JPS6227724B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6227724B2
JPS6227724B2 JP56088396A JP8839681A JPS6227724B2 JP S6227724 B2 JPS6227724 B2 JP S6227724B2 JP 56088396 A JP56088396 A JP 56088396A JP 8839681 A JP8839681 A JP 8839681A JP S6227724 B2 JPS6227724 B2 JP S6227724B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core tube
furnace
heat treatment
furnace core
semiconductor substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP56088396A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57202727A (en
Inventor
Keiichi Kagawa
Kyohiro Kawasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS57202727A publication Critical patent/JPS57202727A/ja
Publication of JPS6227724B2 publication Critical patent/JPS6227724B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置特に大規模集積回路（以
下LSIと略す）を作製する場合の熱処理装置に関
するものであつて、ウエハに異物が付着せず、
ウエハの挿入・取り出し時における炉外からの
大気の逆流（以下バツク・デイフユージヨンと称
す）を防ぐ事が出来るようにすることを目的とし
たものである。 LSIの製作は、通常、酸化・拡散等の熱処理工
程、選択的に不要な酸化膜等を除去するホトリソ
グラフイー工程とエツチング工程、そして電極や
絶縁膜を堆積するデポジシヨン工程等から成り立
つている。これらの工程のうち、熱処理工程につ
いて以下に詳しく述べる。 熱処理装置は簡単に言えば通常、第１図に示す
ように一端を細くした炉芯管１と、これを熱し温
度を制御する電源制御部２と、炉芯管１中に必要
なガスを導入するガスライン部３及び炉外からの
汚染防止のためのキヤツプ４等から成り立つてい
る。 このような熱処理炉芯管１中にウエハ（半導体
基体）を挿入して、処理を行なうわけであるが、
通常第２図に示すような構５を持つたボート６を
使用する。なお、これらは、いずれも非常に高温
例えば400〜1200℃という温度で使用せられ、か
つ不純物重金属イオン等からの汚染を防ぐため
に、石英や炭化ケイ素といつた材料が用いられる
事が多い。さて、このボート６の溝にウエハ７を
積載した後、炉芯管１の端部に置き、ボート６の
端に引き出し棒８を掛けて炉芯管中央部までこの
ボートを挿入する。そしてキヤツプ４をして、必
要なガス例えば酸化工程ならば酸素や水蒸気、ア
ニール工程なら窒素等の不活性ガス、拡散工程な
らばPH3やB2H6等の不純物源ガスをガスライン３
より流し、必要な時間だけ処理を行なう。終了す
ればキヤツプ４をはずし引き出し棒８をボート６
に掛けて、取り出す。これが熱処理工程の概要で
ある。ウエハは現在LSIの主流であるシリコンに
とどまらず他の材料であつても同じことである。
さて、この熱処理工程の問題点として次の２つの
事があげられる。 ○…

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１の炉芯管に、ガスを導入しつつ、半導体
    基体を設置した後、第２の炉芯管に前記第１の炉
    芯管を挿入して前記半導体基体に熱処理を施すこ
    とを特徴とする熱処理方法。 ２ 第２のガスラインと第２の炉芯管よりなる電
    気炉設備中の第２の炉芯管より細い開口部を有し
    該開口部と反対側の他端を細く絞つた第１の炉芯
    管と、上記第１の炉芯管の絞られた他端より接続
    された第１のガスラインとを備えたことを特徴と
    する熱処理装置。
JP56088396A 1981-06-09 1981-06-09 Method and device for heat treatment Granted JPS57202727A (en)

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JPS57202727A JPS57202727A (en) 1982-12-11
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JPH0787185B2 (ja) * 1985-01-11 1995-09-20 株式会社デンコ− 半導体の熱処理方法

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