JPH0636363A - 光ディスクの成膜方法および成膜装置 - Google Patents
光ディスクの成膜方法および成膜装置Info
- Publication number
- JPH0636363A JPH0636363A JP21544592A JP21544592A JPH0636363A JP H0636363 A JPH0636363 A JP H0636363A JP 21544592 A JP21544592 A JP 21544592A JP 21544592 A JP21544592 A JP 21544592A JP H0636363 A JPH0636363 A JP H0636363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- mask
- outer peripheral
- clearance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、信頼性に優れた光ディスクを得ること。 【構成】 基板２の外周部に非成膜エリアを設けるため
にマスク１が配置され、基板２の薄膜形成面３と該マス
ク１とのクリアランス［ｍｍ］をＸで表し、基板２の外
周端面部４と該マスク１とのクリアランス［ｍｍ］をＹ
で表した場合、ＸとＹとが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足することを特徴とする。
れ、信頼性に優れた光ディスクを得ること。 【構成】 基板２の外周部に非成膜エリアを設けるため
にマスク１が配置され、基板２の薄膜形成面３と該マス
ク１とのクリアランス［ｍｍ］をＸで表し、基板２の外
周端面部４と該マスク１とのクリアランス［ｍｍ］をＹ
で表した場合、ＸとＹとが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの成膜方法お
よび成膜装置に関する。
よび成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザー光を照射して情報を記録
し、記録された情報を再生する光ディスクが広く用いら
れるようになってきた。その中で磁気光学効果を利用し
た光磁気ディスクは書換えが可能であるばかりではな
く、オーバーライトができることもあり、今後、用途が
拡大する期待が大きい、光磁気ディスクに用いられる記
録膜材料は希土類金属および遷移金属からなるアモルフ
ァス合金であるために、容易に酸化される。酸化を防止
するために、記録膜の両側に誘電体または耐蝕性に優れ
た金属酸化等からなる保護膜を積層することが一般的で
ある。
し、記録された情報を再生する光ディスクが広く用いら
れるようになってきた。その中で磁気光学効果を利用し
た光磁気ディスクは書換えが可能であるばかりではな
く、オーバーライトができることもあり、今後、用途が
拡大する期待が大きい、光磁気ディスクに用いられる記
録膜材料は希土類金属および遷移金属からなるアモルフ
ァス合金であるために、容易に酸化される。酸化を防止
するために、記録膜の両側に誘電体または耐蝕性に優れ
た金属酸化等からなる保護膜を積層することが一般的で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録膜内外周
端面部は、誘電体膜または金属酸化膜で覆われていない
ため、内外周端面部からの酸化を防止することができな
かった。そのため、成膜時に基板の内外周端面部に非成
膜エリアを設けるためにマスクを設置して記録膜、保護
膜等を形成し、その後、記録膜等の内外周端部、および
記録膜等の全面上に有機保護膜を形成することにより、
内外周端面部からの酸化を防止する技術がある。しかし
ながら、市場での光磁気ディスクの小型化、高密度化の
要求が強まるにしたがい、記録可能な領域を拡大するた
めに、基板外周部の非記録領域（マスク設置領域に対
応）をできるだけ小さくする必要が生じてきた。また、
上記の有機保護膜に要求される特性として、酸素ガスバ
リヤー性および低水分透過率性が優れていること、記録
膜および基板材料との密着性が優れていることが要求さ
れるが、かかる要求特性を満足する有機保護膜剤は見い
出されていない。
端面部は、誘電体膜または金属酸化膜で覆われていない
ため、内外周端面部からの酸化を防止することができな
かった。そのため、成膜時に基板の内外周端面部に非成
膜エリアを設けるためにマスクを設置して記録膜、保護
膜等を形成し、その後、記録膜等の内外周端部、および
記録膜等の全面上に有機保護膜を形成することにより、
内外周端面部からの酸化を防止する技術がある。しかし
ながら、市場での光磁気ディスクの小型化、高密度化の
要求が強まるにしたがい、記録可能な領域を拡大するた
めに、基板外周部の非記録領域（マスク設置領域に対
応）をできるだけ小さくする必要が生じてきた。また、
上記の有機保護膜に要求される特性として、酸素ガスバ
リヤー性および低水分透過率性が優れていること、記録
膜および基板材料との密着性が優れていることが要求さ
れるが、かかる要求特性を満足する有機保護膜剤は見い
出されていない。
【０００４】本発明は上記従来技術の課題に鑑みてなさ
れたもので、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、信頼性に優れた光ディスクを製造することができる
成膜方法および成膜装置を提供することを目的とする。
れたもので、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、信頼性に優れた光ディスクを製造することができる
成膜方法および成膜装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、基板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマ
スクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリア
ランス［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部と該マス
クとのクリアランス［ｍｍ］をＹで表した場合、ＸとＹ
とが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを
特徴とする光ディスクの成膜方法を提供することにより
達成される。
目的は、基板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマ
スクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリア
ランス［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部と該マス
クとのクリアランス［ｍｍ］をＹで表した場合、ＸとＹ
とが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを
特徴とする光ディスクの成膜方法を提供することにより
達成される。
【０００６】また、本発明によれば、上記の目的は、基
板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマスクが配置
され、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリアランス
［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部と該マスクとの
クリアランス［ｍｍ］をＹで表した場合、ＸとＹとが上
記の式を満足することを特徴とする光ディスクの成膜装
置を提供することにより達成される。
板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマスクが配置
され、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリアランス
［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部と該マスクとの
クリアランス［ｍｍ］をＹで表した場合、ＸとＹとが上
記の式を満足することを特徴とする光ディスクの成膜装
置を提供することにより達成される。
【０００７】
【作用】基板上に成膜された記録膜の外周端面部を光学
顕微鏡により詳細に観察した結果を図２に概略図として
示す。図２に示すように、基板の最外周端面部より非成
膜領域（５）、若干成膜されている中間領域（６）、成
膜領域（７）が認められる。ここで、有機保護膜と記録
膜との密着性は中間領域（６）の広さと密接な関係があ
ることが見だされた。すなわち、非成膜領域と成膜領域
との境目に存在する中間領域を小さくすることにより有
機保護膜と記録膜との密着性を高めることができる。上
記のクリアランスＸ，Ｙが上記の式の範囲内であれば、
上記の中間領域を小さくすることができる。なお、Ｙが
０であると、成膜時の基板温度上昇により基板が伸びた
際、基板に歪みが発生することで記録膜にクラックが発
生することがあり、Ｙが０であることは好ましくない。
顕微鏡により詳細に観察した結果を図２に概略図として
示す。図２に示すように、基板の最外周端面部より非成
膜領域（５）、若干成膜されている中間領域（６）、成
膜領域（７）が認められる。ここで、有機保護膜と記録
膜との密着性は中間領域（６）の広さと密接な関係があ
ることが見だされた。すなわち、非成膜領域と成膜領域
との境目に存在する中間領域を小さくすることにより有
機保護膜と記録膜との密着性を高めることができる。上
記のクリアランスＸ，Ｙが上記の式の範囲内であれば、
上記の中間領域を小さくすることができる。なお、Ｙが
０であると、成膜時の基板温度上昇により基板が伸びた
際、基板に歪みが発生することで記録膜にクラックが発
生することがあり、Ｙが０であることは好ましくない。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 （実施例１）本発明におけるマスクの一例と基板との配
置図を図１に示す。図１において、基板２の薄膜形成面
３とマスク１とのクリアランスをＸで表し、基板２の外
周端面部４とマスクとのクリアランスをＹで示す。
る。 （実施例１）本発明におけるマスクの一例と基板との配
置図を図１に示す。図１において、基板２の薄膜形成面
３とマスク１とのクリアランスをＸで表し、基板２の外
周端面部４とマスクとのクリアランスをＹで示す。
【０００９】インライン式マグネトロンスパッタ装置に
おいて上記のＸが０．２ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍであるマ
スクを使用し、直径（Ｒ）５．２５インチ（約１３０ｍ
ｍ）、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、誘
電体保護膜（ＳｉＮ膜：１００ｎｍ）、光磁気記録膜
（ＴｂＦｅＣｏのアモルファス合金膜：２５ｎｍ）、誘
電体保護膜（ＳｉＮ膜：３５ｎｍ）および反射膜（Ａ１
膜：５０ｎｍ）を積層し、これらの膜上に有機保護膜
（大日本インキ化学工業（株）製紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７）をスピンコート法により膜厚が１０μｍになるよ
うに形成して光磁気ディスクを作製した。なお、成膜前
の基板の温度は２３℃、成膜時の基板の温度は５０℃、
ポリカーボネート基板の線膨張係数Ｋは６．０×１０-5
（／℃）である。
おいて上記のＸが０．２ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍであるマ
スクを使用し、直径（Ｒ）５．２５インチ（約１３０ｍ
ｍ）、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、誘
電体保護膜（ＳｉＮ膜：１００ｎｍ）、光磁気記録膜
（ＴｂＦｅＣｏのアモルファス合金膜：２５ｎｍ）、誘
電体保護膜（ＳｉＮ膜：３５ｎｍ）および反射膜（Ａ１
膜：５０ｎｍ）を積層し、これらの膜上に有機保護膜
（大日本インキ化学工業（株）製紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７）をスピンコート法により膜厚が１０μｍになるよ
うに形成して光磁気ディスクを作製した。なお、成膜前
の基板の温度は２３℃、成膜時の基板の温度は５０℃、
ポリカーボネート基板の線膨張係数Ｋは６．０×１０-5
（／℃）である。
【００１０】基板外周端部に対する記録膜の密着性の評
価方法として、カッターナイフを用いて切り傷を、１ｍ
ｍ間隔で縦横に１１本ずつ入れ、合計１００個の基盤目
をつくり、その上にセロテープをはりつけた後、急激に
剥し、剥離した有機保護膜の基盤目を数え、有機保護膜
と記録膜との密着性の評価とした。剥離した基盤目が少
ないほど密着性は良好といえる。記録膜成膜部の中間領
域の広さは光学顕微鏡で直接観察し測定した。また、デ
ィスクの信頼性評価として８０℃、８５％の高温高湿条
件下で２０００時間放置した後のＢｙＥＲ（Ｂｙｔｅ
Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）を測定した。
価方法として、カッターナイフを用いて切り傷を、１ｍ
ｍ間隔で縦横に１１本ずつ入れ、合計１００個の基盤目
をつくり、その上にセロテープをはりつけた後、急激に
剥し、剥離した有機保護膜の基盤目を数え、有機保護膜
と記録膜との密着性の評価とした。剥離した基盤目が少
ないほど密着性は良好といえる。記録膜成膜部の中間領
域の広さは光学顕微鏡で直接観察し測定した。また、デ
ィスクの信頼性評価として８０℃、８５％の高温高湿条
件下で２０００時間放置した後のＢｙＥＲ（Ｂｙｔｅ
Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）を測定した。
【００１１】（実施例２．３）使用した成膜用マスクの
基板とのクリアランスを、Ｘが０．４ｍｍ、Ｙが０．２
ｍｍ（実施例２）、またＸが０ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ
（実施例３）とした以外は実施例１と同一方法で光磁気
ディスクを作製した。 （比較例１〜３）成膜用マスクの基板とのクリアランス
を、Ｘが０．６ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ（比較例１）およ
びＸが０．８ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ（比較例２）とした
以外は実施例１と同一方法で光磁気ディスクを作製し
た。以上の結果を表１にまとめて示した。
基板とのクリアランスを、Ｘが０．４ｍｍ、Ｙが０．２
ｍｍ（実施例２）、またＸが０ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ
（実施例３）とした以外は実施例１と同一方法で光磁気
ディスクを作製した。 （比較例１〜３）成膜用マスクの基板とのクリアランス
を、Ｘが０．６ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ（比較例１）およ
びＸが０．８ｍｍ、Ｙが０．２ｍｍ（比較例２）とした
以外は実施例１と同一方法で光磁気ディスクを作製し
た。以上の結果を表１にまとめて示した。
【表１】 表１より、本発明によれば、有機保護膜と記録膜との高
い密着性が得られ、高温高湿下に長時間晒された後にお
いても、低いＢｙＥＲを維持する光磁気ディスクが得ら
れる。
い密着性が得られ、高温高湿下に長時間晒された後にお
いても、低いＢｙＥＲを維持する光磁気ディスクが得ら
れる。
【００１２】以上、光磁気ディスクについて詳細に説明
したが、本発明に従って追記型光ディスク等を製造して
も同様の効果が得られる。
したが、本発明に従って追記型光ディスク等を製造して
も同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明の光ディスクの成膜方法および成
膜装置によれば、有機保護膜と記録膜との高い密着性が
得られ、信頼性の高い光ディスクが得られる。
膜装置によれば、有機保護膜と記録膜との高い密着性が
得られ、信頼性の高い光ディスクが得られる。
【図１】本発明におけるマスクの一例と基板との配置図
である。
である。
【図２】記録膜の外周端面部の概略図である。
１ マスク ２ 基板 ３ 薄膜形成面 ４ 外周端面部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の外周部に非成膜エリアを設けるた
めにマスクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとの
クリアランス［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部と
該マスクとのクリアランス［ｍｍ］をＹで表した場合、
ＸとＹとが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを
特徴とする光ディスクの成膜方法。 - 【請求項２】 基板の外周部に非成膜エリアを設けるた
めにマスクが配置され、基板の薄膜形成面と該マスクと
のクリアランス［ｍｍ］をＸで表し、基板の外周端面部
と該マスクとのクリアランス［ｍｍ］をＹで表した場
合、ＸとＹとが下記の式 ０≦Ｘ≦０．５ ０＜Ｙ≦Ｋ（Ｔ２−Ｔ１）×Ｒ （ただし、式中、Ｒは基板の直径［ｍｍ］を表し、Ｋは
基板の線膨張係数［／℃］を表し、Ｔ１は成膜前の基板
温度［℃］を表し、Ｔ２は成膜時の基板温度［℃］を表
す。）を満足することを特徴とする光ディスクの成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21544592A JPH0636363A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21544592A JPH0636363A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636363A true JPH0636363A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16672480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21544592A Pending JPH0636363A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9431879B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-30 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Generator motor and electric vehicle using same |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP21544592A patent/JPH0636363A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9431879B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-30 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Generator motor and electric vehicle using same |
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