JPH0637227A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 樹脂モ−ルド後のタイバ−の切断除去の工程
に、大型の切断プレスを要せず、切断金型の摩耗が少な
く、切断時の封止樹脂へのクラックを生じない樹脂封止
型半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ムの提供を目
的とする。 【構成】 リ−ドフレ−ムのリ−ド片とタイバ−の連結
部分を、あらかじめ、分離容易となるごとく加工し、樹
脂モ−ルド後、タイバ−を除去する製造方法及びそのリ
−ドフレ−ムを主たる特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法及びそれに用いるリ−ドフレ−ムに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、多数の樹脂封止型半導体装置の製
造において、所要のリ−ド片を少ない工程で効率的に行
ない、大量生産を可能とし、価格低減を図るものとして、
リ−ドフレ−ムによる製法が広く用いられている。

【０００３】図１は、従来の一般的なリ−ドフレ−ムの
構造図である。例えば、０.５ｍ（２）ｍ板厚の銅板を
プレス加工により、製作したものであり、１は図示しな
い半導体チップを載置する金属支持板、２は外部接続の
ためのリ−ド片、３はリ−ド片を端部で連結するサイド
レ−ル、４はリ−ドフレ−ム加工時や樹脂封止型半導体
装置の製造時に用いるガイドの役割をするパイロット
穴、５は２の各リ−ド片間に位置し、各リ−ド片２間を
連結するタイバ−である。金属支持板１、リ−ド片２等
の各部の形状や本数は例示であり、又、リ−ド片２の上
部、即ち図においてタイバ−５の上部に位置するリ−ド
片部分は選択的に半導体チップを載置するものであり、
残余部分には接続子等が接続される。

【０００４】図２は、図１のリ−ドフレ−ム上の所定位
置に半導体チップ、接続子等を接続し、封止樹脂６を形
成した樹脂モ−ルド後のリ−ドフレ−ムの構造図であ
る。タイバ−５は、トランスファ−モ−ルド方式等によ
る樹脂モ−ルドの際、樹脂が流出するのを阻止する働き
をする。なお、図面の符号は、いずれも同一符号は同等
部分をあらわす。（以下の図面においても同様とす
る。）

【０００５】図３は、図２の樹脂モ−ルド後のリ−ドフ
レ−ムを図示しない専用の切断金型により、タイバ−５
及びサイドレ−ル３を切除し、個々の樹脂封止型半導体
装置に分離した後の構造図である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】樹脂モ−ルド後のタイ
バ−の切断除去の工程において、大型の切断プレスを必
要とすること、切断用金型の摩耗が激しいこと、切断時
の過大ストレスにより、封止樹脂にクラックを生じ易
く、それにより、信頼性に欠けることなどの問題点を生
じる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、リ−ドフレ−
ムを用いて多数の樹脂封止型半導体装置を製造する
（３）方法において、リ−ドフレ−ムのリ−ド片とタイ
バ−の連結部分を、あらかじめ、分離容易となるごとく
加工し、樹脂モ−ルド後、タイバ−を除去することを特
徴とする製造方法、及びそのリ−ドフレ−ムであり、さ
らに、連結部分を仮留め加工や結晶組織のぜい弱部にす
る加工をほどこしたリ−ドフレ−ムとする。これらによ
り、前記課題を解決し、量産性に富み、経済的な樹脂封
止型半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ムを提供す
る。

【０００８】

【実施例】図４は、本発明の実施例によるリ−ドフレ−
ムの構造図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はリ−ド片
２とタイバ−５の切断時の断面図、（ｃ）リ−ド片２と
タイバ−５の圧入状態のＸ−Ｘ断面図である。

【０００９】本発明の製造方法で用いるリ−ドフレ−ム
は、図４（ｂ）のようにリ−ド片２とタイバ−５の連結
部分Ａで切断し、図４（ｃ）のように、再度、元の位置
に圧入するように形成する。従って、見掛け上、リ−ド
片２とタイバ−５は連結部分Ａで結合されるが、又、Ａ
で分離が容易な状態となる。図４（ａ）のようなリ−ド
フレ−ムを用いて、従来と同様に、金属支持板１に半導
体チップを載置し、接続子等、他の部品を接続し、封止
樹脂６を形成する。次いで、樹脂モ−ルド後、タイバ−
５及びサイドレ−ル３を除去して、図３のように、個々
の半導体装置に分離する。本発明の製造方法によれば、タ
イバ−５の除去は、極めて容易となり、ストレスの小さ
い切断又は押圧により実現でき、前記せる問題点を解決
する。

【００１０】図５及び図６は、本発明のリ−ドフレ−ム
の他の実施例による断面構造図である。図５における連
結部分Ａは、リ−ド片２とタイバ−５の間をプレス加工
等で金属結晶組織のぜい弱部１０としたものである。従
って、僅かなストレスによりタイバ−５を破断し得るリ
−ドフレ−ムとなる。連結部分Ａをぜい弱部１０にする
ためには、機械的なせん断ひずみを生じさせる以外に、
化（４）学的腐蝕法によっても形成できる。

【００１１】図６における連結部分Ａは、上下より切込
み７による肉薄部としたものであり、図５と同様の効果
を示す。

【００１２】製造工程進行上、リ−ドフレ−ムの搬送、
移動等において、連結部分Ａが樹脂モ−ルド前に容易に
分離することは製造上の障害となる。従って、図７及び
図８のリ−ドフレ−ムの平面構造図のように連結部分Ａ
に凹凸部８を設けたり（図７）、連結部分Ａにカシメ部
９を設ける（図８）ことによって機械的強度を補強する
仮留め加工をし得る。

【００１３】本発明の実施例の構造は、本発明の要旨の
範囲で種々の変形をなし得るものであり、例えば、個々
の半導体装置に分離したときのリ−ド片の外部導出本数
は４本に限定されない。又、封止樹脂内の金属支持板、
リ−ド片等の形状、位置関係、部品の付加等、設計上の
必要に応じて、任意に選択し得る。さらに、本発明によ
る樹脂封止型半導体装置のリ−ド片は、図３のように、
封止樹脂の一面から導出するものに限らず、複数面から
導出するものについても応用できる。

【００１４】

【発明の効果】以上説明のとおり、量産性に富み、か
つ、経済的な樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリ−
ドフレ−ムを提供するので、整流ダイオ−ド、トランジ
スタ、サイリスタ、ＩＣ等の半導体装置の製造に本発明
を適用して、その産業上の利用効果、極めて大なるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のリ−ドフレ−ムの構造図である。

【図２】（５）従来の樹脂モ−ルド後のリ−ドフレ−ム
の構造図である。

【図３】個々の樹脂封止型半導体装置に分離した構造図
である。

【図４】本発明の実施例によるリ−ドフレ−ムの構造図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）はタイバ−切断時の断面
図、（ｃ）はタイバ−圧入状態のＸ−Ｘ断面図である。

【図５】本発明の他の実施例のリ−ドフレ−ムの断面構
造図である。

【図６】本発明の他の実施例のリ−ドフレ−ムの断面構
造図である。

【図７】本発明の他の実施例のリ−ドフレ−ムの平面構
造図である。

【図８】本発明の他の実施例のリ−ドフレ−ムの平面構
造図である。

【符号の説明】

１ 金属支持板 ２ リ−ド片 ３ サイドレ−ル ４ パイロット穴 ５ タイバ− ６ 封止樹脂 ７ 切込み ８ 凹凸部 ９ カシメ部 １０ ぜい弱部 Ａ 連結部分

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップを搭載する金属支持板から
   のリ−ド片を含む複数のリ−ド片をタイバ−で連結した
   リ−ドフレ−ムを用いて半導体装置を組立て、樹脂モ−
   ルド後、タイバ−を切除して、個々の半導体装置に分離
   する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リ−ド
   フレ−ムのタイバ−とリ−ド片の連結部分を、あらかじ
   め、分離容易となるごとく加工し、樹脂モ−ルド後にタ
   イバ−を除去することを特徴とする樹脂封止型半導体装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 タイバ−とリ−ド片の連結部分を、あら
   かじめ、分離容易となるごとく加工したことを特徴とす
   るリ−ドフレ−ム。
3. 【請求項３】 連結部分を圧入又はカシメ等の仮留め加
   工により形成したことを特徴とする請求項２のリ−ドフ
   レ−ム。
4. 【請求項４】 連結部分を結晶組織のぜい弱部又は肉薄
   部にする加工により形成したことを特徴とする請求項２
   のリ−ドフレ−ム。