JPH06340736A - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents
ポリカーボネートの製造方法Info
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- JPH06340736A JPH06340736A JP5130485A JP13048593A JPH06340736A JP H06340736 A JPH06340736 A JP H06340736A JP 5130485 A JP5130485 A JP 5130485A JP 13048593 A JP13048593 A JP 13048593A JP H06340736 A JPH06340736 A JP H06340736A
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- polycarbonate
- carbonate
- carbon atoms
- alkyl group
- linear
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温安定性及び溶融成形性に優れたポリカー
ボネートを提供する。 【構成】 本発明は、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステルとを触媒の存在下溶融重縮合してポリカーボ
ネートを製造するに際して下記式（ａ）で表わされるア
ルキルスルホン酸エステル ［式中、Ｒ1 は、炭素数１〜２０の線状もしくは分岐状
のアルキル基、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜２０の
線状もしくは分岐状のアルキル基を表わす。］を存在せ
しめることを特徴とするポリカーボネートの製造方法で
ある。
ボネートを提供する。 【構成】 本発明は、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステルとを触媒の存在下溶融重縮合してポリカーボ
ネートを製造するに際して下記式（ａ）で表わされるア
ルキルスルホン酸エステル ［式中、Ｒ1 は、炭素数１〜２０の線状もしくは分岐状
のアルキル基、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜２０の
線状もしくは分岐状のアルキル基を表わす。］を存在せ
しめることを特徴とするポリカーボネートの製造方法で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリカーボネートの製造
方法に関するものであり、更に詳しくは高温安定性に優
れかつ溶融成形性に優れたポリカーボネートの製造方法
に関する。
方法に関するものであり、更に詳しくは高温安定性に優
れかつ溶融成形性に優れたポリカーボネートの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネートは耐衝撃性等の機械的
物性や透明性に優れており種々の用途を有する。ポリカ
ーボネートの製造方法としてはジヒドロキシ化合物とホ
スゲンを直接反応させる界面法、あるいはジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとを加熱減圧下エステル交換反
応させる溶融法などが知られている。
物性や透明性に優れており種々の用途を有する。ポリカ
ーボネートの製造方法としてはジヒドロキシ化合物とホ
スゲンを直接反応させる界面法、あるいはジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとを加熱減圧下エステル交換反
応させる溶融法などが知られている。
【０００３】これらのうち、後者は、前者界面法と比較
して安価にポリカーボネートを製造することができると
いう利点を有するとともに、メチレンクロライド等の溶
媒を用いないので環境上好ましい。
して安価にポリカーボネートを製造することができると
いう利点を有するとともに、メチレンクロライド等の溶
媒を用いないので環境上好ましい。
【０００４】従来の溶融法によるポリカーボネートの製
造方法では、通常、触媒としてアルカリ金属化合物、ア
ルカリ土類金属化合物などを、芳香族ジヒドロキシ化合
物１モルに対して、１０-3〜１０-6モルの量で用いてい
る。しかしながら、このような触媒量を用いて得られる
ポリカーボネートでは、溶融安定性に欠け、すなわち、
ポリカーボネートを溶融成形する時にその一部が熱分解
することがあり、分子量が低下したり、着色したり、透
明性が低下するという問題がある。
造方法では、通常、触媒としてアルカリ金属化合物、ア
ルカリ土類金属化合物などを、芳香族ジヒドロキシ化合
物１モルに対して、１０-3〜１０-6モルの量で用いてい
る。しかしながら、このような触媒量を用いて得られる
ポリカーボネートでは、溶融安定性に欠け、すなわち、
ポリカーボネートを溶融成形する時にその一部が熱分解
することがあり、分子量が低下したり、着色したり、透
明性が低下するという問題がある。
【０００５】特開昭６３―５１４２９号公報には、トル
エンスルホン酸フェニル等のスルホン酸エステルを用い
て高温安定性に優れたポリカーボネートの製造方法が提
案されているが、記載されているスルホン酸エステルは
芳香族スルホン酸フェニルエステルであるため、得られ
るポリカーボネートは高温安定性には優れるが溶融成形
性の向上には何ら寄与していない。このため、高温安定
性に優れ、かつ熔融成形性に優れたポリカーボネートの
製造方法の出現が望まれている。
エンスルホン酸フェニル等のスルホン酸エステルを用い
て高温安定性に優れたポリカーボネートの製造方法が提
案されているが、記載されているスルホン酸エステルは
芳香族スルホン酸フェニルエステルであるため、得られ
るポリカーボネートは高温安定性には優れるが溶融成形
性の向上には何ら寄与していない。このため、高温安定
性に優れ、かつ熔融成形性に優れたポリカーボネートの
製造方法の出現が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、このよ
うなポリカーボネートの製造方法について研究した結
果、上記式（ａ）で示される有機化合物を添加すること
によって高温安定性、熔融成形性共に優れるポリカーボ
ネートを製造することができることを見出して本発明を
完成するに至った。
うなポリカーボネートの製造方法について研究した結
果、上記式（ａ）で示される有機化合物を添加すること
によって高温安定性、熔融成形性共に優れるポリカーボ
ネートを製造することができることを見出して本発明を
完成するに至った。
【０００７】それゆえ本発明の１つの目的は高温安定性
に優れ、かつ熔融成形性に優れたポリカーボネートを製
造する方法を提供することを目的としている。本発明の
さらに他の目的は以下の説明から明らかとなろう。
に優れ、かつ熔融成形性に優れたポリカーボネートを製
造する方法を提供することを目的としている。本発明の
さらに他の目的は以下の説明から明らかとなろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを触媒の存在
下、溶融重縮合してポリカーボネートを製造するに際し
て、下記式（ａ）で表わされるアルキルスルホン酸エス
テル
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを触媒の存在
下、溶融重縮合してポリカーボネートを製造するに際し
て、下記式（ａ）で表わされるアルキルスルホン酸エス
テル
【０００９】
【化２】
【００１０】［式中、Ｒ1 は、炭素数１〜２０の線状も
しくは分岐状のアルキル基、Ｒ2 は水素原子または炭素
数１〜２０の線状もしくは分岐状のアルキル基を表わ
す。］を存在せしめることを特徴とするポリカーボネー
トの製造方法である。
しくは分岐状のアルキル基、Ｒ2 は水素原子または炭素
数１〜２０の線状もしくは分岐状のアルキル基を表わ
す。］を存在せしめることを特徴とするポリカーボネー
トの製造方法である。
【００１１】本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化
合物は、下記式（ｂ）で示される化合物である。
合物は、下記式（ｂ）で示される化合物である。
【００１２】
【化３】
【００１３】式中、Ｘは
【００１４】
【化４】
【００１５】Ｒ5 、Ｒ6 は、同一または異なり、水素原
子、炭素数１〜５のアルキル基もしくは炭素数６〜１０
の置換されていてもよいアリール基を示す。アルキル基
としてメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ
る。アリール基としてフェニル基が挙げられる。
子、炭素数１〜５のアルキル基もしくは炭素数６〜１０
の置換されていてもよいアリール基を示す。アルキル基
としてメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ
る。アリール基としてフェニル基が挙げられる。
【００１６】Ｒ7 は炭素数３〜８のアルキレン基であ
る。アルキレン基として、ペンチレン基、ヘキシレン基
等が挙げられる。
る。アルキレン基として、ペンチレン基、ヘキシレン基
等が挙げられる。
【００１７】Ｒ3 、Ｒ4 は同一または異なり、ハロゲン
原子もしくは炭素数１〜５のアルキル基を示す。ハロゲ
ン原子としては塩素、臭素等が挙げられる。アルキル基
としてはメチル基、ｔ―ブチル基等が挙げられる。
原子もしくは炭素数１〜５のアルキル基を示す。ハロゲ
ン原子としては塩素、臭素等が挙げられる。アルキル基
としてはメチル基、ｔ―ブチル基等が挙げられる。
【００１８】ｍ、ｎは同一または異なり、０、１または
２である。
２である。
【００１９】具体的には、ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）
エタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、ビス（４―ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、
２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３―メチルフェニル）
プロパン、１，１―ビス（４―ヒドロキシ―ｔ―ブチル
フェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―
３―ブロモフェニル）プロパンなどのビス（ヒドロキシ
アリール）アルカン類、１，１―ビス（４―ヒドロキシ
フェニル）シクロペンタン、１，１―ビス（４―ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシ
アリール）シクロアルカン類、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルフェニルエーテルなどのジヒドロキシア
リールエーテル類、４，４′―ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキシジアリー
ルスルフィド類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルス
ルホキシド、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルホキシドなどのジヒドロキシジアリ
ールスルホキシド類、４，４′―ジヒドロキシジフェニ
ルスルホン、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルホンなどのジヒドロキシジアリール
スルホン類などが用いられる。これらのうちでは、特に
２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパンが好
ましい。
ル）メタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）
エタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、ビス（４―ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、
２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３―メチルフェニル）
プロパン、１，１―ビス（４―ヒドロキシ―ｔ―ブチル
フェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―
３―ブロモフェニル）プロパンなどのビス（ヒドロキシ
アリール）アルカン類、１，１―ビス（４―ヒドロキシ
フェニル）シクロペンタン、１，１―ビス（４―ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシ
アリール）シクロアルカン類、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルフェニルエーテルなどのジヒドロキシア
リールエーテル類、４，４′―ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキシジアリー
ルスルフィド類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルス
ルホキシド、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルホキシドなどのジヒドロキシジアリ
ールスルホキシド類、４，４′―ジヒドロキシジフェニ
ルスルホン、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメ
チルジフェニルスルホンなどのジヒドロキシジアリール
スルホン類などが用いられる。これらのうちでは、特に
２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパンが好
ましい。
【００２０】本発明で用いられる炭酸ジエステルとして
は、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール、
アラアルキル、炭素数１〜５のアルキル、炭素数３〜８
のシクロアルキル等のエステルが挙げられる。
は、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール、
アラアルキル、炭素数１〜５のアルキル、炭素数３〜８
のシクロアルキル等のエステルが挙げられる。
【００２１】具体的には、ジフェニルカーボネート、ジ
トリールカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボ
ネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネ
ート、ジシクロヘキシルカーボネートなどが用いられ
る。これらのうちでは、特にジフェニルカーボネートが
好ましい。
トリールカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボ
ネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネ
ート、ジシクロヘキシルカーボネートなどが用いられ
る。これらのうちでは、特にジフェニルカーボネートが
好ましい。
【００２２】またこれらの炭酸ジエステルは、ジカルボ
ン酸あるいはジカルボン酸エステルを含有していてもよ
い。このようなジカルボン酸あるいはジカルボン酸エス
テルとしては、特に炭素数の制限はなく、具体的には、
テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジフェニルなどが例示できる。
ン酸あるいはジカルボン酸エステルを含有していてもよ
い。このようなジカルボン酸あるいはジカルボン酸エス
テルとしては、特に炭素数の制限はなく、具体的には、
テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジフェニルなどが例示できる。
【００２３】上記のようなジカルボン酸あるいはジカル
ボン酸エステルを炭酸ジエステルと併用した場合には、
ポリエステルポリカーボネートが得られるが、本発明の
ポリカーボネートの製造方法には、このポリエステルポ
リカーボネートの製造方法も含まれる。
ボン酸エステルを炭酸ジエステルと併用した場合には、
ポリエステルポリカーボネートが得られるが、本発明の
ポリカーボネートの製造方法には、このポリエステルポ
リカーボネートの製造方法も含まれる。
【００２４】炭酸ジエステルの使用量としては上記芳香
族ジヒドロキシ化合物（ｂ）に対し８０〜３００モル
％、好ましくは９０〜２８０モル％、特に好ましくは１
００〜２５０モル％の範囲で用いられることが望まし
い。
族ジヒドロキシ化合物（ｂ）に対し８０〜３００モル
％、好ましくは９０〜２８０モル％、特に好ましくは１
００〜２５０モル％の範囲で用いられることが望まし
い。
【００２５】本発明で用いられるアルキルスルホン酸エ
ステルは下記式（ａ）で表わされ、
ステルは下記式（ａ）で表わされ、
【００２６】
【化５】
【００２７】式中、Ｒ1 は炭素数１〜２０の線状もしく
は分岐状のアルキル基である。好ましくは、炭素数１〜
１０の線状もしくは分岐状のアルキル基である。Ｒ
2 は、水素原子または炭素数１〜２０の線状もしくは分
岐状のアルキル基である。アルキル基として、炭素数１
〜１０のものが好ましい。
は分岐状のアルキル基である。好ましくは、炭素数１〜
１０の線状もしくは分岐状のアルキル基である。Ｒ
2 は、水素原子または炭素数１〜２０の線状もしくは分
岐状のアルキル基である。アルキル基として、炭素数１
〜１０のものが好ましい。
【００２８】具体的には、メチルスルホン酸フェニル、
エチルスルホン酸フェニル、ｎ―プロピルスルホン酸フ
ェニル、ｉ―プロピルスルホン酸フェニル、ｎ―ブチル
スルホン酸フェニル、ｉ―ブチルスルホン酸フェニル、
ｔ―ブチルスルホン酸フェニル、ｎ―ペンチルスルホン
酸フェニル、ｉ―ペンチルスルホン酸フェニル、ネオペ
ンチルスルホン酸フェニルなどが用いられる。
エチルスルホン酸フェニル、ｎ―プロピルスルホン酸フ
ェニル、ｉ―プロピルスルホン酸フェニル、ｎ―ブチル
スルホン酸フェニル、ｉ―ブチルスルホン酸フェニル、
ｔ―ブチルスルホン酸フェニル、ｎ―ペンチルスルホン
酸フェニル、ｉ―ペンチルスルホン酸フェニル、ネオペ
ンチルスルホン酸フェニルなどが用いられる。
【００２９】上記式（ａ）で表わされるアルキルスルホ
ン酸エステルの使用量としては、上記芳香族ジヒドロキ
シ化合物に対し、１０-6〜１０-1モル％、好ましくは１
０-5〜１０-2モル％の範囲で使用しうる。上記範囲を逸
脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響
を及ぼしたり、また高分子量のポリカーボネートが得ら
れない等の問題があり好ましくない。上記アルキルスル
ホン酸エステルの添加時期としては、反応開始時の一括
仕込みに限定されず、反応に添加もしくは逐次添加して
いくことも好ましく実施しうる。
ン酸エステルの使用量としては、上記芳香族ジヒドロキ
シ化合物に対し、１０-6〜１０-1モル％、好ましくは１
０-5〜１０-2モル％の範囲で使用しうる。上記範囲を逸
脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響
を及ぼしたり、また高分子量のポリカーボネートが得ら
れない等の問題があり好ましくない。上記アルキルスル
ホン酸エステルの添加時期としては、反応開始時の一括
仕込みに限定されず、反応に添加もしくは逐次添加して
いくことも好ましく実施しうる。
【００３０】また本発明に使用される触媒としては特に
制限はなく、重合反応を速やかに進行せしめるものであ
ればよいが、例えば（ｉ）アルカリ金属化合物として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素
リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウ
ム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ス
テアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステア
リン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ
素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナ
トリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン
酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸水
素ジリチウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、ジ
カリウム塩、ジリチウム塩、フェノールのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。
制限はなく、重合反応を速やかに進行せしめるものであ
ればよいが、例えば（ｉ）アルカリ金属化合物として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素
リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウ
ム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ス
テアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステア
リン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ
素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナ
トリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン
酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸水
素ジリチウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、ジ
カリウム塩、ジリチウム塩、フェノールのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。
【００３１】（ii）アルカリ土類金属化合物としては、
具体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸
化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭
酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カル
シウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロ
ンチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリ
ウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロ
ンチウムなどが挙げられる。
具体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸
化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭
酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カル
シウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロ
ンチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリ
ウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロ
ンチウムなどが挙げられる。
【００３２】（iii ）水素化第四アンモニウム化合物と
しては、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｍｅ4 ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Ｅｔ4 ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウ
ムヒドロキシド（Ｂｕ4 ＮＯＨ）、トリメチルベンジル
アンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
しては、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｍｅ4 ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Ｅｔ4 ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウ
ムヒドロキシド（Ｂｕ4 ＮＯＨ）、トリメチルベンジル
アンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
【００３３】これらの触媒は１種または２種以上を併用
することもできる。
することもできる。
【００３４】上記触媒の使用量としては、上記芳香族ジ
ヒドロキシ化合物に対し１０-6〜１０モル％、好ましく
は１０-5〜１モル％、特に好ましくは１０-4〜１０-1モ
ル％の範囲で使用しうる。上記使用範囲を逸脱すると、
得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼした
り、また、重縮合反応が十分に進行せず高分子量のポリ
カーボネートが得られない等の問題があり好ましくな
い。
ヒドロキシ化合物に対し１０-6〜１０モル％、好ましく
は１０-5〜１モル％、特に好ましくは１０-4〜１０-1モ
ル％の範囲で使用しうる。上記使用範囲を逸脱すると、
得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼした
り、また、重縮合反応が十分に進行せず高分子量のポリ
カーボネートが得られない等の問題があり好ましくな
い。
【００３５】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとの重縮合反応は、従来知られている芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応条件と同様
な条件下で行うことができるが、具体的には、第一段目
の反応を８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２４０
℃、さらに好ましくは１２０〜２３０℃の温度で０〜５
時間、好ましくは０〜４時間、さらに好ましくは０．２
５〜３時間常圧で、両者を反応させる。次いで反応系を
減圧にしながら反応温度を高めて芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとの反応を行い、最終的には１ｍ
ｍＨｇ以下の減圧下で２００〜３２０℃の温度で芳香族
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応を
行う。
ルとの重縮合反応は、従来知られている芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応条件と同様
な条件下で行うことができるが、具体的には、第一段目
の反応を８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２４０
℃、さらに好ましくは１２０〜２３０℃の温度で０〜５
時間、好ましくは０〜４時間、さらに好ましくは０．２
５〜３時間常圧で、両者を反応させる。次いで反応系を
減圧にしながら反応温度を高めて芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとの反応を行い、最終的には１ｍ
ｍＨｇ以下の減圧下で２００〜３２０℃の温度で芳香族
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応を
行う。
【００３６】上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよくまた
バッチ式で行ってもよい。また上記の反応を行うに際し
て用いられる反応装置は、槽型であっても管型であって
も塔型であってもよい。
炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよくまた
バッチ式で行ってもよい。また上記の反応を行うに際し
て用いられる反応装置は、槽型であっても管型であって
も塔型であってもよい。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとを触媒存在下溶融重縮合してポ
リカーボネートを製造するに際して、上記アルキルスル
ホン酸エステルを用いることにより高温安定性に優れ、
かつ溶融成形性に優れたポリカーボネートを製造するこ
とができる。
合物と炭酸ジエステルとを触媒存在下溶融重縮合してポ
リカーボネートを製造するに際して、上記アルキルスル
ホン酸エステルを用いることにより高温安定性に優れ、
かつ溶融成形性に優れたポリカーボネートを製造するこ
とができる。
【００３８】以下実施例を挙げて本発明を説明するが本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３９】
【実施例１及び２、比較例１及び２】２，２―ビス（４
―ヒドロキシフェニル）プロパン１３７ｇ（０．６モ
ル）、ジフェニルカーボネート１３５ｇ（０．６３モ
ル）、触媒の所定量及びスルホン酸エステルの所定量を
加えて１８０℃、Ｎ2 雰囲気下３０分間攪拌し溶解し
た。
―ヒドロキシフェニル）プロパン１３７ｇ（０．６モ
ル）、ジフェニルカーボネート１３５ｇ（０．６３モ
ル）、触媒の所定量及びスルホン酸エステルの所定量を
加えて１８０℃、Ｎ2 雰囲気下３０分間攪拌し溶解し
た。
【００４０】次に同温度で１００ｍｍＨｇの減圧下とし
３０分間反応させ、更に３０ｍｍＨｇの減圧下３０分間
反応させた。これを２９０℃に昇温し、０．５ｍｍＨｇ
の減圧下６０分間反応させた。得られたポリマー及び熱
老化後のＩＶ及びＭＦＲを表１に示す。
３０分間反応させ、更に３０ｍｍＨｇの減圧下３０分間
反応させた。これを２９０℃に昇温し、０．５ｍｍＨｇ
の減圧下６０分間反応させた。得られたポリマー及び熱
老化後のＩＶ及びＭＦＲを表１に示す。
【００４１】表１中のＩＶ、ＭＦＲ、熱老化は下記の要
領で試験した。 ＩＶ ：塩化メチレン中、２０℃で測定した。 熱老化：３２０℃で１５分間熱老化させた。 ＭＦＲ：ＪＩＳ Ｋ―７２１０の方法に準拠した。
領で試験した。 ＩＶ ：塩化メチレン中、２０℃で測定した。 熱老化：３２０℃で１５分間熱老化させた。 ＭＦＲ：ＪＩＳ Ｋ―７２１０の方法に準拠した。
【００４２】比較として、スルホン酸エステルを用いな
いものを行ったが（比較例１）、熱老化後のＭＦＲの上
昇が見られ、高温安定性に劣っていることがわかった。
また、アリールスルホン酸エステルを用いたものを行っ
たが（比較例２）、初期物性におけるＭＦＲの値が小さ
く、溶融成形性が劣っていることがわかった。
いものを行ったが（比較例１）、熱老化後のＭＦＲの上
昇が見られ、高温安定性に劣っていることがわかった。
また、アリールスルホン酸エステルを用いたものを行っ
たが（比較例２）、初期物性におけるＭＦＲの値が小さ
く、溶融成形性が劣っていることがわかった。
【００４３】
【表１】
Claims (1)
- 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを触媒の存在下、溶融重縮合してポリカーボネー
トを製造するに際して、下記式（ａ）で表わされるアル
キルスルホン酸エステル 【化１】 ［式中、Ｒ1 は、炭素数１〜２０の線状もしくは分岐状
のアルキル基、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜２０の
線状もしくは分岐状のアルキル基を表わす。］を存在せ
しめることを特徴とするポリカーボネートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130485A JPH06340736A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | ポリカーボネートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130485A JPH06340736A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | ポリカーボネートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340736A true JPH06340736A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15035387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5130485A Pending JPH06340736A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | ポリカーボネートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06340736A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001077205A1 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-18 | General Electric Company | Salts of aryl sulfonic acids as catalysts for the preparation of polycarbonates |
| JP2006016616A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Bayer Materialscience Ag | 溶融エステル交換法によるポリカーボネート中の触媒活性不純物の抑制 |
-
1993
- 1993-06-01 JP JP5130485A patent/JPH06340736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001077205A1 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-18 | General Electric Company | Salts of aryl sulfonic acids as catalysts for the preparation of polycarbonates |
| JP2006016616A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Bayer Materialscience Ag | 溶融エステル交換法によるポリカーボネート中の触媒活性不純物の抑制 |
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