JPH06350194A - 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法 - Google Patents
高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06350194A JPH06350194A JP6123340A JP12334094A JPH06350194A JP H06350194 A JPH06350194 A JP H06350194A JP 6123340 A JP6123340 A JP 6123340A JP 12334094 A JP12334094 A JP 12334094A JP H06350194 A JPH06350194 A JP H06350194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesa
- laser
- mirror stack
- mirror
- cavity surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
- H01S5/18313—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation by oxidizing at least one of the DBR layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18316—Airgap confined
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3215—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities graded composition cladding layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/911—Differential oxidation and etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、新規であって改良された高効率の
縦型空洞表面放出レ−ザを提供することを目的とする。 【構成】 本発明による高効率の縦型空洞表面放出レ−
ザは、第1および第2ミラ−・スタック(31,37)とそれらの
間に挟まれる活性領域(32)とを有する。第2ミラ−・スタ
ック(37)は露出した端部表面および外側側壁並びに中心
付近に配置される光放出領域を有するメサ内に形成され
る。露出した外側側壁に隣接するメサの部分(38)は、減
少した電気的コンダクタンスを有し、外側側壁から中心
付近に配置される光放出領域へ動作電流を集める。その
部分の電気的コンダクタンスは、その外側側壁を酸化ま
たはエッチングすることによって低減される。
縦型空洞表面放出レ−ザを提供することを目的とする。 【構成】 本発明による高効率の縦型空洞表面放出レ−
ザは、第1および第2ミラ−・スタック(31,37)とそれらの
間に挟まれる活性領域(32)とを有する。第2ミラ−・スタ
ック(37)は露出した端部表面および外側側壁並びに中心
付近に配置される光放出領域を有するメサ内に形成され
る。露出した外側側壁に隣接するメサの部分(38)は、減
少した電気的コンダクタンスを有し、外側側壁から中心
付近に配置される光放出領域へ動作電流を集める。その
部分の電気的コンダクタンスは、その外側側壁を酸化ま
たはエッチングすることによって低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縦型空洞表面放出レ−ザ
(vertical cavity surface emitting lasers)に関し、
特に、メサ構造およびそのメサの表面上に光放出ウィン
ドウを有する縦型空洞表面放出レ−ザに関する。
(vertical cavity surface emitting lasers)に関し、
特に、メサ構造およびそのメサの表面上に光放出ウィン
ドウを有する縦型空洞表面放出レ−ザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年非常によく知られてきている縦型空
洞表面放出レ−ザは、様々な構造で形成されている。し
かしながら、その縦型構造の全てにおけるレ−ザの基本
となるものは、2つのミラ−・スタックの間に活性領域を
挟むことである。レ−ザを活性化させるには、そのミラ
−・スタックと活性領域とを介した駆動電流を必要とす
る。これは一般に、レ−ザの一端におけるミラ−・スタ
ックに面する第1電極と、レ−ザの他端におけるミラ−・
スタックに面する第25電極とを配置することによって行
われる。電極の一つは一般に光放出のための中心開口(c
entral opening)を限定する。
洞表面放出レ−ザは、様々な構造で形成されている。し
かしながら、その縦型構造の全てにおけるレ−ザの基本
となるものは、2つのミラ−・スタックの間に活性領域を
挟むことである。レ−ザを活性化させるには、そのミラ
−・スタックと活性領域とを介した駆動電流を必要とす
る。これは一般に、レ−ザの一端におけるミラ−・スタ
ックに面する第1電極と、レ−ザの他端におけるミラ−・
スタックに面する第25電極とを配置することによって行
われる。電極の一つは一般に光放出のための中心開口(c
entral opening)を限定する。
【０００３】効率を最大にするため、その電流の大部分
は、レ−ザ発振と共にすなわち光放出領域と共に、同一
の広がりを有する(coextensive)ことが必要となる。レ
−ザ発振領域以外の電流は浪費されまたは浪費されるレ
−ザ発振を生ぜしめるからである。さらに、電極の1つ
を介する中心開口は、そのレ−ザ発振領域の大きさに極
めて同程度のものとすべきである。もしそうでなければ
レ−ザ内で生じる光のいくらかはレ−ザを生成すること
ができず、そのレ−ザ内で単に反射されて消滅すること
になるからである。したがって、レ−ザ発振領域および
その出力放出を有するレ−ザに対して電流の印加方法を
工夫する必要がある。
は、レ−ザ発振と共にすなわち光放出領域と共に、同一
の広がりを有する(coextensive)ことが必要となる。レ
−ザ発振領域以外の電流は浪費されまたは浪費されるレ
−ザ発振を生ぜしめるからである。さらに、電極の1つ
を介する中心開口は、そのレ−ザ発振領域の大きさに極
めて同程度のものとすべきである。もしそうでなければ
レ−ザ内で生じる光のいくらかはレ−ザを生成すること
ができず、そのレ−ザ内で単に反射されて消滅すること
になるからである。したがって、レ−ザ発振領域および
その出力放出を有するレ−ザに対して電流の印加方法を
工夫する必要がある。
【０００４】図1は従来の縦型空洞表面放出レ−ザ10を
示す。レ−ザ10は第1ミラ−・スタック11と、第1クラッ
ド層13を有する活性層12と、(量子井戸等のような)活性
層14および第2クラッド層15と、第2ミラ−・スタック17
とを含む。第2ミラ−・スタック17はメサ型の構造を形成
するためにエッチ又は選択的に堆積される。一般に、第
2ミラ−・スタック17の大きさ(直径)は、レ−ザ10の動作
モ−ドに依存する。窒化物のような保護および絶縁材料
層19は、第2ミラ−・スタック17の側壁上に形成され、電
気的コンタクト20は第2ミラ−・スタック17の少なくとも
上端部にコンタクトを形成する。電気的コンタクト20
は、第2ミラ−・スタック17の上部表面を介してレ−ザ10
から光を放出するためのウィンドウ22を限定する。第2
電気的コンタクト24は第1ミラ−・スタック11の下部表面
上に配置される。ある実施形態にあっては、第2の電気
的コンタクトは第1ミラ−・スタック11の最上部に配置す
ることが可能であり、この場合外部コンタクトは電気的
コンタクト20と同じ側からアクセスすることが可能であ
る。
示す。レ−ザ10は第1ミラ−・スタック11と、第1クラッ
ド層13を有する活性層12と、(量子井戸等のような)活性
層14および第2クラッド層15と、第2ミラ−・スタック17
とを含む。第2ミラ−・スタック17はメサ型の構造を形成
するためにエッチ又は選択的に堆積される。一般に、第
2ミラ−・スタック17の大きさ(直径)は、レ−ザ10の動作
モ−ドに依存する。窒化物のような保護および絶縁材料
層19は、第2ミラ−・スタック17の側壁上に形成され、電
気的コンタクト20は第2ミラ−・スタック17の少なくとも
上端部にコンタクトを形成する。電気的コンタクト20
は、第2ミラ−・スタック17の上部表面を介してレ−ザ10
から光を放出するためのウィンドウ22を限定する。第2
電気的コンタクト24は第1ミラ−・スタック11の下部表面
上に配置される。ある実施形態にあっては、第2の電気
的コンタクトは第1ミラ−・スタック11の最上部に配置す
ることが可能であり、この場合外部コンタクトは電気的
コンタクト20と同じ側からアクセスすることが可能であ
る。
【０００５】電気的コンタクト20,24に印加される動作
電圧は、レ−ザ発振を行うレ−ザ10において電流を生ぜ
しめる。一般に、第2ミラ−・スタック17の表面上におけ
る電気的コンタクトの部分20に起因して、電流は第2ミ
ラ−・スタック17のメサ型構造を介して流れ、電流が流
れる間レ−ザ発振が維持される。この場合において問題
となることは、メサ型の構造の端部に隣接する、電気的
コンタクト20の下部に発生する光(破線矢印26で示され
る)は閉じ込められ、放出ウィンドウ22を介してレ−ザ1
0から放出されないことである。したがって、電気的コ
ンタクト20の近傍で発生する光は浪費され、レ−ザ10の
動作効率が損なわれることになる。
電圧は、レ−ザ発振を行うレ−ザ10において電流を生ぜ
しめる。一般に、第2ミラ−・スタック17の表面上におけ
る電気的コンタクトの部分20に起因して、電流は第2ミ
ラ−・スタック17のメサ型構造を介して流れ、電流が流
れる間レ−ザ発振が維持される。この場合において問題
となることは、メサ型の構造の端部に隣接する、電気的
コンタクト20の下部に発生する光(破線矢印26で示され
る)は閉じ込められ、放出ウィンドウ22を介してレ−ザ1
0から放出されないことである。したがって、電気的コ
ンタクト20の近傍で発生する光は浪費され、レ−ザ10の
動作効率が損なわれることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規であっ
て改良された高効率の縦型空洞表面放出レ−ザを提供す
ることを目的とする。
て改良された高効率の縦型空洞表面放出レ−ザを提供す
ることを目的とする。
【０００７】本発明の他の目的は、新規であって電流経
路およびレ−ザ発振領域がより近接している改善された
高効率の縦型空洞表面放出レ−ザを提供することを目的
とする。
路およびレ−ザ発振領域がより近接している改善された
高効率の縦型空洞表面放出レ−ザを提供することを目的
とする。
【０００８】本発明の他の目的は、新規であって電流経
路およびレ−ザ発振領域がより近接し、放出ウィンドウ
と共により近接して配置される改善された高効率の縦型
空洞表面放出レ−ザを提供することを目的とする。
路およびレ−ザ発振領域がより近接し、放出ウィンドウ
と共により近接して配置される改善された高効率の縦型
空洞表面放出レ−ザを提供することを目的とする。
【０００９】本発明の他の目的は、新規であって改善さ
れた縦型空洞表面放出レ−ザを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
れた縦型空洞表面放出レ−ザを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以下に述べる高効率の縦
型空洞表面放出レ−ザを形成する方法によって、上述し
た課題等は少なくとも部分的には解決され、上述した目
的等が達成される。その方法は、第1,第2ミラ−・スタッ
クとそれらの間に挟まれる活性領域とを形成する段階
と、露出した端部表面および外側側壁並びに中心付近に
配置される光放出領域とを有するメサの内部に前記第2
ミラ−・スタックを形成する段階と、前記外側側壁から
前記中心付近に配置される光放出領域へ動作電流を導く
ため、前記露出した外側側壁に隣接する前記メサの部分
の電気的コンダクタンスを減少させる段階と、減少した
電気的コンダクタンスを有する前記メサの前記部分上の
位置関係で少なくとも前記メサの端部表面上に電気的コ
ンタクトを形成する段階とを含む。
型空洞表面放出レ−ザを形成する方法によって、上述し
た課題等は少なくとも部分的には解決され、上述した目
的等が達成される。その方法は、第1,第2ミラ−・スタッ
クとそれらの間に挟まれる活性領域とを形成する段階
と、露出した端部表面および外側側壁並びに中心付近に
配置される光放出領域とを有するメサの内部に前記第2
ミラ−・スタックを形成する段階と、前記外側側壁から
前記中心付近に配置される光放出領域へ動作電流を導く
ため、前記露出した外側側壁に隣接する前記メサの部分
の電気的コンダクタンスを減少させる段階と、減少した
電気的コンダクタンスを有する前記メサの前記部分上の
位置関係で少なくとも前記メサの端部表面上に電気的コ
ンタクトを形成する段階とを含む。
【００１１】また、以下に述べる高効率の縦型空洞表面
放出レ−ザによっても上述した問題等は少なくとも部分
的には解決され、上述した目的等が達成される。その縦
型空洞表面放出レ−ザは、第1,第2ミラ−・スタックとそ
れらの間に挟まれる活性領域とを含む。前記第2ミラ−・
スタックは露出した端部表面および外側側壁並びに中心
付近に配置される光放出領域とを有するメサの内部に形
成される。露出した外側側壁に隣接するメサの部分は、
減少した電気的コンタクトを有し、外側側壁から中心付
記に配置される光放出領域へ動作電流を導く。電気的コ
ンタクトは、減少した電気的コンダクタンスを有するメ
サの部分上の位置関係で少なくともそのメサの端部表面
上に形成される。
放出レ−ザによっても上述した問題等は少なくとも部分
的には解決され、上述した目的等が達成される。その縦
型空洞表面放出レ−ザは、第1,第2ミラ−・スタックとそ
れらの間に挟まれる活性領域とを含む。前記第2ミラ−・
スタックは露出した端部表面および外側側壁並びに中心
付近に配置される光放出領域とを有するメサの内部に形
成される。露出した外側側壁に隣接するメサの部分は、
減少した電気的コンタクトを有し、外側側壁から中心付
記に配置される光放出領域へ動作電流を導く。電気的コ
ンタクトは、減少した電気的コンダクタンスを有するメ
サの部分上の位置関係で少なくともそのメサの端部表面
上に形成される。
【００１２】
【実施例】図2は本発明を用いた縦型空洞表面放出レ−
ザ30を示す。レ−ザ30は、第1ミラ−・スタック31と、第
1クラッド領域33を有する活性領域32と、活性領域34お
よび第2クラッド層35と、第2ミラ−・スタック37とを含
む。第2ミラ−・スタック37は、前述したようにメサ型の
構造を形成するために、エッチまたは選択的に堆積され
る。先に述べた光の損失に関する問題を解決するあるい
は除去するため、第2ミラ−・スタック37の一部分38の電
気的コンダクタンスを減少させている。
ザ30を示す。レ−ザ30は、第1ミラ−・スタック31と、第
1クラッド領域33を有する活性領域32と、活性領域34お
よび第2クラッド層35と、第2ミラ−・スタック37とを含
む。第2ミラ−・スタック37は、前述したようにメサ型の
構造を形成するために、エッチまたは選択的に堆積され
る。先に述べた光の損失に関する問題を解決するあるい
は除去するため、第2ミラ−・スタック37の一部分38の電
気的コンダクタンスを減少させている。
【００１３】部分38はメサ型構造の外側側壁に隣接す
る。第2ミラ−・スタック37は主に、濃度の高いおよび低
いAlGaAs(すなわちAl0.15Ga0.85AsおよびAl0.85Ga0.15A
s)の交互に積み重なる分布ブラッグ反射器(distributed
Bragg reflector)から形成される。交互に積み重なる
層37aおよび37bは、交互に変わる屈折率の高低を与え
る。本実施例にあっては、AlGaAsを低濃度および高濃度
に含むアルミニウムの交互層37aおよび37bは、図3に示
されるようにアルミニウム含有物と共に選択的に最適化
され、第2ミラ−・スタック37の外側側壁に沿って高い抵
抗値をメサ型構造の部分38に与える。高濃度のアルミニ
ウム含有物を有する層37bはより迅速に酸化されのであ
るが、このことは図3において第2ミラ−・スタック38の
交互層37aおよび37bにおいて酸化される量が異なること
によって示される。本実施例におけるこの酸化は、水分
を含む窒素雰囲気中にメサ型構造の外側側壁をさらすこ
とによって行われる。この雰囲気中では、アルミニウム
の自然酸化(natural oxidation)は第2ミラ−・スタック3
7内において抵抗の高い領域を生ぜしめる。特にそのプ
ロセスにおけるパラメ−タは摂氏400度であり、水が添
加された窒素のような運搬ガスを用いた正常な流れで行
われる。
る。第2ミラ−・スタック37は主に、濃度の高いおよび低
いAlGaAs(すなわちAl0.15Ga0.85AsおよびAl0.85Ga0.15A
s)の交互に積み重なる分布ブラッグ反射器(distributed
Bragg reflector)から形成される。交互に積み重なる
層37aおよび37bは、交互に変わる屈折率の高低を与え
る。本実施例にあっては、AlGaAsを低濃度および高濃度
に含むアルミニウムの交互層37aおよび37bは、図3に示
されるようにアルミニウム含有物と共に選択的に最適化
され、第2ミラ−・スタック37の外側側壁に沿って高い抵
抗値をメサ型構造の部分38に与える。高濃度のアルミニ
ウム含有物を有する層37bはより迅速に酸化されのであ
るが、このことは図3において第2ミラ−・スタック38の
交互層37aおよび37bにおいて酸化される量が異なること
によって示される。本実施例におけるこの酸化は、水分
を含む窒素雰囲気中にメサ型構造の外側側壁をさらすこ
とによって行われる。この雰囲気中では、アルミニウム
の自然酸化(natural oxidation)は第2ミラ−・スタック3
7内において抵抗の高い領域を生ぜしめる。特にそのプ
ロセスにおけるパラメ−タは摂氏400度であり、水が添
加された窒素のような運搬ガスを用いた正常な流れで行
われる。
【００１４】第2実施例にあっては、第2ミラ−・スタッ
ク37の高濃度にアルミニウムを含むAlGaAs層37bは、ア
ンダ−カットされている。すなわち、部分38の電気的導
電性を減少させるべくエッチングされている。本実施例
にあっては、DI水(DI water)と共に1:50ないし1:200の
範囲内にある希釈フッ化水素を用いることによって、選
択的ウェット・エッチングが行われているが、好適には
約1:120であり、図4に示されるように高濃度にアルミニ
ウムを含むAlGaAsを選択的にエッチする。この場合にお
いて代表的なエッチング時間は約2分間である。このプ
ロセスは高濃度にアルミニウムを含むAlGaAsの交互層37
b内にボイド(void)を形成するが、これは以下に説明す
るように最終的には密閉(seal)される。第2ミラ−・スタ
ック37の端部におけるこのボイドは、第2ミラ−・スタッ
ク37の部分38の電気的コンダクタンスを実質的に減少さ
せる。
ク37の高濃度にアルミニウムを含むAlGaAs層37bは、ア
ンダ−カットされている。すなわち、部分38の電気的導
電性を減少させるべくエッチングされている。本実施例
にあっては、DI水(DI water)と共に1:50ないし1:200の
範囲内にある希釈フッ化水素を用いることによって、選
択的ウェット・エッチングが行われているが、好適には
約1:120であり、図4に示されるように高濃度にアルミニ
ウムを含むAlGaAsを選択的にエッチする。この場合にお
いて代表的なエッチング時間は約2分間である。このプ
ロセスは高濃度にアルミニウムを含むAlGaAsの交互層37
b内にボイド(void)を形成するが、これは以下に説明す
るように最終的には密閉(seal)される。第2ミラ−・スタ
ック37の端部におけるこのボイドは、第2ミラ−・スタッ
ク37の部分38の電気的コンダクタンスを実質的に減少さ
せる。
【００１５】絶縁および保護層39は、酸化されたまたは
選択的にエッチされた部分38上の第2ミラ−・スタック37
の外側側壁上に形成される。電気的コンタクト40は、酸
化されたまたは選択的にエッチされた部分38上の位置関
係にある第2ミラ−・スタック37の壁端部の少なくとも一
部分上に形成される。光放出ウィンドウ42は電気的コン
タクト40内に限定される。本実施例にあっては、部分38
である抵抗の高い領域は、メサ型構造の中心部側に電流
を導く。電気的コンタクト40下部の部分38である抵抗の
高い領域では電流は流れないので、この領域でレ−ザ発
振が生ずることはなく、光も生じない。
選択的にエッチされた部分38上の第2ミラ−・スタック37
の外側側壁上に形成される。電気的コンタクト40は、酸
化されたまたは選択的にエッチされた部分38上の位置関
係にある第2ミラ−・スタック37の壁端部の少なくとも一
部分上に形成される。光放出ウィンドウ42は電気的コン
タクト40内に限定される。本実施例にあっては、部分38
である抵抗の高い領域は、メサ型構造の中心部側に電流
を導く。電気的コンタクト40下部の部分38である抵抗の
高い領域では電流は流れないので、この領域でレ−ザ発
振が生ずることはなく、光も生じない。
【００１６】図5は他の実施例である縦型空洞表面放出
レ−ザ50を示す。レ−ザ50は、第1ミラ−・スタック51
と、第1クラッド領域53を有する活性領域52と、活性領
域54および第2クラッド層55と、第2ミラ−・スタック57
とを含む。第2ミラ−・スタック57の外側側壁は、部分58
内で酸化されまたは選択的にエッチされ、既に述べたよ
うに電気的コンダクタンスを減少させる。絶縁および保
護層59は、その酸化または選択的にエッチされた部分58
上の位置関係で第2ミラ−・スタック57の外側側壁上に形
成される。電気的コンタクト60は、酸化または選択的に
エッチされた部分58上の位置関係で第2ミラ−・スタック
57の壁端部の少なくとも一部分上に形成される。光放出
ウィンドウ62は電気的コンタクト60内に限定される。
レ−ザ50を示す。レ−ザ50は、第1ミラ−・スタック51
と、第1クラッド領域53を有する活性領域52と、活性領
域54および第2クラッド層55と、第2ミラ−・スタック57
とを含む。第2ミラ−・スタック57の外側側壁は、部分58
内で酸化されまたは選択的にエッチされ、既に述べたよ
うに電気的コンダクタンスを減少させる。絶縁および保
護層59は、その酸化または選択的にエッチされた部分58
上の位置関係で第2ミラ−・スタック57の外側側壁上に形
成される。電気的コンタクト60は、酸化または選択的に
エッチされた部分58上の位置関係で第2ミラ−・スタック
57の壁端部の少なくとも一部分上に形成される。光放出
ウィンドウ62は電気的コンタクト60内に限定される。
【００１７】本実施例にあっては、部分58の最上部が、
第2ミラ−・スタック57の最上部表面から下側に隔たって
おり、スペ−ス65を形成している。スペ−ス65は第2ミ
ラ−・スタック57に対して高濃度にド−プされており、
電気的コンタクト60から第2ミラ−・スタック57のレ−ザ
発振領域(中心部)へ電流が容易に流れることに資する。
本実施例にあっては、近似的に100オングストロ−ムの
厚さであるAlGaAsの最上部層は、1019 の濃度でド−プさ
れている。その第1層直下のAlGaAsの第2層は、近似的に
2000オングストロ−ムの厚さを有し、1019の濃度でド−
ピングされる。高濃度にド−プされたスペ−ス65は、抵
抗値の低い電気的電流経路を提供し、電気的コンタクト
60から第2ミラ−・スタック57のレ−ザ発振を行う中心付
近に電流を流す。抵抗の高い部分58は、レ−ザ発振を行
う部分にその電流を方向づけ、電気的コンタクト60直下
の部分58における電流に伴うレ−ザ発振を防止する。
第2ミラ−・スタック57の最上部表面から下側に隔たって
おり、スペ−ス65を形成している。スペ−ス65は第2ミ
ラ−・スタック57に対して高濃度にド−プされており、
電気的コンタクト60から第2ミラ−・スタック57のレ−ザ
発振領域(中心部)へ電流が容易に流れることに資する。
本実施例にあっては、近似的に100オングストロ−ムの
厚さであるAlGaAsの最上部層は、1019 の濃度でド−プさ
れている。その第1層直下のAlGaAsの第2層は、近似的に
2000オングストロ−ムの厚さを有し、1019の濃度でド−
ピングされる。高濃度にド−プされたスペ−ス65は、抵
抗値の低い電気的電流経路を提供し、電気的コンタクト
60から第2ミラ−・スタック57のレ−ザ発振を行う中心付
近に電流を流す。抵抗の高い部分58は、レ−ザ発振を行
う部分にその電流を方向づけ、電気的コンタクト60直下
の部分58における電流に伴うレ−ザ発振を防止する。
【００１８】したがって、部分58では電流は浪費され
ず、この部分におけるレ−ザ発振は起こらなくなる。光
の損失がなく、光が捕捉されることによる電流損失がな
いので、レ−ザはより効率的に動作し、全ての電流が光
を有効に生ぜしめるべく利用される。さらに、本発明を
実施するための付加的な製造工程は必要とされないの
で、ここに開示および説明された構造を製造するにあた
っては比較的簡潔なものとなる。
ず、この部分におけるレ−ザ発振は起こらなくなる。光
の損失がなく、光が捕捉されることによる電流損失がな
いので、レ−ザはより効率的に動作し、全ての電流が光
を有効に生ぜしめるべく利用される。さらに、本発明を
実施するための付加的な製造工程は必要とされないの
で、ここに開示および説明された構造を製造するにあた
っては比較的簡潔なものとなる。
【図1】放出領域を被覆する電極を有する縦型空洞表面
放出レ−ザの部分断面図である。
放出レ−ザの部分断面図である。
【図2】本発明による縦型空洞表面放出レ−ザの断面図
である。
である。
【図3】本発明による他の縦型空洞表面放出レ−ザの部
分断面図である。
分断面図である。
【図4】製造方法を示すべくレ−ザの一部分を拡大した
図である。
図である。
【図5】他の製造方法を示すべくレ−ザの一部分を拡大
した図である。
した図である。
１１，１７ ミラ−・スタック １２ 活性層 １４ 活性領域 １３，１５ クラッド層 １９ 保護層 ２０，２４ 電気的コンタクト ２２ ウィンドウ ２６ 光 ３１，３７ ミラ−・スタック ３２ 活性層 ３４ 活性領域 ３３，３５ クラッド領域 ３９ 保護層 ４０ 電気的コンタクト ４２ ウィンドウ ５１，５７ ミラ−・スタック ５２ 活性層 ５４ 活性領域 ５３，５５ クラッド領域 ５９ 保護層 ６０ 電気的コンタクト ６２ ウィンドウ ６５ スペ−ス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チャン−ロン・シェー アメリカ合衆国アリゾナ州パラダイス・バ レイ、イースト・バー・ズィー・レーン 6739 (72)発明者 ヒシン−チュン・リー アメリカ合衆国カリフォルニア州カラバサ ス、パーク・エンセナダ23246
Claims (2)
- 【請求項１】 第1および第2ミラ−・スタック(31,37)と
それらの間に挟まれた活性領域(32)を形成する段階；露
出した端部表面および外側側壁と中心付近に配置される
光放出領域(42)とを有するメサ内に前記第2ミラ−・スタ
ック(37)を形成する段階；動作電流を前記外側側壁から
前記中心付近に配置された光放出領域へ導くため前記露
出した外側側壁に隣接する前記メサの部分(38)の前記電
気的コンダクタンスを減少させる段階；および減少した
電気的コンダクタンスを有する前記メサの前記部分上の
位置関係で少なくとも前記メサの前記端部表面上に電気
的コンタクト(40)を形成する段階；から構成されること
を特徴とする高効率縦型空洞表面放出レ−ザを形成する
方法。 - 【請求項２】 活性領域(32)を挟む第1および第2ミラ−
スタック(31,37)；露出した端部表面および外側側壁と
中心付近に配置される光放出領域とを有するメサ内に形
成される前記第2ミラ−・スタック(37)；動作電流を前記
外側側壁から前記中心付近に配置される光放出領域へ導
くように、減少した電気的コンダクタンスを有する前記
露出した外側側壁に隣接する前記メサの部分(38)；およ
び減少した電気的コンダクタンスを有する前記メサの前
記部分上の位置関係で少なくとも前記メサの前記端部表
面上に形成される電気的コンタクト(40)；から構成され
ることを特徴とする高効率縦型空洞表面放出レ−ザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US069812 | 1993-06-01 | ||
| US08/069,812 US5359618A (en) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | High efficiency VCSEL and method of fabrication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350194A true JPH06350194A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=22091369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6123340A Pending JPH06350194A (ja) | 1993-06-01 | 1994-05-13 | 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359618A (ja) |
| JP (1) | JPH06350194A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116228A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-05-02 | Fr Telecom | 垂直空胴レーザ放出部品とその製造方法 |
| JPH09162483A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 長波長帯面発光レーザ |
| JPH09237936A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH1027937A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH1027938A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH1051075A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH1075014A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-03-17 | Motorola Inc | 不動態化垂直空洞面発光レーザ |
| JPH10173294A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-26 | Canon Inc | 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス |
| JPH10223973A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO1999018641A1 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting laser and method of production thereof |
| EP0944142A4 (en) * | 1997-10-08 | 2000-12-13 | Seiko Epson Corp | SURFACE-EMITTING LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| JP2001518236A (ja) * | 1997-03-06 | 2001-10-09 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 選択的に変化させられる電流閉じ込め層を有するレーザ |
| JP2003283052A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004128524A (ja) * | 2004-01-29 | 2004-04-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2004158664A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Sony Corp | 面発光半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2006032964A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Agilent Technol Inc | 空隙および保護被覆層を備えているｖｃｓｅｌ |
| JP2007184644A (ja) * | 2007-04-02 | 2007-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100842540B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 |
| JP2017118034A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420880A (en) * | 1993-10-12 | 1995-05-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Low threshold vertical cavity surface emitting laser |
| KR0146713B1 (ko) * | 1994-09-30 | 1998-11-02 | 양승택 | 상부 표면방출 마이크로 레이저의 제조방법 |
| US5493577A (en) * | 1994-12-21 | 1996-02-20 | Sandia Corporation | Efficient semiconductor light-emitting device and method |
| US5633527A (en) * | 1995-02-06 | 1997-05-27 | Sandia Corporation | Unitary lens semiconductor device |
| US5482891A (en) * | 1995-03-17 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | VCSEL with an intergrated heat sink and method of making |
| US5596595A (en) * | 1995-06-08 | 1997-01-21 | Hewlett-Packard Company | Current and heat spreading transparent layers for surface-emitting lasers |
| US5707139A (en) | 1995-11-01 | 1998-01-13 | Hewlett-Packard Company | Vertical cavity surface emitting laser arrays for illumination |
| US5761364A (en) * | 1995-11-02 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Optical waveguide |
| US5719891A (en) | 1995-12-18 | 1998-02-17 | Picolight Incorporated | Conductive element with lateral oxidation barrier |
| US5881085A (en) * | 1996-07-25 | 1999-03-09 | Picolight, Incorporated | Lens comprising at least one oxidized layer and method for forming same |
| US5719892A (en) * | 1996-04-23 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Hybrid mirror structure for a visible emitting VCSEL |
| US5848086A (en) * | 1996-12-09 | 1998-12-08 | Motorola, Inc. | Electrically confined VCSEL |
| US5822356A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-13 | Picolight Incorporated | Intra-cavity lens structures for semiconductor lasers |
| US5978408A (en) | 1997-02-07 | 1999-11-02 | Xerox Corporation | Highly compact vertical cavity surface emitting lasers |
| US6304588B1 (en) * | 1997-02-07 | 2001-10-16 | Xerox Corporation | Method and structure for eliminating polarization instability in laterally-oxidized VCSELs |
| US5896408A (en) * | 1997-08-15 | 1999-04-20 | Hewlett-Packard Company | Near planar native-oxide VCSEL devices and arrays using converging oxide ringlets |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| JP2001251016A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Canon Inc | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
| US6674777B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-01-06 | Honeywell International Inc. | Protective side wall passivation for VCSEL chips |
| US6821027B2 (en) * | 2000-10-16 | 2004-11-23 | Opti Japan Corporation | Miniaturized parallel optical transmitter and receiver module |
| US6990135B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-01-24 | Finisar Corporation | Distributed bragg reflector for optoelectronic device |
| US6905900B1 (en) | 2000-11-28 | 2005-06-14 | Finisar Corporation | Versatile method and system for single mode VCSELs |
| US7065124B2 (en) | 2000-11-28 | 2006-06-20 | Finlsar Corporation | Electron affinity engineered VCSELs |
| US6836501B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-12-28 | Finisar Corporation | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| TWI227799B (en) * | 2000-12-29 | 2005-02-11 | Honeywell Int Inc | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| US6782027B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-08-24 | Finisar Corporation | Resonant reflector for use with optoelectronic devices |
| US6727520B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| US6628694B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-09-30 | Agilent Technologies, Inc. | Reliability-enhancing layers for vertical cavity surface emitting lasers |
| US6534331B2 (en) | 2001-07-24 | 2003-03-18 | Luxnet Corporation | Method for making a vertical-cavity surface emitting laser with improved current confinement |
| US6680963B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-01-20 | Lux Net Corporation | Vertical-cavity surface emitting laser utilizing a reversed biased diode for improved current confinement |
| US6553053B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-22 | Luxnet Corporation | Vertical cavity surface emitting laser having improved light output function |
| US6606199B2 (en) | 2001-10-10 | 2003-08-12 | Honeywell International Inc. | Graded thickness optical element and method of manufacture therefor |
| US6965626B2 (en) | 2002-09-03 | 2005-11-15 | Finisar Corporation | Single mode VCSEL |
| US6813293B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-11-02 | Finisar Corporation | Long wavelength VCSEL with tunnel junction, and implant |
| JP2004207442A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 面発光型半導体レーザ素子 |
| US7298942B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-11-20 | Finisar Corporation | Pluggable optical optic system having a lens fiber stop |
| US7433381B2 (en) | 2003-06-25 | 2008-10-07 | Finisar Corporation | InP based long wavelength VCSEL |
| US7277461B2 (en) | 2003-06-27 | 2007-10-02 | Finisar Corporation | Dielectric VCSEL gain guide |
| US7075962B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-07-11 | Finisar Corporation | VCSEL having thermal management |
| US7054345B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-05-30 | Finisar Corporation | Enhanced lateral oxidation |
| US7149383B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-12-12 | Finisar Corporation | Optical system with reduced back reflection |
| US6961489B2 (en) | 2003-06-30 | 2005-11-01 | Finisar Corporation | High speed optical system |
| US7210857B2 (en) | 2003-07-16 | 2007-05-01 | Finisar Corporation | Optical coupling system |
| US6887801B2 (en) | 2003-07-18 | 2005-05-03 | Finisar Corporation | Edge bead control method and apparatus |
| US7031363B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-04-18 | Finisar Corporation | Long wavelength VCSEL device processing |
| US20050201436A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Doug Collins | Method for processing oxide-confined VCSEL semiconductor devices |
| US7920612B2 (en) | 2004-08-31 | 2011-04-05 | Finisar Corporation | Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region |
| US7829912B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-11-09 | Finisar Corporation | Efficient carrier injection in a semiconductor device |
| US7596165B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-09-29 | Finisar Corporation | Distributed Bragg Reflector for optoelectronic device |
| US7177021B2 (en) * | 2004-09-14 | 2007-02-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated radiation sources and amplifying structures, and methods of using the same |
| US7307719B2 (en) * | 2004-09-14 | 2007-12-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Wavelength-tunable excitation radiation amplifying structure and method |
| US7339666B2 (en) * | 2004-09-14 | 2008-03-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light-amplifying structures and methods for surface-enhanced Raman spectroscopy |
| US7511808B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-03-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Analyte stages including tunable resonant cavities and Raman signal-enhancing structures |
| US7505503B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-03-17 | Cosemi Technologies, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) and related method |
| US8031752B1 (en) | 2007-04-16 | 2011-10-04 | Finisar Corporation | VCSEL optimized for high speed data |
| DE102008014193A1 (de) | 2008-03-14 | 2009-09-24 | Universität Stuttgart | Vertikal-Resonator-Laser |
| US8995493B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
| US7949024B2 (en) | 2009-02-17 | 2011-05-24 | Trilumina Corporation | Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
| US8995485B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | High brightness pulsed VCSEL sources |
| US10244181B2 (en) | 2009-02-17 | 2019-03-26 | Trilumina Corp. | Compact multi-zone infrared laser illuminator |
| US10038304B2 (en) | 2009-02-17 | 2018-07-31 | Trilumina Corp. | Laser arrays for variable optical properties |
| US20130223846A1 (en) | 2009-02-17 | 2013-08-29 | Trilumina Corporation | High speed free-space optical communications |
| US11095365B2 (en) | 2011-08-26 | 2021-08-17 | Lumentum Operations Llc | Wide-angle illuminator module |
| US9065239B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-06-23 | Trilumina Corp. | Multibeam array of top emitting VCSEL elements |
| TWI767598B (zh) | 2020-03-20 | 2022-06-11 | 德商通快光電器件有限公司 | 形成垂直腔面發射雷射的光學孔徑之方法和垂直腔面發射雷射 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943970A (en) * | 1988-10-24 | 1990-07-24 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | Surface emitting laser |
| US4873696A (en) * | 1988-10-31 | 1989-10-10 | The Regents Of The University Of California | Surface-emitting lasers with periodic gain and a parallel driven nipi structure |
| US5245622A (en) * | 1992-05-07 | 1993-09-14 | Bandgap Technology Corporation | Vertical-cavity surface-emitting lasers with intra-cavity structures |
-
1993
- 1993-06-01 US US08/069,812 patent/US5359618A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-13 JP JP6123340A patent/JPH06350194A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116228A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-05-02 | Fr Telecom | 垂直空胴レーザ放出部品とその製造方法 |
| JPH09162483A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 長波長帯面発光レーザ |
| JPH09237936A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH1027937A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH1027938A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH1075014A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-03-17 | Motorola Inc | 不動態化垂直空洞面発光レーザ |
| JPH1051075A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH10173294A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-26 | Canon Inc | 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス |
| JPH10223973A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2001518236A (ja) * | 1997-03-06 | 2001-10-09 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 選択的に変化させられる電流閉じ込め層を有するレーザ |
| EP0944142A4 (en) * | 1997-10-08 | 2000-12-13 | Seiko Epson Corp | SURFACE-EMITTING LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| US6266356B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting laser and method of fabrication thereof |
| WO1999018641A1 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting laser and method of production thereof |
| US6594296B1 (en) | 1997-10-08 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting laser and method of fabrication thereof |
| US6720197B2 (en) | 1997-10-08 | 2004-04-13 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitted laser and method of fabrication thereof |
| JP2003283052A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004158664A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Sony Corp | 面発光半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2004128524A (ja) * | 2004-01-29 | 2004-04-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2006032964A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Agilent Technol Inc | 空隙および保護被覆層を備えているｖｃｓｅｌ |
| KR101148287B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2012-05-22 | 아바고 테크놀로지스 파이버 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 | 공기 갭 및 보호 코팅을 갖는 ｖｃｓｅｌ |
| KR100842540B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 |
| JP2007184644A (ja) * | 2007-04-02 | 2007-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017118034A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5359618A (en) | 1994-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06350194A (ja) | 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法 | |
| EP1306943B1 (en) | Laser with a selectively changed current confining layer | |
| JP3375608B2 (ja) | 共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー | |
| US6320893B1 (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
| US6014400A (en) | Surface-emitting laser and a fabrication method thereof | |
| KR970703633A (ko) | 전류 애퍼쳐가 형성되어 있는 수직 캐비티 레이저(current-apertured ver-tical cavity laser) | |
| JPH0669585A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH11163458A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11243257A (ja) | 個々の光学および電流ガイドを持つ垂直空胴表面発光レーザ | |
| JP2009010248A (ja) | 面発光レーザおよびその製造方法 | |
| EP3940902A1 (en) | Vertical-cavity surface-emitting laser element | |
| JP3188658B2 (ja) | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5920586A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2006059881A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2618610B2 (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ | |
| JP3718952B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| EP0773614A1 (en) | Low resistance P-down top emitting ridge VCSEL and method of fabrication | |
| JP2000277853A (ja) | 電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レーザ装置 | |
| JPH05235473A (ja) | 面型発光素子およびその製造方法 | |
| US4730328A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JP3344096B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2005045107A (ja) | 面発光レーザおよびその製造方法 | |
| JPH11354881A (ja) | 垂直共振器面発光レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2003158340A (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
| JPH1027941A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法 |