JPH0642464B2 - 半導体結晶基板のアニ−ル法 - Google Patents

半導体結晶基板のアニ−ル法

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JPH0642464B2
JPH0642464B2 JP61007549A JP754986A JPH0642464B2 JP H0642464 B2 JPH0642464 B2 JP H0642464B2 JP 61007549 A JP61007549 A JP 61007549A JP 754986 A JP754986 A JP 754986A JP H0642464 B2 JPH0642464 B2 JP H0642464B2
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JP
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semiconductor crystal
crystal substrate
annealing
annealing method
crystal substrates
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尚哉 宮野
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体結晶基板のアニール法に関するもので
ある。
（従来の技術） 半導体結晶基板のアニール法の一つとして、ランプアニ
ール法が考案され、実用化されている。ランプアニール
法とは、赤外線またはそれより短い波長域にスペクトル
をもつランプ（光源）から輻射された電磁波を半導体結
晶基板に吸収させることにより、これを急速かつ短時間
のうちに加熱する方法である。ランプアニール法では、
加熱時間が短いために、工程が簡単で、キヤリヤのウエ
ハ面内での拡散が少く、不純物注入領域が互いに重なり
合うことが生じにくい。このため、ランプアニール法は
集積度の高い半導体集積回路の製造の際に用いられてい
る。しかしながら、半導体結晶の赤外線吸収率は一般に
低いために、ランプアニールによる半導体結晶基板の加
熱は有効に行なわれない。特に、GaAs等の半絶縁性半導
体結晶においては、赤外線吸収率が非常に低く、ランプ
アニールによる加熱効率はかなり低いという問題が存在
している。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、前述の従来技術の問題点を解決し半導体結晶
基板のランプアニールを効率よく行なう方法を提供する
ものである。
（問題点を解決するための手段及び作用） 本発明による半導体結晶基板のアニール法は、Ｎ型また
はＰ型の不純物となり得るイオンを注入すべき半導体結
晶基板の裏面に予め高濃度のＮ型不純物をドープして伝
導電子密度を増大させておくことによって該半導体結晶
基板の赤外線吸収能を高め、赤外線波長域にスペクトル
をもつランプにて該半導体結晶基板を照射し加熱するこ
とを特徴とする。
（実施例） 第１図は、本発明の一実施例としてランプアニール炉の
構造の概略を示したものである。第１図において、１は
ランプアニール炉本体、２は赤外線ヒーター、３はN2ま
たは希ガス導入管、４は排気管、５は試料ホルダー、６
及び７は半導体結晶基板を表わす。
第２図は、試料ホルダー部分の拡大図である。加熱すべ
き半導体結晶基板６，７は、Ａ，Ｂ両面にSiNx,SiO2ま
たはSiNxOy膜を付着し、Ａ面どうしを重ね合わせ、Ｂ面
を赤外線ヒーター２に対して露出するように取り付けら
れている。但し、Ｂ面には予め高濃度のＮ型不純物がド
ープされており、Ｂ面付近の伝導電子密度が１×1018cm
-3以上となっている。
（発明の効果） 半導体結晶は、free carrier absorption（伝導バンド
におけるバンド内遷移）を誘起することによって赤外線
波長域の電磁波を吸収する。本発明では、半導体結晶基
板の片面に予め高濃度のＮ型不純物をドープして伝導電
子（即ち、free carrier）密度を増大させておくことに
よって半導体結晶基板の赤外線吸収能を高めることがで
きるので、ランプアニール法を用いて該半導体結晶基板
を短時間のうちに効果的に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はランプアニール炉の概略図である。 第２図は試料ホルダー部分の拡大図である。 １…ランプアニール炉本体 ２…赤外線ヒーター ３…N2または希ガス導入管 ４…排気管 ５…試料ホルダー ６及び７…半導体結晶基板 ６Ａ，７Ａ…イオン注入したところの面 ６Ｂ，７Ｂ…予め高濃度のＮ型不純物をドープしたとこ
ろの面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Ｎ型またはＰ型の不純物となり得るイオン
    を注入すべき半導体結晶基板の裏面に予め高濃度のＮ型
    不純物をドープし、伝導電子密度を増大させておくこと
    によって該半導体結晶基板の赤外線吸収能を高め、赤外
    線波長域にスペクトルをもつランプにて該半導体結晶基
    板を照射し加熱することを特徴とする半導体結晶基板の
    アニール法。
  2. 【請求項２】上記半導体結晶基板の裏面に予めドープす
    るＮ型不純物の密度を１×1018cm-3以上とすることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体結晶基板の
    アニール法。
  3. 【請求項３】上記半導体結晶基板の両面に、アニール前
    にSiNx,SiO2またはSiNxOy膜を付着させることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体結晶基板のアニ
    ール法。
  4. 【請求項４】上記アニールを、N2または希ガス雰囲気中
    で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    半導体結晶基板のアニール法。
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CN117832080A (zh) * 2023-12-13 2024-04-05 杭州富芯半导体有限公司 一种半导体器件及其制备方法

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