JPS6167971A - Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド - Google Patents

Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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Publication number
JPS6167971A
JPS6167971A JP59189892A JP18989284A JPS6167971A JP S6167971 A JPS6167971 A JP S6167971A JP 59189892 A JP59189892 A JP 59189892A JP 18989284 A JP18989284 A JP 18989284A JP S6167971 A JPS6167971 A JP S6167971A
Authority
JP
Japan
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pellet
glass
light emitting
emitting diode
glass tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59189892A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Ochiai
落合　康彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6167971A publication Critical patent/JPS6167971A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＤＨＤ型発光発光ダイオードする。
（従来の技術） 従来、発光ダイオードには多くの構造のものがあるが、
その一つにＤＨＤ　（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｈｅａｔｓｉｎｋ
Ｄｉｏｄｅ　）型で構成されたものがある。
第２図は従来のＤＨＤ型発光発光ダイオード例の断面図
である。
発光ダイオードのペレット１は一対の外部導出リード２
ａ、２ｂにより挟着され、ガラス管３にて気密封上堰れ
るが、このとき、封止雰囲気である窒素を満たし九封止
空間４がペレットとガラスとの間に生じる。ペレットの
屈折率が例えばＧａＰの場合、Ｚ９と高いため臨界角が
２０’と小さくなりそれ以上の内置で結晶表面に入射さ
れる光子は全反射により結晶内部へ反射される。一方、
結晶自身の内部吸収が高い九め、再び光子が結晶外部へ
放出される機会が少なくなる。ま九、活性領域で発生し
た光子は、ガラス外部へ放出されるまでに、ペレット−
窒素雰囲気、窒素雰囲気−ガラス間の２ケ所にて屈折率
による影響を受ける。　　　　゛（発明が解決しようと
する問題点） 以上説明したように、従来のＤＨＤ型発光発光ダイオー
ド外部へ放出される光子が少なくなり、外部量子効率を
低下させるという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、高い外部量子効率
を有するＤＨＤＷ発光ダイオードを提供することにある
。
（問題点を解決する九めの手段） 本発明のＤＨＤ型発光発光ダイオード一つの活性領域を
有する■−■族化合物半導体から成るペレットｉ一対の
外部導出リード間に挟着し、ガラス管にて気密封止して
なるＤＨＤ型発光発光ダイオードいて、前記ガラス管に
て前記ペレットの少くとも側面を覆うことを特徴として
構成される。
（実施例） 次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
発光ダイオードのペレット１は一対の外部導出リード２
ａ、２ｂにより挟着され、ガラス管５にて気密封止され
る。ガラスを封止する工程において、少なくとも１．５
　ｋｇ／ｃｆｆ１以上の圧力を加えることでガラス５に
てペレットｌの周囲、特に側面を覆うことができ、従来
存在してい友空間４ｔ−小さくすることができる。
一方、ガラスの屈折率は１．５程度であるので、ペレッ
トとの屈折率の整合を助けることが出来る。
また、活性領域で発生した光子は、ガラス外部へ放出さ
れるまでにペレット−ガラス間の１箇所のみ屈折率の違
いによる影響を受けるだけとなり、効率良くガラス外部
へ放出することができる。上記実施例ではＧａＰベレッ
トの例をあげたが、その他の■−■族化合物半導体、例
えばＧａＡｓＰであっても良い。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明は、発光ダイオードのペレ
ットの周囲、特に側面を覆うようにしたので、屈折率の
整合を助け、臨界角ｔ−３１’程度にすることができ、
結晶内部への反射率を下げることができ、外部量子効率
を改善したＤＨＤ型発光発光ダイオードることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来のＤ
ＨＤ型発光発光ダイオード例の断面図である。 １・・・・・・発光ダイオードのペレット、２ｍ、２ｂ
・・・・・・外部導出リード、３・・・・・・ガラス管
、４・・・・・・封止空間、５・・・・・・ガラス管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　一つの活性領域を有するIII−Ｖ族化合物半導体から
    成るペレットを一対の外部導出リード間に挟着し、ガラ
    ス管にて気密封止してなるＤＨＤ型発光ダイオードにお
    いて、前記ガラス管にて前記ペレットの少くとも側面を
    覆うことを特徴とするＤＨＤ型発光ダイオード。
JP59189892A 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド Pending JPS6167971A (ja)

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JP59189892A JPS6167971A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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JP59189892A JPS6167971A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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JP59189892A Pending JPS6167971A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791181B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device
US6911678B2 (en) * 2003-05-30 2005-06-28 Stanley Electric Co., Ltd. Glass-sealed light-emitting diode
EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device

Cited By (3)

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EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device
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