るダイシング装置の側面図
である。
【図２】（Ａ）は従来型ダイシング装置の正面図であ
る。（Ｂ）は従来型ダイシング装置の側面図である。
る。（Ｂ）は従来型ダイシング装置の側面図である。
１ 回転ダイシングソウ ３ 回転ブレード ４ Ｘ−Ｙテーブル ５ ウェーハ 15 洗浄水ノズル 16 洗浄水噴出孔 17 洗浄水ノズル 18 洗浄水噴出孔 20 ダイシング装置
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｘ−Ｙテーブル上に固定された半導体ウ
ェーハをダイシングする回転ブレードと、この回転ブレ
ードに冷却水を噴射する冷却水ノズルと、上記ウェーハ
のダイシング時に発生した切屑をウェーハの表面から洗
浄除去する洗浄水の噴射手段とを有するダイシング装置
において、 上記洗浄水の噴射手段が、高さ方向に開口位置を異なら
せて多数の洗浄水噴出孔を開口し、かつ、上記回転ブレ
ードの両側に所定の対向間隔を置いて対設され、ウェー
ハ上の異なる位置に洗浄水を噴射する洗浄水ノズルから
構成されていることを特徴とする半導体ウェーハのダイ
シング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄水の噴射手段が、回
転ブレードと反対側の管側壁面に横方向に、かつ、高さ
方向に多列に亘って多数の噴出孔を開口し、軸線方向を
横向きにした状態で上記回転ブレードの両側に所定の対
向間隔を置いて対設された横長の洗浄水ノズルから構成
されていることを特徴とする半導体ウェーハのダイシン
グ装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の洗浄水の噴射手段が、上
記回転ブレードの両側に所定の対向間隔を置き、かつ、
管路の軸線方向を縦向きにして対設された洗浄水ノズル
から構成されていることを特徴とする半導体ウェーハの
ダイシング装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の洗浄水の噴射手段が、高
さ方向に開口位置を異ならせて多数の洗浄水噴出孔を開
口し、かつ、上記回転ブレードの両側に所定の対向間隔
を置き、軸線方向を縦向きにした状態で回転可能に対設
された洗浄水ノズルから構成されていることを特徴とす
る半導体ウェーハのダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12868193A JPH06338562A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12868193A JPH06338562A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338562A true JPH06338562A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14990809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12868193A Withdrawn JPH06338562A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12868193A patent/JPH06338562A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6105567A (en) | Wafer sawing apparatus having washing solution spray and suction devices for debris removal and heat dissipation | |
| US4016855A (en) | Grinding method | |
| KR100877276B1 (ko) | 기판처리장치, 액막동결방법 및 기판처리방법 | |
| US10475638B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium having stored thereon substrate processing program | |
| JP6061710B2 (ja) | 樹脂被覆装置 | |
| US7057136B2 (en) | Finishing machine using laser beam | |
| US5956596A (en) | Method of forming and cleaning a laser marking region at a round zone of a semiconductor wafer | |
| US6018884A (en) | Air blow apparatus for a semiconductor wafer | |
| JP2002075919A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JPH04240749A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPH06338562A (ja) | 半導体ウェーハのダイシング装置 | |
| JP2002224929A (ja) | 板状被加工物の切削装置 | |
| JP2001168067A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPH06275712A (ja) | ダイシング装置 | |
| JP2001345287A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4481668B2 (ja) | 切削装置 | |
| JP2008218664A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JP4243364B2 (ja) | 切削方法 | |
| JP2943212B2 (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 | |
| JPH03181148A (ja) | ダイシング方法 | |
| JP6823528B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JPH03157954A (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 | |
| JP3338544B2 (ja) | 乾燥方法及び乾燥装置 | |
| RU2795297C1 (ru) | Способ и устройство для травления заготовки | |
| JP2572354Y2 (ja) | ダイシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |