JPH0634305U - 静磁波共振子 - Google Patents
静磁波共振子Info
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- JPH0634305U JPH0634305U JP7581392U JP7581392U JPH0634305U JP H0634305 U JPH0634305 U JP H0634305U JP 7581392 U JP7581392 U JP 7581392U JP 7581392 U JP7581392 U JP 7581392U JP H0634305 U JPH0634305 U JP H0634305U
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- Japan
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- magnetostatic wave
- thin film
- wave resonator
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Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 静磁波共振子を用いた発振器の位相雑音の改
善を行うこと。 【構成】 非磁性基板１上に液相エピタキシャル成長法
によりフェリ磁性薄膜２を形成し、薄膜２上に電極指６
を静磁波の伝搬する反射端面７ａ，７ｂのどちらか一方
に集中して形成した構造の静磁波共振子。
善を行うこと。 【構成】 非磁性基板１上に液相エピタキシャル成長法
によりフェリ磁性薄膜２を形成し、薄膜２上に電極指６
を静磁波の伝搬する反射端面７ａ，７ｂのどちらか一方
に集中して形成した構造の静磁波共振子。
Description
【０００１】
本考案は、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）等の非磁性基板上 に形成したＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等のフェリ磁性薄膜の磁気 スピン共鳴を利用した静磁波共振子に関わり、発振器等に用いた場合その位相雑 音を向上させるものである。
【０００２】
ＧＧＧ非磁性基板上に、液相エピタキシャル成長させたＹＩＧ薄膜を所要の形 状に加工したフェリ磁性薄膜静磁波共振子が提案されている。 図２（ａ）、（ｂ）は従来の静磁波共振子の構造を示したものである。図にお いて静磁波共振子はＧＧＧ基板１の上にＹＩＧ薄膜２を液相エピタキシャル法に より形成し、更にこの薄膜上にＡｕあるいはＡｌ膜からなる一本または複数本の 電極指３及びこれらの電極指３の両側にパッド電極４ａ、４ｂを写真蝕刻技術に より形成した構造となっており、所望の大きさにダイサー加工等を施され、誘電 体基板５上に設置される。ここで電極指３は不要共振モード等が除去されるよう 計算され規則正しく配列性を持ち、中心線Ｘ―Ｘに対し線対称であるように形成 されている。 この静磁波共振子に外部から磁場がＹＩＧ薄膜２に垂直に印加されると静磁波 が励起されることを利用し発振器等の共振器として用いられている。
【０００３】
前述したような電極指の配列および対称性をくずすことなく加工するには精度 が要求されるが、作業によっては精度が若干異なることがあり、そのため静磁波 共振子の共振特性ばらつきや劣化が生じ、その結果、発振器の位相雑音が劣化し てしまう問題があった。この時の発振器の位相雑音を測定した結果、図３（ｂ） のようになった。
【０００４】
本考案は前記課題を解決するために、非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成し 、前記フェリ磁性薄膜上に一本または複数本の電極指とパッド電極を形成して、 前記フェリ磁性薄膜の内部にマイクロ波帯にて静磁波を励起、伝搬、共鳴を起こ させる構造とした静磁波共振子であって、前記電極指が静磁波の伝搬する反射端 面のどちらか一方に集中して形成されていることを特徴とする静磁波共振子であ る。
【０００５】
以下本考案を実施例に基づいて詳しく説明する。 図１（ａ）、（ｂ）は本考案の実施例を示す図である。ＧＧＧ基板１の上にＹ ＩＧ薄膜２を液相エピタキシャル法により形成し、更にこの薄膜上にＡｕあるい はＡｌ膜からなる一本または複数本の電極指６及びこれらの電極指６の両側にパ ッド電極４ａ、４ｂを写真蝕刻技術により形成したものであり、所望の大きさに ダイサー加工等を施され、誘電体基板５上に設置される。ここで電極指６は図１ （ｂ）に示すように、静磁波の伝搬する反射端面７ａ側に集中して形成してある 。このような構造の静磁波共振子を共振器に用い、発振器を作製して位相雑音を 測定した結果、図３（ａ）のようになり、従来構造の共振子を用いた場合に比べ 約３ｄＢの位相雑音の改善が確認された。また、従来構造の静磁波共振子を用い た発振器にみられるような、共振子の加工精度による位相雑音の劣化はみられな かった。また、本実施例では電極指６は反射端面７ａ側に形成したが、もう一方 の反射端面７ｂ側に集中して形成した場合でも同様の効果がみられる。
【０００６】
以上述べた通り、本考案によれば、静磁波共振子のフェリ磁性薄膜上に形成さ れる電極指を静磁波の伝搬する反射端面のどちらか一方に集中して形成すること により、共振子の加工精度による共振特性のばらつき、劣化を抑制し、発振器の 位相雑音を改善を図ることができる。
【図１】（ａ）は本考案による実施例を示す斜視図であ
り、（ｂ）は平面図である。
り、（ｂ）は平面図である。
【図２】（ａ）は従来技術による斜視図であり、（ｂ）
は平面図である。
は平面図である。
【図３】（ａ）は本考案による発振器の位相雑音の周波
数特性図であり、（ｂ）は従来技術による発振器の位相
雑音の周波数特性図である。
数特性図であり、（ｂ）は従来技術による発振器の位相
雑音の周波数特性図である。
１ ＧＧＧ基板 ２ ＹＩＧ薄膜 ３、６ 電極指 ４ａ、４ｂ パッド電極 ５ 誘電体基板 ７ａ、７ｂ 反射端面
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成
し、前記フェリ磁性薄膜上に一本または複数本の電極指
とパッド電極を形成して、前記フェリ磁性薄膜の内部に
マイクロ波帯にて静磁波を励起、伝搬、共鳴を起こさせ
る構造とした静磁波共振子であって、前記電極指が静磁
波の伝搬する反射端面のどちらか一方に集中して形成さ
れていることを特徴とする静磁波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581392U JPH0634305U (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 静磁波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581392U JPH0634305U (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 静磁波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634305U true JPH0634305U (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=13587001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7581392U Pending JPH0634305U (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 静磁波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634305U (ja) |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP7581392U patent/JPH0634305U/ja active Pending
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