JPH0448868B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448868B2 JPH0448868B2 JP61104360A JP10436086A JPH0448868B2 JP H0448868 B2 JPH0448868 B2 JP H0448868B2 JP 61104360 A JP61104360 A JP 61104360A JP 10436086 A JP10436086 A JP 10436086A JP H0448868 B2 JPH0448868 B2 JP H0448868B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- target
- sputtering
- pure
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハードデイスク等水平磁気記録媒体
において、Co−Ni、Co−Ni−Nb、Co−Ni−Zr
等磁性体の下地膜用に用いられるスパツタリン
グ・ターゲツト部材に関するものである。 〔従来の技術〕 磁気記録の進歩は記録密度の向上にあり、その
ため磁気ヘツドと記録媒体の改良がたえず行なわ
れている。 記録媒体はより短波長を記録するため、従来の
γ−Fe2O3やCo−エピタキシアルFe2O3磁性粉の
塗布型からメタル粉、さらに最近では蒸着やスパ
ツタリングによる金属薄膜媒体が研究されてい
る。 磁性金属薄膜は記録方式によつて面内磁化と垂
直磁化に分けられるが、ハードデイスクではスペ
ーシングの制御、クラツシユ等から面内磁化が最
初に実用化されると見られている。 そして、磁性膜はめつきやPVD（物理蒸着）で
作成されるが、信頼性の点でPVD方式が広く検
討されるようになつている。また、磁性膜の材質
はCo−Ni合金の六方晶と立方晶の境界組成であ
る（70〜80％）Co−Niが特性的によく、一般に
検討されている。 この場合、アルマイトやガラスのような無機質
の基板にCo−Ni薄膜を直接スパツタリングで形
成すると面内磁化を示さないため、純Crを下地
としてスパツタリングし、その上にCo−Ni膜を
形成する。 本発明は、上記のように純Cr下地膜上にCo−
Ni膜を形成したときの磁気特性および純Cr膜の
生産性に関係するスパツター速度に対し、各種
Crターゲツトの材質を変えてテストし、Cr中の
Ｏ、Ｎによつて膜特性が影響されることを究明し
たことに基づくものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 磁気記録用のハードデイスクを対象として、
Cr下地にCo−Ni膜を形成した場合、磁性的に保
磁力はHc＝600〜700〔Oe〕、角型比は0.7〜0.9が
要求される。 Co−Ni膜の特性はCr膜の特性で大きく左右さ
れると示唆されているが、通常市販されている
Cr−ターゲツトは鋳造品か焼結品で、不純物と
して金属成分は管理され、材質のグレードを表わ
す目安とされてきたが、非金属成分のＯ、Ｎは特
に問題とされてきていなかつた。 我々は、純CrターゲツトのＯ、Ｎ量を変え、
スパツター速度および成膜したCrを下地として
80Co−Niを約500Å成膜したところ、保磁力と関
係があり、Ｏ、Ｎ量をある一定量以下にすること
により、高保磁力と高スパツター速度が得られる
ことを見出したもので、本発明は金属薄膜用Cr
下地膜を形成する上で、優れた純Crターゲツト
を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はスパツタリングによるCo−Ni系金属
磁性薄膜の下地膜用として高Hcが得られるCrタ
ーゲツト部材の組成を検討した結果に基づくもの
である。 特許請求の範囲において、Ｏ：1000ppm以下、
Ｎ：300ppm以下で残部実質的にCrとしたのは、
ＯあるいはＮ量ともこれらの値を越えると、スパ
ツタリング速度が低下し、磁性膜の保磁力が550
〔Oe〕以下に低下してしまうからである。この場
合、ＯあるいはＮが多くなると、CrBCCの
（110）強度低下が認められる。 ターゲツト部材の純Crは溶解法あるいは粉末
治金法で作製しても問題ないが、溶解法の場合、
Crは活性な金属であるためか、Ｏが高くなる傾
向があり、本発明のターゲツト部材は高純度の
Cr原料を用いた粉末法で製造した方が高純度の
ターゲツトが得られやすい。 〔実施例〕 純度99.97重量％の鱗片状態Cr原料を粗粉砕し、
続いて振動ミルで0.5mm以下に粉砕するにあたり、
ポツト内をアルゴンで気密封止した状態から、酸
素分圧を高めた状態まで雰囲気を変え、微粉化を
行なつた。 更に、窒素の影響を調査するため、0.5mm以下
の微粉を1000℃の窒素中で処理し、部分的に焼結
したCrを再度アルゴン中で微粉化した。続いて
上記粉末を軟鋼製の40mm×150mm×200mmＬのキヤ
ンに充填し、室温で脱気、封止したのち、熱間静
水圧処理で圧密化を行なつた。次に熱間圧延によ
り、厚さ８mmに加工し、外皮のキヤンを除去し、
機械加工によつて直径110mm、板厚５mmのターゲ
ツトを採取した。 上記方法で製造した各種Crターゲツトのガス
分析値を第１表に示す。
において、Co−Ni、Co−Ni−Nb、Co−Ni−Zr
等磁性体の下地膜用に用いられるスパツタリン
グ・ターゲツト部材に関するものである。 〔従来の技術〕 磁気記録の進歩は記録密度の向上にあり、その
ため磁気ヘツドと記録媒体の改良がたえず行なわ
れている。 記録媒体はより短波長を記録するため、従来の
γ−Fe2O3やCo−エピタキシアルFe2O3磁性粉の
塗布型からメタル粉、さらに最近では蒸着やスパ
ツタリングによる金属薄膜媒体が研究されてい
る。 磁性金属薄膜は記録方式によつて面内磁化と垂
直磁化に分けられるが、ハードデイスクではスペ
ーシングの制御、クラツシユ等から面内磁化が最
初に実用化されると見られている。 そして、磁性膜はめつきやPVD（物理蒸着）で
作成されるが、信頼性の点でPVD方式が広く検
討されるようになつている。また、磁性膜の材質
はCo−Ni合金の六方晶と立方晶の境界組成であ
る（70〜80％）Co−Niが特性的によく、一般に
検討されている。 この場合、アルマイトやガラスのような無機質
の基板にCo−Ni薄膜を直接スパツタリングで形
成すると面内磁化を示さないため、純Crを下地
としてスパツタリングし、その上にCo−Ni膜を
形成する。 本発明は、上記のように純Cr下地膜上にCo−
Ni膜を形成したときの磁気特性および純Cr膜の
生産性に関係するスパツター速度に対し、各種
Crターゲツトの材質を変えてテストし、Cr中の
Ｏ、Ｎによつて膜特性が影響されることを究明し
たことに基づくものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 磁気記録用のハードデイスクを対象として、
Cr下地にCo−Ni膜を形成した場合、磁性的に保
磁力はHc＝600〜700〔Oe〕、角型比は0.7〜0.9が
要求される。 Co−Ni膜の特性はCr膜の特性で大きく左右さ
れると示唆されているが、通常市販されている
Cr−ターゲツトは鋳造品か焼結品で、不純物と
して金属成分は管理され、材質のグレードを表わ
す目安とされてきたが、非金属成分のＯ、Ｎは特
に問題とされてきていなかつた。 我々は、純CrターゲツトのＯ、Ｎ量を変え、
スパツター速度および成膜したCrを下地として
80Co−Niを約500Å成膜したところ、保磁力と関
係があり、Ｏ、Ｎ量をある一定量以下にすること
により、高保磁力と高スパツター速度が得られる
ことを見出したもので、本発明は金属薄膜用Cr
下地膜を形成する上で、優れた純Crターゲツト
を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はスパツタリングによるCo−Ni系金属
磁性薄膜の下地膜用として高Hcが得られるCrタ
ーゲツト部材の組成を検討した結果に基づくもの
である。 特許請求の範囲において、Ｏ：1000ppm以下、
Ｎ：300ppm以下で残部実質的にCrとしたのは、
ＯあるいはＮ量ともこれらの値を越えると、スパ
ツタリング速度が低下し、磁性膜の保磁力が550
〔Oe〕以下に低下してしまうからである。この場
合、ＯあるいはＮが多くなると、CrBCCの
（110）強度低下が認められる。 ターゲツト部材の純Crは溶解法あるいは粉末
治金法で作製しても問題ないが、溶解法の場合、
Crは活性な金属であるためか、Ｏが高くなる傾
向があり、本発明のターゲツト部材は高純度の
Cr原料を用いた粉末法で製造した方が高純度の
ターゲツトが得られやすい。 〔実施例〕 純度99.97重量％の鱗片状態Cr原料を粗粉砕し、
続いて振動ミルで0.5mm以下に粉砕するにあたり、
ポツト内をアルゴンで気密封止した状態から、酸
素分圧を高めた状態まで雰囲気を変え、微粉化を
行なつた。 更に、窒素の影響を調査するため、0.5mm以下
の微粉を1000℃の窒素中で処理し、部分的に焼結
したCrを再度アルゴン中で微粉化した。続いて
上記粉末を軟鋼製の40mm×150mm×200mmＬのキヤ
ンに充填し、室温で脱気、封止したのち、熱間静
水圧処理で圧密化を行なつた。次に熱間圧延によ
り、厚さ８mmに加工し、外皮のキヤンを除去し、
機械加工によつて直径110mm、板厚５mmのターゲ
ツトを採取した。 上記方法で製造した各種Crターゲツトのガス
分析値を第１表に示す。
【表】
成膜はスパツタリング装置内を１×10-7Torr
に排気したのち、板厚１mmのガラス基板上にRF
パワー300wでCrを3000Åスパツターした。 続いて、装置内を大気中にさらすことなく、
Cr膜上に80％Co−Ni合金をRFパワー500wで500
Å成膜した。 以上のようにして作成した磁性膜の磁性は振動
資料型磁力計で測定した。第１表に磁性膜の磁気
特性とCrのスパツター速度を示すが、Ｏ、Ｎを
特許請求の範囲に管理するとCrのスパツター速
度も大きく、Hc＞600〔Oe〕の大きい保磁力が得
られることがわかつた。 〔発明の効果〕 本発明によれば、磁性膜Co−Ni系合成金のハ
ードデイスク用のCr下地膜として生産性の良い、
スパツター速度の大きい純Crターゲツトを提供
すると同時に、磁性膜の保磁力を600〔Oe〕以上
に大きくする効果がある。すなわち、本発明のタ
ーゲツト部材は高保磁力のスパツター膜、生産性
の高い下地膜を提供するもので、工業上非常に有
益である。
に排気したのち、板厚１mmのガラス基板上にRF
パワー300wでCrを3000Åスパツターした。 続いて、装置内を大気中にさらすことなく、
Cr膜上に80％Co−Ni合金をRFパワー500wで500
Å成膜した。 以上のようにして作成した磁性膜の磁性は振動
資料型磁力計で測定した。第１表に磁性膜の磁気
特性とCrのスパツター速度を示すが、Ｏ、Ｎを
特許請求の範囲に管理するとCrのスパツター速
度も大きく、Hc＞600〔Oe〕の大きい保磁力が得
られることがわかつた。 〔発明の効果〕 本発明によれば、磁性膜Co−Ni系合成金のハ
ードデイスク用のCr下地膜として生産性の良い、
スパツター速度の大きい純Crターゲツトを提供
すると同時に、磁性膜の保磁力を600〔Oe〕以上
に大きくする効果がある。すなわち、本発明のタ
ーゲツト部材は高保磁力のスパツター膜、生産性
の高い下地膜を提供するもので、工業上非常に有
益である。
Claims (1)
- １ 重量％にてＯ：1000ppm以下、Ｎ：300ppm
以下で残部実質的にCrからなることを特徴とす
る磁気記録媒体の磁性薄膜の下地膜形成用クロム
ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10436086A JPS62260056A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | クロムタ−ゲツト部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10436086A JPS62260056A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | クロムタ−ゲツト部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260056A JPS62260056A (ja) | 1987-11-12 |
| JPH0448868B2 true JPH0448868B2 (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=14378670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10436086A Granted JPS62260056A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | クロムタ−ゲツト部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260056A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220444A (ja) * | 2005-03-31 | 2005-08-18 | Nikko Materials Co Ltd | 高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜並びに高純度金属の製造方法 |
| JP2021006655A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604241B2 (ja) * | 1977-03-18 | 1985-02-02 | 東ソー株式会社 | 表面被覆材用金属成型体 |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10436086A patent/JPS62260056A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62260056A (ja) | 1987-11-12 |
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