JPH0641373B2 - ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法 - Google Patents
ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法Info
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- JPH0641373B2 JPH0641373B2 JP60219527A JP21952785A JPH0641373B2 JP H0641373 B2 JPH0641373 B2 JP H0641373B2 JP 60219527 A JP60219527 A JP 60219527A JP 21952785 A JP21952785 A JP 21952785A JP H0641373 B2 JPH0641373 B2 JP H0641373B2
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 43
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 31
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N alpha-particle Chemical compound [4He+2] LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 titanium ions Chemical class 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N nitric acid;oxozirconium Chemical compound [Zr]=O.O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は湿式法と乾式法を組み合せた易焼結性ペロブス
カイト及びその固溶体の原料粉末の製造法に関し、特に
半導体の誤動作を低減させるための原料粉末で、例えば
半導体装置の封着剤として好適な低融点ガラス用フィラ
ーとして利用出来るペロブスカイト及びその固溶体の原
料粉末の製造法に関するものである。
カイト及びその固溶体の原料粉末の製造法に関し、特に
半導体の誤動作を低減させるための原料粉末で、例えば
半導体装置の封着剤として好適な低融点ガラス用フィラ
ーとして利用出来るペロブスカイト及びその固溶体の原
料粉末の製造法に関するものである。
＜従来の技術＞ ペロブスカイト及びその固溶体（以下両者を便宜上ペロ
ブスカイト固溶体という）は圧電体、オプトエレクトロ
ニクス材、誘電体、半導体、センサー等の機能性セラミ
ックスとして広く利用されている。
ブスカイト固溶体という）は圧電体、オプトエレクトロ
ニクス材、誘電体、半導体、センサー等の機能性セラミ
ックスとして広く利用されている。
ところでペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造方法と
して乾式法と湿式法が知られている。
して乾式法と湿式法が知られている。
乾式法は構成原料成分の化合物を乾式で混合し、これを
仮焼する方法である。
仮焼する方法である。
一方、湿式法は構成原料成分のすべての混合溶液を作
り、これを沈澱形成液に添加して共沈させ、この共沈物
を乾燥、仮焼させる方法（以下共沈法という）である。
り、これを沈澱形成液に添加して共沈させ、この共沈物
を乾燥、仮焼させる方法（以下共沈法という）である。
また半導体は時として誤動作を起こすことが知られてお
り、例えば半導体装置の気密封着用の封着材として低融
点ガラスが使用されているが、該ガラスを使用した半導
体装置は半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象
があり、その原因として半導体装置から発生する放射性
α粒子が指摘され、このようなα粒子の半導体装置への
侵入防止につき種々検討がなされてきた。
り、例えば半導体装置の気密封着用の封着材として低融
点ガラスが使用されているが、該ガラスを使用した半導
体装置は半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象
があり、その原因として半導体装置から発生する放射性
α粒子が指摘され、このようなα粒子の半導体装置への
侵入防止につき種々検討がなされてきた。
例えば特開昭５９−１６９９５５号にはメモリーエラー
発生を低減させるため、非失透性の低融点ガラス粉末と
して放射性同位元素の含有量を２０ppb未満とし、放射
性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下としている。
発生を低減させるため、非失透性の低融点ガラス粉末と
して放射性同位元素の含有量を２０ppb未満とし、放射
性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下としている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 前述の通りペロブスカイト原料粉末の製造方法として乾
式法と共沈性とが知られているが、前者は均一組成の原
料粉末が得難く、また焼結性も十分でないという欠点が
あった。また後者は均一性の優れた原料粉末が得られる
ものの粒子同志が凝結して二次粒子を形成し、易焼結性
になり難いという欠点があった。また共沈法は沈澱形成
液の濃度が一定であるため各成分の沈澱形成能の相違に
より所望組成の原料粉末となし難いという欠点もあっ
た。さらにペロブスカイト固溶体にはＡ成分として鉛、
Ｂ成分としてチタンを同時に含むものが極めて多く、こ
のようなものを工業的に製造する場合、チタン化合物と
して安価な四塩化チタンを使用することが望ましい。と
ころがこれを共沈法に使用すると四塩化チタン中の塩素
イオンが鉛イオンと反応して白色沈澱を生成するため四
塩化チタンは使用出来なかった。それ故四塩化チタンの
代りに高価なオキシ硝酸チタン等を使用する必要があ
り、工業的生産として実用的でなかった。
式法と共沈性とが知られているが、前者は均一組成の原
料粉末が得難く、また焼結性も十分でないという欠点が
あった。また後者は均一性の優れた原料粉末が得られる
ものの粒子同志が凝結して二次粒子を形成し、易焼結性
になり難いという欠点があった。また共沈法は沈澱形成
液の濃度が一定であるため各成分の沈澱形成能の相違に
より所望組成の原料粉末となし難いという欠点もあっ
た。さらにペロブスカイト固溶体にはＡ成分として鉛、
Ｂ成分としてチタンを同時に含むものが極めて多く、こ
のようなものを工業的に製造する場合、チタン化合物と
して安価な四塩化チタンを使用することが望ましい。と
ころがこれを共沈法に使用すると四塩化チタン中の塩素
イオンが鉛イオンと反応して白色沈澱を生成するため四
塩化チタンは使用出来なかった。それ故四塩化チタンの
代りに高価なオキシ硝酸チタン等を使用する必要があ
り、工業的生産として実用的でなかった。
また前述の通り半導体装置の封着材として、非失透性の
低融点ガラス粉末とフィラーからとからなる低融点ガラ
スにおいて、従来放射性同位元素による悪影響を防止す
るため非失透性の低融点ガラス粉末につき放射性α粒子
のカウント数を0.1CPH/cm2以下にする方法は開発されて
いたが、フィラーについては全く検討されておらず、半
導体装置のメモリーエラー発生を完全には防止すること
が出来なかった。
低融点ガラス粉末とフィラーからとからなる低融点ガラ
スにおいて、従来放射性同位元素による悪影響を防止す
るため非失透性の低融点ガラス粉末につき放射性α粒子
のカウント数を0.1CPH/cm2以下にする方法は開発されて
いたが、フィラーについては全く検討されておらず、半
導体装置のメモリーエラー発生を完全には防止すること
が出来なかった。
本発明は、このような現状に鑑みなされたもので、前記
従来技術の欠点を解消した、易焼結性、均一性、高嵩密
度、低コストの四つの要件を満足したペロブスカイト固
溶体の原料粉末の製造方法を提供するものである。本発
明は特に半導体あるいはその装置に適用される原料粉
末、例えば半導体装置の封着剤として好適な低融点ガラ
ス用のフィラーとして利用出来るペロブスカイト固溶体
の原料粉末の製造に適するものである。
従来技術の欠点を解消した、易焼結性、均一性、高嵩密
度、低コストの四つの要件を満足したペロブスカイト固
溶体の原料粉末の製造方法を提供するものである。本発
明は特に半導体あるいはその装置に適用される原料粉
末、例えば半導体装置の封着剤として好適な低融点ガラ
ス用のフィラーとして利用出来るペロブスカイト固溶体
の原料粉末の製造に適するものである。
＜問題点を解決するための手段＞ すなわち本発明は、 一般式ＡＢＯ３ （ただしＡは酸素１２配位金属元素の１種または２種以
上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を表
わし、かつＡ成分とＢ成分の数の和が３種以上であ
る。）で示されるペロブスカイト固溶体の原料粉末の製
造方法において、Ａ成分及びＢ成分中の少なくとも一成
分（以下便宜上Ｘ成分という）を除いた、残りの成分化
合物の水溶液またはアルコール溶液を沈澱形成液により
沈澱を生成させ、得られた沈澱物を１２０〜１２００℃
で乾燥、仮焼し、これに前記除いた成分すなわちＸ成分
化合物を混合した後、４００〜１２００℃で仮焼するこ
とも特徴とする、放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/c
m2以下のペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造方法に
関するものである。
上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を表
わし、かつＡ成分とＢ成分の数の和が３種以上であ
る。）で示されるペロブスカイト固溶体の原料粉末の製
造方法において、Ａ成分及びＢ成分中の少なくとも一成
分（以下便宜上Ｘ成分という）を除いた、残りの成分化
合物の水溶液またはアルコール溶液を沈澱形成液により
沈澱を生成させ、得られた沈澱物を１２０〜１２００℃
で乾燥、仮焼し、これに前記除いた成分すなわちＸ成分
化合物を混合した後、４００〜１２００℃で仮焼するこ
とも特徴とする、放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/c
m2以下のペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造方法に
関するものである。
本発明において前記一般式のＡ成分である酸素１２配位
金属元素としては、例えばPb、Ba、Ca、Sr及びLa等の希土
類元素が挙げられる。またＢ成分である酸素６配位金属
元素としては、例えばTi、Zr、Mg、Sc、Hf、W、Nb、Ta、Cr、Mo、M
n、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Al、Sn、As、Bi等が挙げられる。
金属元素としては、例えばPb、Ba、Ca、Sr及びLa等の希土
類元素が挙げられる。またＢ成分である酸素６配位金属
元素としては、例えばTi、Zr、Mg、Sc、Hf、W、Nb、Ta、Cr、Mo、M
n、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Al、Sn、As、Bi等が挙げられる。
ペロブスカイト固溶体の構成成分であるＡ成分及びＢ成
分の化合物の水またはアルコール溶液を作製するための
化合物としては、前記Ａ成分、Ｂ成分の酸化物、水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩、蟻酸塩、蓚酸塩、金属等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
分の化合物の水またはアルコール溶液を作製するための
化合物としては、前記Ａ成分、Ｂ成分の酸化物、水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩、蟻酸塩、蓚酸塩、金属等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
またＸ成分の化合物としては、その他の構成成分の化合
物と沈澱形成能が大きく相違するもの、あるいは水溶液
またはアルコールとし、他合構成成分と混合した場合、
他の構成成分の化合物の水溶液あるいはアルコール溶液
と反応し、沈澱を生じるものもしくは沈澱を生じさせる
ものを選定することが望ましい。
物と沈澱形成能が大きく相違するもの、あるいは水溶液
またはアルコールとし、他合構成成分と混合した場合、
他の構成成分の化合物の水溶液あるいはアルコール溶液
と反応し、沈澱を生じるものもしくは沈澱を生じさせる
ものを選定することが望ましい。
Ｘ成分の化合物は酸化物であることが好ましい場合が多
いが、前記塩類であってもよく、またＸ成分が２種以上
の場合は、これらの共沈物及びその仮焼物であってもよ
い。
いが、前記塩類であってもよく、またＸ成分が２種以上
の場合は、これらの共沈物及びその仮焼物であってもよ
い。
なお、本発明においては、得られるペロブスカイト固溶
体の原料粉末中のＵ、Th等の放射性同位元素から発生す
る放射性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下にするた
め、不可避不純物としての放射性同位元素を含むＡ成
分、Ｂ成分の化合物を高純度の濃硝酸にて溶解し、Ｕ、
Th等の放射性同位元素を錯陰イオンとし純水あるいはア
ルコールにて遊離硝酸濃度を５〜１０mol濃度に調整し
（この濃度範囲で放射性同位元素の吸着効率が良好とな
る）、しかる後に陰イオン交換樹脂にて浄液処理し、放
射性同位元素であるＵ、Th等を吸着除去した水溶液ある
いはアルコール溶液を使用することが望ましい。
体の原料粉末中のＵ、Th等の放射性同位元素から発生す
る放射性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下にするた
め、不可避不純物としての放射性同位元素を含むＡ成
分、Ｂ成分の化合物を高純度の濃硝酸にて溶解し、Ｕ、
Th等の放射性同位元素を錯陰イオンとし純水あるいはア
ルコールにて遊離硝酸濃度を５〜１０mol濃度に調整し
（この濃度範囲で放射性同位元素の吸着効率が良好とな
る）、しかる後に陰イオン交換樹脂にて浄液処理し、放
射性同位元素であるＵ、Th等を吸着除去した水溶液ある
いはアルコール溶液を使用することが望ましい。
なおＸ成分が上記放射性同位元素を含む場合は、前記浄
液処理した溶液を沈澱形成液に添加して沈澱させたもの
を乾燥、さらに必要に応じ仮焼したものを使用するのが
望ましい。また四塩化チタンの如きものは蒸留精製法で
もよく、さらに他の公知の手段によりＡ成分、Ｂ成分化
合物中の放射性同位元素を除去してもよいことは勿論で
ある。
液処理した溶液を沈澱形成液に添加して沈澱させたもの
を乾燥、さらに必要に応じ仮焼したものを使用するのが
望ましい。また四塩化チタンの如きものは蒸留精製法で
もよく、さらに他の公知の手段によりＡ成分、Ｂ成分化
合物中の放射性同位元素を除去してもよいことは勿論で
ある。
本発明において沈澱形成液としてはアンモニア、炭酸ア
ンモニウム、苛性アルカリ、蓚酸、蓚酸アンモニムある
いはアミン類等の水溶液もしくはアルコール溶液が挙げ
られる。
ンモニウム、苛性アルカリ、蓚酸、蓚酸アンモニムある
いはアミン類等の水溶液もしくはアルコール溶液が挙げ
られる。
次に本発明のペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造方
法につき説明する。
法につき説明する。
まずＸ成分を除く残りのＡ成分及びＢ成分化合物の水溶
液またはアルコール溶液を撹拌しながら沈澱形成液中に
添加して、あるいはその反対に沈澱形成液を上記溶液に
添加して沈澱を生成させる。
液またはアルコール溶液を撹拌しながら沈澱形成液中に
添加して、あるいはその反対に沈澱形成液を上記溶液に
添加して沈澱を生成させる。
なお、沈澱生成において、Ｘ成分を除く、全成分化合物
の水溶液またはアルコール溶液を同時に沈澱形成液中に
添加してもよいや場合により、順次各溶液を添加しても
よいことは勿論である。
の水溶液またはアルコール溶液を同時に沈澱形成液中に
添加してもよいや場合により、順次各溶液を添加しても
よいことは勿論である。
さらにＡ成分、Ｂ成分の他にペロブスカイトの焼結性や
その他特性を制御するため微量成分を添加する場合は、
Ａ成分、Ｂ成分の各溶液を調製する際添加させてもよ
い。
その他特性を制御するため微量成分を添加する場合は、
Ａ成分、Ｂ成分の各溶液を調製する際添加させてもよ
い。
かくして得られた沈澱物は、必要に応じアルコール等で
洗浄した後、１２０〜１２００℃で乾燥、仮焼する。
洗浄した後、１２０〜１２００℃で乾燥、仮焼する。
次いでこのものにＸ成分化合物の混合した後４００〜１
２００℃で仮焼すると均一かつ易焼結性のペロブスカイ
ト固溶体の原料粉末が得られる。
２００℃で仮焼すると均一かつ易焼結性のペロブスカイ
ト固溶体の原料粉末が得られる。
なお、仮焼温度が４００℃未満では混合粉末の固相反応
が不十分であり、逆に１２００℃を越えると粉末が粗大
化して焼結性が悪くなるのでいずれも好ましくない。
が不十分であり、逆に１２００℃を越えると粉末が粗大
化して焼結性が悪くなるのでいずれも好ましくない。
本発明は以上の通りにしてペロブスカイト固溶体の原料
粉末を製造するのであるが、本発明によれば放射性α粒
子のカウント数が0.1CPH/cm2以下の原料粉末が得られる
ので、かかるペロブスカイト固溶体の原料粉末は半導体
あるいはその装置に適用出来、例えば半導体装置の封着
用の封着剤として使用される低融点ガラスのフィラーと
して好適に利用出来る。特に、Ａ成分としてPb、Ｂ成分
としてTi、Zrを使用したＰＺＴは、低膨張性であるので
前記フィラーとして好適である。
粉末を製造するのであるが、本発明によれば放射性α粒
子のカウント数が0.1CPH/cm2以下の原料粉末が得られる
ので、かかるペロブスカイト固溶体の原料粉末は半導体
あるいはその装置に適用出来、例えば半導体装置の封着
用の封着剤として使用される低融点ガラスのフィラーと
して好適に利用出来る。特に、Ａ成分としてPb、Ｂ成分
としてTi、Zrを使用したＰＺＴは、低膨張性であるので
前記フィラーとして好適である。
＜発明の効果＞ 本発明の方法により、共沈過程と共沈物とＸ成分化合物
との混合物の仮焼過程では二次粒子の形成が少ない、高
嵩密度の易焼結性微粒子が得られる。
との混合物の仮焼過程では二次粒子の形成が少ない、高
嵩密度の易焼結性微粒子が得られる。
また、他の構成成分化合物と沈澱形成能が相違する化合
物、あるいは水溶液またはアルコール溶液とした場合、
他の構成成分化合物の水溶液あるいはアルコール溶液と
相互に反応し沈澱が生じる化合物はＸ成分化合物とし
て、共沈した他の構成成分と単に混合、仮焼するだけな
ので目的とするペロブスカイト組成を完全なものとなし
得、さらにＸ成分化合物の選択幅が広くなるので、例え
ば四塩化チタン、あるいはそれを熱酸化分解して得られ
た酸化チタンの如き安価な原料を選択使用出来る。
物、あるいは水溶液またはアルコール溶液とした場合、
他の構成成分化合物の水溶液あるいはアルコール溶液と
相互に反応し沈澱が生じる化合物はＸ成分化合物とし
て、共沈した他の構成成分と単に混合、仮焼するだけな
ので目的とするペロブスカイト組成を完全なものとなし
得、さらにＸ成分化合物の選択幅が広くなるので、例え
ば四塩化チタン、あるいはそれを熱酸化分解して得られ
た酸化チタンの如き安価な原料を選択使用出来る。
さらに本発明によれば放射性α粒子のカウント数が0.1C
PH/cm2以下のペロブスカイト固溶体の原料粉末が得ら
れ、かかる原料粉末は半導体装置の封着剤成分にも好適
に利用出来、さらにその他放射性α粒子のカウント数が
大きい時、障害が生ずるような装置、材料等にも好適に
適用出来る。
PH/cm2以下のペロブスカイト固溶体の原料粉末が得ら
れ、かかる原料粉末は半導体装置の封着剤成分にも好適
に利用出来、さらにその他放射性α粒子のカウント数が
大きい時、障害が生ずるような装置、材料等にも好適に
適用出来る。
以下、本発明を実施例により、さらに詳細に説明する。
実施例 試薬特級（Pb0 99.9％以上）の一酸化鉛（Ａ成分化合
物）22.310ｇと試薬特級のオキシ硝酸ジルコニウム（Ｂ
成分化合物）12.026ｇを試薬特級の硝酸７５ｍｌに溶解
し、純水７５ｍｌを加え水溶液とした。この水溶液を陰
イオン交換樹脂を充填した塔に通過させて、Ｕ、Th等を
吸着除去せしめた後、撹拌しながら５Ｎアンモニア水１
に滴下して共沈物を形成させた。
物）22.310ｇと試薬特級のオキシ硝酸ジルコニウム（Ｂ
成分化合物）12.026ｇを試薬特級の硝酸７５ｍｌに溶解
し、純水７５ｍｌを加え水溶液とした。この水溶液を陰
イオン交換樹脂を充填した塔に通過させて、Ｕ、Th等を
吸着除去せしめた後、撹拌しながら５Ｎアンモニア水１
に滴下して共沈物を形成させた。
この共沈物を水洗し、１２０℃で１時間乾燥後、７００
℃で１時間仮焼した。このものに、試薬一級の四塩化チ
タン（純度99.95％以上、比重1.72〜1.76）の蒸留精製
物を熱酸化反応させて作られた塩素法TiO2粉末（Ｂ成分
化合物で、かつＸ成分化合物）3.840ｇを加えボールミ
ルにて混合した後、該混合物を７００℃で２時間仮焼し
て、Pb(Zr0.52・Ti0.48)O3組成の原料粉末を得た。この
粉末をボールミルで粉砕した。
℃で１時間仮焼した。このものに、試薬一級の四塩化チ
タン（純度99.95％以上、比重1.72〜1.76）の蒸留精製
物を熱酸化反応させて作られた塩素法TiO2粉末（Ｂ成分
化合物で、かつＸ成分化合物）3.840ｇを加えボールミ
ルにて混合した後、該混合物を７００℃で２時間仮焼し
て、Pb(Zr0.52・Ti0.48)O3組成の原料粉末を得た。この
粉末をボールミルで粉砕した。
この粉末の放射性α粒子のカウント数をα線測定器によ
り測定した結果0.08CPH/cm2であった。
り測定した結果0.08CPH/cm2であった。
またこの粉末を走査型電子顕微鏡により観察した結果、
約0.3μの均一粒径を有し、Ｘ線回折法によるβcosθ〜
sinθ（ただしβは回折線の半価幅、θはブラック角を
表わす）の関係をプロットした結果、横軸（sinθ軸）
に、ほぼ平行で、殆ど組成変動を含まない均一組成のも
のであることが確認された。
約0.3μの均一粒径を有し、Ｘ線回折法によるβcosθ〜
sinθ（ただしβは回折線の半価幅、θはブラック角を
表わす）の関係をプロットした結果、横軸（sinθ軸）
に、ほぼ平行で、殆ど組成変動を含まない均一組成のも
のであることが確認された。
この粉末を1.5ｔ／cm2で成型し、鉛蒸気と酸素雰囲気
下、１２００℃で２時間焼結した結果、その密度は8.0
で理論密度と等しかった。
下、１２００℃で２時間焼結した結果、その密度は8.0
で理論密度と等しかった。
比較例 市販の試薬特級のPb0、TiO2及びZrO3の粉末をPb(Zr0.52
・Ti0.48)O3の組成になるように配合し、ボールミルで混
合後、８００℃で２時間仮焼し、再びボールミルで粉砕
した。
・Ti0.48)O3の組成になるように配合し、ボールミルで混
合後、８００℃で２時間仮焼し、再びボールミルで粉砕
した。
得られた粉末につき放射性α粒子のカウント数を測定し
た結果3.55CPH/cm2であった。
た結果3.55CPH/cm2であった。
またこの粉末をＸ線回折法によるβcosθ〜sinθの関係
をプロットした結果顕著な組成変動が認められた。
をプロットした結果顕著な組成変動が認められた。
この粉末を1.5ｔ／cm2で成型し、鉛蒸気と酸素雰囲気
下、１２００℃で２時間焼結した結果、その密度は7.1
であり理論密度と大きく相違しており最密充填構造とな
っていなかった。
下、１２００℃で２時間焼結した結果、その密度は7.1
であり理論密度と大きく相違しており最密充填構造とな
っていなかった。
Claims (6)
- 【請求項１】一般式ＡＢＯ３ （ただしＡは酸素１２配位金属元素の１種または２種以
上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を表
わし、かつＡ成分とＢ成分の数の和が３種以上であ
る。） で示されるペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の
製造法において、 Ａ成分及びＢ成分中の少なくとも一成分を除いた、残り
の成分化合物の水溶液またはアルコール溶液を沈澱形成
液により沈澱を生成させ、得られた沈澱物を１２０〜１
２００℃で乾燥、仮焼し、これに前記除いた成分化合物
を混合した後、４００〜１２００℃で仮焼することを特
徴とする、放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2以下
のペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法。 - 【請求項２】前記Ａ成分化合物の水溶液またはアルコー
ル溶液が、Ａ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜１０mol
濃度になるように硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹
脂にて浄液処理をした水溶液またはアルコール溶液であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のペロ
ブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法。 - 【請求項３】前記Ｂ成分化合物の水溶液またはアルコー
ル溶液が、Ｂ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜１０mol
濃度になるように硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹
脂にて浄液処理をした水溶液またはアルコール溶液であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のペロ
ブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法。 - 【請求項４】前記Ａ成分が鉛、Ｂ成分がジルコニウムで
あり、かつ前記除いた成分がチタンであることを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載のペロブスカイト及び
その固溶体の原料粉末の製造法。 - 【請求項５】前記チタンの化合物が四塩化チタンまたは
酸化チタンであることを特徴とする特許請求の範囲第
(4)項記載のペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末
の製造法。 - 【請求項６】前記原料粉末が半導体装置封着用低融点ガ
ラス用のフィラーであることを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載のペロブスカイト及びその固溶体の原料
粉末の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219527A JPH0641373B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219527A JPH0641373B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278109A JPS6278109A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH0641373B2 true JPH0641373B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=16736875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219527A Expired - Lifetime JPH0641373B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641373B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0540738Y2 (ja) * | 1988-08-24 | 1993-10-15 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219527A patent/JPH0641373B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6278109A (ja) | 1987-04-10 |
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