JPH0638236U - 半導体ウェーハ縦型ボート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 拡散炉中での熱処理時に半導体ウェーハが複
数本の支持ロッドのそれぞれのウェーハ装着用溝に同じ
面積で受止され、重量バランスを均一にすることでスリ
ップを防止できるようにした、半導体ウェーハ縦型ボー
トを提供する。 【構成】 半導体ウェーハ５を複数載置して熱処理を施
す縦型ボートであって、半導体ウェーハを支持する支持
部Ａ，Ａ′，Ｂ，Ｂ′が、この半導体ウェーハの重心線
Ｌ_１，Ｌ_２を基準として線対称の位置に形成される。半
導体ウェーハの位置を規制するストッパー４を形成す
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体ウェーハ縦型ボートに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

半導体ウェーハ縦型ボートは、半導体ウェーハを拡散炉で熱処理する場合に半 導体ウェーハを支持するもので、従来例えば図６に示すように一対の側枠部材１ とこの側枠部材間に差し渡して取り付けた複数本の支持ロッド２とから構成され 、支持ロッド２の内側には長手方向に一定の間隔をおいて複数個のウェーハ装着 用溝３が形成された構造になっている。 この半導体ウェーハ縦型ボートＭは、ウエーハ装着用溝３に半導体ウェーハＷ をそれぞれ挿入して複数枚の半導体ウェーハを並置すると共に、一方の側枠部材 １の吊下部１ａを治具（図略）等で把持して拡散炉（図略）中に挿入し、そのま ま吊り下げた状態で熱処理するようになっている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

前記従来の半導体ウェーハ縦型ボートによると、熱処理後に半導体ウェーハの うち装着用溝に支持されていた部分にスリップと称する熱歪みが発生する問題点 があった。このスリップの原因は、図７に示すように熱処理時に半導体ウェーハ Ｗが複数本の支持ロッド２のそれぞれのウェーハ装着用溝３の側壁で受止される 受止部Ｐ、Ｑの面積が異なり、重量バランスが均一でないことにあると判明した 。 本考案は、このような従来の問題点を解決するためになされ、拡散炉中での熱 処理時に半導体ウェーハＷが複数本の支持ロッド２のそれぞれのウェーハ装着用 溝３に同じ面積で受止され、重量バランスを均一にすることでスリップを防止で きるようにした、半導体ウェーハ縦型ボートを提供することを課題としたもので ある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

この課題を技術的に解決するための手段として、本考案は、半導体ウェーハを 複数載置して熱処理を施す縦型ボートであって、半導体ウェーハを支持する支持 部がこの半導体ウェーハの重心線を基準として線対称の位置に形成されているこ とを要旨とするものである。 更に、半導体ウェーハの位置を規制するストッパーが形成されていることを要 旨とするものである。

【０００５】

【作 用】

半導体ウェーハを支持する支持部がこの半導体ウェーハの重心線を基準として 線対称の位置に形成されていることから、半導体ウェーハが各支持部に同じ面積 で受止されることになり、重量バランスを均一にすることでスリップの防止を図 ることができる。

【０００６】

【実施例】

以下、本考案の実施例を添付図面により詳説する。 図１において、１は一対の側枠部材であり、一方の側枠部材の外面には吊下部１ ａが形成されている。

【０００７】 ２は支持ロッドであり、前記一対の側枠部材１の上部に左右一対差し渡して固 定され、内面側には長手方向に一定の間隔をあけてウェーハ装着用溝３がそれぞ れ対設されている。 この場合、支持ロッド２は比較的幅広に形成されると共に中央部に長手方向に 沿った切欠き２ａが形成され、この切欠き２ａにより前記ウェーハ装着用溝３が 上下に二分されたような形態を呈している。

【０００８】 ４はストッパーであり、前記一対の側枠部材１の下部に差し渡して左右一対取 り付けられ、その内面側に半導体ウェーハの端面を受止するための傾斜面４ａが それぞれ形成されている。

【０００９】 本考案に係る半導体ウェーハ縦型ボートの第１実施例は上記のように構成され 、ウェーハ装着用溝３にそれぞれ半導体ウェーハを挿入して並置すると共に、側 枠部材１の吊下部１ａを治具（図略）で挟んで拡散炉（図略）内に挿入し、半導 体ウェーハ縦型ボートを吊り下げた状態で加熱処理が行われる。

【００１０】 この時、図２に示すように半導体ウェーハ縦型ボートＭ₁ に支持された各半導 体ウェーハ５は、各ウェーハ装着用溝３の側壁部によって支持されるが、この支 持部は前記切欠き２ａによって二分され、且つ半導体ウェーハ５の重心Ｇを通る 線Ｌ₁ に対して対称の位置になるようにしてある。即ち、支持部Ａ、Ａ′とＢ、 Ｂ′とはそれぞれ線Ｌ₁ に対して線対称になっている。更に、重心Ｇを通って線 Ｌ₁ に直交する線Ｌ₂ に対して支持部Ａ、ＢとＡ′、Ｂ′とがそれぞれ線対称と なる。

【００１１】 前記ストッパー４に対しては、その傾斜面４ａに各半導体ウェーハ５の外周端 面が接触するだけであって支持面積はゼロである。このストッパー４は半導体ウ ェーハ５をウェーハ装着用溝３に挿入する際に、傾斜面４ａで半導体ウェーハ５ の外周端面を受止することにより位置規制するためである。

【００１２】 このように各半導体ウェーハ５はウェーハ装着用溝３の側壁での支持部が重心 線を基準としてそれぞれ線対称の位置になっていることから、半導体ウェーハ５ が各支持部に対し同じ面積で受止されることになり、重量バランスを均一にする ことで拡散処理時でのスリップを未然に防止することができる。

【００１３】 図３は本考案の第２実施例を示すもので、第１実施例と同様に一対の側枠部材 １１と、この側枠部材１１の上部に左右一対差し渡して固定した支持ロッド１２ と、側枠部材１１の下部に差し渡して左右一対取り付けられストッパー１４とか ら構成されている。

【００１４】 又、一方の側枠部材１１の外面には吊下部１１ａが形成され、支持ロッド１２ の内面側には長手方向に一定の間隔をあけてウェーハ装着用溝１３がそれぞれ対 設され、外面側の中央部には凹部１２ｂが形成されており、この凹部１２ｂの底 壁は前記ウェーハ装着用溝１３の部分のみスリット状の孔になっている。更に、 ストッパー１４の内面側には半導体ウェーハの外周端面を受止するための傾斜面 １４ａがそれぞれ形成されている。

【００１５】 このように構成された第２実施例においても、第１実施例と同様の作用、効果 が得られる。図４に示すように半導体ウェーハ縦型ボートＭ₂ に支持された各半 導体ウェーハ１５は、各ウェーハ装着用溝１３の側壁部によって支持され、且つ 半導体ウェーハ１５の重心Ｇを通る線Ｌ₁ に対して対称になるようにしてあるか らである。即ち、支持部ＣとＤとはそれぞれ線Ｌ₁ に対して対称になっており、 更に重心Ｇを通って線Ｌ₁ に直交する線Ｌ₂ に対しても支持部ＣとＤとが対称に なる。

【００１６】 第１実施例と第２実施例の半導体ウェーハ縦型ボートＭ₁ 、Ｍ₂ を用いて実験 した結果図５のようなグラフ図が得られた。ここで、ボトムとは熱拡散炉中の下 部付近、センターとはその中央部付近、トップとは上部付近に位置した半導体ウ ェーハを指す。この場合の熱処理条件は、昇温温度８°Ｃ／min 、昇温レート８ ００°Ｃから１２００°Ｃ、熱処理時間１２００°Ｃで５ｈとし、スリップ検査 はＸ線トポグラフティにて行った。 これによると、従来例のものＭではスリップ面積比が５．５〜７％であるのに 対して、第１実施例のものＭ₁ では０〜０．５％、第２実施例のものＭ₂ では０ 〜１％であり、スリップ低減に著しい効果のあることが判明した。

【００１７】 尚、本考案に係る半導体ウェーハ縦型ボートは前記実施例のものに限定されず 、要するに半導体ウェーハを支持する支持部がこの半導体ウェーハの重心線を基 準として線対称の位置に形成されたものであれば良い。ストッパーがない形態に 構成しても良い。

【００１８】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案によれば、半導体ウェーハを複数載置して熱処理 を施す縦型ボートにおいて、半導体ウェーハを支持する支持部がこの半導体ウェ ーハの重心線を基準として線対称の位置に形成されたので、半導体ウェーハが各 支持部に同じ面積で受止されることになり、重量バランスを均一にすることでス リップの防止が図れる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本考案の第１実施例を示す斜視図である。

【図２】 同、半導体ウエーハの支持状態を示す説明図
である。

【図３】 本考案の第２実施例を示す斜視図である。

【図４】 同、半導体ウエーハの支持状態を示す説明図
である。

【図５】 スリップの実験結果を示すグラフ図である。

【図６】 従来例を示す斜視図である。

【図７】 同、半導体ウエーハの支持状態を示す説明図
である。

【符号の説明】

１…側枠部材 １ａ…吊下部 ２…支持ロッド
２ａ…切欠き ３…ウェーハ装着用溝 ４…ストッ
パー ４ａ…傾斜面 ５…半導体ウェーハ １１…側枠部材 １２…支持ロッド １２ｂ…凹部
１３…ウェーハ装着用溝 １４…ストッパー
１４ａ…傾斜面 １５…半導体ウェーハ

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハを複数載置して熱処理を
   施す縦型ボートであって、半導体ウェーハを支持する支
   持部がこの半導体ウェーハの重心線を基準として線対称
   の位置に形成されている半導体ウェーハ縦型ボート。
2. 【請求項２】 半導体ウェーハの位置を規制するストッ
   パーが形成されている、請求項１記載の半導体ウェーハ
   縦型ボート。