JPH06342979A - セラミック多層配線基板およびその製造法 - Google Patents
セラミック多層配線基板およびその製造法Info
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- JPH06342979A JPH06342979A JP6011632A JP1163294A JPH06342979A JP H06342979 A JPH06342979 A JP H06342979A JP 6011632 A JP6011632 A JP 6011632A JP 1163294 A JP1163294 A JP 1163294A JP H06342979 A JPH06342979 A JP H06342979A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 汎用化しうる高密度セラミック多層配線基
板と特定用途化しうる表面配線部分からなるセラミック
多層配線基板およびその製造法を提供する。 【構成】 多層のグリーンシートに内蔵され該グリー
ンシートと酸化雰囲気で同時焼成されたＡｇ系導体と、
中性もしくは還元雰囲気で焼成された表面のＣｕ系導体
が、多層基板上で回路的に接合されてなることを特徴と
するセラミック多層配線基板およびその製造法。
板と特定用途化しうる表面配線部分からなるセラミック
多層配線基板およびその製造法を提供する。 【構成】 多層のグリーンシートに内蔵され該グリー
ンシートと酸化雰囲気で同時焼成されたＡｇ系導体と、
中性もしくは還元雰囲気で焼成された表面のＣｕ系導体
が、多層基板上で回路的に接合されてなることを特徴と
するセラミック多層配線基板およびその製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は民生用やコンピューター
用など電子工業に用いられる高密度セラミック多層配線
基板に関する。
用など電子工業に用いられる高密度セラミック多層配線
基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来電子機器類に使用する回路基板とし
て、セラミックを絶縁体として使用した配線基板が使用
されてきた。
て、セラミックを絶縁体として使用した配線基板が使用
されてきた。
【０００３】その代表的なものとして、ＷやＭｏを配線
用導体として使用し、導体が酸化しないように還元雰囲
気で焼成する導体同時焼成セラミック多層配線基板があ
る。しかしながら、この基板は導体にＷやＭｏを使用す
るので、導通抵抗が１０〜２０ｍΩ／□と高く、ハンダ
濡れ性を持たせるため金メッキをする必要があり、又、
酸化雰囲気で焼成する必要のある信頼性の高いＲｕＯ2
系やＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成しようとすると導体
が酸化してしまうなどの問題があった。
用導体として使用し、導体が酸化しないように還元雰囲
気で焼成する導体同時焼成セラミック多層配線基板があ
る。しかしながら、この基板は導体にＷやＭｏを使用す
るので、導通抵抗が１０〜２０ｍΩ／□と高く、ハンダ
濡れ性を持たせるため金メッキをする必要があり、又、
酸化雰囲気で焼成する必要のある信頼性の高いＲｕＯ2
系やＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成しようとすると導体
が酸化してしまうなどの問題があった。
【０００４】最近、これらの問題を解決するためにＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの
導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡｇ系導体を使用
し、これらの導体材料の融点（９００〜１１００℃）以
下で焼成できるセラミック材料を絶縁体として用いた導
体同時焼成セラミック多層配線基板が開発されている。
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの
導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡｇ系導体を使用
し、これらの導体材料の融点（９００〜１１００℃）以
下で焼成できるセラミック材料を絶縁体として用いた導
体同時焼成セラミック多層配線基板が開発されている。
【０００５】又、Ｃｕ系導体も知られており、導通抵抗
が１．５〜３ｍΩ／□と小さく、また、耐マイグレーシ
ョン性や耐ハンダ食われ性が優れていて、表面導体には
最適である。
が１．５〜３ｍΩ／□と小さく、また、耐マイグレーシ
ョン性や耐ハンダ食われ性が優れていて、表面導体には
最適である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記導体にＡｇ系材料
を用いた同時焼成セラミック多層配線基板の場合には、
表面に形成される導体のＡｇ等がマイグレーションを生
じ易く、絶縁不良やショートが発生したり、耐ハンダ食
われ性があまり良くないという問題があった。また、Ａ
ｇ等の耐マイグレーション性を向上するために、例えば
Ａｇ−Ｐｄ系のＰｄ量が２０％を越えると、導通抵抗が
例えば２０〜３０ｍΩ／□と大きくなり、結局、導通抵
抗、耐マイグレーション性、耐ハンダ食われ性などの特
性を総てバランスよく保持する表面導体をＡｇ系材料よ
り得ることは困難であった。
を用いた同時焼成セラミック多層配線基板の場合には、
表面に形成される導体のＡｇ等がマイグレーションを生
じ易く、絶縁不良やショートが発生したり、耐ハンダ食
われ性があまり良くないという問題があった。また、Ａ
ｇ等の耐マイグレーション性を向上するために、例えば
Ａｇ−Ｐｄ系のＰｄ量が２０％を越えると、導通抵抗が
例えば２０〜３０ｍΩ／□と大きくなり、結局、導通抵
抗、耐マイグレーション性、耐ハンダ食われ性などの特
性を総てバランスよく保持する表面導体をＡｇ系材料よ
り得ることは困難であった。
【０００７】又、導体としてＣｕを使用したセラミック
多層基板の場合、焼成温度が８００〜１１００℃と低い
ので、セラミック絶縁体用原料、粉末の成形用有機バイ
ンダーが、Ｃｕを酸化させないために採用する中性雰囲
気や還元雰囲気では、充分に飛散することが困難で、カ
ーボン化して絶縁不良を生じたりするので、極めて長時
間の脱バインダー工程が必要で、実用的とは言えなかっ
た。そして、信頼性の高い抵抗として広く知られている
ＲｕＯ2系やＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗は、酸化雰囲気焼成
が必要であるから、Ｃｕが酸化してしまうため用いるこ
とができなかった。
多層基板の場合、焼成温度が８００〜１１００℃と低い
ので、セラミック絶縁体用原料、粉末の成形用有機バイ
ンダーが、Ｃｕを酸化させないために採用する中性雰囲
気や還元雰囲気では、充分に飛散することが困難で、カ
ーボン化して絶縁不良を生じたりするので、極めて長時
間の脱バインダー工程が必要で、実用的とは言えなかっ
た。そして、信頼性の高い抵抗として広く知られている
ＲｕＯ2系やＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗は、酸化雰囲気焼成
が必要であるから、Ｃｕが酸化してしまうため用いるこ
とができなかった。
【０００８】もし、多層のグリーンシート内に内蔵され
た導体を有する多層基板とその表面に設けられた導体を
回路的に接合することができるならば、多層基板のより
一層の高密度化及び小型化を達成できるだけでなく、汎
用化しうる高密度セラミック多層配線基板と特定用途化
しうる表面配線部分から成る多層配線基板は回路設計及
び設計変更に適した商品性の高いものとなる。
た導体を有する多層基板とその表面に設けられた導体を
回路的に接合することができるならば、多層基板のより
一層の高密度化及び小型化を達成できるだけでなく、汎
用化しうる高密度セラミック多層配線基板と特定用途化
しうる表面配線部分から成る多層配線基板は回路設計及
び設計変更に適した商品性の高いものとなる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決すべくなされたもので、その第１発明は、セラミック
多層配線基板において、多層のグリーンシートに内蔵さ
れている配線用導体が酸化雰囲気でグリーンシートと同
時焼成されたＡｇ系材料をもって形成され、表面の導体
が中性もしくは還元雰囲気で焼成されたＣｕ系材料をも
って形成され、両者の導体が多層配線基板上で回路的に
接合されてなることを特徴とするセラミック多層配線基
板である。
決すべくなされたもので、その第１発明は、セラミック
多層配線基板において、多層のグリーンシートに内蔵さ
れている配線用導体が酸化雰囲気でグリーンシートと同
時焼成されたＡｇ系材料をもって形成され、表面の導体
が中性もしくは還元雰囲気で焼成されたＣｕ系材料をも
って形成され、両者の導体が多層配線基板上で回路的に
接合されてなることを特徴とするセラミック多層配線基
板である。
【００１０】すなわち、本発明は表面に導通抵抗が小さ
く、耐マイグレーション性、耐ハンダ食われ性の優れた
Ｃｕ系導体を使用し、内層の導体にはＡｇ系のものを用
いたものである。
く、耐マイグレーション性、耐ハンダ食われ性の優れた
Ｃｕ系導体を使用し、内層の導体にはＡｇ系のものを用
いたものである。
【００１１】第２発明はかかるセラミック多層配線基板
を製造する方法であって、セラミック絶縁体材料のグリ
ーンシートをＡｇ系導体材料を内蔵させて多層に積層
し、酸化雰囲気で該グリーンシートと同時に焼成し、得
られた焼成体の表面にＡｇ系導体と回路的に接合するよ
うＣｕ系導体材料よりなる配線パターンを形成し、中性
もしくは還元雰囲気において焼成することを特徴とする
セラミック多層配線基板の製造法である。
を製造する方法であって、セラミック絶縁体材料のグリ
ーンシートをＡｇ系導体材料を内蔵させて多層に積層
し、酸化雰囲気で該グリーンシートと同時に焼成し、得
られた焼成体の表面にＡｇ系導体と回路的に接合するよ
うＣｕ系導体材料よりなる配線パターンを形成し、中性
もしくは還元雰囲気において焼成することを特徴とする
セラミック多層配線基板の製造法である。
【００１２】使用するセラミック絶縁体材料としては、
内蔵するＡｇ系導体材料の融点よりも低い温度で焼成で
きるものを使用する。例えばＡｇ導体やＰｄおよびＰｔ
の含有率の低いＡｇ合金系導体を使用する場合には、そ
れらの多層に形成される金属の融点が約９００〜１２０
０℃と低いので、８００〜１１００℃で焼成できる材料
を使用する必要があり、代表的なものとしては、ホウケ
イ酸ガラスやさらに数種類の酸化物（例えばＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、ＺｎＯ、Ｌ
ｉ2Ｏなど）を含むガラス粉末とアルミナ、石英などの
セラミック粉末の混合物を原料とするものや、コージエ
ライト系、αスポジュメン系の結晶化が生じるガラス粉
末を原料とするものがある。
内蔵するＡｇ系導体材料の融点よりも低い温度で焼成で
きるものを使用する。例えばＡｇ導体やＰｄおよびＰｔ
の含有率の低いＡｇ合金系導体を使用する場合には、そ
れらの多層に形成される金属の融点が約９００〜１２０
０℃と低いので、８００〜１１００℃で焼成できる材料
を使用する必要があり、代表的なものとしては、ホウケ
イ酸ガラスやさらに数種類の酸化物（例えばＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、ＺｎＯ、Ｌ
ｉ2Ｏなど）を含むガラス粉末とアルミナ、石英などの
セラミック粉末の混合物を原料とするものや、コージエ
ライト系、αスポジュメン系の結晶化が生じるガラス粉
末を原料とするものがある。
【００１３】かかる材料を積層して基板とするために
は、グリーンシートを使用したグリーンシート積層法や
グリーンシート印刷積層法が用いられる。グリーンシー
ト積層法を用いる場合には、セラミック絶縁体材料粉末
をドクターブレード法により成形し、厚み０．１〜０．
５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そして必要な配線
パターンをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ
−Ｐｔなどの導体材料ペーストを使用してスクリーン印
刷する。また、他の導体層が接続できるように、打ち抜
き金型やパンチングマシーンでグリーンシートに０．２
〜０．５ｍｍφ程度のスルーホールを形成し、導体材料
を充填しておく。同様の方法で回路を形成するのに必要
なだけ、他のグリーンシートにも配線パターンを印刷す
る。これらのグリーンシートを積層した後、８０〜１５
０℃、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体
化する。
は、グリーンシートを使用したグリーンシート積層法や
グリーンシート印刷積層法が用いられる。グリーンシー
ト積層法を用いる場合には、セラミック絶縁体材料粉末
をドクターブレード法により成形し、厚み０．１〜０．
５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そして必要な配線
パターンをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ
−Ｐｔなどの導体材料ペーストを使用してスクリーン印
刷する。また、他の導体層が接続できるように、打ち抜
き金型やパンチングマシーンでグリーンシートに０．２
〜０．５ｍｍφ程度のスルーホールを形成し、導体材料
を充填しておく。同様の方法で回路を形成するのに必要
なだけ、他のグリーンシートにも配線パターンを印刷す
る。これらのグリーンシートを積層した後、８０〜１５
０℃、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体
化する。
【００１４】回路に抵抗を含む場合には、酸化雰囲気で
焼成されるＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成す
る。その場合には抵抗用電極とともに表面もしくは内層
用グリーンシートに印刷しておく。
焼成されるＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成す
る。その場合には抵抗用電極とともに表面もしくは内層
用グリーンシートに印刷しておく。
【００１５】以上のようにしたものを酸化雰囲気で同時
焼成し、導体内蔵セラミック多層基板を得る。さらに必
要な場合には、ＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗および
オーバーコートを印刷し、酸化雰囲気で焼成する。
焼成し、導体内蔵セラミック多層基板を得る。さらに必
要な場合には、ＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗および
オーバーコートを印刷し、酸化雰囲気で焼成する。
【００１６】グリーンシート印刷法を用いる場合には、
グリーンシート積層法と同様の方法で、０．３〜２．０
ｍｍ程度のグリーンシートを得る。このグリーンシート
上に、グリーンシートと同材質のセラミック絶縁体ペー
ストと前記Ａｇ系の導体ペーストを交互に印刷し、多層
配線パターンを得る。導体層間の接続には、０．２〜
０．５ｍｍ程度のビアホールにより行なう。基板と同時
焼成により抵抗を得る場合には、電極と共に表面および
内層部分に印刷しておく。そして同時焼成するがさらに
必要な場合には抵抗およびオーバーコートを印刷し、酸
化雰囲気で焼成する。 Ｃｕ系導体は、以上の方法で得
られたセラミック多層配線基板上にＣｕ系導体材料ペー
ストを使用してスクリーン印刷により配線パターンを形
成した後、中性もしくは還元雰囲気で焼成する。
グリーンシート積層法と同様の方法で、０．３〜２．０
ｍｍ程度のグリーンシートを得る。このグリーンシート
上に、グリーンシートと同材質のセラミック絶縁体ペー
ストと前記Ａｇ系の導体ペーストを交互に印刷し、多層
配線パターンを得る。導体層間の接続には、０．２〜
０．５ｍｍ程度のビアホールにより行なう。基板と同時
焼成により抵抗を得る場合には、電極と共に表面および
内層部分に印刷しておく。そして同時焼成するがさらに
必要な場合には抵抗およびオーバーコートを印刷し、酸
化雰囲気で焼成する。 Ｃｕ系導体は、以上の方法で得
られたセラミック多層配線基板上にＣｕ系導体材料ペー
ストを使用してスクリーン印刷により配線パターンを形
成した後、中性もしくは還元雰囲気で焼成する。
【００１７】このＣｕ導体の焼成は、５００〜１０００
℃の焼成温度で行われるが、その焼成温度がＡｇ系の内
蔵導体との共融温度より高い場合には、両方の導体の接
合面に焼成中液相が生じ、Ａｇ成分がＣｕ系導体の表面
に析出し耐マイグレーション性を悪くしたり、ブクやフ
クレが発生して信頼性が低下したりする。よって通常は
Ｃｕ系導体材料の焼成温度はＡｇ系導体との共融温度以
下になるようにする。この場合には、低温でもＣｕ系導
体が焼成できるように０．１〜１．０μｍ平均粒径の微
細なＣｕ系粉末や０．１〜１０μｍ程度の広い粒度分布
を持つＣｕ系粉末が導体材料に使用される。
℃の焼成温度で行われるが、その焼成温度がＡｇ系の内
蔵導体との共融温度より高い場合には、両方の導体の接
合面に焼成中液相が生じ、Ａｇ成分がＣｕ系導体の表面
に析出し耐マイグレーション性を悪くしたり、ブクやフ
クレが発生して信頼性が低下したりする。よって通常は
Ｃｕ系導体材料の焼成温度はＡｇ系導体との共融温度以
下になるようにする。この場合には、低温でもＣｕ系導
体が焼成できるように０．１〜１．０μｍ平均粒径の微
細なＣｕ系粉末や０．１〜１０μｍ程度の広い粒度分布
を持つＣｕ系粉末が導体材料に使用される。
【００１８】しかし、Ｃｕ系導体材料の多くは適性焼成
温度が８５０〜９５０℃にあり、上記共融温度よりも高
い場合が多い。この場合で特に接合面の信頼性の高いも
のが要求されるときは、両方の導体の接合面に他の金属
層を介在させる。この金属層に使用される金属は、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄのように、Ｃｕ導体の焼成温度８
５０〜９５０℃で両方の導体との間に液相を生じないも
のが使用される。この金属層の形成はメッキ、蒸着、ス
パッタ法や通常の厚膜法による焼成により行なう。
温度が８５０〜９５０℃にあり、上記共融温度よりも高
い場合が多い。この場合で特に接合面の信頼性の高いも
のが要求されるときは、両方の導体の接合面に他の金属
層を介在させる。この金属層に使用される金属は、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄのように、Ｃｕ導体の焼成温度８
５０〜９５０℃で両方の導体との間に液相を生じないも
のが使用される。この金属層の形成はメッキ、蒸着、ス
パッタ法や通常の厚膜法による焼成により行なう。
【００１９】図１は本発明の基板の構成を示す概念図
で、図中１はグリーンシートより形成されたセラミック
絶縁体層で、図の場合は４層により構成される。２はＡ
ｇ系内蔵導体で３のスルーホール内にも充填して回路を
形成している。４は表面に形成したＣｕ系導体で、５は
ハンダである。６は抵抗体でオーバーコート７を有し、
レーザートリミング８されている。図１からも明らかな
ように抵抗体６は、多層のグリーンシートに内蔵されて
もよいし、表面に形成されてもよく、又、内蔵と表面の
両方に存在してもよい。９はビアホール、１０はシリコ
ンチップ、１１は受動素子である。
で、図中１はグリーンシートより形成されたセラミック
絶縁体層で、図の場合は４層により構成される。２はＡ
ｇ系内蔵導体で３のスルーホール内にも充填して回路を
形成している。４は表面に形成したＣｕ系導体で、５は
ハンダである。６は抵抗体でオーバーコート７を有し、
レーザートリミング８されている。図１からも明らかな
ように抵抗体６は、多層のグリーンシートに内蔵されて
もよいし、表面に形成されてもよく、又、内蔵と表面の
両方に存在してもよい。９はビアホール、１０はシリコ
ンチップ、１１は受動素子である。
【００２０】
【実施例】実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明
する。なお、％はいずれも重量基準である。
する。なお、％はいずれも重量基準である。
【００２１】実施例１ １４５０℃で溶融後、水中急冷し、さらに粉砕して作成
したＣａＯ１８．２％、Ａｌ2Ｏ3１８．２％、ＳｉＯ2
５４．５％、Ｂ2Ｏ3９．１％の組成をもつ平均粒径３〜
３．５μｍのガラス粉末６０％と平均粒径１．２μｍの
アルミナ粉末４０％よりなるセラミック絶縁体用混合粉
末に、溶剤（トルエン、キシレン、アルコール類）、バ
インダー（アクリル樹脂）、可塑剤（ＤＯＰ）を加え、
十分に混練して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラ
リーを作成し、通常のドクターブレード法を用いて厚み
０．４ｍｍのグリーンシートを作成した。
したＣａＯ１８．２％、Ａｌ2Ｏ3１８．２％、ＳｉＯ2
５４．５％、Ｂ2Ｏ3９．１％の組成をもつ平均粒径３〜
３．５μｍのガラス粉末６０％と平均粒径１．２μｍの
アルミナ粉末４０％よりなるセラミック絶縁体用混合粉
末に、溶剤（トルエン、キシレン、アルコール類）、バ
インダー（アクリル樹脂）、可塑剤（ＤＯＰ）を加え、
十分に混練して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラ
リーを作成し、通常のドクターブレード法を用いて厚み
０．４ｍｍのグリーンシートを作成した。
【００２２】そして図２（簡略化のため全工程を示して
ある）に示すようにこのグリーンシート１２を３０ｍｍ
角に切断し、０．３ｍｍφのスルーホール１３を形成し
たのち、Ａｇ粉末にバインダー（エチルセルローズ）と
溶剤（テルピネオール）を加え、充分混練して作成した
Ａｇ導体ペースト１４をスルーホール１３に充填し、同
じＡｇ導体ペーストを使用してＡｇ配線パターン１５を
印刷した。
ある）に示すようにこのグリーンシート１２を３０ｍｍ
角に切断し、０．３ｍｍφのスルーホール１３を形成し
たのち、Ａｇ粉末にバインダー（エチルセルローズ）と
溶剤（テルピネオール）を加え、充分混練して作成した
Ａｇ導体ペースト１４をスルーホール１３に充填し、同
じＡｇ導体ペーストを使用してＡｇ配線パターン１５を
印刷した。
【００２３】同様の方法で配線パターンの印刷を終えた
グリーンシート１２を積層した後、１００℃、１００ｋ
ｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化した。
グリーンシート１２を積層した後、１００℃、１００ｋ
ｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化した。
【００２４】これを通常の電気式連続ベルト炉を使用し
て９００℃、２０分ホールドの条件で酸化雰囲気同時焼
成した。焼成後のＡｇ導体の導通抵抗は２．４ｍΩ／□
と小さかった。
て９００℃、２０分ホールドの条件で酸化雰囲気同時焼
成した。焼成後のＡｇ導体の導通抵抗は２．４ｍΩ／□
と小さかった。
【００２５】得られた基板表面にデュポン社製のＣｕ系
ペースト６００１を使用してＣｕ系配線パターン１６を
印刷した。Ａｇ内蔵導体との接合はスルーホール１３に
より行なった。
ペースト６００１を使用してＣｕ系配線パターン１６を
印刷した。Ａｇ内蔵導体との接合はスルーホール１３に
より行なった。
【００２６】Ｃｕ系配線パターン１６の印刷後、６００
℃、１０分ホールドの条件で、通常の電気式連続ベルト
炉を使用してＮ2雰囲気で焼成した。
℃、１０分ホールドの条件で、通常の電気式連続ベルト
炉を使用してＮ2雰囲気で焼成した。
【００２７】Ｃｕ系導体とスルーホール部のＡｇ導体と
の間の接合面には、液相が生じた粒子は見られずブクや
フクレは発生していなかった。
の間の接合面には、液相が生じた粒子は見られずブクや
フクレは発生していなかった。
【００２８】Ｃｕ系導体の導通抵抗は２．５ｍΩ／□と
小さかった。
小さかった。
【００２９】図３に得られたＣｕ系導体のマイグレーシ
ョン性を評価した結果を示した。評価は上記実施例と同
様の方法で図４に示したような平面形状を有する導体１
７をギャップａをあけて配置した試料によって行なっ
た。すなわち、ギャップａのところに水滴１８を落し
て、両導体１７に直流５Ｖを印加し、そのとき、水滴を
介して電極間ギャップａに１００μＡの電流が流れるま
での時間とギャツプａの大きさとの関係をグラフ化した
ものである。比較のため、アルミナ基板上に市販のＡｇ
−Ｐｄ導体ペーストを使用して通常の厚膜法により形成
した導体の評価も比較例として示した。
ョン性を評価した結果を示した。評価は上記実施例と同
様の方法で図４に示したような平面形状を有する導体１
７をギャップａをあけて配置した試料によって行なっ
た。すなわち、ギャップａのところに水滴１８を落し
て、両導体１７に直流５Ｖを印加し、そのとき、水滴を
介して電極間ギャップａに１００μＡの電流が流れるま
での時間とギャツプａの大きさとの関係をグラフ化した
ものである。比較のため、アルミナ基板上に市販のＡｇ
−Ｐｄ導体ペーストを使用して通常の厚膜法により形成
した導体の評価も比較例として示した。
【００３０】図３から明らかなように、実施例１の方が
１００μＡの電流が流れるまでの時間は桁違いに長く、
耐マイグレーション性が優れていることを示している。
また、２６０℃に保たれた溶融共晶ハンダ（Ｐｂ：Ｓｎ
＝６：４）に５秒間浸漬した場合、上記Ｃｕ系導体は１
０回まで周辺部分がハンダに食われて周辺形状を損なう
ようなことがなかった。これに対して比較例の方は５回
目以降、顕著なハンダ食われが生じて周辺形状が損なわ
れた。
１００μＡの電流が流れるまでの時間は桁違いに長く、
耐マイグレーション性が優れていることを示している。
また、２６０℃に保たれた溶融共晶ハンダ（Ｐｂ：Ｓｎ
＝６：４）に５秒間浸漬した場合、上記Ｃｕ系導体は１
０回まで周辺部分がハンダに食われて周辺形状を損なう
ようなことがなかった。これに対して比較例の方は５回
目以降、顕著なハンダ食われが生じて周辺形状が損なわ
れた。
【００３１】実施例２ 市販のアルミノ鉛ホウケイ酸ガラス（ＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系）を粉砕して作成した平均粒径３
〜３．５μｍのガラス粉末５０％と平均粒径１．２μｍ
のアルミナ粉末５０％のセラミック絶縁体用混合粉末を
用いて、実施例１と同様の方法で０．４ｍｍ厚のグリー
ンシートを作成した。そして、Ａｇ９９％、Ｐｔ１％の
組成割合を持つＡｇ−Ｐｔ合金粉末にバインダー（エチ
ルセルローズ）と溶剤（テルピネオール）を加え、十分
混練して作成した導体ペーストを作成して、上記グリー
ンシートとともに実施例１と同様の方法で多層配線構造
を持つ成形体を得た。
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系）を粉砕して作成した平均粒径３
〜３．５μｍのガラス粉末５０％と平均粒径１．２μｍ
のアルミナ粉末５０％のセラミック絶縁体用混合粉末を
用いて、実施例１と同様の方法で０．４ｍｍ厚のグリー
ンシートを作成した。そして、Ａｇ９９％、Ｐｔ１％の
組成割合を持つＡｇ−Ｐｔ合金粉末にバインダー（エチ
ルセルローズ）と溶剤（テルピネオール）を加え、十分
混練して作成した導体ペーストを作成して、上記グリー
ンシートとともに実施例１と同様の方法で多層配線構造
を持つ成形体を得た。
【００３２】通常の電気式連続ベルト炉を使用して、９
００℃、２０分ホールドの条件で酸化雰囲気同時焼成し
た。
００℃、２０分ホールドの条件で酸化雰囲気同時焼成し
た。
【００３３】焼成後のＡｇ−Ｐｔ導体の導通抵抗は２．
２ｍΩ／□だった。
２ｍΩ／□だった。
【００３４】得られた基板表面に実施例１と同様の方法
で、デュポン社製６００１Ｃｕ系導体ペーストを使用し
て表面導体を形成した。Ｃｕ系導体とスルーホール部の
Ａｇ−Ｐｔ導体との接合面に液相が生じた様子は見られ
ず、ブクやフクレは発生しなかった。Ｃｕ系導体の導通
抵抗は２．４ｍΩ／□で、耐マイグレーション性、耐ハ
ンダ食われ性はＡｇ−Ｐｄ導体よりも優れた特性を有し
ていた。
で、デュポン社製６００１Ｃｕ系導体ペーストを使用し
て表面導体を形成した。Ｃｕ系導体とスルーホール部の
Ａｇ−Ｐｔ導体との接合面に液相が生じた様子は見られ
ず、ブクやフクレは発生しなかった。Ｃｕ系導体の導通
抵抗は２．４ｍΩ／□で、耐マイグレーション性、耐ハ
ンダ食われ性はＡｇ−Ｐｄ導体よりも優れた特性を有し
ていた。
【００３５】実施例３ １４５０℃で溶融後、水中急冷し、さらに粉砕して作成
したＣａＯ２７．３％、Ａｌ2Ｏ3４．５％、ＳｉＯ2５
９．１％、Ｂ2Ｏ3９．１％の組成を持つ平均粒径３〜
３．５μｍのガラス粉末６０％と、平均粒径１．２μｍ
のアルミナ粉末４０％よりなるセラミック絶縁体用混合
粉末を実施例１と同様の方法で１．０ｍｍ厚のグリーン
シートにした。図５に示すようにこのグリーンシート１
２を３ｃｍ角に切断した後、Ａｇ９０％、Ｐｄ１０％の
混合粉体にバインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テ
ルピネオール）を加え十分混練して作成した導体ペース
トを使用してＡｇ−Ｐｄ系配線パターン１９を印刷し
た。
したＣａＯ２７．３％、Ａｌ2Ｏ3４．５％、ＳｉＯ2５
９．１％、Ｂ2Ｏ3９．１％の組成を持つ平均粒径３〜
３．５μｍのガラス粉末６０％と、平均粒径１．２μｍ
のアルミナ粉末４０％よりなるセラミック絶縁体用混合
粉末を実施例１と同様の方法で１．０ｍｍ厚のグリーン
シートにした。図５に示すようにこのグリーンシート１
２を３ｃｍ角に切断した後、Ａｇ９０％、Ｐｄ１０％の
混合粉体にバインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テ
ルピネオール）を加え十分混練して作成した導体ペース
トを使用してＡｇ−Ｐｄ系配線パターン１９を印刷し
た。
【００３６】さらに、その上に上記絶縁体用混合粉末に
バインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオー
ル）を加え十分に混練して作成した絶縁ペーストを印刷
し絶縁層２０とし、この絶縁層２０上にＡｇ−Ｐｄ系配
線パターン１９を印刷する。
バインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオー
ル）を加え十分に混練して作成した絶縁ペーストを印刷
し絶縁層２０とし、この絶縁層２０上にＡｇ−Ｐｄ系配
線パターン１９を印刷する。
【００３７】層間の導体接続は、絶縁層に形成したビア
ホール２１にＡｇ−Ｐｄ系導体を充填することによって
行なう。
ホール２１にＡｇ−Ｐｄ系導体を充填することによって
行なう。
【００３８】以上を繰り返して多層配線構造とし、通常
の電気式ベルト炉を使用して９００℃、２０分ホールド
の条件で酸化雰囲気焼成する。焼成後のＡｇ−Ｐｄ導体
の導通抵抗は１０ｍΩ／□であった。
の電気式ベルト炉を使用して９００℃、２０分ホールド
の条件で酸化雰囲気焼成する。焼成後のＡｇ−Ｐｄ導体
の導通抵抗は１０ｍΩ／□であった。
【００３９】このようにして得られた基板表面に平均粒
径０．５μｍのＣｕ粉末１００部にＰｂ−ＳｉＯ2−Ｂ2
Ｏ3系のガラス粉末 5部を加えた混合粉末にバインダー
（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオール）とを混
合し、十分に混練して作成したＣｕ導体ペーストを使用
してＣｕ系配線パターン２２を印刷した。Ｃｕ系導体と
内蔵Ａｇ−Ｐｄ系導体との接合はビアホール２１´に充
填したＣｕ系導体４によって行なった。
径０．５μｍのＣｕ粉末１００部にＰｂ−ＳｉＯ2−Ｂ2
Ｏ3系のガラス粉末 5部を加えた混合粉末にバインダー
（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオール）とを混
合し、十分に混練して作成したＣｕ導体ペーストを使用
してＣｕ系配線パターン２２を印刷した。Ｃｕ系導体と
内蔵Ａｇ−Ｐｄ系導体との接合はビアホール２１´に充
填したＣｕ系導体４によって行なった。
【００４０】その後、７５０℃、１０分ホールドの条件
で、通常の電気式ベルト炉を使用してＮ2雰囲気で焼成
した。
で、通常の電気式ベルト炉を使用してＮ2雰囲気で焼成
した。
【００４１】得られたＣｕ導体の導通抵抗は２．４ｍΩ
／□と小さく、実施例１のＣｕ系導体と同様、耐マイグ
レーション性、耐ハンダ食われ性はＡｇ−Ｐｄ導体より
も優れた特性を有していた。また、内蔵Ａｇ−Ｐｄ導体
とビアホールに充填したＣｕ導体の接合面に液相が生じ
た様子は見られず、ブクやフクレは発生しなかった。
／□と小さく、実施例１のＣｕ系導体と同様、耐マイグ
レーション性、耐ハンダ食われ性はＡｇ−Ｐｄ導体より
も優れた特性を有していた。また、内蔵Ａｇ−Ｐｄ導体
とビアホールに充填したＣｕ導体の接合面に液相が生じ
た様子は見られず、ブクやフクレは発生しなかった。
【００４２】実施例４ 実施例１と同様の方法で、図６に示すようにＡｇ系内蔵
導体２を内蔵した多層配線構造を持つ成形体を得た。こ
の成形体表面にＡｇ８０％、Ｐｄ２０％の混合粉末にバ
インダー（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオー
ル）を添加し、充分混練して作成した導体ペーストを使
用して、抵抗用電極２３を印刷した後、ＲｕＯ2系の抵
抗ペースト２４を印刷した。使用したＲｕＯ2系抵抗ペ
ースト２４はＲｕＯ2粉末２５部とセラミック絶縁体混
合粉末用のガラス粉末６０部とアルミナ粉末１５部を混
合した粉末に、バインダー（エチルセルローズ）と溶剤
を添加し、十分に混練して作成した。
導体２を内蔵した多層配線構造を持つ成形体を得た。こ
の成形体表面にＡｇ８０％、Ｐｄ２０％の混合粉末にバ
インダー（エチルセルローズ）と溶剤（テルピネオー
ル）を添加し、充分混練して作成した導体ペーストを使
用して、抵抗用電極２３を印刷した後、ＲｕＯ2系の抵
抗ペースト２４を印刷した。使用したＲｕＯ2系抵抗ペ
ースト２４はＲｕＯ2粉末２５部とセラミック絶縁体混
合粉末用のガラス粉末６０部とアルミナ粉末１５部を混
合した粉末に、バインダー（エチルセルローズ）と溶剤
を添加し、十分に混練して作成した。
【００４３】こうして得た抵抗体上にセラミック絶縁体
用粉末にバインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テル
ピネオール）を加え十分に混練して作成したオーバーコ
ートペーストを使用して、オーバーコート２５を印刷し
た。
用粉末にバインダー（エチルセルローズ）と溶剤（テル
ピネオール）を加え十分に混練して作成したオーバーコ
ートペーストを使用して、オーバーコート２５を印刷し
た。
【００４４】この抵抗を形成した面と反対の表面上に
は、グリーンシートを熱圧着する前に、グリーンシート
に印刷したＳｉチップ実装時に使用するワイヤボンディ
ング用電極２６を、上記Ａｇ−Ｐｄ導体ペーストを使用
して形成しておく。この電極はスルーホール１３に充填
した導体を介して内蔵導体と接続される。通常の電気式
ベルト炉を使用して９００℃、２０分ホールドの条件で
酸化雰囲気同時焼成した。焼成後デュポン社製Ｃｕ系ペ
ースト６００１を使用して、抵抗を回路に接続する配線
２９や信号ライン用の配線を抵抗を有する表面上に印刷
し、通常の電気式ベルト炉を使用して６００℃、１０分
の条件でＮ2雰囲気で焼成した。焼成後、抵抗を有する
面と反対面にＳｉチップ２７を接合する電極２８や信号
ライン用の配線をデュポン社製Ｃｕペースト６００１を
使用して印刷後、上記同様の条件で焼成した。
は、グリーンシートを熱圧着する前に、グリーンシート
に印刷したＳｉチップ実装時に使用するワイヤボンディ
ング用電極２６を、上記Ａｇ−Ｐｄ導体ペーストを使用
して形成しておく。この電極はスルーホール１３に充填
した導体を介して内蔵導体と接続される。通常の電気式
ベルト炉を使用して９００℃、２０分ホールドの条件で
酸化雰囲気同時焼成した。焼成後デュポン社製Ｃｕ系ペ
ースト６００１を使用して、抵抗を回路に接続する配線
２９や信号ライン用の配線を抵抗を有する表面上に印刷
し、通常の電気式ベルト炉を使用して６００℃、１０分
の条件でＮ2雰囲気で焼成した。焼成後、抵抗を有する
面と反対面にＳｉチップ２７を接合する電極２８や信号
ライン用の配線をデュポン社製Ｃｕペースト６００１を
使用して印刷後、上記同様の条件で焼成した。
【００４５】焼成後、抵抗体のオーバーコートの厚みは
約１０μｍで、オーバーコートを通じてレーザートリミ
ングにより高精度に抵抗値を調整した。
約１０μｍで、オーバーコートを通じてレーザートリミ
ングにより高精度に抵抗値を調整した。
【００４６】得られた抵抗体の抵抗値は１ｋΩ／□であ
った。この抵抗値はＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、アルミ
ナ粉末の割合を変化させることにより、１０Ω／□〜１
ＭΩ／□の範囲で変化し、温度変化特性であるＴＣＲは
±２００ｐｐｍ／℃以下の値を有していた。
った。この抵抗値はＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、アルミ
ナ粉末の割合を変化させることにより、１０Ω／□〜１
ＭΩ／□の範囲で変化し、温度変化特性であるＴＣＲは
±２００ｐｐｍ／℃以下の値を有していた。
【００４７】実施例５ 実施例４と同様の方法を用いて酸化雰囲気焼成で導体内
蔵抵抗付多層配線基板を得た。ただし内蔵導体には実施
例３で使用したＡｇ−Ｐｄ導体を使用し、Ｓｉチップの
ワイヤボンディング用電極は形成しなかった。
蔵抵抗付多層配線基板を得た。ただし内蔵導体には実施
例３で使用したＡｇ−Ｐｄ導体を使用し、Ｓｉチップの
ワイヤボンディング用電極は形成しなかった。
【００４８】酸化雰囲気焼成後、無電解メッキにより、
図７に示すようにスルーホール１３に充填されたＡｇ９
０％、Ｐｄ１０％導体の表面露出部およびオーバーコー
トより露出している抵抗用電極２３用のＡｇ８０％Ｐｄ
２０％電極部分にＮｉ金属層３０を形成した。更にＮｉ
金属上に同様の方法でＣｕメッキを行なった。
図７に示すようにスルーホール１３に充填されたＡｇ９
０％、Ｐｄ１０％導体の表面露出部およびオーバーコー
トより露出している抵抗用電極２３用のＡｇ８０％Ｐｄ
２０％電極部分にＮｉ金属層３０を形成した。更にＮｉ
金属上に同様の方法でＣｕメッキを行なった。
【００４９】メッキ処理後、デュポン社製９１５３Ｃｕ
導体ペーストを使用して抵抗を回路に接続する配線２９
や信号ライン用の配線を印刷した。印刷後、通常の電気
式ベルト炉を使用して９００℃、１０分の条件でＮ2雰
囲気で焼成した。
導体ペーストを使用して抵抗を回路に接続する配線２９
や信号ライン用の配線を印刷した。印刷後、通常の電気
式ベルト炉を使用して９００℃、１０分の条件でＮ2雰
囲気で焼成した。
【００５０】焼成後、Ｃｕ系導体とＮｉおよびＮｉと内
蔵導体の間に液相が生じた様子はなく、ブクやフクレは
発生しなかった。抵抗体の抵抗は１０Ω／□〜１ＭΩ／
□の値を示し、温度変化特性であるＴＣＲは±２００ｐ
ｐｍ／℃以下の値を有していた。表面のＣｕ導体の導通
抵抗は１．８ｍΩ／□と小さく、耐マイグレーション性
も図３に示したように比較例の場合より優れており、耐
ハンダ食われ性も、２６０℃に保たれた溶融共晶ハンダ
に５秒浸漬した場合、10回浸漬までは全くハンダ食われ
は発生しなかった。
蔵導体の間に液相が生じた様子はなく、ブクやフクレは
発生しなかった。抵抗体の抵抗は１０Ω／□〜１ＭΩ／
□の値を示し、温度変化特性であるＴＣＲは±２００ｐ
ｐｍ／℃以下の値を有していた。表面のＣｕ導体の導通
抵抗は１．８ｍΩ／□と小さく、耐マイグレーション性
も図３に示したように比較例の場合より優れており、耐
ハンダ食われ性も、２６０℃に保たれた溶融共晶ハンダ
に５秒浸漬した場合、10回浸漬までは全くハンダ食われ
は発生しなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、多層配線基板全体とし
てみた場合に、数十層にもおよぶ多数層を、少ない焼成
回数で、しかも、表面に導通抵抗が小さく耐マイグレー
ション性、耐ハンダ食われ性の優れたＣｕ系導体を有
し、内層には導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡｇ
系の導体を有する多層配線基板が提供される。そして、
信頼性の高いＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を一体化
して設けることができる。
てみた場合に、数十層にもおよぶ多数層を、少ない焼成
回数で、しかも、表面に導通抵抗が小さく耐マイグレー
ション性、耐ハンダ食われ性の優れたＣｕ系導体を有
し、内層には導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡｇ
系の導体を有する多層配線基板が提供される。そして、
信頼性の高いＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を一体化
して設けることができる。
【００５２】又、本発明によれば、汎用化しうる高密度
セラミック多層配線基板部分と特定用途化しうる表面配
線部分からなるため、回路設計及び設計変更に適した多
層配線基板およびその製造法が提供される。
セラミック多層配線基板部分と特定用途化しうる表面配
線部分からなるため、回路設計及び設計変更に適した多
層配線基板およびその製造法が提供される。
【図１】本発明基板の説明図。
【図２】同製法の説明図。
【図３】マイグレーション性の試験結果を示すグラフ。
【図４】同試験用試片の平面図。
【図５】本発明の他の実施例の説明図。
【図６】本発明の他の実施例の説明図。
【図７】本発明の他の実施例の説明図。
１ セラミック絶縁体層 ２ Ａｇ系内蔵導体 ３ スルーホール ４ Ｃｕ系導体 ５ ハンダ ６ 抵抗体 ７ オーバーコート ８ レーザートリミング ９ ビアホール １０ シリコンチップ １１ 受動素子 １２ グリーンシート １３ スルーホール １４ Ａｇ導体ペースト １５ Ａｇ配線パターン １６ Ｃｕ系配線パターン １７ 導体 １８ 水滴 １９ Ａｇ−Ｐｄ配線パターン ２０ 絶縁層 ２１ ビアホール ２２ Ｃｕ系配線パターン ２３ 抵抗用電極 ２４ 抵抗ペースト ２５ オーバーコートペースト ２６ ワイヤーボンディング用電極 ２７ シリコンチップ ２８ 電極 ２９ 配線 ３０ Ｎｉ金属層 ａ ギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河辺 洋 名古屋市天白区天白町大字平針字新屋敷 2241 コーポ東海101号室
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック多層配線基板において、多層
のグリーンシートに内蔵されている配線用導体が酸化雰
囲気でグリーンシートと同時焼成されたＡｇ系材料をも
って形成され、表面の導体が中性もしくは還元雰囲気で
焼成されたＣｕ系材料をもって形成され、両者の導体が
多層配線基板上で回路的に接合されてなることを特徴と
するセラミック多層配線基板。 - 【請求項２】 セラミック絶縁体材料のグリーンシート
をＡｇ系導体材料を内蔵させて多層に積層し、酸化雰囲
気で該グリーンシートと同時焼成し、得られた焼成体の
表面にＡｇ系導体と回路的に接合するようＣｕ系導体材
料よりなる配線パターンを形成し、中性もしくは還元雰
囲気において焼成することを特徴とするセラミック多層
配線基板の製造法。 - 【請求項３】 Ｃｕ系導体材料よりなる配線パターンを
形成後、中性もしくは還元雰囲気での焼成は、Ａｇ系導
体とＣｕ系導体の共融温度以下の温度で行なう請求項２
記載のセラミック多層配線基板の製造法。 - 【請求項４】 Ｃｕ系導体材料よりなる配線パターンを
形成後、中性もしくは還元雰囲気で焼成するに当り、Ａ
ｇ系導体とＣｕ系導体との間に別の金属層を介在せしめ
てなる請求項２記載のセラミック多層配線基板の製造
法。 - 【請求項５】 Ｃｕ系導体材料よりなる配線パターンを
形成する以前に、回路に接合する抵抗を酸化雰囲気で焼
成する請求項３又は３記載のセラミック多層配線基板の
製造法。 - 【請求項６】 Ａｇ系導体とＣｕ系導体との間に別の金
属層を介在せしめる以前に回路に接合する抵抗を酸化雰
囲気で焼成する請求項４記載のセラミック多層配線基板
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011632A JP2505107B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011632A JP2505107B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61108627A Division JPS62265796A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342979A true JPH06342979A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2505107B2 JP2505107B2 (ja) | 1996-06-05 |
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ID=11783324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011632A Expired - Lifetime JP2505107B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505107B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036363A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 株式会社日立製作所 | セラミツクグリ−ンシ−トの製造方法 |
| JPS60260465A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-23 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP6011632A patent/JP2505107B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036363A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 株式会社日立製作所 | セラミツクグリ−ンシ−トの製造方法 |
| JPS60260465A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-23 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505107B2 (ja) | 1996-06-05 |
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