JPH06347998A - レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ - Google Patents
レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダInfo
- Publication number
- JPH06347998A JPH06347998A JP14055993A JP14055993A JPH06347998A JP H06347998 A JPH06347998 A JP H06347998A JP 14055993 A JP14055993 A JP 14055993A JP 14055993 A JP14055993 A JP 14055993A JP H06347998 A JPH06347998 A JP H06347998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- laser
- pattern
- substrate
- mask holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザー照射に対する耐性を高くしレーザー焼
き付け用マスクの寿命を延ばし、また遮光パターンが他
と分離された島状パターンであっても分離されたとおり
に照射パターンを得られるレーザー焼き付け方法とマス
クホルダを提供する。 【構成】パターンの設けられたマスクを介してレーザー
照射を行い基材に焼き付けする際に、マスクホルダが形
成する流路に冷却媒体を流してマスクを冷却することを
特徴とする。
き付け用マスクの寿命を延ばし、また遮光パターンが他
と分離された島状パターンであっても分離されたとおり
に照射パターンを得られるレーザー焼き付け方法とマス
クホルダを提供する。 【構成】パターンの設けられたマスクを介してレーザー
照射を行い基材に焼き付けする際に、マスクホルダが形
成する流路に冷却媒体を流してマスクを冷却することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基材に対してレーザーを
用いたパターン焼き付け（露光）を行なう際に使用され
るマスクを支持するマスクホルダと、それを用いたレー
ザー焼き付け（露光）方法に関する。
用いたパターン焼き付け（露光）を行なう際に使用され
るマスクを支持するマスクホルダと、それを用いたレー
ザー焼き付け（露光）方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いてパターンを焼き付けす
る方法の従来方法を（図３）に示す。通常、焼き付け用
原版１３は金属の薄膜にパターンに対応した開口部分を
形成したものを用いている。
る方法の従来方法を（図３）に示す。通常、焼き付け用
原版１３は金属の薄膜にパターンに対応した開口部分を
形成したものを用いている。
【０００３】レーザー光は焼き付け用原版１３の開口部
分を通過して光学系９によって基材１０上に焦点を結
び、焼き付けが行われる。焼き付け用原版１３と基材１
０を密着あるいは近接させて焼き付けを行う場合もあ
る。この場合、光学系９は用いない。
分を通過して光学系９によって基材１０上に焦点を結
び、焼き付けが行われる。焼き付け用原版１３と基材１
０を密着あるいは近接させて焼き付けを行う場合もあ
る。この場合、光学系９は用いない。
【０００４】基材１０は有機化合物のフィルム等であっ
てレーザーにより直接形状が形成されてもよい。また基
材はシリコンウエハ等の２次的に加工される材料の上
に、加工用レジストを塗布したものであってもよい、こ
の場合はレジストはレーザーに感光してパターンが形成
される。
てレーザーにより直接形状が形成されてもよい。また基
材はシリコンウエハ等の２次的に加工される材料の上
に、加工用レジストを塗布したものであってもよい、こ
の場合はレジストはレーザーに感光してパターンが形成
される。
【０００５】（図３）の焼き付け用原版１３はレーザー
光透過用開口部分の開いた構造である。このため孤立し
た島状のパターンは形成できず、周辺部とつながった形
状を保つ必要がある。さらにパターンはエッチングによ
って形成するため大きさを焼き付け用原版１３の厚さ以
下の大きさにすることは難しかった。このため、ガラス
等の透明体に遮光用薄膜パターンを形成したマスクを用
いて焼き付けを行う方式が考案されている。
光透過用開口部分の開いた構造である。このため孤立し
た島状のパターンは形成できず、周辺部とつながった形
状を保つ必要がある。さらにパターンはエッチングによ
って形成するため大きさを焼き付け用原版１３の厚さ以
下の大きさにすることは難しかった。このため、ガラス
等の透明体に遮光用薄膜パターンを形成したマスクを用
いて焼き付けを行う方式が考案されている。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】しかし、ガラス等の
透明体に遮光用薄膜パターンを形成した焼き付け用マス
クは微細パターンを形成するために膜厚が薄くレーザー
照射に伴う熱の発生に対する耐性が低く焼き付けマスク
の寿命が短く成る欠点があった。
透明体に遮光用薄膜パターンを形成した焼き付け用マス
クは微細パターンを形成するために膜厚が薄くレーザー
照射に伴う熱の発生に対する耐性が低く焼き付けマスク
の寿命が短く成る欠点があった。
【０００７】本発明は前記問題点に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、レーザー照射に対する
耐性を高くしレーザー焼き付け用マスクの寿命を延ばす
こと。そして、遮光パターンが他と分離された島状パタ
ーンであっても分離されたとおりに照射パターンを得る
ことが出来るようにすることにある。
あり、その目的とするところは、レーザー照射に対する
耐性を高くしレーザー焼き付け用マスクの寿命を延ばす
こと。そして、遮光パターンが他と分離された島状パタ
ーンであっても分離されたとおりに照射パターンを得る
ことが出来るようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、パターンの設
けられたマスクを介してレーザー照射を行い基材に焼き
付けするレーザー焼き付け方法において、レーザー照射
の際に冷却媒体により該マスクを冷却することを特徴と
するレーザー焼き付け方法である。
に本発明が提供する手段とは、すなわち、パターンの設
けられたマスクを介してレーザー照射を行い基材に焼き
付けするレーザー焼き付け方法において、レーザー照射
の際に冷却媒体により該マスクを冷却することを特徴と
するレーザー焼き付け方法である。
【０００９】あるいは、パターンの設けられたマスクを
介してレーザー照射を行い基材に焼き付けする際に用い
るマスクホルダにおいて、冷却媒体の流路を形成する部
材として該マスク部材の少なくとも一部を使用してある
ことを特徴とするレーザー焼き付け用マスクホルダであ
る。
介してレーザー照射を行い基材に焼き付けする際に用い
るマスクホルダにおいて、冷却媒体の流路を形成する部
材として該マスク部材の少なくとも一部を使用してある
ことを特徴とするレーザー焼き付け用マスクホルダであ
る。
【００１０】または、前記マスクが透明基板上に遮光パ
ターンを形成したフォトマスクであることを特徴とする
前記のレーザー焼き付け用マスクホルダである。
ターンを形成したフォトマスクであることを特徴とする
前記のレーザー焼き付け用マスクホルダである。
【００１１】そして好ましくは、前記冷却媒体が液体で
あることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスク
ホルダである。
あることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスク
ホルダである。
【００１２】また好ましくは、前記冷却媒体が水である
ことを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスクホル
ダである。
ことを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスクホル
ダである。
【００１３】そして好ましくは、前記冷却媒体が気体で
あることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスク
ホルダである。
あることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用マスク
ホルダである。
【００１４】あるいは好ましくは、前記冷却媒体がヘリ
ウムであることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用
マスクホルダである。
ウムであることを特徴とする前記のレーザー焼き付け用
マスクホルダである。
【００１５】（図１）を用いて本発明を詳細に説明す
る。焼き付け用基材１０はポリイミド等の有機フィルム
あるいはシリコンウエハ等の基材にレジストを塗布した
もの、または有機フィルムに金属膜を形成したもの等が
使用できる。焼き付け用マスクはエキシマに対して透明
な基板１に遮光パターン２を形成したものを用いる。基
板１に遮光パターン２を形成したマスクをフォトマスク
と称する。
る。焼き付け用基材１０はポリイミド等の有機フィルム
あるいはシリコンウエハ等の基材にレジストを塗布した
もの、または有機フィルムに金属膜を形成したもの等が
使用できる。焼き付け用マスクはエキシマに対して透明
な基板１に遮光パターン２を形成したものを用いる。基
板１に遮光パターン２を形成したマスクをフォトマスク
と称する。
【００１６】基板１は焼き付けを行う光に対して充分に
透明であることが必要である。このことから、基板１の
材質としては石英、フッ化カルシウム、塩化ナトリウム
等が使用可能である。遮光パターン２としては従来の半
導体製造用に使用されているフォトマスク用材料が使用
でき、具体的にはクロム、酸化クロム、タングステン、
金等の金属薄膜、或いは金属酸化物の薄膜である。な
お、レーザー照射や冷却による熱膨張あるいは収縮が生
じるが、焼き付け精度に支障がある場合には予めパター
ンの寸法を補正しておくとか、レーザー照射の条件を修
正するとかの措置を行なうことにより、必要な焼き付け
精度を得ることができる。
透明であることが必要である。このことから、基板１の
材質としては石英、フッ化カルシウム、塩化ナトリウム
等が使用可能である。遮光パターン２としては従来の半
導体製造用に使用されているフォトマスク用材料が使用
でき、具体的にはクロム、酸化クロム、タングステン、
金等の金属薄膜、或いは金属酸化物の薄膜である。な
お、レーザー照射や冷却による熱膨張あるいは収縮が生
じるが、焼き付け精度に支障がある場合には予めパター
ンの寸法を補正しておくとか、レーザー照射の条件を修
正するとかの措置を行なうことにより、必要な焼き付け
精度を得ることができる。
【００１７】マスクホルダの使用方法としては、フォト
マスクを基板１部分で支持板３に取りつける。支持板３
と近接して焼き付け用フォトマスクと反対側に裏面板４
を設け、レーザーの通る部分はフォトマスクの基板１と
同様に透明な光透過窓板５を設ける。レーザー照射時に
はこの支持板３と裏面板４の間に冷却媒体を（図１）の
６から７の様に流してフォトマスクの基板１を冷却し、
これによって遮光パターン２を冷却して、焼き付け光８
によるフォトマスクの劣化を防ぐことができる。フォト
マスク、マスク支持板３、裏面板４、光透過窓板５を含
む部分がホルダ部１２である。
マスクを基板１部分で支持板３に取りつける。支持板３
と近接して焼き付け用フォトマスクと反対側に裏面板４
を設け、レーザーの通る部分はフォトマスクの基板１と
同様に透明な光透過窓板５を設ける。レーザー照射時に
はこの支持板３と裏面板４の間に冷却媒体を（図１）の
６から７の様に流してフォトマスクの基板１を冷却し、
これによって遮光パターン２を冷却して、焼き付け光８
によるフォトマスクの劣化を防ぐことができる。フォト
マスク、マスク支持板３、裏面板４、光透過窓板５を含
む部分がホルダ部１２である。
【００１８】尚、フォトマスクの取付け手段を例示する
と、支持板３に固定した取付け用押さえ具によってフォ
トマスクの基板１を押さえる方法が挙げられる。これに
よると作業が簡単であることから便利である。また、支
持板に細管を形成し基板１を真空吸着する方法も簡単で
便利である。そして、これら以外の方法でも差し支えは
ない。
と、支持板３に固定した取付け用押さえ具によってフォ
トマスクの基板１を押さえる方法が挙げられる。これに
よると作業が簡単であることから便利である。また、支
持板に細管を形成し基板１を真空吸着する方法も簡単で
便利である。そして、これら以外の方法でも差し支えは
ない。
【００１９】光透過窓５を固定する手段を例示すると、
フォトマスクと同様に押さえ具によって固定する方法、
また真空吸着する方法で良い。光透過窓５はフォトマス
クに係わらず連続して使用可能であるので接着剤等によ
って裏面板４に直接接合しても良い。そしてやはり、こ
れら以外の手段であっても差し支えない。
フォトマスクと同様に押さえ具によって固定する方法、
また真空吸着する方法で良い。光透過窓５はフォトマス
クに係わらず連続して使用可能であるので接着剤等によ
って裏面板４に直接接合しても良い。そしてやはり、こ
れら以外の手段であっても差し支えない。
【００２０】冷却用の媒体としては気体、液体を問わな
いが、レーザー光の吸収が少ないものが望ましく、水、
ヘリウム等が使用可能である。雰囲気温度以下に冷却を
行う場合には結露の可能性が有るため雰囲気中の湿度を
下げておく必要がある。
いが、レーザー光の吸収が少ないものが望ましく、水、
ヘリウム等が使用可能である。雰囲気温度以下に冷却を
行う場合には結露の可能性が有るため雰囲気中の湿度を
下げておく必要がある。
【００２１】焼き付け光８は光透過窓板５、冷却媒体、
フォトマスクの基板１を通過して光学系９によって基材
１０上に結像する。フォトマスクの遮光パターン２を直
接基材１０に近接焼き付けする場合には光学系９は必要
ではなく、遮光パターン２と基材１０を接触あるいは近
接させて焼き付けを行う事が出来る。基材１０はレーザ
ー光に耐性のある支持部（図示せず）によって保持され
ている。
フォトマスクの基板１を通過して光学系９によって基材
１０上に結像する。フォトマスクの遮光パターン２を直
接基材１０に近接焼き付けする場合には光学系９は必要
ではなく、遮光パターン２と基材１０を接触あるいは近
接させて焼き付けを行う事が出来る。基材１０はレーザ
ー光に耐性のある支持部（図示せず）によって保持され
ている。
【００２２】（図２）には本発明の他のマスクホルダ部
分１２を示す。焼き付け用の基材１０は基材支持板１１
に保持されている。フォトマスクは（図１）と同様にマ
スク支持板３に保持されている。遮光パターン２と基材
１０は数μｍから数１０μｍの間隔で近接している。こ
の基材支持板１１、マスク支持板３を含む部分がマスク
ホルダ１２である。基材支持板１１はレーザー光に耐性
のある材料によって作製する。
分１２を示す。焼き付け用の基材１０は基材支持板１１
に保持されている。フォトマスクは（図１）と同様にマ
スク支持板３に保持されている。遮光パターン２と基材
１０は数μｍから数１０μｍの間隔で近接している。こ
の基材支持板１１、マスク支持板３を含む部分がマスク
ホルダ１２である。基材支持板１１はレーザー光に耐性
のある材料によって作製する。
【００２３】（図１）に示した光透過窓板５は（図２）
のマスクホルダでは必要がなく、フォトマスクの基板１
が光透過窓板５を兼用している。そして、冷却媒体は６
から７の方向に流れて、フォトマスクの遮光パターン２
に直接に接して冷却する。
のマスクホルダでは必要がなく、フォトマスクの基板１
が光透過窓板５を兼用している。そして、冷却媒体は６
から７の方向に流れて、フォトマスクの遮光パターン２
に直接に接して冷却する。
【００２４】ところで、（図１）での支持板３と裏面板
４との間、あるいは（図２）での遮光パターン２と基材
１０との間は、それぞれ冷却媒体が通るために必要な間
隔を空けておく必要がある。間隔を１μｍ乃至５ｍｍ程
度の範囲に設定しても通常は十分である。（図２）の場
合では、パターン２と基材１０の間隔が１０μｍ乃至１
ｍｍ程度で選択が適当である。尚、前記間隔の寸法とし
ては特に制限はないが、間隔が広過ぎるとマスクやマス
クホルダさらにはレーザー焼き付け装置系の規模が大き
くなり、極端な場合にはコスト高・操作性・設置場所等
々の問題から傾向として好ましくなくなる。また、逆に
間隔が狭過ぎると、冷却媒体の冷却能力が次第に低下し
てくる傾向がある為に好ましくはなく、そして特に（図
２）の場合には近接制御の装置まで必要となりコスト高
・操作性にも繋がりやすく好ましくない。
４との間、あるいは（図２）での遮光パターン２と基材
１０との間は、それぞれ冷却媒体が通るために必要な間
隔を空けておく必要がある。間隔を１μｍ乃至５ｍｍ程
度の範囲に設定しても通常は十分である。（図２）の場
合では、パターン２と基材１０の間隔が１０μｍ乃至１
ｍｍ程度で選択が適当である。尚、前記間隔の寸法とし
ては特に制限はないが、間隔が広過ぎるとマスクやマス
クホルダさらにはレーザー焼き付け装置系の規模が大き
くなり、極端な場合にはコスト高・操作性・設置場所等
々の問題から傾向として好ましくなくなる。また、逆に
間隔が狭過ぎると、冷却媒体の冷却能力が次第に低下し
てくる傾向がある為に好ましくはなく、そして特に（図
２）の場合には近接制御の装置まで必要となりコスト高
・操作性にも繋がりやすく好ましくない。
【００２５】
【作用】本発明によると、焼き付けしようとするパター
ンの原版であるマスクを、レーザー照射時に冷却できる
ことから、レーザーの強力なエネルギーによるマスクの
劣化を防ぐことができ、または劣化の程度やその進行を
緩和することが出来るようになる。また、基板上にレー
ザーを遮光するパターンを設けるため、他と孤立した島
状パターンであっても提供することが出来るようにな
る。
ンの原版であるマスクを、レーザー照射時に冷却できる
ことから、レーザーの強力なエネルギーによるマスクの
劣化を防ぐことができ、または劣化の程度やその進行を
緩和することが出来るようになる。また、基板上にレー
ザーを遮光するパターンを設けるため、他と孤立した島
状パターンであっても提供することが出来るようにな
る。
【００２６】
【実施例】以下に（図１）を参照しながら本発明の実施
例を示す。ここでフォトマスクとしては、半導体集積回
路の製造工程で用いるいわゆるフォトマスクと同様のも
のを用いた。すなわち、基板として約２ｍｍ厚の合成石
英硝子を使用し、遮光パターンはクロムからなる０．１
μｍ厚の薄膜を使用した。このフォトマスクを（図１）
の前記マスクホルダに装填した。裏面の光透過窓板は約
５ｍｍ厚の合成石英硝子を用いた。また冷却媒体として
は温度５℃の冷却水を通した。本実施例では（図１）の
光学系は用いずに基材と遮光パターンを近接させて焼き
付けを行った。基材としてはポリイミドからなる０．１
ｍｍ厚フィルムを用いた。
例を示す。ここでフォトマスクとしては、半導体集積回
路の製造工程で用いるいわゆるフォトマスクと同様のも
のを用いた。すなわち、基板として約２ｍｍ厚の合成石
英硝子を使用し、遮光パターンはクロムからなる０．１
μｍ厚の薄膜を使用した。このフォトマスクを（図１）
の前記マスクホルダに装填した。裏面の光透過窓板は約
５ｍｍ厚の合成石英硝子を用いた。また冷却媒体として
は温度５℃の冷却水を通した。本実施例では（図１）の
光学系は用いずに基材と遮光パターンを近接させて焼き
付けを行った。基材としてはポリイミドからなる０．１
ｍｍ厚フィルムを用いた。
【００２７】そして焼き付けには波長２４８ｎｍのＫｒ
Ｆエキシマレーザーを使用し、フォトマスクの位置で１
パルス当たり約２０ｍＪ／ｃｍ2 の強度に調整したうえ
で、繰り返し照射を行い、計５０回で１か所あたり約１
Ｊ／ｃｍ2 の照射によりポリイミド基材にフォトマスク
パターンを焼き付けた。尚、この工程を２０，０００回
繰り返したがフォトマスクに前記の損傷はみられなかっ
た。
Ｆエキシマレーザーを使用し、フォトマスクの位置で１
パルス当たり約２０ｍＪ／ｃｍ2 の強度に調整したうえ
で、繰り返し照射を行い、計５０回で１か所あたり約１
Ｊ／ｃｍ2 の照射によりポリイミド基材にフォトマスク
パターンを焼き付けた。尚、この工程を２０，０００回
繰り返したがフォトマスクに前記の損傷はみられなかっ
た。
【００２８】＜比較例＞前記実施例とは冷却水を通さな
い点が異なる他は前記実施例と同様にして、マスクホル
ダを用いて波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを
１パルス当たり約２０ｍＪ／ｃｍ2 の強度に調整して、
レーザー照射の繰り返し数を５０回とし、同一の箇所に
約１Ｊ／ｃｍ2 の照射を行い、ポリイミド基材にマスク
パターンを焼き付けた。
い点が異なる他は前記実施例と同様にして、マスクホル
ダを用いて波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを
１パルス当たり約２０ｍＪ／ｃｍ2 の強度に調整して、
レーザー照射の繰り返し数を５０回とし、同一の箇所に
約１Ｊ／ｃｍ2 の照射を行い、ポリイミド基材にマスク
パターンを焼き付けた。
【００２９】ところが、この工程を５００回繰り返した
結果、フォトマスクの遮光パターンに変色がみられた。
結果、フォトマスクの遮光パターンに変色がみられた。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係わるパターン焼き付け方法と
そしてマスクホルダによると、焼き付け時のレーザーの
エネルギーの影響が緩和されるために、レーザー照射に
対する耐性を高くすることになり、レーザー焼き付け用
マスクの劣化を防ぐこと（あるいは劣化を遅らせるこ
と）により寿命を延ばせるようになった。そして、遮光
パターンが他と分離された島状パターンであっても分離
されたとおりに照射パターンを得ることが出来るように
なった。その結果、レーザーによる焼き付けをさまざま
なパターンに対して、且つ容易に安定したレーザー焼き
付けを行えるようになった。
そしてマスクホルダによると、焼き付け時のレーザーの
エネルギーの影響が緩和されるために、レーザー照射に
対する耐性を高くすることになり、レーザー焼き付け用
マスクの劣化を防ぐこと（あるいは劣化を遅らせるこ
と）により寿命を延ばせるようになった。そして、遮光
パターンが他と分離された島状パターンであっても分離
されたとおりに照射パターンを得ることが出来るように
なった。その結果、レーザーによる焼き付けをさまざま
なパターンに対して、且つ容易に安定したレーザー焼き
付けを行えるようになった。
【図１】本発明のマスクホルダと焼き付け方法の１つの
実施例を断面図を用いて示す説明図である。
実施例を断面図を用いて示す説明図である。
【図２】本発明のマスクホルダと焼き付け方法の１つの
実施例を断面図を用いて示す説明図である。
実施例を断面図を用いて示す説明図である。
【図３】従来の焼き付け方法を断面図を用いて示す説明
図である。
図である。
１・・・基板 ２・・・遮光パターン ３・・・マスク支持板 ４・・・裏面板 ５・・・光透過窓板 ６・・・冷却媒体入口 ７・・・冷却媒体出口 ８・・・焼き付け光 ９・・・光学系 10・・・基材 11・・・基材支持板 12・・・マスクホルダ部分 13・・・焼き付け用原版
フロントページの続き (72)発明者 岡野 達広 東京都台東区台東一丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】パターンの設けられたマスクを介してレー
ザー照射を行い基材に焼き付けするレーザー焼き付け方
法において、レーザー照射の際に冷却媒体により該マス
クを冷却することを特徴とするレーザー焼き付け方法。 - 【請求項２】パターンの設けられたマスクを介してレー
ザー照射を行い基材に焼き付けする際に用いるマスクホ
ルダにおいて、冷却媒体の流路を形成する部材として該
マスク部材の少なくとも一部を使用してあることを特徴
とするレーザー焼き付け用マスクホルダ。 - 【請求項３】前記マスクが透明基板上に遮光パターンを
形成したフォトマスクであることを特徴とする請求項２
記載のレーザー焼き付け用マスクホルダ。 - 【請求項４】前記冷却媒体が液体であることを特徴とす
る請求項２乃至３記載のレーザー焼き付け用マスクホル
ダ。 - 【請求項５】前記冷却媒体が水であることを特徴とする
請求項２乃至４記載のレーザー焼き付け用マスクホル
ダ。 - 【請求項６】前記冷却媒体が気体であることを特徴とす
る請求項２乃至３記載のレーザー焼き付け用マスクホル
ダ。 - 【請求項７】前記冷却媒体がヘリウムであることを特徴
とする請求項２乃至３記載または請求項６記載のレーザ
ー焼き付け用マスクホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14055993A JPH06347998A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14055993A JPH06347998A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347998A true JPH06347998A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15271502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14055993A Pending JPH06347998A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347998A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011109073A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | レーザマスク及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14055993A patent/JPH06347998A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011109073A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | レーザマスク及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4864360A (en) | Exposure apparatus | |
| KR100706731B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 | |
| JPH08227851A (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| US5147742A (en) | Photomask and fabrication of the same | |
| JPH06347998A (ja) | レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ | |
| US6627468B2 (en) | Method for manufacturing optical element, optical element, optical system using optical element, optical apparatus and exposure apparatus using optical system, and method for manufacturing device | |
| US12087579B2 (en) | Method for forming semiconductor device | |
| JPH0345526B2 (ja) | ||
| JPS5839463Y2 (ja) | 転写装置 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| US7008730B2 (en) | Application of high transmittance attenuating phase shifting mask with dark tone for sub-0.1 micrometer logic device contact hole pattern in 193 NM lithography | |
| TWI921672B (zh) | Ｅｕｖ光均勻性控制裝置、包括其的ｅｕｖ曝光設備以及使用其的ｅｕｖ光均勻性控制方法 | |
| JP3273157B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造治具およびそれを用いたｘ線マスクの製造方法 | |
| Brors | X-ray mask fabrication | |
| JPS6083019A (ja) | パタ−ン反射型投影露光方法 | |
| JP2712447B2 (ja) | 露光用マスク | |
| JPS641926B2 (ja) | ||
| JPS6156317B2 (ja) | ||
| US7655384B2 (en) | Methods for reducing spherical aberration effects in photolithography | |
| JPH0429142A (ja) | 露光方法およびそれに使用されるマスク | |
| JPH05326367A (ja) | 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク | |
| JP2000021725A (ja) | 半導体製造装置 | |
| GB1589286A (en) | Alignment of a photo-mask with respect to the surface of a substrate body | |
| JPH0737779A (ja) | Ｘ線露光用マスクとそのマスクブランク | |
| Meyerhofer | Incoherent Radiation and Its Applications (Visible, UV, X rays) |