JPH06387B2 - ガラス・セラミツク基板 - Google Patents
ガラス・セラミツク基板Info
- Publication number
- JPH06387B2 JPH06387B2 JP61122271A JP12227186A JPH06387B2 JP H06387 B2 JPH06387 B2 JP H06387B2 JP 61122271 A JP61122271 A JP 61122271A JP 12227186 A JP12227186 A JP 12227186A JP H06387 B2 JPH06387 B2 JP H06387B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic substrate
- nitrogen
- strength
- ceramic
- Prior art date
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- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ガラス・セラミックスのガラスに強度が大きい窒素含有
ガラスを用いて基板強度を上げる。
ガラスを用いて基板強度を上げる。
本発明はガラス・セラミック基板に係り、特にガラスと
して強度が大きい窒素含有ガラスを用いて基板強度を上
げたガラス・セラミック基板に関するものである。
して強度が大きい窒素含有ガラスを用いて基板強度を上
げたガラス・セラミック基板に関するものである。
アルミナ系ガラス・セラミック基板はアルミナとガラス
の複合材料であり、ガラスを含有しているために低温で
焼成できるが、ガラスを含有しているために基板の強度
はガラスの強度に支配されて、従来のアルミナ基板に比
して弱くなる。また、ガラス含有の影響のため熱伝導率
が低い。
の複合材料であり、ガラスを含有しているために低温で
焼成できるが、ガラスを含有しているために基板の強度
はガラスの強度に支配されて、従来のアルミナ基板に比
して弱くなる。また、ガラス含有の影響のため熱伝導率
が低い。
本発明は低温焼成可能な高強度のガラス・セラミツク基
板を提供することを目的とする。
板を提供することを目的とする。
また本発明は低温焼成可能で高熱伝導性ガラス・セラミ
ック基板を提供することを目的とする。
ック基板を提供することを目的とする。
上記問題点は本発明によればガラスとセラミックスから
なるガラス・セラミック基板において;前記ガラスの少
なくとも一部を窒素含有ガラスとしたことを特徴とする
ガラス・セラミックス基板によって解決される。
なるガラス・セラミック基板において;前記ガラスの少
なくとも一部を窒素含有ガラスとしたことを特徴とする
ガラス・セラミックス基板によって解決される。
本発明ではガラスが全て窒素含有ガラスであり、セラミ
ックスが窒化アルミニウムであることが好ましい。
ックスが窒化アルミニウムであることが好ましい。
本発明ではガラスの量を減らしていないので焼成条件を
通常の低温で行なえ、しかも強度の大きな窒素含有ガラ
スを用いているのでガラス・セラミックスの強度を大き
くすることができる。
通常の低温で行なえ、しかも強度の大きな窒素含有ガラ
スを用いているのでガラス・セラミックスの強度を大き
くすることができる。
また本発明ではガラス・セミックスのガラスとして全て
窒素含有ガラスを用い、しかもセラミックスとして高熱
伝導性の窒化アルミニウム(AlN)を用いた場合は熱
伝導性が良く低温で焼成できる。
窒素含有ガラスを用い、しかもセラミックスとして高熱
伝導性の窒化アルミニウム(AlN)を用いた場合は熱
伝導性が良く低温で焼成できる。
以下本発明の実施例を説明する。
粒径4μmのアルミナ粉末とほうけい酸ガラスと窒素含
有ガラス(例えばSiON-Al2O3-CaO)とをそれぞれ体積比
で1:1:1、そしてPMMA,PBVのような有機バ
インダ、メチルエチルケトン(MEK)のような溶剤及び可
塑剤をボールミングで混合し、スラリーを形成した。こ
のスラリーをドクターブレード法により0.3mmの厚さの
グリーンシートに成形した。これを150×150mmの大きさ
に打ち抜いた後、130℃30分の積層条件で10層に積層
した。この積層体を大気雰囲気1050℃で4h焼成した。
有ガラス(例えばSiON-Al2O3-CaO)とをそれぞれ体積比
で1:1:1、そしてPMMA,PBVのような有機バ
インダ、メチルエチルケトン(MEK)のような溶剤及び可
塑剤をボールミングで混合し、スラリーを形成した。こ
のスラリーをドクターブレード法により0.3mmの厚さの
グリーンシートに成形した。これを150×150mmの大きさ
に打ち抜いた後、130℃30分の積層条件で10層に積層
した。この積層体を大気雰囲気1050℃で4h焼成した。
得られたガラスセラミック基板を30×10mmに切断し、曲
げ試験用試験片を作った。この試験片をインストロン試
験機を用いて、三点曲げ試験を行い、その結果を第1表
に示す。
げ試験用試験片を作った。この試験片をインストロン試
験機を用いて、三点曲げ試験を行い、その結果を第1表
に示す。
第1表に示すように本実施例は従来例に比し著しく曲げ
強度が大であった。なお従来例はAl2O3のセラミックとS
iO2-B2O3のガラスを用いたガラス・セラミック基板であ
る。
強度が大であった。なお従来例はAl2O3のセラミックとS
iO2-B2O3のガラスを用いたガラス・セラミック基板であ
る。
第2の実施例として窒化アルミニウム(AlN)35体
積%、例えばCa-Al-Si-O-N系又はY-Al-Si-O-N系の窒素
含有ガラスと上記実施例で用いた、有機バインダ、溶
剤、可塑剤をボールミリングで混合しスラリーを形成し
た。このスラリーをドクターブレード法により300μm
の厚さのグリーンシートに成形した。これを150×150mm
の大きさに打ち抜いた後、銅ペーストをスクリーン印刷
によって配線し、これを10層に積層し、次に窒素雰囲
気中1050℃で5時間焼成した。
積%、例えばCa-Al-Si-O-N系又はY-Al-Si-O-N系の窒素
含有ガラスと上記実施例で用いた、有機バインダ、溶
剤、可塑剤をボールミリングで混合しスラリーを形成し
た。このスラリーをドクターブレード法により300μm
の厚さのグリーンシートに成形した。これを150×150mm
の大きさに打ち抜いた後、銅ペーストをスクリーン印刷
によって配線し、これを10層に積層し、次に窒素雰囲
気中1050℃で5時間焼成した。
このようにして得られたガラス・セラミック基板の試験
結果を第2表に示す。
結果を第2表に示す。
従来例は第1の実施例で用いた基板と同じものである。
第2表から明らかなように本実施例は曲げ強さ及び熱伝
導率が従来例より優れていることがわかる。本実施例に
おける窒素含有ガラスとAlNの組み合せでは窒素含有
ガラスはAlNとの濡れ性が良好という利点もある。
導率が従来例より優れていることがわかる。本実施例に
おける窒素含有ガラスとAlNの組み合せでは窒素含有
ガラスはAlNとの濡れ性が良好という利点もある。
以上説明したように本発明によれば従来のガラス・セラ
ミック基板より強度が大であり、しかもセラミックスと
してAlNを用いれば熱伝導性が向上する。更に本発明
では従来のガラス・セラミック基板の焼成温度である10
00〜1050℃の低温焼成が可能で高速コンピユーター用銅
導体多層セラミック基板として使用できる。
ミック基板より強度が大であり、しかもセラミックスと
してAlNを用いれば熱伝導性が向上する。更に本発明
では従来のガラス・セラミック基板の焼成温度である10
00〜1050℃の低温焼成が可能で高速コンピユーター用銅
導体多層セラミック基板として使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 博三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−177635(JP,A) 特開 昭57−162393(JP,A) 特開 昭60−24095(JP,A) 特開 昭61−12091(JP,A) 特公 昭58−11390(JP,B2)
Claims (2)
- 【請求項1】ガラスとセラミックスからなるガラス・セ
ラミック基板において; 前記ガラスの少なくとも一部を窒素含有ガラスとしたこ
とを特徴とするガラス・セラミック基板。 - 【請求項2】前記ガラスが全て窒素含有ガラスであり、
前記セラミックスが窒化アルミニウムであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のガラス・セラミック
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122271A JPH06387B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ガラス・セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122271A JPH06387B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ガラス・セラミツク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279938A JPS62279938A (ja) | 1987-12-04 |
| JPH06387B2 true JPH06387B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14831829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122271A Expired - Lifetime JPH06387B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ガラス・セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06387B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07149539A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 |
| US12479758B1 (en) | 2024-12-19 | 2025-11-25 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Development of oxynitride glass-ceramics preparations and uses thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811390B2 (ja) * | 1977-02-18 | 1983-03-02 | 株式会社東芝 | 熱伝導性基板の製造方法 |
| JPS57162393A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
| JPS6024095A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | 株式会社日立製作所 | ガラスセラミツクス多層配線基板の製造法 |
| JPH0810710B2 (ja) * | 1984-02-24 | 1996-01-31 | 株式会社東芝 | 良熱伝導性基板の製造方法 |
| JPS6112091A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 株式会社日立製作所 | 多層回路基板及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61122271A patent/JPH06387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62279938A (ja) | 1987-12-04 |
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