JPH0640545B2 - ウエハの熱処理方法 - Google Patents
ウエハの熱処理方法Info
- Publication number
- JPH0640545B2 JPH0640545B2 JP12279286A JP12279286A JPH0640545B2 JP H0640545 B2 JPH0640545 B2 JP H0640545B2 JP 12279286 A JP12279286 A JP 12279286A JP 12279286 A JP12279286 A JP 12279286A JP H0640545 B2 JPH0640545 B2 JP H0640545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- gas
- wafer
- transfer tube
- treatment furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本考案は、ウエハ表面に酸化膜等を形成するウエハの熱
処理方法に関する。
処理方法に関する。
(従来の技術) 半導体装置を構成するウエハ等の表面に酸化膜等を形成
するウエハの熱処理方法は、従来例えば第4図に示すよ
うな方法によって行われている。
するウエハの熱処理方法は、従来例えば第4図に示すよ
うな方法によって行われている。
すなわち、同図において符号1は一端に1または複数の
ガス導入口2、他端に開口3を備え、チューブ状に形成
された熱処理炉を示しており、複数のウエハ4は、1ま
たは複数のガス導入口5を備えた搬送用チューブ6内に
配置された保持台(シェルボート)7上に載置される。
ガス導入口2、他端に開口3を備え、チューブ状に形成
された熱処理炉を示しており、複数のウエハ4は、1ま
たは複数のガス導入口5を備えた搬送用チューブ6内に
配置された保持台(シェルボート)7上に載置される。
そして、例えばウエハ4に酸化膜を形成する場合は、ま
ず、ガス導入口2およびガス導入口5から窒素ガス等の
不活性ガスを導入し、熱処理炉1内および搬送用チュー
ブ6内を不活性ガス雰囲気とする(a)。
ず、ガス導入口2およびガス導入口5から窒素ガス等の
不活性ガスを導入し、熱処理炉1内および搬送用チュー
ブ6内を不活性ガス雰囲気とする(a)。
この後、搬送用チューブ6と共にウエハ4を開口3から
熱処理炉1内へ挿入し、ガス導入口2およびガス導入口
5から酸素ガスを導入して、熱処理炉1内および搬送用
チューブ6内の窒素ガス等の不純物を取り除く(b)。
熱処理炉1内へ挿入し、ガス導入口2およびガス導入口
5から酸素ガスを導入して、熱処理炉1内および搬送用
チューブ6内の窒素ガス等の不純物を取り除く(b)。
次に酸素ガスと水素ガスまたは酸素ガスをガス導入口2
から導入し、熱処理炉1および搬送用チューブ6内を酸
素ガスを含む混合ガスまたは酸素ガス雰囲気とし、所望
の膜厚により予め定められた時間熱処理を行い酸化膜を
形成する。この時、ガス導入口5からのガスは遮断する
(c)。
から導入し、熱処理炉1および搬送用チューブ6内を酸
素ガスを含む混合ガスまたは酸素ガス雰囲気とし、所望
の膜厚により予め定められた時間熱処理を行い酸化膜を
形成する。この時、ガス導入口5からのガスは遮断する
(c)。
この後、ガス導入口2およびガス導入口5から窒素ガス
等の不活性ガスを導入し、熱処理炉1内および搬送用チ
ューブ6内を不活性ガス雰囲気とする(d)。
等の不活性ガスを導入し、熱処理炉1内および搬送用チ
ューブ6内を不活性ガス雰囲気とする(d)。
しかる後、搬送用チューブ6およびウエハ4を熱処理炉
1内から取り出す(e)。
1内から取り出す(e)。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記説明の従来のウエハの熱処理方法で
は、多数のウエハを同時に処理するため、ウエハとウエ
ハとは、その間隔を例えば3/16インチ程度に近接して配
置されており、この間に熱処理炉内へ導入する際に搬送
用チューブ内に充填された窒素ガス等の不活性ガスが残
る場合がある。このため、ウエハ周囲が酸素ガスまたは
酸素ガスを含む混合ガス雰囲気とならず、例えば酸化膜
が均一に形成されない等、均一な熱処理を行うことがで
きないという問題があった。また、このような問題を避
けるためには、酸素ガスを導入して不純物を取り除く工
程を長時間行う必要が生じ、生産性が悪化するという問
題があった。
は、多数のウエハを同時に処理するため、ウエハとウエ
ハとは、その間隔を例えば3/16インチ程度に近接して配
置されており、この間に熱処理炉内へ導入する際に搬送
用チューブ内に充填された窒素ガス等の不活性ガスが残
る場合がある。このため、ウエハ周囲が酸素ガスまたは
酸素ガスを含む混合ガス雰囲気とならず、例えば酸化膜
が均一に形成されない等、均一な熱処理を行うことがで
きないという問題があった。また、このような問題を避
けるためには、酸素ガスを導入して不純物を取り除く工
程を長時間行う必要が生じ、生産性が悪化するという問
題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、均一な熱処理を行うことができ、かつ生産性の向上
を図ることのできるウエハの熱処理方法を提供しようと
するものである。
で、均一な熱処理を行うことができ、かつ生産性の向上
を図ることのできるウエハの熱処理方法を提供しようと
するものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明方法は、ウエハを搬送用チューブ内に収
容し、この搬送用チューブを熱処理炉内へ挿入して、酸
素ガスまたは酸素ガスを含む混合ガス雰囲気内で前記ウ
エハの熱処理を行うウエハの熱処理方法において、前記
ウエハを収容した前記搬送用チューブ内へ少なくとも酸
素ガスを含むガスの流入状態でウエハを前記熱処理炉内
へ挿入する。
容し、この搬送用チューブを熱処理炉内へ挿入して、酸
素ガスまたは酸素ガスを含む混合ガス雰囲気内で前記ウ
エハの熱処理を行うウエハの熱処理方法において、前記
ウエハを収容した前記搬送用チューブ内へ少なくとも酸
素ガスを含むガスの流入状態でウエハを前記熱処理炉内
へ挿入する。
(作用) 本発明のウエハの熱処理方法によれば、搬送用チューブ
と共にウエハが熱処理炉内へ挿入されて熱処理が開始さ
れる時点においては、すでに搬送用チューブ内および熱
処理炉内は酸素ガス雰囲気とされており、酸素ガスによ
る不純物除去工程を必要とせず、これらのウエハ間に窒
素ガス等の不活性ガスが残ることもないので、効率的
に、均一な熱処理を行うことができる。
と共にウエハが熱処理炉内へ挿入されて熱処理が開始さ
れる時点においては、すでに搬送用チューブ内および熱
処理炉内は酸素ガス雰囲気とされており、酸素ガスによ
る不純物除去工程を必要とせず、これらのウエハ間に窒
素ガス等の不活性ガスが残ることもないので、効率的
に、均一な熱処理を行うことができる。
(実施例) 以下本発明方法の詳細を図面を用いて一実施例について
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例方法の工程を示すもので、図
において符号1は、一端に1または複数のガス導入口
2、他端に開口3を備え、チューブ状に形成された熱処
理炉を示しており、複数のウエハ4は、1または複数の
ガス導入口5を備えた搬送用チューブ6内に配置され石
英などの耐熱性、クリーン度の高い材質で形成された保
持台7上に載置される。
において符号1は、一端に1または複数のガス導入口
2、他端に開口3を備え、チューブ状に形成された熱処
理炉を示しており、複数のウエハ4は、1または複数の
ガス導入口5を備えた搬送用チューブ6内に配置され石
英などの耐熱性、クリーン度の高い材質で形成された保
持台7上に載置される。
そして、例えばウエハ4に酸化膜を形成する場合は、ま
ずガス導入口2から酸素ガスを導入し、熱処理炉1内を
酸素ガス雰囲気とする。さらに、ガス導入口5から酸素
ガスを含むガス例えば酸素ガスを導入して、搬送用チュ
ーブ6内を酸素ガス雰囲気とする(イ)。なお、この時
酸素ガスに窒素(N2)ガスを混合してもよい。
ずガス導入口2から酸素ガスを導入し、熱処理炉1内を
酸素ガス雰囲気とする。さらに、ガス導入口5から酸素
ガスを含むガス例えば酸素ガスを導入して、搬送用チュ
ーブ6内を酸素ガス雰囲気とする(イ)。なお、この時
酸素ガスに窒素(N2)ガスを混合してもよい。
この後、搬送用チューブ6と共にウエハ4を開口3から
熱処理炉1内へ挿入し、酸素ガスと水素ガスまたは酸素
ガスをガス導入口2から導入し、熱処理炉1および搬送
用チューブ6内を酸素ガスを含む混合ガスまたは酸素ガ
ス雰囲気とし、所望の膜厚により予め定められた時間熱
処理を行い、酸化膜を形成する。この時ガス導入口5か
らのガスは遮断する。なお、酸素ガス雰囲気下では、常
温においてもウエハ上に酸化膜が形成されるので、所望
の膜厚の酸化膜を形成するためには、ウエハの熱処理炉
1内の滞在時間すなわち熱処理時間は、従来の方法に比
べて短くする必要がある(ロ)。
熱処理炉1内へ挿入し、酸素ガスと水素ガスまたは酸素
ガスをガス導入口2から導入し、熱処理炉1および搬送
用チューブ6内を酸素ガスを含む混合ガスまたは酸素ガ
ス雰囲気とし、所望の膜厚により予め定められた時間熱
処理を行い、酸化膜を形成する。この時ガス導入口5か
らのガスは遮断する。なお、酸素ガス雰囲気下では、常
温においてもウエハ上に酸化膜が形成されるので、所望
の膜厚の酸化膜を形成するためには、ウエハの熱処理炉
1内の滞在時間すなわち熱処理時間は、従来の方法に比
べて短くする必要がある(ロ)。
次に、ガス導入口2およびガス導入口5から窒素ガス等
の不活性ガスを導入し、熱処理炉内および搬送用チュー
ブ6内を不活性ガス雰囲気とする(ハ)。
の不活性ガスを導入し、熱処理炉内および搬送用チュー
ブ6内を不活性ガス雰囲気とする(ハ)。
しかる後に、搬送用チューブ6およびウエハ4を熱処理
炉1内から取り出す(ニ)。
炉1内から取り出す(ニ)。
上記説明のこの実施例の方法では、ガス導入口2および
ガス導入口5から酸素ガスを導入し、熱処理炉1内およ
び搬送用チューブ6内を酸素ガス雰囲気とし、この後搬
送用チューブ6と共にウエハ4を熱処理炉1内へ挿入す
るので、熱処理が開始される時点においては、すでに搬
送用チューブ6内および熱処理炉1内は酸素ガス雰囲気
とされており、酸素ガスによる不純物除去工程を必要と
せず、生産性の向上を計ることができる。また、ウエハ
間に窒素ガス等の不活性ガスが残ることがないので、均
一な熱処理を行うこともできる。
ガス導入口5から酸素ガスを導入し、熱処理炉1内およ
び搬送用チューブ6内を酸素ガス雰囲気とし、この後搬
送用チューブ6と共にウエハ4を熱処理炉1内へ挿入す
るので、熱処理が開始される時点においては、すでに搬
送用チューブ6内および熱処理炉1内は酸素ガス雰囲気
とされており、酸素ガスによる不純物除去工程を必要と
せず、生産性の向上を計ることができる。また、ウエハ
間に窒素ガス等の不活性ガスが残ることがないので、均
一な熱処理を行うこともできる。
また、この実施例方法では、熱処理が収量しウエハ4お
よび搬送用チューブ6を熱処理炉1から取り出す際に、
搬送用チューブ6内および熱処理炉1内を窒素ガス等の
不活性ガス雰囲気としたが、例えば酸素ガス雰囲気下で
熱処理を行う場合等は、搬送用チューブ6内および熱処
理炉1内を酸素ガス雰囲気のまま、ウエハ4および搬送
用チューブ6を取り出しても良い。この場合、所望の膜
厚の酸化膜を形成するためには、ウエハ4および搬送用
チューブ6の熱処理炉1内での熱処理時間を、この実施
例方法より更に短くする必要がある。また、不活性ガス
はアルゴンガス等を用いても良く、酸素ガスは、O2ガ
ス、O3ガスまたはこれらの混合ガス等を用いることも
できる。
よび搬送用チューブ6を熱処理炉1から取り出す際に、
搬送用チューブ6内および熱処理炉1内を窒素ガス等の
不活性ガス雰囲気としたが、例えば酸素ガス雰囲気下で
熱処理を行う場合等は、搬送用チューブ6内および熱処
理炉1内を酸素ガス雰囲気のまま、ウエハ4および搬送
用チューブ6を取り出しても良い。この場合、所望の膜
厚の酸化膜を形成するためには、ウエハ4および搬送用
チューブ6の熱処理炉1内での熱処理時間を、この実施
例方法より更に短くする必要がある。また、不活性ガス
はアルゴンガス等を用いても良く、酸素ガスは、O2ガ
ス、O3ガスまたはこれらの混合ガス等を用いることも
できる。
なお、これらの実施例方法に用いる装置では、例えば第
2図に示すように、搬送用チューブ6の端部にガス排出
配管8が設けられており、搬送用チューブ6内へ導入さ
れたガスおよび搬送用チューブ6とチューブ状に形成さ
れた熱処理炉1との間に導入されたガス等は、図示矢印
のように流れ、排出配管8から排出される。
2図に示すように、搬送用チューブ6の端部にガス排出
配管8が設けられており、搬送用チューブ6内へ導入さ
れたガスおよび搬送用チューブ6とチューブ状に形成さ
れた熱処理炉1との間に導入されたガス等は、図示矢印
のように流れ、排出配管8から排出される。
また、これらの実施例方法では、搬送用チューブ6を水
平方向から熱処理炉1内へ挿入する横型の熱処理炉につ
いて説明したが、本発明方法は、かかる実施例に限定さ
れるのもではなく、例えば第3図に示すように、複数の
ウエハ4aを3本以上の複数の柱状体間に挟み保持する
保持台7aを内部に配置された搬送用チューブ6aを下
方からチューブ状に形成された熱処理炉1a内へ挿入す
る縦型の熱処理炉においても、前述の実施例と同様にし
て実施することができ、同様な効果を得ることができ
る。
平方向から熱処理炉1内へ挿入する横型の熱処理炉につ
いて説明したが、本発明方法は、かかる実施例に限定さ
れるのもではなく、例えば第3図に示すように、複数の
ウエハ4aを3本以上の複数の柱状体間に挟み保持する
保持台7aを内部に配置された搬送用チューブ6aを下
方からチューブ状に形成された熱処理炉1a内へ挿入す
る縦型の熱処理炉においても、前述の実施例と同様にし
て実施することができ、同様な効果を得ることができ
る。
[発明の効果] 上述のように本発明のウエハの熱処理方法では、ウエハ
間に窒素ガス等の不活性ガスが残ったまま熱処理が行わ
れることがなく、均一な熱処理を行うことができ、酸素
ガスによる不純物除去工程を必要とせず、生産性の向上
も図ることができる。
間に窒素ガス等の不活性ガスが残ったまま熱処理が行わ
れることがなく、均一な熱処理を行うことができ、酸素
ガスによる不純物除去工程を必要とせず、生産性の向上
も図ることができる。
第1図は本発明方法の一実施例方法の工程を示す説明
図、第2図は第1図に示す装置の要部を示す縦断面図、
第3図は縦型の熱処理炉を示す説明図、第4図は従来方
法の工程を示す説明図である。 1……熱処理炉、4……ウエハ、6……搬送用チュー
ブ。
図、第2図は第1図に示す装置の要部を示す縦断面図、
第3図は縦型の熱処理炉を示す説明図、第4図は従来方
法の工程を示す説明図である。 1……熱処理炉、4……ウエハ、6……搬送用チュー
ブ。
Claims (1)
- 【請求項1】ウエハを搬送用チューブ内に収容し、この
搬送用チューブを熱処理炉内へ挿入して、酸素ガスまた
は酸素ガスを含む混合ガス雰囲気内で前記ウエハの熱処
理を行うウエハの熱処理方法において、前記ウエハを収
容した前記搬送用チューブ内へ少なくとも酸素ガスを含
むガスの流入状態でウエハを前記熱処理炉内へ挿入する
ことを特徴とするウエハの熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12279286A JPH0640545B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | ウエハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12279286A JPH0640545B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | ウエハの熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279642A JPS62279642A (ja) | 1987-12-04 |
| JPH0640545B2 true JPH0640545B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=14844735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12279286A Expired - Lifetime JPH0640545B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | ウエハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640545B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2686456B2 (ja) * | 1988-01-21 | 1997-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12279286A patent/JPH0640545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62279642A (ja) | 1987-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3869499B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH08148552A (ja) | 半導体熱処理用治具及びその表面処理方法 | |
| JPH0640545B2 (ja) | ウエハの熱処理方法 | |
| JP3207402B2 (ja) | 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法 | |
| JPH08316158A (ja) | 半導体ウエーハボート | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPH01302816A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH1131639A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2693465B2 (ja) | 半導体ウェハの処理装置 | |
| JP2645360B2 (ja) | 縦型熱処理装置および熱処理方法 | |
| JPS5840824A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JP2005328008A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理用縦型ボート及び熱処理方法 | |
| JP2659926B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPS6379317A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2662318B2 (ja) | 半導体基体への不純物の拡散方法 | |
| JPH0783000B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPS62112320A (ja) | 半導体用熱処理装置 | |
| JPH04155821A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0160932B2 (ja) | ||
| JPH10116795A (ja) | 半導体材料の作製装置 | |
| JPH0645294A (ja) | 半導体ウェハーの不純物拡散装置 | |
| JPS62115728A (ja) | 加熱処理装置 | |
| JPH0423434A (ja) | 半導体ウェファの熱処理装置 | |
| JP2004221457A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPS6227724B2 (ja) |