JPH0641667A

JPH0641667A - Ａｌ基プリント配線板

Info

Publication number: JPH0641667A
Application number: JP21637692A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Gunji; 博善郡司; Hiroshi Kinoshita; 博木下; Hiroshi Shida; 弘志田
Original assignee: Sky Aluminium Co Ltd
Current assignee: Sky Aluminium Co Ltd
Priority date: 1992-07-22
Filing date: 1992-07-22
Publication date: 1994-02-15

Abstract

(57)【要約】【目的】熱放散性（全放射率８０％以上）に優れ、低
熱膨張係数で高温でも陽極酸化皮膜に割れを生じない耐
熱性を具備したアルミニウム基プリント配線板を提供す
る。【構成】基本的にはＳｉ３〜２０ｗｔ％を含むＡｌ−
Ｓｉ系合金、必要に応じて他の強度付与元素及びＳｉ微
細化剤を添加含有させたＡｌ基合金素地板の少なくとも
その表面層に特定粒子径の共晶Ｓｉ及び初晶Ｓｉを分散
含有させ、該素地板の両面には厚さ５μｍ以上の陽極酸
化皮膜層が形成されてなるＡｌ基プリント配線板であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、金属系プリント配線
板に関し、特に回路に熱が関与する場合のＣＯＢ基板、
ハイブリット基板、多層基板、フレキシブル基板、電装
基板、電源用基板等に好適な、放熱性及び耐熱性に優れ
たＡｌ基プリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板の材料選択はなかなか難
しく、信頼性の高い基板は種々の特性を満足しなければ
ならない。例えば機械的、物理的性質では、ピール強
度、平滑度、熱抵抗、熱膨張係数、はんだ耐熱性、吸水
率等であり、また電気的特性からは、耐電圧、誘電率、
表面抵抗率、体積固有抵抗等であり、化学的性質からは
耐酸性、耐有機溶剤性、耐アルカリ性、難燃性等であ
る。さらに工業的には生産性及び総合コストが実用化の
決定要件である。

【０００３】この分野において、最近は表面実装技術の
実用化が急速に発達し、プリント板に直接シリコンチッ
プ等を接合するため、放熱性の大きい、熱膨張係数の小
さい基板が望まれ、これらの用途にはアルミナ、Ａｌや
Ｓｉの窒化物等のセラミック材、あるいは鉄系、ステン
レス系、ＣＩＣ，ＦＩＦ等のクラッド材が向けられてい
る。

【０００４】しかしながら、低膨張係数、高放熱性を具
備し、なおかつ低価格な基板材料は見出されていないの
が実状である。これらの中でも比較的適合性の良い例え
ば放熱性に優れるＳｉ₃Ｎ₄板は高価であり、かつ割れた
り、大型サイズのものが得難い等の欠点がある。ＣＩ
Ｃ、ＦＩＦ等のクラッド板は、低膨張材ではあるが高価
であり、熱放散性も充分でない。従ってこれらの基板
の使用は特殊な分野に限定されているのが実状である。

【０００５】ところでＡｌ配線板は、軽量かつ熱伝導性
もよく廉価で汎用性の高い材料であるが、線膨張係数が
大きく、前記したように面実装部品やワイヤダイレクト
ボンデイングを行う回路基板には不向きである。また回
路基板製造工程中において行う半田付けや、乾燥などの
熱工程において不具合が起きている。さらに放熱性の特
性として発熱源から基板への熱伝導性は良いが基板から
の発熱エネルギーを空気中に放散する場合の全放射率が
小さいという問題もある。最近ではこの熱放散性の指標
としての全放射率値は８０％以上のものが求められるよ
うになっている。

【０００６】従来のＡｌ配線板には、このように高熱膨
張、低熱放散性という難点があるが、これらはいずれも
直接には表面の陽極酸化皮膜の特性と関係がある。即ち
実使用時に到達する基板の最高表面温度（約３００℃）
未満の温度において、皮膜に割れが発生するためアルミ
ニウム素地板の熱膨張を拘束することが出来ないこと、
プリント基板の皮膜に割れが起ると、湿分環境において
割れ目に水分が侵入し、絶縁接着剤層は透水性のため、
かかる水分の膨張により積層体の剥離を惹起する。また
電気的絶縁層である陽極酸化膜の絶縁不均一によってリ
ークするなど基板回路が不安定となるなるため割れ難い
皮膜が要求されている。またこれと同時に全放射熱を高
める手段として、自然発色による黒色化皮膜の形成が出
来なかった。このため低熱膨張性、高放熱性の同時解決
は困難な実状にあった。

【０００７】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は、かかる現
状に鑑みてなされたもので、低膨張係数のＡｌ合金素材
を選択し、かつ該素材の表面に形成される陽極酸化皮膜
を改良し、これによって低熱膨張性、高放熱性の同時解
決を図ることを技術的課題とする。その結果としてＡｌ
合金板固有の特性を生かしつつ、より汎用性の高いＡｌ
配線板を提供することを目的とする。

【０００８】

【問題を解決するための手段】本発明者等は、上記のご
とき問題点の解決を目的として種々研究の結果、特定組
成及び組織のＡｌ合金素地板とこれに形成される自然発
色陽極酸化皮膜が優れた効果を発揮することに着目し、
これに基づいて本発明に到達した。

【０００９】すなわち本願第１発明は、特許請求の範囲
の請求項１に記載のとうり、重量でＳｉ３〜２０％を含
有し、残部がＡｌと不純物よりなるＡｌ基合金素地板の
少なくとも表面層には、平均粒径５μｍ以下の共晶Ｓｉ
粒子叉はそれと最大粒径１５μｍ以下の初晶Ｓｉ粒子が
分散含有し、かつ該素地板の両面には厚さ５μｍ以上の
陽極酸化被膜が形成されてなることを特徴とするＡｌ基
プリント配線板である。

【００１０】そして本願第２発明は、同じく請求項２に
記載のとうり、重量でＳｉ３〜２０％を含有し、さらに
Ｆｅ０．０５〜２．０％、Ｍｇ０．０５〜２．０％、Ｃ
ｕ０．０５〜６．０％、Ｍｎ０．０５〜２．０％、Ｎｉ
０．０５〜３．０％、Ｃｒ０．０５〜０．３％、Ｖ０．
０５〜０．３％、Ｚｒ０．０５〜０．３％、Ｚｎ１．０
％を超え７．０％以下のうちの１種叉は２種以上を含有
し、残部がＡｌと不純物よりなるＡｌ基合金素地板の少
なくとも表面層には、平均粒径５μｍ以下の共晶Ｓｉ粒
子叉はそれと最大粒径１５μｍ以下の初晶Ｓｉ粒子が分
散含有し、かつ該素地板の両面には厚さ５μｍ以上の陽
極酸化皮膜が形成されてなることを特徴とするＡｌ基プ
リント配線板である。

【００１１】また本願第３発明は、請求項３に記載のと
うり、請求項１ないし請求項２記載のＡｌ基合金素地板
の成分として、さらにＴｉ０．００５〜０．２％叉はそ
れとＢ１〜１００ｐｐｍ、Ｐ０．００５〜０．１％、Ｎ
ａ０．００５〜０．１％、Ｓｒ０．００５〜０．１％、
Ｓｂ０．００５〜０．３％のうちの１種叉は２種以上を
含有するＡｌ基プリント配線板である。

【００１２】さらに本願第４発明は、請求項４に記載の
とうり、陽極酸化被膜層が無封孔でＡｌ基合金素地板の
両面に形成されてなることを特徴とする請求項１ないし
請求項３記載のＡｌ基プリント配線板である。

【００１３】

【作用】本発明は、特定量のＳｉを含有するＡｌ合金
中に特定の微細粒子径の共晶叉はそれと初晶Ｓｉを分散
晶出せしめてなるＡｌ素地板の表面に特定厚の陽極酸化
膜を形成せしめたＡｌ基プリント配線板である。

【００１４】該合金素地板の表面に形成される陽極酸化
酸化皮膜は、黒色に自然発色し、この皮膜は基板の使用
温度環境で割れを生起せず、従って合金素地板の熱膨張
を拘束し、また湿分環境における積層剥離を起こすこと
なく基板回路を安定に支持すると同時に、この自然発色
黒色皮膜は熱放散特性（全放射率）が顕著に改善されて
いる。

【００１５】上記のＡｌ陽極酸化皮膜の生成過程におい
て、Ａｌ−Ｓｉ系の共晶叉はそれと初晶Ｓｉの晶出部分
あるいは小量ながらＦｅ，Ｍｇ等との金属間化合物の析
出物粒子を避けながら皮膜多孔質層を成長するため、形
成される多孔質層は枝分かれした複雑な多孔質構造とな
る。

【００１６】さらにこれらの晶出物、析出物の粒子は陽
極酸化処理浴の無機酸、有機酸に不溶で被膜中に浮遊懸
濁して存在し、光はこれに吸収され濃黒色皮膜となる。

【００１７】また、かかる皮膜は歪吸収能が高いため熱
歪に起因するクラック発生のおそれが少なく、また仮に
微細なクラックが生起してもそれがトリガーとなるクラ
ックの伝播が起こりにくいため皮膜の耐熱性、耐熱衝撃
性が向上する作用がある。

【００１８】上記の陽極酸化皮膜は、その構造の故に明
度が低く、可視領域で黒色化するため全放射率が高くな
り熱放散特性が増大する作用がある。しかも自然発色の
黒色であるために、高温において退色するようなことも
なく、低温から高温までの広い温度範囲で安定した熱放
散特性を具備している。

【００１９】さらに上記のＡｌ陽極酸化皮膜には、一般
に行われるように封孔処理が施されて好ましく使用され
るが、意外にも、かかる封孔処理を施さない、いわゆる
無封孔のものが一層優れた特性すなわち皮膜の耐熱性
（高温における耐割れ性）及び接着剤絶縁層の接着力を
向上する効果があることが認められた。

【００２０】上記の陽極酸化皮膜の枝分かれした多孔質
構造の表面は、複雑な凹凸を呈しておりこれが表面積を
増加し、絶縁接着剤との投錨効果と接着面積増加の効果
により密着力が増大し、さらに無封孔表面は活性なＯ−
Ｈ基が存在し、接着剤と化学結合することから、これに
よって強固な接着力が生ずるものと推察される。

【００２１】陽極酸化皮膜の厚さの影響は、厚くなるほ
どＡｌ合金基材と陽極酸化皮膜の間の熱膨張に対する拘
束力は増加する。これは非晶質の陽極酸化皮膜の引張強
度が、皮膜厚みに比例していることが原因していると推
察される。

【００２２】線膨張係数は、陽極酸化皮膜が約４．５×
１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃、一般のＡｌ及びＡｌ合金におい
ては約２４．０×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃で大きな差があ
る。本発明のＡｌ−Ｓｉ系合金は、ほぼＳｉ含有量に比
例して低下し、本発明のＡｌ合金のＳｉ量の範囲では約
２３〜１２×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であって、皮膜との
差は大幅に減少し、皮膜の割れ難さに貢献する。しかし
線膨張係数差を拘束し一層皮膜に割れが生じないこと、
及び８０％以上の全放射率を得るためには、皮膜の厚み
は５μｍ以上必要になる。

【００２３】一方、熱膨張で押さえ込まれた力は厚さ方
向に移動して安定状態を保つことになる。従って配線板
として重要な表面水平方向の熱膨張係数の小さい基板が
可能となる。

【００２４】通常のＡｌ陽極酸化皮膜は厚さを厚くして
も、１００℃以上の温度では、クラックや割れが発生す
るため、線膨張係数を小さくすることができないが、本
発明の場合無封孔の陽極酸化皮膜にあってはこの点が改
善される。

【００２５】本発明においてＡｌ合金素地板の少なくと
も表面層組織に存在するＳｉ粒子の大きさは、全放射率
に影響を与えるため、これを規制する必要があることが
わかった。共晶Ｓｉは、微細粒子ほど良く、平均粒径５
μｍを超えて存在すると陽極酸化皮膜の黒色度及び全放
射率が低下するので好ましくない。また初晶Ｓｉは板状
で晶出するが、その最大巾が１５μｍを超える場合は、
共晶Ｓｉが前記したように微細粒子でも全放射率が低下
し、かつ不安定となるので好ましくない。従って共晶Ｓ
ｉは平均粒径５μｍ以下、初晶Ｓｉは最大粒径１５μｍ
以下に限定する。

【００２６】次に、本発明におけるＡｌ合金組成の限定
理由について説明する。Ｓｉ：Ｓｉは本発明において基本的に重要な合金成分
である。Ａｌ−Ｓｉ系合金の共晶点は、他の共存元素の
存在により、Ｓｉ１１．７重量％を基点として前後に移
動する。Ｓｉ量が共晶点以上では基質であるＡｌ−Ｓｉ
共晶組織に、初晶Ｓｉが晶出する。またＳｉは小量では
あるがＦｅ，Ｍｇ等他の元素との金属間化合物を形成し
析出する。

【００２７】これらＳｉの晶出物、析出物は、陽極酸化
皮膜中に包含され、全放射率に強い影響を有するが、Ｓ
ｉが３％未満では晶出物、析出物の量が少なく上記の特
性が十分得られない。またＳｉが２０％を超えると、初
晶Ｓｉの均一微細化分散組織が得られ難くなり、ＤＣ鋳
造の適用が困難となるほか圧延性も低下するためＳｉは
２０％を上限とするのが適当である。

【００２８】本発明の特徴を発揮するＡｌ合金としては
基本的には、上記Ａｌ−Ｓｉ系であって、残部は不純物
とＡｌであってよいが、強度向上等の必要に応じて他の
元素が加わって一層優れた特性を具備するようになる。
Ｆｅ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｖ，Ｚｒ，Ｚｎ
のごとき元素がそれであり、各元素の作用効果及び適当
な添加含有量は次のとうりである。

【００２９】Ｆｅ：強度向上、結晶粒微細化のため有効
である。Ｆｅ量が０．０５％未満ではその効果が得られ
ず、２．０％を超えると陽極酸化皮膜の強度と耐食性が
低下するほかＡｌ−Ｓｉ−Ｆｅ系金属間化合物の量が過
大となり、全放射率の低下をもたらす。このためＦｅ量
は０．０５〜２．０％の範囲とする。

【００３０】Ｍｇ：強度向上に寄与する。Ｍｇ量が０．
０５％未満ではその効果が得られず、また２．０％を超
えるとＭｇ₂Ｓｉの生成量が過大となり、全放射率の低
下をもたらす。このためＭｇ量の範囲は、０．０５〜
２．０％とする。

【００３１】Ｃｕ：強度向上に有効である。Ｃｕ量が
０．０５％未満ではその効果がなく、一方６．０％を超
えると耐食性、鋳造性、塑性加工性が悪くなる。このた
め、Ｃｕ量は０．０５〜６．０％の範囲とする。

【００３２】Ｍｎ：強度向上に寄与する。Ｍｎ量が０．
０５％未満では効果が不十分であり、また２．０％を超
えるとＡｌ−Ｓｉ−Ｍｎ系の金属間化合物が過大に生成
し、全放射率が低下する。このため、Ｍｎ量は０．０５
〜２．０％とする。

【００３３】Ｎｉ：強度向上及び耐熱性向上の効果があ
る。Ｎｉ量が０．０５％未満ではその効果が得られず、
一方３．０％を超えると鋳造性が困難となる。このため
Ｎｉ量は０．０５〜３．０％の範囲とする。

【００３４】Ｃｒ，Ｚｒ，Ｖ：これらの元素は、いずれ
も強度向上及び結晶粒微細化に寄与する。いずれも０．
０５％未満ではその効果が不十分であり、一方０．３％
を超えると粗大な金属間化合物が生成して強度を低下す
る。従ってこれらの元素は単独量で０．０５〜０．３％
の範囲とする。

【００３５】Ｚｎ：Ｚｎは、強度向上に寄与するが、
１．０％以下では効果が充分でなく、７％を超えると鋳
造性が悪化する。このためＺｎの含有量は１．０％を超
え７．０％以下とする。

【００３６】本発明のＡｌ合金配線板としては、さらに
組織微細化用元素の添加含有が一層好ましい。すなわち
鋳塊の結晶粒及びＳｉの微細化剤がそれである。各元素
の作用効果及び適当な添加含有量は次のとうりである。

【００３７】Ｔｉ，Ｂ：Ｔｉは鋳塊の結晶粒微細化に有
効で圧延材のストリークス、キメを防止する効果がある
が、Ｔｉ０．００３％未満ではその効果が乏しく、また
０．２％を超えるとＴｉＡｌ₃系粗大金属間化合物が生
成して効果を損なうので０．２％を上限とする。またＴ
ｉとともにＢを共存させることがより効果的であるが、
その場合Ｂ量が１ｐｐｍ未満ではその効果が不十分であ
り、１００ｐｐｍを超えるとその効果は飽和し、逆にＴ
ｉＢ₂粒子を化成して線状欠陥を生ずるので、Ｔｉと組
み合わせて添加するＢは１〜１００ｐｐｍの範囲とす
る。

【００３８】Ｐ：初晶Ｓｉの粒子サイズは鋳造時の冷却
凝固速度に大きく依存するが、微量のＰの添加含有によ
って効果的に微細化が生起する。ＰはＣｕ等の合金また
はりん酸塩等として添加されるが、Ｐ量が０．００５％
未満ではこの効果は充分でなく、また０．１％を超える
と効果は飽和する。従ってＰの量は０．００５〜０．１
％の範囲とする。

【００３９】Ｎａ、Ｓｂ，Ｓｒ：これらの元素は、共晶
Ｓｉ粒子の微細化に寄与する。いずれも０．００５％未
満ではその効果が不十分であり、またＮａ及びＳｒは
０．１％、Ｓｂは０．３％を超えればそれらの効果が飽
和する。従って添加含有量はＮａ，Ｓｒは０．００５〜
０．１％、Ｓｂは０．００５〜０．３％の範囲とする。
なおＮａ，Ｓｂ，ＳｒがＰと共存すると、Ｐによる初晶
Ｓｉの微細化効果は損なわれるのでＰとの共存は望まし
くない。

【００４０】以上の各元素のほか合金溶製時の酸化防止
のためＢｅを１〜１００ｐｐｍ添加含有することも差し
支えない。またその他の元素も合計で１％以下程度の含
有であれば悪影響はない。

【００４１】次に本発明における合金の製造方法につい
て説明する。本発明のＡｌ−Ｓｉ系合金の組成元素は、
常法によりＡｌ溶湯中に母合金塊、あるいは合金粉また
は金属粉末の形態で添加溶解し、通常はＤＣ鋳造によっ
てスラブに造塊しこれをを圧延する方法、又は溶湯を冷
却ロール間に注湯して薄板鋳造し、引続き圧延する連続
鋳造圧延法等により製板される。

【００４２】前記したような、微細化したＡｌ−Ｓｉ系
合金組織を形成させるためには、鋳造時の冷却凝固速度
を高め、ＤＡＳを３０μｍ以下とすることが鋳造組織制
御の目安である。冷却速度が５℃／ｓｅｃ以上に達する
連続鋳造圧延法が一層効果的である。特に初晶Ｓｉの粒
子サイズは鋳造時の冷却凝固速度に依存度が高い。Ｐに
よる微細化作用はこの点を補うものである。共晶Ｓｉも
鋳造時の条件に影響されるが、圧延等塑性加工過程にお
いて破砕分断して微細化する。

【００４３】必要に応じて析出熱処理により組織微細化
をさらに図ることもできる。上記析出のための熱処理は
２００〜４００℃で０．５〜２Ｈｒ．程度行うのが普通
で、鋳塊のまま、あるいは圧延の途中または圧延後に行
ってもよい。したがってこの熱処理は、鋳塊に対する均
質化処理、あるいは熱間圧延直後もしくは冷間圧延の途
中で必要に応じて行われる中間焼鈍、さらには冷間圧延
後に必要に応じて施される最終焼鈍など兼ねて行うこと
ができる。

【００４４】このほか、圧延材とする場合の熱間圧延や
冷間圧延、さらに必要に応じて行われる中間焼鈍や、最
終焼鈍は、常法に従って行うことができる。

【００４５】本発明の合金材に対する陽極酸化処理は、
特に限定されるものではなく、脱脂、苛性アルカリエッ
チング、デスマット処理等の予備処理を行い、次いで硫
酸、シュウ酸等の無機酸、あるいは有機酸、さらにはこ
れらの混酸を電解浴とし、直流、交流、交直併用、交直
重畳波形等、任意の波形を用いて行うことができる。た
だし、経済性、生産性の点から硫酸浴、直流電解法が好
適であり、常法により封孔処理、半封孔処理（９５℃）
を施し、叉は無封孔とする。

【００４６】

【実験例】本発明のプリント基板の特徴である高温にお
ける陽極酸化皮膜割れ、及び全放射率に及ぼす陽極酸化
皮膜厚みの影響について、実験例を引用して以下説明す
る。

【００４７】供試した合金板材は、後述の実施例、表２
の合金番号５の圧延板で、板厚１．０ｍｍ×巾５０ｍｍ
×長さ１００ｍｍである。この板材に硫酸浴（１５％、
１０℃）直流電解により陽極酸化処理を施し、皮膜厚み
約３〜５０μｍで無封孔の供試片を調製した。

【００４８】上記供試片について、陽極酸化皮膜割れ試
験（３００℃×１時間加熱）、及び全放射率の測定を行
った。その結果は、表１のごとくで、皮膜割れは殆ど無
く、また全放射率も優れたものであるが、全放射率は皮
膜厚み約１２μｍまでは比例して増大するがそれ以上で
は飽和する傾向を示すが、現在プリント基板に望まれて
いる全放射率８０％以上の水準を超えるのは皮膜厚み５
μｍ以上であることが認められる。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【実施例】表２に供試Ａｌ合金材の組成及び組織を示
す。合金１ないし合金９は本発明実施例、合金１０ない
し合金１２は従来の代表的Ａｌ配線基板の比較例であ
る。

【００５１】

【表２】

【００５２】表２の組成の各合金溶湯を溶製し、常法に
より脱ガス、ろ過処理した後、ＤＣ鋳造法によりスラブ
とし、これを４５０℃×１２時間加熱処理（均熱処理兼
析出処理）し、次いで４５０℃で熱間圧延を開始し、厚
さ４ｍｍの板とした。これを一次冷間圧延により板厚２
ｍｍとした後、３８０℃×２時間の中間焼鈍を施し、さ
らに最終冷間圧延を行って厚さ１．０ｍｍ叉は２．５ｍ
ｍの板とした。

【００５３】最終板厚の各板について陽極酸化皮膜形成
処理を行った。常法により表面をアルカリエッチング
し、水洗後硝酸でデスマットした板材に硫酸電解浴（１
５％、１０℃）中、電流密度１．５Ａ／ｄｍ²で直流電
解処理を施した。皮膜厚は８〜３０μｍに調整した。

【００５４】上記陽極酸化処理後、通常の加圧水蒸気法
（５Ｋｇ／ｃｍ²）により封孔処理を施したもの、半封
孔処理（９５℃水蒸気）のもの、、及び無封孔のものを
調製した。

【００５５】その結果は表３に示すごとく、本発明合金
板材に陽極酸化皮膜厚み８〜３０μｍを施した場合、封
孔叉は無封孔のいずれでも、全放射率は８２％以上に達
し、特に皮膜厚み３０μｍでは８８％に達しているこ
と、また皮膜割れは殆ど無く優れた特性を具備している
ことがわかる。さらに検討すると、皮膜割れは封孔処理
を施したものより、無封孔のものが一層優れており、３
００℃加熱後の割れが事実上皆無であることが認められ
る。半封孔のものもほぼ同程度の結果がえられている。

【００５６】

【表３】

【００５７】本発明のＡｌ基プリント配線板の一例を図
１に示す。Ａｌ基合金素地板１は、前記表２の合金番号
４の圧延板で板厚１．０ｍｍである。該素地板の両面に
前記実施例記載の方法により厚み２５μｍの陽極酸化皮
膜２及び３を形成せしめ、片面（図では上面）に絶縁接
着剤層４を介して銅箔（日本鉱業（株）製ＪＴＣ材、厚
さ３５μｍ）５を重ね、加熱圧着してプリント配線板を
作製した。６は銅箔上の回路チップである。この配線板
は、使用状態において下面の高い全放射率により熱放散
率が高く、従って配線板自体の温度上昇が少なく、また
長期間の使用後も陽極酸化皮膜に割れ現象が認められ
ず、優れた特性を具備していた。

【００５８】

【発明の効果】本発明のＡｌ基プリント配線板によれ
ば、従来のこの種配線板の欠点であった放熱性（低全放
射率）及び耐熱性（陽極酸化皮膜の割れ）を改善し、Ａ
ｌ基配線板固有の軽量性、熱伝導性、廉価性に加えて上
記のごとき優れた特性が具備されることとなる。

【００５９】さらに本発明において無封孔の陽極酸化皮
膜は封孔処理した皮膜に比して上記特性の改善効果が一
層優れているのみでなく、接着剤絶縁層の接着力を向上
する効果があるので、この種基板の信頼性及び汎用性を
一層高めるためるのに役立ちコスト低下をもたらすので
産業界に与える利便は大きい。

【００６０】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に関わるＡｌ基プリント配線
板の縦断面説明図である。１：Ａｌ基合金素地板２：板上面の陽極酸化皮膜層３：板下面の陽極酸化皮膜層４：絶縁接着剤層５：銅箔６：チップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】重量でＳｉ３〜２０％を含有し、残部が
Ａｌと不純物よりなるＡｌ基合金素地板の少なくとも表
面層には、平均粒径５μｍ以下の共晶Ｓｉ粒子叉はそれ
と最大粒径１５μｍ以下の初晶Ｓｉ粒子が分散含有し、
かつ該素地板の両面には厚さ５μｍ以上の陽極酸化被膜
が形成されてなることを特徴とするＡｌ基プリント配線
板。
【請求項２】重量でＳｉ３〜２０％を含有し、さらに
Ｆｅ０．０５〜２．０％、Ｍｇ０．０５〜２．０％、Ｃ
ｕ０．０５〜６．０％、Ｍｎ０．０５〜２．０％、Ｎｉ
０．０５〜３．０％、Ｃｒ０．０５〜０．３％、Ｖ０．
０５〜０．３％、Ｚｒ０．０５〜０．３％、Ｚｎ１．０
％を超え７．０％以下のうちの１種叉は２種以上を含有
し、残部がＡｌと不純物よりなるＡｌ基合金素地板の少
なくとも表面層には、平均粒径５μｍ以下の共晶Ｓｉ粒
子叉はそれと最大粒径１５μｍ以下の初晶Ｓｉ粒子が
分散含有し、かつ該素地板の両面には厚さ５μｍ以上の
陽極酸化皮膜が形成されてなることを特徴とするＡｌ基
プリント配線板。
【請求項３】上記Ａｌ基合金素地板の成分として、さら
にＴｉ０．００５〜０．２％叉はそれとＢ１〜１００ｐ
ｐｍ、Ｐ０．００５〜０．１％、Ｎａ０．００５〜０．
１％、Ｓｒ０．００５〜０．１％、Ｓｂ０．００５〜
０．３％のうちの１種叉は２種以上を含有する、請求項
１ないし請求項２記載のＡｌ基プリント配線板。
【請求項４】陽極酸化被膜が無封孔でＡｌ基合金素地
板の両面に形成されてなることを特徴とする請求項１な
いし請求項３記載のＡｌ基プリント配線板。