JPH089925Y2 - 静磁波装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特に、たとえばYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体と、そのフェリ磁性基体上に設けられ静磁
波を励起しあるいは受信するためのトランスデューサと
を有する、静磁波装置に関する。

（従来の技術） 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図であ
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。

この静磁波装置１では、たとえばYIG薄膜２の主面に
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁
波（MSFVW）として励起され、その体積前進静磁波は、Y
IG薄膜２上に伝搬され出力アンテナ５で受信される。

（考案が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、入力ア
ンテナおよび出力アンテナとYIG薄膜とのそれぞれの結
合が弱いので、挿入損失が大きい。また、それらの結合
を強めるために、入力アンテナおよび出力アンテナをYI
G薄膜に密着させると、その部分での静磁波の反射が大
きくなり、通過帯域内の振幅，位相偏差が大きくなって
しまう。

それゆえに、この考案の主たる目的は、挿入損失が小
さく、しかも通過帯域内の振幅，位相偏差が小さい、静
磁波装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） この考案は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体
上に設けられるトランスデューサとを含む静磁波装置で
あって、トランスデューサはフェリ磁性基体を横切る金
属部材と、この金属部材を被覆する誘電体層とを含む、
静磁波装置である。

（作用） 金属部材は、アンテナとして働く。

また、誘電体層は、金属部材とフェリ磁性基体との結
合を強める働きをする。したがって、挿入損失が小さく
なる。

さらに、誘電体層は、金属部材をフェリ磁性基体から
離す働きをする。そのため、金属部材による静磁波の反
射が抑制される。したがって、通過帯域内の振幅，位相
偏差が小さくなる。

（考案の効果） この考案によれば、挿入損失が小さく、しかも通過帯
域内の振幅，位相偏差が小さい、静磁波装置が得られ
る。

この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。

（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す断面図である。こ
の静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば矩形
のYIG薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台としてたとえ
ばGGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板14
の一方主面上に、たとえば液相法などの方法でYIG単結
晶をエピタキシャル成長させることによって形成され
る。

さらに、YIG薄膜12上には、その長手方向の両端に、
トランスデューサ16aおよび16bが、それぞれ設けられ
る。一方のトランスデューサ16aは、たとえば断面円形
の金属線材からなる金属部材18aを含み、その金属部材1
8aの側面は、たとえばセラミックスからなる誘電体層20
aで覆われている。そして、そのトランスデューサ16a
は、金属部材18aがYIG薄膜12を横切りかつその誘電体層
20aがYIG薄膜12に接するようにして、設けられている。
同様に、他方のトランスデューサ16bも、断面円形の金
属線材からなる金属部材18bと、金属部材18bの側面を覆
う誘電体層20bとを含み、その金属部材18bがYIG薄膜12
を横切りかつその誘電体層20bがYIG薄膜12に接するよう
に設けられる。

この静磁波装置10には、たとえばYIG薄膜12の主面に
直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、たと
えば一方のトランスデューサ16aの金属部材18aに信号を
入力すれば、YIG薄膜12に所定の帯域の体積前進静磁波
（MSFVW）が励起される。この体積前進静磁波は、YIG薄
膜12上で他方のトランスデューサ16b側に伝搬される。
伝搬された体積前進静磁波は、他方のトランスデューサ
16bで受信され、そのトランスデューサ16bの金属部材18
bから所定の信号として出力される。

この静磁波装置10では、トランスデューサ16aおよび1
6bの金属部材18aおよび18bを覆うように誘電体層20aお
よび20bがそれぞれ形成されているので、金属部材18aお
よび18bとYIG薄膜12との結合が大きくなり、その結果、
挿入損失が小さくなる。

さらに、この静磁波装置10では、金属部材18aおよび1
8bがYIG薄膜12に密着しないので、トランスデューサ16a
および16bによる静磁波の反射が小さくなり、その結
果、通過帯域内の振幅，位相偏差が小さくなるととも
に、群遅延特性が平坦になる。

第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す断面図で
ある。この実施例では、特に、トランスデューサ16aお
よび16bの金属部材18aおよび18bが、帯状の金属板材で
形成されている。また、この実施例でも、金属部材18a
および18bの側面を覆うようにして、誘電体層20aおよび
20bがそれぞれ形成されている。そのため、この実施例
でも、挿入損失が小さく、通過帯域内の振幅，位相偏差
が小さく、しかも群遅延特性が平坦になる。

第3A図はこの考案の他の実施例を示す平面図であり、
第3B図は第3A図の線IIIB-IIIBにおける断面図である。
この実施例では、特に、トランスデューサ16aおよび16b
の金属部材18aおよび18bが、それぞれ、たとえば互いに
平行する３つのラインを有するストリップラインで形成
されている。さらに、これらの金属部材18aおよび18bに
は、平面的にみてYIG薄膜12と重なる部分の周囲に、そ
れぞれ、誘電体層20aおよび20bが形成されている。

この実施例でも、トランスデューサ16aおよび16bの金
属部材18aおよび18bが誘電体層20aおよび20bで覆われて
いるので、挿入損失が小さく、通過帯域内の振幅，位相
偏差が小さく、しかも群遅延特性が平坦になる。

なお、静磁波装置10には、YIG薄膜12に対して平行で
かつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印加し
てもよい。この場合、YIG薄膜12上には、表面静磁波（M
SSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12に対して平行
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、体積後退
静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁波装
置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例を示す断面図である。 第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す断面図であ
る。 第3A図はこの考案の他の実施例を示す平面図であり、第
3B図は第3A図の線IIIB-IIIBにおける断面図である。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、16aおよび
16bはトランスデューサ、18aおよび18bは金属部材、20a
および20bは誘電体層を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−215203（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−233822（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−64802（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−153732（ＪＰ，Ｕ)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】フェリ磁性基体、および 前記フェリ磁性基体上に設けられるトランスデューサを
   含む静磁波装置であって、 前記トランスデューサは 前記フェリ磁性基体を横切る金属部材、および 前記金属部材を被覆する誘電体層を含む、静磁波装置。