JPH0636326B2 - 耐熱性黒色電極 - Google Patents
耐熱性黒色電極Info
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- JPH0636326B2 JPH0636326B2 JP12657589A JP12657589A JPH0636326B2 JP H0636326 B2 JPH0636326 B2 JP H0636326B2 JP 12657589 A JP12657589 A JP 12657589A JP 12657589 A JP12657589 A JP 12657589A JP H0636326 B2 JPH0636326 B2 JP H0636326B2
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- black
- electrode
- heat
- black electrode
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は螢光表示管（以下、VFDと略称する）の配線電
極や薄膜ＥＬ表示素子の背面電極などに用いて好適な耐
熱性黒色電極に関するものである。
極や薄膜ＥＬ表示素子の背面電極などに用いて好適な耐
熱性黒色電極に関するものである。
一般に電気の良導体であるＡｌは、薄膜ＥＬ表示素子の
背面電極やＶＦＤの配線および電極材料として広く用い
られている。しかし、Ａｌ電極の表面は光の反射率が約
９０％と極めて高いので、これを用いた上記表示素子に
おいては、表示面に外光の反射によるギラツキを生じ易
いという欠点がある。このＡｌ電極の光学的欠点を改善
するものとして黒色電極が知られており、その材料とし
てはＣ，AsSs,SiGeもしくはＡｌ，Ｉｎ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｍｏなどの酸化物が提案されている。
背面電極やＶＦＤの配線および電極材料として広く用い
られている。しかし、Ａｌ電極の表面は光の反射率が約
９０％と極めて高いので、これを用いた上記表示素子に
おいては、表示面に外光の反射によるギラツキを生じ易
いという欠点がある。このＡｌ電極の光学的欠点を改善
するものとして黒色電極が知られており、その材料とし
てはＣ，AsSs,SiGeもしくはＡｌ，Ｉｎ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｍｏなどの酸化物が提案されている。
しかしながら、これらの黒色材量とＡｌ電極とを積層し
た黒色電極は、付着力が弱く、また耐熱性に乏しい。し
かもエツチングによるパターニングが難かしく、製造工
程が繁雑となるなどの問題があつた。
た黒色電極は、付着力が弱く、また耐熱性に乏しい。し
かもエツチングによるパターニングが難かしく、製造工
程が繁雑となるなどの問題があつた。
このような問題を改善したものとしては、本発明者らは
特開昭63-241846号公報においてVFDの熱処理工程に耐え
得る耐熱性を有しかつパターニング性に優れた耐熱性黒
色材料とＡｌ電極との２層構造からなる黒色電極を提案
した。
特開昭63-241846号公報においてVFDの熱処理工程に耐え
得る耐熱性を有しかつパターニング性に優れた耐熱性黒
色材料とＡｌ電極との２層構造からなる黒色電極を提案
した。
しかしながら、この２層構造の耐熱性黒色電極では、第
４図に示すようにその分光反射特性は極めて大きなうね
りを有し、このために若干青みがかつた着色や若干ピン
クがかつた着色を生じ易かつた（真の黒色電極では分光
反射率はフラツトな直線となる。）また、人間の視感度
の高い550nm付近での反射率を約１０％以下とするため
には、この２層構造の黒色電極では成膜直後と熱処理後
との間での反射率の変化が極めて大きいため、成膜工程
およびそれに続く熱処理工程において極めて厳密な工程
管理が要求されるという問題があつた。
４図に示すようにその分光反射特性は極めて大きなうね
りを有し、このために若干青みがかつた着色や若干ピン
クがかつた着色を生じ易かつた（真の黒色電極では分光
反射率はフラツトな直線となる。）また、人間の視感度
の高い550nm付近での反射率を約１０％以下とするため
には、この２層構造の黒色電極では成膜直後と熱処理後
との間での反射率の変化が極めて大きいため、成膜工程
およびそれに続く熱処理工程において極めて厳密な工程
管理が要求されるという問題があつた。
本発明は、前述した従来の課題に鑑み、表示素子、特に
螢光体の電子励起面の反対側（基板側）から表示を観察
するタイプのＶＦＤにおける表示面のギラツキを大幅に
低減し、さらにその表示品位を向上させるためになされ
たものであり、ＶＦＤなどの製造工程における熱処理に
耐え得る高い耐熱性を有し、かつパターニング性が良好
でより黒色度の高い耐熱性黒色電極を提供することを目
的としている。
螢光体の電子励起面の反対側（基板側）から表示を観察
するタイプのＶＦＤにおける表示面のギラツキを大幅に
低減し、さらにその表示品位を向上させるためになされ
たものであり、ＶＦＤなどの製造工程における熱処理に
耐え得る高い耐熱性を有し、かつパターニング性が良好
でより黒色度の高い耐熱性黒色電極を提供することを目
的としている。
本発明による耐熱性黒色電極は、透光性絶縁基板上に、
耐熱性金属の中にＡｌおよびＭｏの酸化物のうち少なく
とも１つを含んだ黒色薄膜もしくは耐熱性金属の酸化物
の中にＡｌ，Ｍｏおよびそれらの酸化物のうち少なくと
も１つを含む黒色薄膜を形成し、その上に上記黒色薄膜
より酸化の程度が低い黒色薄膜（中間黒色薄膜）もしく
はＭｏ薄膜（中間Ｍｏ薄膜）を配置し、さらにその上に
Ａｌ薄膜を積層形成して３層薄膜から構成するものであ
る。
耐熱性金属の中にＡｌおよびＭｏの酸化物のうち少なく
とも１つを含んだ黒色薄膜もしくは耐熱性金属の酸化物
の中にＡｌ，Ｍｏおよびそれらの酸化物のうち少なくと
も１つを含む黒色薄膜を形成し、その上に上記黒色薄膜
より酸化の程度が低い黒色薄膜（中間黒色薄膜）もしく
はＭｏ薄膜（中間Ｍｏ薄膜）を配置し、さらにその上に
Ａｌ薄膜を積層形成して３層薄膜から構成するものであ
る。
このとき、上記耐熱性金属およびその酸化物は、Ｔｉ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗおよびそれらの酸化物のう
ち少なくとも１つを主たる構成材料として用いる。
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗおよびそれらの酸化物のう
ち少なくとも１つを主たる構成材料として用いる。
本発明における耐熱性黒色電極においては、黒色度が高
く、各薄膜間および透光性絶縁基板との付着力に優れ、
ＶＦＤなどの表示素子の熱処理工程（空気中約５８０
℃）に耐え得る耐熱性を有し、しかも従来と同じＡのエ
ツチヤントで良好なパターニングを行なうことができ
る。
く、各薄膜間および透光性絶縁基板との付着力に優れ、
ＶＦＤなどの表示素子の熱処理工程（空気中約５８０
℃）に耐え得る耐熱性を有し、しかも従来と同じＡのエ
ツチヤントで良好なパターニングを行なうことができ
る。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１ 第１図は本発明による耐熱性黒色電極の一実施例を示す
主要断面図であり、ここでは基板側から発光を観察する
タイプのＶＦＤ用ガラス基板上に本発明による耐熱性黒
色電極を作製した場合を示している。すなわち、この実
施例では、黒色薄膜および中間黒色薄膜のスパツタリン
グターゲツトとして第２図(a),(b)に示すようなＭｏ板
１にＡｌ酸化物小片２を面積比で約４０％埋め込んだ複
合ターゲツト３を用い、上記ＶＦＤ用ガラス基盤１１上
にＡｒガスを用いて通常のスパツタ法にて膜厚約５００
ÅのＡｌ２Ｏ３：Ｍｏの黒色薄膜１２を形成する。引き
続きこの黒色薄膜１２上に、上記複合ターゲツト３より
も若干Ａｌ酸化物の含有量が少ない複合ターゲツトを用
いて上記同様の条件によるスパツタ法にて膜厚約８００
Åの中間黒色薄膜１３上に、Ａｌ板をターゲツトとして
同様にＡｒガスを用いてスパツタ法にて膜厚約1.5μｍ
のＡｌ薄膜１４を積層形成してこれらの３層薄膜からな
る黒色電極１５を作製した。しかる後、この黒色電極１
５を形成したガラス基板１１を従来と同様のＶＦＤの製
造工程に流してＶＦＤを製造したところ、上記黒色電極
１５の分光反射率は380〜780nmの可視光域においてほぼ
１０％以下であり、かつ人間の視感度の高い550nm付近
での値は５〜６％と低く（第３図参照）、本発明者らが
提案した従来の２層構造よりも黒色度の高い電極が得ら
れた。また、このように構成された黒色電極１５は、従
来の２層構造の黒色電極１５よりも優れた耐熱性（成膜
直後と熱処理後との間での反射率の変化が小さい）と良
好なパターニング性とを有しており、熱処理工程での電
極の白色化，剥れ，導通不良、エツチング不良などの発
生は全く認められなかつた。
主要断面図であり、ここでは基板側から発光を観察する
タイプのＶＦＤ用ガラス基板上に本発明による耐熱性黒
色電極を作製した場合を示している。すなわち、この実
施例では、黒色薄膜および中間黒色薄膜のスパツタリン
グターゲツトとして第２図(a),(b)に示すようなＭｏ板
１にＡｌ酸化物小片２を面積比で約４０％埋め込んだ複
合ターゲツト３を用い、上記ＶＦＤ用ガラス基盤１１上
にＡｒガスを用いて通常のスパツタ法にて膜厚約５００
ÅのＡｌ２Ｏ３：Ｍｏの黒色薄膜１２を形成する。引き
続きこの黒色薄膜１２上に、上記複合ターゲツト３より
も若干Ａｌ酸化物の含有量が少ない複合ターゲツトを用
いて上記同様の条件によるスパツタ法にて膜厚約８００
Åの中間黒色薄膜１３上に、Ａｌ板をターゲツトとして
同様にＡｒガスを用いてスパツタ法にて膜厚約1.5μｍ
のＡｌ薄膜１４を積層形成してこれらの３層薄膜からな
る黒色電極１５を作製した。しかる後、この黒色電極１
５を形成したガラス基板１１を従来と同様のＶＦＤの製
造工程に流してＶＦＤを製造したところ、上記黒色電極
１５の分光反射率は380〜780nmの可視光域においてほぼ
１０％以下であり、かつ人間の視感度の高い550nm付近
での値は５〜６％と低く（第３図参照）、本発明者らが
提案した従来の２層構造よりも黒色度の高い電極が得ら
れた。また、このように構成された黒色電極１５は、従
来の２層構造の黒色電極１５よりも優れた耐熱性（成膜
直後と熱処理後との間での反射率の変化が小さい）と良
好なパターニング性とを有しており、熱処理工程での電
極の白色化，剥れ，導通不良、エツチング不良などの発
生は全く認められなかつた。
実施例２ 本実施例では、中間層としてＭｏ薄膜を用いた３層構造
の黒色電極の作製を行なつた。まず、実施例１と同様に
ガラス基板１１上に膜厚約500ÅのAl2O3：Mo黒色薄膜１
２を形成し、引き続きこの黒色薄膜１２上に、中間層と
してＭｏ板をターゲツトをＡｒガスでスパツタを行なつ
て膜厚約1000ÅのＭｏの薄膜を堆積し、さらこのMo薄膜
上に、膜厚1.5μｍのＡｌ薄膜１４を積層形成して黒色
電極を作製した。このように構成された黒色電極を従来
と同様の燐酸系Ａｌエツチヤントにてパターニングを行
なつたところ、膜の剥れや電極パターンの乱れなどの発
生がなく、分光反射率は実施例１の場合と同様に380〜7
80nmの可視光域においてほぼ１０％以下であり、かつ人
間の視感度の高い550nm付近での値は約５％程度（第３
図参照）であつた。
の黒色電極の作製を行なつた。まず、実施例１と同様に
ガラス基板１１上に膜厚約500ÅのAl2O3：Mo黒色薄膜１
２を形成し、引き続きこの黒色薄膜１２上に、中間層と
してＭｏ板をターゲツトをＡｒガスでスパツタを行なつ
て膜厚約1000ÅのＭｏの薄膜を堆積し、さらこのMo薄膜
上に、膜厚1.5μｍのＡｌ薄膜１４を積層形成して黒色
電極を作製した。このように構成された黒色電極を従来
と同様の燐酸系Ａｌエツチヤントにてパターニングを行
なつたところ、膜の剥れや電極パターンの乱れなどの発
生がなく、分光反射率は実施例１の場合と同様に380〜7
80nmの可視光域においてほぼ１０％以下であり、かつ人
間の視感度の高い550nm付近での値は約５％程度（第３
図参照）であつた。
実施例３ 本実施例では、黒色薄膜の形成にスパツタリングターゲ
ツトとしてＡｌ板にＭｏ酸化物を埋め込んで複合ターゲ
ツトを用いた。まず、ガラス基板１１上に膜厚約500Å
のMoOx：Ａｌ黒色薄膜を形成した。このとき、複合ター
ゲツト表面のＭｏ酸化物の占有面積は約５０％であり、
スパツタガスにはＡｒガスを用いた。次にこの黒色薄膜
上に膜厚約1000Åの中間Ｍｏ薄膜を、さらにこの中間Ｍ
ｏ薄膜上に、膜厚約1.5μのＡｌ薄膜１４をそれぞれの
スパツタ法にて堆積して黒色電極を作製した。このよう
に構成された黒色電極においても上述した実施例１，実
施例２の場合と同様に高い黒色度，耐熱性および良好な
パターニング性が得られた。
ツトとしてＡｌ板にＭｏ酸化物を埋め込んで複合ターゲ
ツトを用いた。まず、ガラス基板１１上に膜厚約500Å
のMoOx：Ａｌ黒色薄膜を形成した。このとき、複合ター
ゲツト表面のＭｏ酸化物の占有面積は約５０％であり、
スパツタガスにはＡｒガスを用いた。次にこの黒色薄膜
上に膜厚約1000Åの中間Ｍｏ薄膜を、さらにこの中間Ｍ
ｏ薄膜上に、膜厚約1.5μのＡｌ薄膜１４をそれぞれの
スパツタ法にて堆積して黒色電極を作製した。このよう
に構成された黒色電極においても上述した実施例１，実
施例２の場合と同様に高い黒色度，耐熱性および良好な
パターニング性が得られた。
なお、発明者らの実験によれば、本発明に用いる黒色薄
膜および中間黒色薄膜は、複合ターゲツトに、Ａｌ，Ａ
ｌ酸化物，ＭｏおよびＭｏ酸化物のうち少なくとも１つ
を含ませることにより、燐酸エツチヤントでのエツチン
グが可能であり、またＭｏ中間層も上記エツチヤントで
エツチングできるため、従来のパターニング工程を変更
する必要がなく、さらにＴｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｓｉおよびこれらの酸化物のうち少なくとも１
つを含ませることにより、耐熱性の優れた黒色電極が作
製できた。
膜および中間黒色薄膜は、複合ターゲツトに、Ａｌ，Ａ
ｌ酸化物，ＭｏおよびＭｏ酸化物のうち少なくとも１つ
を含ませることにより、燐酸エツチヤントでのエツチン
グが可能であり、またＭｏ中間層も上記エツチヤントで
エツチングできるため、従来のパターニング工程を変更
する必要がなく、さらにＴｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｓｉおよびこれらの酸化物のうち少なくとも１
つを含ませることにより、耐熱性の優れた黒色電極が作
製できた。
以上説明したように本発明によれば、従来の２層構造の
耐熱性黒色電極と比べてＶＦＤなどの表示素子の製造工
程の熱処理に耐え得る耐熱性の高い、しかもパターニン
グ性に優れたより黒色度の高い黒色電極が得られる。し
たがつて本発明による黒色電極を配線材料に用いること
により、表示品位の極めて優れた螢光体の電子励起面の
反対側から見るタイプのＶＦＤを安価に提供することが
できるとともに上記ＶＦＤ以外の他の表示素子、例えば
薄膜ＥＬ表示素子の背面電極に用いた場合にも同様の効
果を得ることができる。
耐熱性黒色電極と比べてＶＦＤなどの表示素子の製造工
程の熱処理に耐え得る耐熱性の高い、しかもパターニン
グ性に優れたより黒色度の高い黒色電極が得られる。し
たがつて本発明による黒色電極を配線材料に用いること
により、表示品位の極めて優れた螢光体の電子励起面の
反対側から見るタイプのＶＦＤを安価に提供することが
できるとともに上記ＶＦＤ以外の他の表示素子、例えば
薄膜ＥＬ表示素子の背面電極に用いた場合にも同様の効
果を得ることができる。
第１図は本発明による黒色電極の一実施例を示す主要断
面図、第２図(a),(b)は上記実施例において用いられる
複合ターゲツトの一例を示す平面図，そのＢ−Ｂ′線の
断面図、第３図は本発明による黒色電極の分光反射特性
の代表例を示す図、、第４図は従来の２層構造の耐熱性
黒色電極の分光反射率の一例を示す図である。 １……Ｍｏ板、２……Ａｌ酸化物、３……複合ターゲツ
ト、１１……ガラス基板、１２……黒色薄膜、１３……
中間黒色薄膜、１４……Ａｌ薄膜、１５……黒色電極。
面図、第２図(a),(b)は上記実施例において用いられる
複合ターゲツトの一例を示す平面図，そのＢ−Ｂ′線の
断面図、第３図は本発明による黒色電極の分光反射特性
の代表例を示す図、、第４図は従来の２層構造の耐熱性
黒色電極の分光反射率の一例を示す図である。 １……Ｍｏ板、２……Ａｌ酸化物、３……複合ターゲツ
ト、１１……ガラス基板、１２……黒色薄膜、１３……
中間黒色薄膜、１４……Ａｌ薄膜、１５……黒色電極。
Claims (1)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に、耐熱性金属の中にＡ
ｌおよびＭｏの酸化物のうち少なくとも１つを含んだ黒
色薄膜もしくは耐熱性金属の酸化物の中にＡｌ，Ｍｏお
よびそれらの酸化物のうち少なくとも１つを含む黒色薄
膜を形成したうえ、この黒色薄膜上にこの黒色薄膜より
も酸化の程度が低い中間黒色薄膜もしくは中間Ｍｏ薄膜
を堆積し、さらにこの中間黒色薄膜もしくは中間Ｍｏ薄
膜上にＡｌ薄膜を積層してこれら３層薄膜から構成して
なることを特徴とした耐熱性黒色電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12657589A JPH0636326B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 耐熱性黒色電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12657589A JPH0636326B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 耐熱性黒色電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306505A JPH02306505A (ja) | 1990-12-19 |
| JPH0636326B2 true JPH0636326B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=14938562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12657589A Expired - Fee Related JPH0636326B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 耐熱性黒色電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636326B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12657589A patent/JPH0636326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02306505A (ja) | 1990-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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