JPH06347620A - レプリカミラーの製造方法および製造用型 - Google Patents
レプリカミラーの製造方法および製造用型Info
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- JPH06347620A JPH06347620A JP16636693A JP16636693A JPH06347620A JP H06347620 A JPH06347620 A JP H06347620A JP 16636693 A JP16636693 A JP 16636693A JP 16636693 A JP16636693 A JP 16636693A JP H06347620 A JPH06347620 A JP H06347620A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラスマスター基板に施された離型剤の耐久
性が良好で成形処理回数を飛躍的に増大させる。 【構成】 ガラスマスター基板１に研磨等によって高精
度の面精度をもつ研磨面を形成し、前記研磨面上に順次
密着向上膜２、離型剤である５ｎｍから５０ｎｍの膜厚
の炭素蒸着膜３を成膜した製造用型を用い、前記炭素蒸
着膜３上に、順次第１の保護層４、第１の増反射層５、
第２の増反射層６、金属反射層７および第２の保護層８
からなる多層の反射膜を成膜する。そののち、ベース基
板１０と前記反射膜を成膜した製造用型とを、ベース基
板１０と第２の保護層８との間に接着剤層９を介在させ
て接着する。接着後、炭素蒸着膜３と第１の保護層４と
の界面で前記製造用型側とベース基板側とを剥離するこ
とにより、前記反射膜を前記ベース基板１０に転写す
る。
性が良好で成形処理回数を飛躍的に増大させる。 【構成】 ガラスマスター基板１に研磨等によって高精
度の面精度をもつ研磨面を形成し、前記研磨面上に順次
密着向上膜２、離型剤である５ｎｍから５０ｎｍの膜厚
の炭素蒸着膜３を成膜した製造用型を用い、前記炭素蒸
着膜３上に、順次第１の保護層４、第１の増反射層５、
第２の増反射層６、金属反射層７および第２の保護層８
からなる多層の反射膜を成膜する。そののち、ベース基
板１０と前記反射膜を成膜した製造用型とを、ベース基
板１０と第２の保護層８との間に接着剤層９を介在させ
て接着する。接着後、炭素蒸着膜３と第１の保護層４と
の界面で前記製造用型側とベース基板側とを剥離するこ
とにより、前記反射膜を前記ベース基板１０に転写す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機やファクシミリ
等に用いられるレプリカミラーの製造方法および製造用
型に関するものである。
等に用いられるレプリカミラーの製造方法および製造用
型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、複写機やファクシミリ等に用いら
れる光学ミラーとしては、走査系を軽量化してコピー高
速化を実現するため、大重量のガラスミラーにかえて次
に説明する方法で製造された軽量のレプリカミラーが知
られている。
れる光学ミラーとしては、走査系を軽量化してコピー高
速化を実現するため、大重量のガラスミラーにかえて次
に説明する方法で製造された軽量のレプリカミラーが知
られている。
【０００３】この従来のレプリカミラーの製造方法は、
ガラスマスター基板の片面を研磨等によって高精度の面
精度を有する研磨面としたのち、例えば、パーフルオロ
アルキルシランをトリエタンまたはジクロルメタン等の
溶剤で希釈した液に浸漬することによって、前記研磨面
にフッ素系の離型剤を施した製造用型を用い、前記製造
用型に反射膜を真空蒸着により成膜したのち、前記反射
膜をミラー台を兼ねるベース基板に転写するものであ
る。
ガラスマスター基板の片面を研磨等によって高精度の面
精度を有する研磨面としたのち、例えば、パーフルオロ
アルキルシランをトリエタンまたはジクロルメタン等の
溶剤で希釈した液に浸漬することによって、前記研磨面
にフッ素系の離型剤を施した製造用型を用い、前記製造
用型に反射膜を真空蒸着により成膜したのち、前記反射
膜をミラー台を兼ねるベース基板に転写するものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のレプリカミラーの製造方法では、ガラスマスター基
板に施されたフッ素系の離型剤の耐久性が悪く、数回の
成形処理を行った後のものでは、反射膜が完全に転写さ
れず、転写された反射膜に不良が発生する。このため、
数回の成形処理毎に前記離型剤を施したガラスマスター
基板を新しいものや再処理したものと交換しなければな
らないため製造コストが高くなるという問題点があっ
た。
来のレプリカミラーの製造方法では、ガラスマスター基
板に施されたフッ素系の離型剤の耐久性が悪く、数回の
成形処理を行った後のものでは、反射膜が完全に転写さ
れず、転写された反射膜に不良が発生する。このため、
数回の成形処理毎に前記離型剤を施したガラスマスター
基板を新しいものや再処理したものと交換しなければな
らないため製造コストが高くなるという問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、ガラスマスター基板に
施された離型剤の耐久性が良好で成形処理回数を飛躍的
に増大させ得るレプリカミラーの製造方法および製造用
型を実現することを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、ガラスマスター基板に
施された離型剤の耐久性が良好で成形処理回数を飛躍的
に増大させ得るレプリカミラーの製造方法および製造用
型を実現することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレプリカミラーの製造方法は、高精度の面
精度をもつガラスマスター基板に、離型剤として前記面
精度を損わない程度の膜厚の炭素蒸着膜を成膜した製造
用型を用い、前記製造用型の前記炭素蒸着膜上に蒸着に
よって多層の反射膜を成膜する工程と、前記反射膜が成
膜された製造用型の反射膜側とベース基板とを接着剤を
介在させて接着する接着工程と、前記接着工程後、前記
炭素蒸着膜と前記反射膜との界面で剥離することによ
り、前記反射膜を前記ベース基板に転写することを特徴
とするものである。
に、本発明のレプリカミラーの製造方法は、高精度の面
精度をもつガラスマスター基板に、離型剤として前記面
精度を損わない程度の膜厚の炭素蒸着膜を成膜した製造
用型を用い、前記製造用型の前記炭素蒸着膜上に蒸着に
よって多層の反射膜を成膜する工程と、前記反射膜が成
膜された製造用型の反射膜側とベース基板とを接着剤を
介在させて接着する接着工程と、前記接着工程後、前記
炭素蒸着膜と前記反射膜との界面で剥離することによ
り、前記反射膜を前記ベース基板に転写することを特徴
とするものである。
【０００７】また、本発明のレプリカミラーの製造型
は、高精度の面精度をもつガラスマスター基板に、離型
剤として膜厚が５ｎｍから５０ｎｍの範囲の炭素蒸着膜
を成膜したことを特徴とするものである。
は、高精度の面精度をもつガラスマスター基板に、離型
剤として膜厚が５ｎｍから５０ｎｍの範囲の炭素蒸着膜
を成膜したことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】高精度の面精度をもつガラスマスター基板に、
離型剤として前記面精度を損わない程度の膜厚の炭素蒸
着膜を成膜したレプリカミラーの製造用型は、前記炭素
蒸着膜の離型性および耐久性が良好であるため、その成
形処理回数が飛躍的に増大する。また、ベース基板に転
写された反射膜の面精度はガラスマスター基板の面精度
とほぼ同等の高精度なものとなる。
離型剤として前記面精度を損わない程度の膜厚の炭素蒸
着膜を成膜したレプリカミラーの製造用型は、前記炭素
蒸着膜の離型性および耐久性が良好であるため、その成
形処理回数が飛躍的に増大する。また、ベース基板に転
写された反射膜の面精度はガラスマスター基板の面精度
とほぼ同等の高精度なものとなる。
【０００９】前記炭素蒸着膜は、その膜厚が５ｎｍより
小さいと離型性および耐久性が低下し、５０ｎｍより大
きいと前記面精度を損うので、５ｎｍから５０ｎｍの範
囲とすることが望ましい。
小さいと離型性および耐久性が低下し、５０ｎｍより大
きいと前記面精度を損うので、５ｎｍから５０ｎｍの範
囲とすることが望ましい。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基いて説明する。
【００１１】本発明のレプリカミラーの製造用型は、図
１に示すように、ガラスマスター基板１に研磨等によっ
て高精度の面精度をもつ研磨面を形成し、前記研磨面上
に順次密着向上膜２、離型剤である炭素蒸着膜３を成膜
したものである。
１に示すように、ガラスマスター基板１に研磨等によっ
て高精度の面精度をもつ研磨面を形成し、前記研磨面上
に順次密着向上膜２、離型剤である炭素蒸着膜３を成膜
したものである。
【００１２】密着向上膜２はＴｉＮやＡｌＮ等からなる
ものであって、研磨面を形成したガラスマスター基板１
を超音波洗浄等によって完全に洗浄したのち、前記研磨
面上に通常の真空蒸着法やスパッタリング法等により成
膜する。
ものであって、研磨面を形成したガラスマスター基板１
を超音波洗浄等によって完全に洗浄したのち、前記研磨
面上に通常の真空蒸着法やスパッタリング法等により成
膜する。
【００１３】炭素蒸着膜３は、ガラスマスター基板１の
面精度を損わない程度の膜厚のものであって、図５に示
すイオンビーム蒸着装置によって成膜することができ
る。図５に示すイオンビーム蒸着装置は、基板ホルダ１
０７にガラスマスター基板１を保持させたのち、排気口
１０８より排気して真空槽１０１を所定の圧力まで減圧
し、ガス導入口１０３から所定のガス圧のガス種をイオ
ン化室１０４および引出しグリッド１０５を備えたイオ
ンビーム装置１０２へ導入することによってイオンビー
ム１０６を発生させ、ガラスマスター基板１に照射する
ように構成されている。
面精度を損わない程度の膜厚のものであって、図５に示
すイオンビーム蒸着装置によって成膜することができ
る。図５に示すイオンビーム蒸着装置は、基板ホルダ１
０７にガラスマスター基板１を保持させたのち、排気口
１０８より排気して真空槽１０１を所定の圧力まで減圧
し、ガス導入口１０３から所定のガス圧のガス種をイオ
ン化室１０４および引出しグリッド１０５を備えたイオ
ンビーム装置１０２へ導入することによってイオンビー
ム１０６を発生させ、ガラスマスター基板１に照射する
ように構成されている。
【００１４】上述のようにして作製したレプリカミラー
の製造用型を用い、図２に示すように炭素蒸着膜３上
に、順次第１の保護層４、第１の増反射層５、第２の増
反射層６、金属反射層７および第２の保護層８からなる
多層の反射膜を、真空蒸着またはスパッタリング法等に
よって成膜する。これらの各層は、それぞれ通常用いら
れている膜材料で構成することができる。
の製造用型を用い、図２に示すように炭素蒸着膜３上
に、順次第１の保護層４、第１の増反射層５、第２の増
反射層６、金属反射層７および第２の保護層８からなる
多層の反射膜を、真空蒸着またはスパッタリング法等に
よって成膜する。これらの各層は、それぞれ通常用いら
れている膜材料で構成することができる。
【００１５】そののち、図４に示すように、ミラー台を
兼ねるベース基板１０と前記反射膜を成膜した製造用型
とを、ベース基板１０と第２の保護層８との間に接着剤
層９を介在させて接着する。
兼ねるベース基板１０と前記反射膜を成膜した製造用型
とを、ベース基板１０と第２の保護層８との間に接着剤
層９を介在させて接着する。
【００１６】接着後、炭素蒸着膜３と第１の保護層４と
の界面で前記製造用型側とベース基板側とを剥離するこ
とによって前記反射膜を前記ベース基板１０に転写し、
レプリカミラー１１を得る。
の界面で前記製造用型側とベース基板側とを剥離するこ
とによって前記反射膜を前記ベース基板１０に転写し、
レプリカミラー１１を得る。
【００１７】実施例１ ガラスマスター基板としてサイズ２１１×３×５ｍｍ
3 のフロートガラス基板を準備し、その片面を研磨して
面精度が直径１００ｍｍ内でニュートン１０本以内の研
磨面を形成したのち、これを界面活性剤、純水および溶
剤の超音波洗浄によって表面の汚れを完全に除去する。
3 のフロートガラス基板を準備し、その片面を研磨して
面精度が直径１００ｍｍ内でニュートン１０本以内の研
磨面を形成したのち、これを界面活性剤、純水および溶
剤の超音波洗浄によって表面の汚れを完全に除去する。
【００１８】ついで、前記フロートガラス基板の研磨
面上に通常のスパッタ法によって密着向上膜であるＴｉ
Ｎ層を膜厚３００ｎｍ程度成膜したのち、その上にイオ
ンビーム蒸着により膜厚が２０ｎｍの炭素蒸着膜を成膜
する。本実施例における炭素蒸着膜の主な成膜条件は、
ガス圧を４×１０-4Ｔｏｒｒ、ガス種をＣＨ4 ＋Ｈ2、
加速電圧を９ｋＶ、基板温度を室温とする。密着向上膜
は、ガラスマスター基板に対する炭素蒸着膜の密着性を
向上させるためのものである。
面上に通常のスパッタ法によって密着向上膜であるＴｉ
Ｎ層を膜厚３００ｎｍ程度成膜したのち、その上にイオ
ンビーム蒸着により膜厚が２０ｎｍの炭素蒸着膜を成膜
する。本実施例における炭素蒸着膜の主な成膜条件は、
ガス圧を４×１０-4Ｔｏｒｒ、ガス種をＣＨ4 ＋Ｈ2、
加速電圧を９ｋＶ、基板温度を室温とする。密着向上膜
は、ガラスマスター基板に対する炭素蒸着膜の密着性を
向上させるためのものである。
【００１９】そののち、前記炭素蒸着膜上に、表１に
示す層構成および成膜条件で多層の反射膜を真空蒸着に
よって成膜する。
示す層構成および成膜条件で多層の反射膜を真空蒸着に
よって成膜する。
【００２０】
【表１】 上記の工程後、ベース基板であるボンデ鋼板と第２
の保護層（ＳｉＯ2 膜）の両方に接着剤としてエポキシ
２液性接着剤（熱硬化性接着剤）を滴下して接着剤層に
気泡をまき込まないように貼合わせたのち、温度約６０
℃で３時間加熱したのち室温で２４時間放置する。
の保護層（ＳｉＯ2 膜）の両方に接着剤としてエポキシ
２液性接着剤（熱硬化性接着剤）を滴下して接着剤層に
気泡をまき込まないように貼合わせたのち、温度約６０
℃で３時間加熱したのち室温で２４時間放置する。
【００２１】上記の工程後、離型治具を使用して炭
素蒸着膜と第１の保護層であるＳｉＯ2 膜との界面で剥
離することによってレプリカミラーを得る。
素蒸着膜と第１の保護層であるＳｉＯ2 膜との界面で剥
離することによってレプリカミラーを得る。
【００２２】実施例２ ガラスマスター基板として、第１実施例と同様にサイ
ズ２１１×３×５ｍｍ3 のフロートガラス基板を準備
し、その片面を研磨して面精度が直径１００ｍｍ内でニ
ュートン１０本以内の面精度としたのち、これを界面活
性剤、純水および溶剤の超音波洗浄によって表面の汚れ
を完全に除去する。
ズ２１１×３×５ｍｍ3 のフロートガラス基板を準備
し、その片面を研磨して面精度が直径１００ｍｍ内でニ
ュートン１０本以内の面精度としたのち、これを界面活
性剤、純水および溶剤の超音波洗浄によって表面の汚れ
を完全に除去する。
【００２３】ついで、前記フロートガラス基板の研磨
面上に通常のスパッタリング法によって密着向上膜とし
てＡｌＮを膜厚４００ｎｍ程度成膜する。ついで、密着
向上膜上に高イオンエネルギをもつ炭素ビームを照射し
て炭素蒸着膜を膜厚５０ｎｍ程度成膜した。このときの
主な成膜条件は、ガス圧が２×１０-4Ｔｏｒｒ、ガス種
がＣ2 Ｈ6 ＋Ｈ2 、加速電圧が７ｋＶ、基板温度が２０
０℃である。
面上に通常のスパッタリング法によって密着向上膜とし
てＡｌＮを膜厚４００ｎｍ程度成膜する。ついで、密着
向上膜上に高イオンエネルギをもつ炭素ビームを照射し
て炭素蒸着膜を膜厚５０ｎｍ程度成膜した。このときの
主な成膜条件は、ガス圧が２×１０-4Ｔｏｒｒ、ガス種
がＣ2 Ｈ6 ＋Ｈ2 、加速電圧が７ｋＶ、基板温度が２０
０℃である。
【００２４】そののち、前記炭素蒸着膜の上に、順
次、表２に示す第１の保護層、第１および第２の増反射
層、金属反射層および第２の保護層からなる多層の反射
膜を真空蒸着により成膜した。
次、表２に示す第１の保護層、第１および第２の増反射
層、金属反射層および第２の保護層からなる多層の反射
膜を真空蒸着により成膜した。
【００２５】
【表２】 上記の工程後、アクリロニトリルスチレン樹脂（Ａ
Ｓ）にガラス繊維を混入した材料からなるベース基板
と、第２の保護層側とを第１実施例のの工程と同様に
貼合わせたのち放置する。
Ｓ）にガラス繊維を混入した材料からなるベース基板
と、第２の保護層側とを第１実施例のの工程と同様に
貼合わせたのち放置する。
【００２６】上記の工程後、離型治具を使用して炭
素蒸着膜と第１の保護層であるＳｉＯ2 膜との界面で剥
離することによってレプリカミラーを得る。
素蒸着膜と第１の保護層であるＳｉＯ2 膜との界面で剥
離することによってレプリカミラーを得る。
【００２７】上記実施例１および２に係るレプリカミラ
ーの製造用型は、１００回以上のレプリカミラーの製造
つまり成形処理を繰返し行っても、転写された反射膜に
不良が発生せず、また、製造されたレプリカミラーの面
精度はガラスマスター基板の面精度とほぼ同等である。
ーの製造用型は、１００回以上のレプリカミラーの製造
つまり成形処理を繰返し行っても、転写された反射膜に
不良が発生せず、また、製造されたレプリカミラーの面
精度はガラスマスター基板の面精度とほぼ同等である。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載するような効果を奏する。
ので、次に記載するような効果を奏する。
【００２９】従来の技術であるフッ素系の離型剤を施し
たガラスマスター基板を使用する方法に比較して、本発
明は、成形処理回数が飛躍的に増大するので、レプリカ
ミラーの製造コストが大幅に低減する。また、製造され
たレプリカミラーの反射膜の面精度はガラスマスター基
板の面精度とほぼ同等の高精度なものとなる。
たガラスマスター基板を使用する方法に比較して、本発
明は、成形処理回数が飛躍的に増大するので、レプリカ
ミラーの製造コストが大幅に低減する。また、製造され
たレプリカミラーの反射膜の面精度はガラスマスター基
板の面精度とほぼ同等の高精度なものとなる。
【図１】本発明に係るレプリカミラーの製造用型の模式
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示すレプリカミラーの製造用型に多層の
反射膜を成膜した状態を示す模式断面図である。
反射膜を成膜した状態を示す模式断面図である。
【図３】ベース基板と図２に示す多層の反射膜を成膜し
たレプリカミラーの製造用型とを接着した状態を示す模
式断面図である。
たレプリカミラーの製造用型とを接着した状態を示す模
式断面図である。
【図４】本発明によって製造されたレプリカミラーの模
式断面図である。
式断面図である。
【図５】炭素蒸着膜の成膜に用いるイオンビーム蒸着装
置の説明図である。
置の説明図である。
１ ガラスマスター基板 ２ 密着向上膜 ３ 炭素蒸着膜 ４ 第１の保護層 ５ 第１の増反射層 ６ 第２の増反射層 ７ 金属反射層 ８ 第２の保護層 ９ 接着剤層 １０ ベース基板 １１ レプリカミラー
Claims (5)
- 【請求項１】 高精度の面精度をもつガラスマスター基
板に、離型剤として前記面精度を損わない程度の膜厚の
炭素蒸着膜を成膜した製造用型を用い、前記製造用型の
前記炭素蒸着膜上に蒸着によって多層の反射膜を成膜す
る工程と、前記反射膜が成膜された製造用型の反射膜側
とベース基板とを接着剤を介在させて接着する接着工程
と、前記接着工程後、前記炭素蒸着膜と前記反射膜との
界面で剥離することにより、前記反射膜を前記ベース基
板に転写することを特徴とするレプリカミラーの製造方
法。 - 【請求項２】 多層の反射膜が、炭素蒸着膜側から順次
第１の保護層、第１の増反射層、第２の増反射層、金属
反射層および第２の保護層からなることを特徴とする請
求項１記載のレプリカミラーの製造方法。 - 【請求項３】 炭素蒸着膜の膜厚が５ｎｍから５０ｎｍ
の範囲であることを特徴とするレプリカミラーの製造方
法。 - 【請求項４】 高精度の面精度をもつガラスマスター基
板に、離型剤として膜厚が５ｎｍから５０ｎｍの範囲の
炭素蒸着膜を成膜したことを特徴とするレプリカミラー
の製造用型。 - 【請求項５】 ガラスマスター基板と炭素蒸着膜との間
に密着向上膜を介在させたことを特徴とする請求項４記
載のレプリカミラーの製造用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16636693A JPH06347620A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レプリカミラーの製造方法および製造用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16636693A JPH06347620A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レプリカミラーの製造方法および製造用型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347620A true JPH06347620A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15830073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16636693A Pending JPH06347620A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レプリカミラーの製造方法および製造用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08271708A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-10-18 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | 改良された光学特性を有する外形のモールドされたミラーの製造方法および装置 |
| JP4684372B1 (ja) * | 2010-04-27 | 2011-05-18 | 株式会社シンクロン | 半導体発光素子基板の製造方法 |
| US8216642B2 (en) | 2003-11-20 | 2012-07-10 | Ulvac, Inc. | Method of manufacturing film |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP16636693A patent/JPH06347620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08271708A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-10-18 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | 改良された光学特性を有する外形のモールドされたミラーの製造方法および装置 |
| US8216642B2 (en) | 2003-11-20 | 2012-07-10 | Ulvac, Inc. | Method of manufacturing film |
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| WO2011135667A1 (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | 株式会社シンクロン | 半導体発光素子基板の製造方法 |
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