JPH0641734A - ターゲツト部材およびその製造方法 - Google Patents
ターゲツト部材およびその製造方法Info
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- JPH0641734A JPH0641734A JP21852792A JP21852792A JPH0641734A JP H0641734 A JPH0641734 A JP H0641734A JP 21852792 A JP21852792 A JP 21852792A JP 21852792 A JP21852792 A JP 21852792A JP H0641734 A JPH0641734 A JP H0641734A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録に適する改良された磁気特性を有
する磁気記録層（磁性膜）をスパツタ法により形成する
ためのターゲツト部材の改良。 【構成】 このターゲツト部材は、原子％で、Ｃｒ：６
〜１７％，Ｎｉ：０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％
（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％を越えない），残
部実質的にＣｏからなり、相対密度：９８％以上の焼結
体である。粒径２２メツシユ以下のアトマイズ粉末をカ
プセル容器に充填し真空密封（０．１ｍｍＨｇ以下）の
後、熱間等方圧加圧焼結（８００〜１２５０℃，５００
〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ2 ，０．５〜４Ｈｒ）すること
により製造される。
する磁気記録層（磁性膜）をスパツタ法により形成する
ためのターゲツト部材の改良。 【構成】 このターゲツト部材は、原子％で、Ｃｒ：６
〜１７％，Ｎｉ：０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％
（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％を越えない），残
部実質的にＣｏからなり、相対密度：９８％以上の焼結
体である。粒径２２メツシユ以下のアトマイズ粉末をカ
プセル容器に充填し真空密封（０．１ｍｍＨｇ以下）の
後、熱間等方圧加圧焼結（８００〜１２５０℃，５００
〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ2 ，０．５〜４Ｈｒ）すること
により製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の磁気記
録層をスパツタ法により形成するためのターゲツト部
材、およびその製造方法に関する。
録層をスパツタ法により形成するためのターゲツト部
材、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気デイスク、磁気テープ等の磁気記録
媒体は、高密度記録性の点から、その磁気記録層（磁性
膜）を強磁性合金で形成した金属薄膜型記録媒体が、従
来の塗布型磁気記録媒体に代って主流となつている。そ
の磁気記録層をスパツタ法により非磁性基体上に製膜す
るためのターゲツト部材として、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金が使用されてきた。
媒体は、高密度記録性の点から、その磁気記録層（磁性
膜）を強磁性合金で形成した金属薄膜型記録媒体が、従
来の塗布型磁気記録媒体に代って主流となつている。そ
の磁気記録層をスパツタ法により非磁性基体上に製膜す
るためのターゲツト部材として、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金が使用されてきた。
【０００３】磁気記録分野における高密度記録に対する
要求はますます高まり、一層の高保磁力化およびノイズ
レベルの低減が要求されているが、上記Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等をターゲツト部材と
して形成される磁性膜では、その改善効果に限度があ
る。
要求はますます高まり、一層の高保磁力化およびノイズ
レベルの低減が要求されているが、上記Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等をターゲツト部材と
して形成される磁性膜では、その改善効果に限度があ
る。
【０００４】その高密度記録化の要請に応えるためのタ
ーゲツト部材の改良として種々の提案がなされており、
例えば特開平１−１３３２１７号公報には、一定量のＴ
ａを添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金をターゲツト部材と
して磁性膜を形成することにより高保磁力とノイズ低減
効果を得ることが記載され、特開平３−１３８３６５号
公報には、そのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性膜の磁気特性
の均質性を高めるためのターゲツト部材の改良として、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金の微細な急冷凝固粉末を加圧焼結
して製造される均質緻密な焼結体をターゲツト部材とす
ることが記載されている。また、このほかＢを一定量添
加したＣｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ合金をタ
ーゲツトとして磁性膜を形成することや、そのスパツタ
蒸着において基板に負電圧を印加するバイアススパツタ
により磁性膜の保磁力を高めること等も提案されている
（特開平３−４９０２１号公報、特開平３−５４７２３
号公報）。
ーゲツト部材の改良として種々の提案がなされており、
例えば特開平１−１３３２１７号公報には、一定量のＴ
ａを添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金をターゲツト部材と
して磁性膜を形成することにより高保磁力とノイズ低減
効果を得ることが記載され、特開平３−１３８３６５号
公報には、そのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性膜の磁気特性
の均質性を高めるためのターゲツト部材の改良として、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金の微細な急冷凝固粉末を加圧焼結
して製造される均質緻密な焼結体をターゲツト部材とす
ることが記載されている。また、このほかＢを一定量添
加したＣｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ合金をタ
ーゲツトとして磁性膜を形成することや、そのスパツタ
蒸着において基板に負電圧を印加するバイアススパツタ
により磁性膜の保磁力を高めること等も提案されている
（特開平３−４９０２１号公報、特開平３−５４７２３
号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気記録媒
体の高密度記録に適した改良された磁気特性を有する磁
性膜を形成するための新規合金組成を有するターゲツト
部材およびその製造方法を提供するものである。
体の高密度記録に適した改良された磁気特性を有する磁
性膜を形成するための新規合金組成を有するターゲツト
部材およびその製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明のター
ゲツト部材は、原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｎｉ：
０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴ
ａの合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏか
らなり、相対密度：９８％以上である焼結体であること
を特徴としている。本発明のターゲツト部材は、上記組
成を有する粒径２２メツシユ以下の急冷凝固された微細
なアトマイズ粉末を焼結原料とし、熱間等方圧加圧焼結
することにより製造される。
ゲツト部材は、原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｎｉ：
０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴ
ａの合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏか
らなり、相対密度：９８％以上である焼結体であること
を特徴としている。本発明のターゲツト部材は、上記組
成を有する粒径２２メツシユ以下の急冷凝固された微細
なアトマイズ粉末を焼結原料とし、熱間等方圧加圧焼結
することにより製造される。
【０００７】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明のターゲツト部材を、焼結体として形成することと
したのは、ターゲツト部材の肉厚内部における構成元素
の分布のムラを防止し、板厚方向の全体に亘る組成の均
質性を得るためである。通常、ターゲツト部材は、溶解
・鋳造による鋳塊として、また鋳塊を緻密化するための
熱間もしくは冷間での塑性加工（鍛造、圧延等）の工程
を経て製造されるが、本発明の前記組成を有するターゲ
ツト合金は、そのＴａの固溶限が比較的低く、しかも工
業的生産での鋳造工程では平衝状態からのずれが生じる
ため、ミクロ的にＴａの富化した偏析、およびその化合
物の局所的な晶出・偏在を不可避的に付随する。その組
成の不均質性は、熱間・冷間の塑性加工を施しても十分
に解消することができない。このような組成の不均一な
ターゲツト部材を使用すると、基板上に蒸着形成される
磁性膜の組成が、スパツタリングの経過に伴つて変動
し、所期の磁気特性を確保することは不可能である。そ
こで本発明は、そのターゲツト部材を、組成の均質な微
細粉末を原料とする焼結体として形成することにより、
ターゲツト部材の肉厚内部の組成の均質性を確保し、併
せて高緻密性をもたせている。
発明のターゲツト部材を、焼結体として形成することと
したのは、ターゲツト部材の肉厚内部における構成元素
の分布のムラを防止し、板厚方向の全体に亘る組成の均
質性を得るためである。通常、ターゲツト部材は、溶解
・鋳造による鋳塊として、また鋳塊を緻密化するための
熱間もしくは冷間での塑性加工（鍛造、圧延等）の工程
を経て製造されるが、本発明の前記組成を有するターゲ
ツト合金は、そのＴａの固溶限が比較的低く、しかも工
業的生産での鋳造工程では平衝状態からのずれが生じる
ため、ミクロ的にＴａの富化した偏析、およびその化合
物の局所的な晶出・偏在を不可避的に付随する。その組
成の不均質性は、熱間・冷間の塑性加工を施しても十分
に解消することができない。このような組成の不均一な
ターゲツト部材を使用すると、基板上に蒸着形成される
磁性膜の組成が、スパツタリングの経過に伴つて変動
し、所期の磁気特性を確保することは不可能である。そ
こで本発明は、そのターゲツト部材を、組成の均質な微
細粉末を原料とする焼結体として形成することにより、
ターゲツト部材の肉厚内部の組成の均質性を確保し、併
せて高緻密性をもたせている。
【０００８】本発明のターゲツト部材を、Ｃｒ：６〜１
７％，Ｎｉ：０．３〜３６％，およびＴａ：０．５〜８
％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％以下），残部実
質的にＣｏからなる組成としたのは、この組成範囲にお
いて、１３００Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を発現し、高
密度記録を可能とする改良された磁気特性が得られ、ま
た耐候性も良く、記録層として必要な安定性も確保され
るからである。ＮｉとＴａの合計量の上限を３８％とし
たのは、それを越えると却つて保磁力が低下するからで
ある。なお、ＮｉおよびＴａの含有量は好ましくは、Ｎ
ｉ：０．５％以上、Ｔａ：１％以上である。
７％，Ｎｉ：０．３〜３６％，およびＴａ：０．５〜８
％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％以下），残部実
質的にＣｏからなる組成としたのは、この組成範囲にお
いて、１３００Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を発現し、高
密度記録を可能とする改良された磁気特性が得られ、ま
た耐候性も良く、記録層として必要な安定性も確保され
るからである。ＮｉとＴａの合計量の上限を３８％とし
たのは、それを越えると却つて保磁力が低下するからで
ある。なお、ＮｉおよびＴａの含有量は好ましくは、Ｎ
ｉ：０．５％以上、Ｔａ：１％以上である。
【０００９】本発明のターゲツトの緻密度を、相対密度
で９８％以上としたのは、焼結体の緻密性が低いと、そ
れだけ焼結体に内蔵されるガス量が多く、スパツタリン
グ中のターゲツトからのガス放出に起因して異常放電が
生じ易くなり、基板上に形成される磁性膜の均質性が損
なわれ、磁気特性の改善効果を十分に発現させることが
できなくなるからであり、相対密度９８％以上として、
スパツタリング中のガス放出とそれに付随する上記弊害
を防止している。
で９８％以上としたのは、焼結体の緻密性が低いと、そ
れだけ焼結体に内蔵されるガス量が多く、スパツタリン
グ中のターゲツトからのガス放出に起因して異常放電が
生じ易くなり、基板上に形成される磁性膜の均質性が損
なわれ、磁気特性の改善効果を十分に発現させることが
できなくなるからであり、相対密度９８％以上として、
スパツタリング中のガス放出とそれに付随する上記弊害
を防止している。
【００１０】本発明のターゲツト部材の焼結原料として
使用される前記組成を有するＣｏ基合金粉末は、成分元
素の偏析等のない均質なものであることを要する。原料
粉末の組成の不均一は焼結体の組成の均質性を損なう原
因となるからである。このため本発明は原料粉末として
アトマイズ粉末を使用することとした。アトマイズ法に
おける合金溶湯の噴霧時に十分な急速冷却凝固を行なわ
せて得られる微細粉末は、その急冷効果として、固溶限
の低いＴａが均一に固溶し、またそれらの化合物が晶出
した場合でも、微細に分散晶出した均質性の高い組織を
有する。そのアトマイズ合金粉末を、粒径２２メツシユ
以下の微細粉末に限定したのは、十分な急冷効果による
粉末組成の均質性を確保するためである。アトマイズ粉
末は、ガスアトマイズ粉末、水アトマイズ粉末、または
真空アトマイズ粉末等を適宜使用することができる。
使用される前記組成を有するＣｏ基合金粉末は、成分元
素の偏析等のない均質なものであることを要する。原料
粉末の組成の不均一は焼結体の組成の均質性を損なう原
因となるからである。このため本発明は原料粉末として
アトマイズ粉末を使用することとした。アトマイズ法に
おける合金溶湯の噴霧時に十分な急速冷却凝固を行なわ
せて得られる微細粉末は、その急冷効果として、固溶限
の低いＴａが均一に固溶し、またそれらの化合物が晶出
した場合でも、微細に分散晶出した均質性の高い組織を
有する。そのアトマイズ合金粉末を、粒径２２メツシユ
以下の微細粉末に限定したのは、十分な急冷効果による
粉末組成の均質性を確保するためである。アトマイズ粉
末は、ガスアトマイズ粉末、水アトマイズ粉末、または
真空アトマイズ粉末等を適宜使用することができる。
【００１１】上記アトマイズ粉末を、カプセル容器に充
填し、脱気密封したうえ、加圧焼結処理に付す。容器の
材種は、軟鋼、ステンレス鋼等、その選択は任意であ
る。容器内に充填した粉末の密封を、０．１ｍｍＨｇ以
下の真空下に行うこととしたのは、焼結体内に窒素、酸
素が残留することに伴う弊害（スパツタリングにおいて
異常放電を生じる原因となる）を防止するためである。
填し、脱気密封したうえ、加圧焼結処理に付す。容器の
材種は、軟鋼、ステンレス鋼等、その選択は任意であ
る。容器内に充填した粉末の密封を、０．１ｍｍＨｇ以
下の真空下に行うこととしたのは、焼結体内に窒素、酸
素が残留することに伴う弊害（スパツタリングにおいて
異常放電を生じる原因となる）を防止するためである。
【００１２】加圧焼結処理に熱間等方圧加圧焼結法（Ｈ
ＩＰ焼結）法を適用するのは、高加圧力の均一な作用下
に生起する焼結反応により、均質・緻密性にすぐれた焼
結体を形成するためである。その焼結処理は、温度：８
００〜１２５０℃，加圧力：５００〜２０００Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，保持時間：０．５〜４Ｈｒの条件下に首尾よく
達成される。温度：８００℃以上、加圧力：５００Ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 以上、保持時間：０．５Ｈｒ以上としたの
は、それに満たない処理条件では、相対密度９８％以上
の緻密性を確保することが困難ないし不可能となるから
であり、他方、処理温度の上限を１２５０℃に規定した
のは、それを越えると、液相の生成とそれに伴うＴａ等
の偏析が生起し、結果として、微細アトマイズ粉末を使
用したことの効果が失われ、得られる焼結体の均質性を
確保することができなくなるからである。また、加圧力
の上限を２０００Ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、保持時間の上限
を４Ｈｒとしたのは、それ以上の加圧力と時間を適用す
ることにより得られる利益はないからである。
ＩＰ焼結）法を適用するのは、高加圧力の均一な作用下
に生起する焼結反応により、均質・緻密性にすぐれた焼
結体を形成するためである。その焼結処理は、温度：８
００〜１２５０℃，加圧力：５００〜２０００Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，保持時間：０．５〜４Ｈｒの条件下に首尾よく
達成される。温度：８００℃以上、加圧力：５００Ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 以上、保持時間：０．５Ｈｒ以上としたの
は、それに満たない処理条件では、相対密度９８％以上
の緻密性を確保することが困難ないし不可能となるから
であり、他方、処理温度の上限を１２５０℃に規定した
のは、それを越えると、液相の生成とそれに伴うＴａ等
の偏析が生起し、結果として、微細アトマイズ粉末を使
用したことの効果が失われ、得られる焼結体の均質性を
確保することができなくなるからである。また、加圧力
の上限を２０００Ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、保持時間の上限
を４Ｈｒとしたのは、それ以上の加圧力と時間を適用す
ることにより得られる利益はないからである。
【００１３】上記工程を経て得られた焼結体はこれに適
宜の機械加工が加えられて所定形状のターゲツト部材に
仕上げられる。また、その焼結体は、溶解・鋳造法によ
るものと異なつて、熱間または冷間での鍛造、圧延等の
塑性加工が可能であり、従つて所望により、その緻密性
を更に高めるべく塑性加工に付して所定の板形状に成形
することもできる。
宜の機械加工が加えられて所定形状のターゲツト部材に
仕上げられる。また、その焼結体は、溶解・鋳造法によ
るものと異なつて、熱間または冷間での鍛造、圧延等の
塑性加工が可能であり、従つて所望により、その緻密性
を更に高めるべく塑性加工に付して所定の板形状に成形
することもできる。
【００１４】本発明のターゲツト部材を磁性膜材料とす
る磁気記録媒体の製作は、常法に従つて行えばよい。例
えば、面内記録用磁気デイスクについて述べれば、アル
ミニウム合金板等を基体とし、その表面に無電解めつき
により硬質のＮｉ−Ｐめつき膜（膜厚：例えば１５〜２
５μｍ）を設け、めつき膜面にテキスチヤ処理を施した
のち、磁性膜に面内異方性を与えるための下地層として
Ｃｒ膜を適宜の膜厚（例えば５００〜３０００Å）に形
成し、ついで本発明のターゲツト部材を使用して、上記
Ｃｒ膜面上に磁性膜（膜厚は例えば５００〜１０００
Å）を形成する。上記磁性膜のスパツタ成膜過程におい
て、基板側に、負の電圧（約−４０Ｖ以上、例えば−４
０〜−２５０Ｖ）を印加するバイアススパツタを適用し
た場合は、その効果として磁性膜に、より高い保磁力を
付与することも可能である。なお、上記磁性膜の膜面に
は、所望により、その摩耗・損傷を防止するための保護
膜として、潤滑性と耐摩耗性を備えた被膜、例えば炭素
質膜（膜厚：例えば１５０〜６００Å）が常法に従つて
形成される。
る磁気記録媒体の製作は、常法に従つて行えばよい。例
えば、面内記録用磁気デイスクについて述べれば、アル
ミニウム合金板等を基体とし、その表面に無電解めつき
により硬質のＮｉ−Ｐめつき膜（膜厚：例えば１５〜２
５μｍ）を設け、めつき膜面にテキスチヤ処理を施した
のち、磁性膜に面内異方性を与えるための下地層として
Ｃｒ膜を適宜の膜厚（例えば５００〜３０００Å）に形
成し、ついで本発明のターゲツト部材を使用して、上記
Ｃｒ膜面上に磁性膜（膜厚は例えば５００〜１０００
Å）を形成する。上記磁性膜のスパツタ成膜過程におい
て、基板側に、負の電圧（約−４０Ｖ以上、例えば−４
０〜−２５０Ｖ）を印加するバイアススパツタを適用し
た場合は、その効果として磁性膜に、より高い保磁力を
付与することも可能である。なお、上記磁性膜の膜面に
は、所望により、その摩耗・損傷を防止するための保護
膜として、潤滑性と耐摩耗性を備えた被膜、例えば炭素
質膜（膜厚：例えば１５０〜６００Å）が常法に従つて
形成される。
【００１５】
［Ｉ］ターゲツト部材の製造 所定の化学組成を有するＣｏ基合金のガスアトマイズ粉
末を分級し、２２メツシユアンダの微細粉末を焼結原料
とする。上記アトマイズ粉末を軟鋼製カプセル容器に充
填し、真空度０．０８ｍｍＨｇで真空密封したうえ、熱
間等方圧加圧焼結処理（ＨＩＰ）を行つた（表１）。焼
結後、カプセル容器を機械加工により除去して板状焼結
体（板厚：４０ｍｍ）を取出し、これに機械加工を加え
て複数枚のターゲツト部材（板厚：４ｍｍ）に仕上げ
た。
末を分級し、２２メツシユアンダの微細粉末を焼結原料
とする。上記アトマイズ粉末を軟鋼製カプセル容器に充
填し、真空度０．０８ｍｍＨｇで真空密封したうえ、熱
間等方圧加圧焼結処理（ＨＩＰ）を行つた（表１）。焼
結後、カプセル容器を機械加工により除去して板状焼結
体（板厚：４０ｍｍ）を取出し、これに機械加工を加え
て複数枚のターゲツト部材（板厚：４ｍｍ）に仕上げ
た。
【００１６】表１に供試ターゲツト部材の相対密度、お
よび表面と板厚中心部の化学組成分析値を示す。表中、
Ｔ１〜Ｔ４は発明例の焼結体ターゲツト、Ｔ５〜Ｔ７は
比較例である。比較例Ｔ５およびＴ６のターゲツト部材
は、発明例と同一のＨＩＰ処理により製造された焼結体
であるが、前者はＴａの含有を欠き、後者はＮｉ含有量
が過剰であると共にＮｉとＴａの合計量がその上限規定
からはずれている例である。比較例Ｔ７は溶解鋳造によ
り鋳片（板厚４０ｍｍ）として製造した例（但し、合金
組成は本発明の規定を満足している）である。鋳片とし
て製造された供試ターゲツト部材Ｔ７は、その表面と板
厚中心部とにおけるＴａの含有量の差異が大きいのに対
し、微細なアトマイズ合金粉末を使用しＨＩＰ処理によ
る焼結体として形成された供試ターゲツト部材Ｔ１〜Ｔ
４の板厚方向の偏析は軽微で均質性にすぐれている。な
お、鋳片として形成された供試材Ｔ７は、鋳造および熱
間圧延工程で割れを生じ、ターゲツト部材としての所定
形状への成形は不可能であつた。
よび表面と板厚中心部の化学組成分析値を示す。表中、
Ｔ１〜Ｔ４は発明例の焼結体ターゲツト、Ｔ５〜Ｔ７は
比較例である。比較例Ｔ５およびＴ６のターゲツト部材
は、発明例と同一のＨＩＰ処理により製造された焼結体
であるが、前者はＴａの含有を欠き、後者はＮｉ含有量
が過剰であると共にＮｉとＴａの合計量がその上限規定
からはずれている例である。比較例Ｔ７は溶解鋳造によ
り鋳片（板厚４０ｍｍ）として製造した例（但し、合金
組成は本発明の規定を満足している）である。鋳片とし
て製造された供試ターゲツト部材Ｔ７は、その表面と板
厚中心部とにおけるＴａの含有量の差異が大きいのに対
し、微細なアトマイズ合金粉末を使用しＨＩＰ処理によ
る焼結体として形成された供試ターゲツト部材Ｔ１〜Ｔ
４の板厚方向の偏析は軽微で均質性にすぐれている。な
お、鋳片として形成された供試材Ｔ７は、鋳造および熱
間圧延工程で割れを生じ、ターゲツト部材としての所定
形状への成形は不可能であつた。
【００１７】［ＩＩ］磁気デイスクの製作 アルミニウム合金基板（表面に膜厚２０μｍのＮｉ−Ｐ
合金無電解めつき膜形成）に、直流マグネトロンスパツ
タリング法を使用し、スパツタ雰囲気：５×１０-3Ｔｏ
ｒｒＡｒガス，基板温度：２５０℃，基板バイアス電
圧：−１５０Ｖのスパツタ条件下に、Ｃｒ膜（膜厚：１
０００Å）、磁性膜（膜厚：６００Å）、および炭素質
膜（膜厚：２５０Å）をこの順に積層成膜して面内異方
性磁気デイスクを製作した。磁性膜のスパツタ成膜には
前記供試ターゲツト部材Ｔ１〜Ｔ６を使用した。各供試
磁気デイスクについて、磁性膜のスパツタ成膜に使用し
たターゲツト部材とそのスパツタリング層位、および磁
気特性の測定結果を表２に示す。
合金無電解めつき膜形成）に、直流マグネトロンスパツ
タリング法を使用し、スパツタ雰囲気：５×１０-3Ｔｏ
ｒｒＡｒガス，基板温度：２５０℃，基板バイアス電
圧：−１５０Ｖのスパツタ条件下に、Ｃｒ膜（膜厚：１
０００Å）、磁性膜（膜厚：６００Å）、および炭素質
膜（膜厚：２５０Å）をこの順に積層成膜して面内異方
性磁気デイスクを製作した。磁性膜のスパツタ成膜には
前記供試ターゲツト部材Ｔ１〜Ｔ６を使用した。各供試
磁気デイスクについて、磁性膜のスパツタ成膜に使用し
たターゲツト部材とそのスパツタリング層位、および磁
気特性の測定結果を表２に示す。
【００１８】表２に示したように、本発明のターゲツト
部材Ｔ１〜Ｔ４を使用して磁性膜を形成した磁気デイス
クＤ１〜Ｄ８は、そのいずれも約１３００Ｏｅ以上の高
保磁力（Ｈｃ）を有し、かつ保磁力角型比Ｓ* の値も相
対的に低いレベルにあり、ターゲツト部材５（Ｔａを含
有しない）を使用した磁気デイスクＤ９，Ｄ１０および
ターゲツト部材６（Ｎｉ量過剰）を使用した磁気デイス
クＤ１１，Ｄ１２との差異は歴然である。保磁力角型比
Ｓ* は、記録媒体ノイズとの関連を有し、その値が低い
程、媒体ノイズは小さくなるとされている特性値であ
り、本発明のターゲツト部材を使用することにより、高
密度記録に適した磁気特性を有する記録媒体が得られる
ことがわかる。また、同一のターゲツト部材を使用し、
その表面層をスパツタリングして磁性膜を形成した磁気
デイスクと、その板厚中央層をスパツタリングして磁性
膜を形成した磁気デイスクとの比較から明らかなよう
に、スパツタリングの経過に伴う磁性膜の特性の変動は
少なく、ターゲツト部材の使用開始当初から、その寿命
に到るまで、磁気特性の安定した磁性膜を形成すること
ができる。
部材Ｔ１〜Ｔ４を使用して磁性膜を形成した磁気デイス
クＤ１〜Ｄ８は、そのいずれも約１３００Ｏｅ以上の高
保磁力（Ｈｃ）を有し、かつ保磁力角型比Ｓ* の値も相
対的に低いレベルにあり、ターゲツト部材５（Ｔａを含
有しない）を使用した磁気デイスクＤ９，Ｄ１０および
ターゲツト部材６（Ｎｉ量過剰）を使用した磁気デイス
クＤ１１，Ｄ１２との差異は歴然である。保磁力角型比
Ｓ* は、記録媒体ノイズとの関連を有し、その値が低い
程、媒体ノイズは小さくなるとされている特性値であ
り、本発明のターゲツト部材を使用することにより、高
密度記録に適した磁気特性を有する記録媒体が得られる
ことがわかる。また、同一のターゲツト部材を使用し、
その表面層をスパツタリングして磁性膜を形成した磁気
デイスクと、その板厚中央層をスパツタリングして磁性
膜を形成した磁気デイスクとの比較から明らかなよう
に、スパツタリングの経過に伴う磁性膜の特性の変動は
少なく、ターゲツト部材の使用開始当初から、その寿命
に到るまで、磁気特性の安定した磁性膜を形成すること
ができる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明のターゲツト部材を使用すること
により、高密度記録に適した磁気特性を有する磁性膜を
形成することができる。そのターゲツト部材は、板厚方
向の組成変動が少なく良好な均質性を有しているので、
ターゲツト部材の使用開始当初から寿命に到るまで、そ
のスパツタリングにより形成される磁性膜は、所定の合
金組成とそれに基づく改良された一定の磁気特性を有
し、磁気記録層としての信頼性にすぐれている。
により、高密度記録に適した磁気特性を有する磁性膜を
形成することができる。そのターゲツト部材は、板厚方
向の組成変動が少なく良好な均質性を有しているので、
ターゲツト部材の使用開始当初から寿命に到るまで、そ
のスパツタリングにより形成される磁性膜は、所定の合
金組成とそれに基づく改良された一定の磁気特性を有
し、磁気記録層としての信頼性にすぐれている。
Claims (2)
- 【請求項１】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｎｉ：
０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴ
ａの合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏか
らなり、相対密度：９８％以上である焼結体であること
を特徴とするターゲツト部材。 - 【請求項２】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｎｉ：
０．３〜３６％，Ｔａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴ
ａの合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏか
らなる、粒径２２メツシユ以下のアトマイズ合金粉末を
金属容器に充填し、脱気密封した後、熱間等方圧加圧焼
結することを特徴とする請求項１に記載のターゲツト部
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21852792A JPH0641734A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ターゲツト部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21852792A JPH0641734A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ターゲツト部材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0641734A true JPH0641734A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16721328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21852792A Pending JPH0641734A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ターゲツト部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641734A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221608A (ja) * | 2009-07-07 | 2009-10-01 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| WO2011125601A1 (ja) | 2010-04-01 | 2011-10-13 | 愛三工業株式会社 | バイフューエルエンジンのアイドル回転速度制御装置 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP21852792A patent/JPH0641734A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221608A (ja) * | 2009-07-07 | 2009-10-01 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| WO2011125601A1 (ja) | 2010-04-01 | 2011-10-13 | 愛三工業株式会社 | バイフューエルエンジンのアイドル回転速度制御装置 |
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