JPH0643681A - 電子写真用感光体およびその作製方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその作製方法Info
- Publication number
- JPH0643681A JPH0643681A JP3111191A JP11119191A JPH0643681A JP H0643681 A JPH0643681 A JP H0643681A JP 3111191 A JP3111191 A JP 3111191A JP 11119191 A JP11119191 A JP 11119191A JP H0643681 A JPH0643681 A JP H0643681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sio2
- carrier
- electrophotographic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子写真用感光体およびその作製方法に関
し、従来技術の問題点を解決し、帯電性、感度等の電子
写真特性に優れた電子写真用感光体を提供することを目
的とする。 【構成】 導電性支持体もしくは、絶縁性支持体と導電
膜とからなる基板上に、下引き層とキャリア発生層とキ
ャリア輸送層とを順次積層してなる電子写真用感光体に
おいて、下引き層としてＳｉＯ2 を用いる。
し、従来技術の問題点を解決し、帯電性、感度等の電子
写真特性に優れた電子写真用感光体を提供することを目
的とする。 【構成】 導電性支持体もしくは、絶縁性支持体と導電
膜とからなる基板上に、下引き層とキャリア発生層とキ
ャリア輸送層とを順次積層してなる電子写真用感光体に
おいて、下引き層としてＳｉＯ2 を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真用感光体およ
びその作製方法に関する。
びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真用感光体として使用され
る積層型有機感光体は、図３に示すように、アルミニウ
ム等の導電性支持体１上にキャリア発生層（Carrier Ge
neration Layer：ＣＧＬ）３、およびキャリア輸送層
（Carrier Transport Layer ：ＣＴＬ）４を順次積層し
た構造を有している。また、必要に応じて導電性支持体
１とキャリア発生層３との間に下引き層（Under Coat L
ayer：ＵＬ）２を形成する場合がある。
る積層型有機感光体は、図３に示すように、アルミニウ
ム等の導電性支持体１上にキャリア発生層（Carrier Ge
neration Layer：ＣＧＬ）３、およびキャリア輸送層
（Carrier Transport Layer ：ＣＴＬ）４を順次積層し
た構造を有している。また、必要に応じて導電性支持体
１とキャリア発生層３との間に下引き層（Under Coat L
ayer：ＵＬ）２を形成する場合がある。
【０００３】材料としては、キャリア発生層３には、ア
ゾ系やフタロシアニン等のチャージキャリアを発生させ
る材料（Carrier Generation Materical：ＣＧＭ）がポ
リカーボネート等バインダ樹脂に分布された形で使用さ
れる。また、キャリア輸送層４には、ヒドラゾン等のチ
ャージキャリアを輸送する材料（（Carrier Transport
Material：ＣＴＭ）と機械的強度を上げるためにバイン
ダ樹脂とが使用される。下引き層２は、導電性支持体の
機械的加工精度の影響やキャリア発生層から支持体へキ
ャリアがリークするのを防ぐために設けられるものであ
って、ポリアミド系樹脂をアルコール系溶剤に溶かして
浸漬塗工法（ディッピング）等の手法によって作製す
る。
ゾ系やフタロシアニン等のチャージキャリアを発生させ
る材料（Carrier Generation Materical：ＣＧＭ）がポ
リカーボネート等バインダ樹脂に分布された形で使用さ
れる。また、キャリア輸送層４には、ヒドラゾン等のチ
ャージキャリアを輸送する材料（（Carrier Transport
Material：ＣＴＭ）と機械的強度を上げるためにバイン
ダ樹脂とが使用される。下引き層２は、導電性支持体の
機械的加工精度の影響やキャリア発生層から支持体へキ
ャリアがリークするのを防ぐために設けられるものであ
って、ポリアミド系樹脂をアルコール系溶剤に溶かして
浸漬塗工法（ディッピング）等の手法によって作製す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、下引き層
（以下、ＵＬと記す）の膜厚は感度低下防止等のため１
μｍ前後と薄い。このため、これを従来のディッピング
等の手法で形成するには技術的困難があった。ＵＬが支
持体上で膜厚および膜質の点で不均一になると、有機感
光体の電気特性も不均一となり、その結果得られる画像
も不均一となってしまう。したがって、支持体上全域に
わたって均一な薄膜を形成することが要求されるが、こ
れは非常に困難な技術であった。また、ＵＬに使用され
るポリアミド系樹脂を溶かす溶剤がアルコール系である
ために、防爆仕様の装置を使用する必要があり、高価で
あった。さらには、ＵＬ上にキャリア発生層を積層する
際に、材料の溶出防止を考えた溶剤選定をする必要があ
り、キャリア発生層やキャリア輸送層に使用する材料系
が限定されるという欠点を有していた。
（以下、ＵＬと記す）の膜厚は感度低下防止等のため１
μｍ前後と薄い。このため、これを従来のディッピング
等の手法で形成するには技術的困難があった。ＵＬが支
持体上で膜厚および膜質の点で不均一になると、有機感
光体の電気特性も不均一となり、その結果得られる画像
も不均一となってしまう。したがって、支持体上全域に
わたって均一な薄膜を形成することが要求されるが、こ
れは非常に困難な技術であった。また、ＵＬに使用され
るポリアミド系樹脂を溶かす溶剤がアルコール系である
ために、防爆仕様の装置を使用する必要があり、高価で
あった。さらには、ＵＬ上にキャリア発生層を積層する
際に、材料の溶出防止を考えた溶剤選定をする必要があ
り、キャリア発生層やキャリア輸送層に使用する材料系
が限定されるという欠点を有していた。
【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、帯電性、感度等の電子写真特性に優れた電子写
真用感光体を提供することにある。
解決し、帯電性、感度等の電子写真特性に優れた電子写
真用感光体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
もしくは、絶縁性支持体と導電膜とからなる基板に、下
引き層とキャリア発生層とキャリア輸送層とを順次積層
してなる電子写真用感光体において、下引き層としてＳ
ｉＯ2 を用いることを特徴とする。
もしくは、絶縁性支持体と導電膜とからなる基板に、下
引き層とキャリア発生層とキャリア輸送層とを順次積層
してなる電子写真用感光体において、下引き層としてＳ
ｉＯ2 を用いることを特徴とする。
【０００７】
【作用】ＵＬとしてＳｉＯ2 を使用するため、気相法で
のＵＬ作製が可能となり、１μｍ以下の薄膜を均一に感
光体基板上に作製することができる。
のＵＬ作製が可能となり、１μｍ以下の薄膜を均一に感
光体基板上に作製することができる。
【０００８】また、有機感光体のＵＬとして無機物であ
るＳｉＯ2 を使用することにより、その上に積層される
キャリア発生層およびキャリア輸送層の溶剤への溶出が
ないため、キャリア発生層およびキャリア輸送層に使用
できる溶剤の選定範囲が広がる。
るＳｉＯ2 を使用することにより、その上に積層される
キャリア発生層およびキャリア輸送層の溶剤への溶出が
ないため、キャリア発生層およびキャリア輸送層に使用
できる溶剤の選定範囲が広がる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例による電子写真用感光
体を図１、図２を参照して詳述する。
体を図１、図２を参照して詳述する。
【００１０】図１は、本発明の電子写真用感光体の構成
を示す断面図である。まず、アルミニウム基板等のよう
な導電性支持体１上に厚さ１μｍ以下のＳｉＯ2 薄膜か
らなる下引き層（ＵＬ）５を形成する。このＳｉＯ2 薄
膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、イオ
ンプレーティング法等のいかなる気相法で形成してもよ
い。ここで、気相法とは、原料が蒸発等によりいったん
気相（原子、分子状）となって輸送される方法をいう。
膜厚および膜質が導電性支持体上で均一で、ピンホール
フリーとなるようにする。均一な膜厚は蒸発源と支持体
の配置、支持体の運動等によって得られる。均一な膜質
は蒸発中に蒸発源組成が変化しないよう、堆積膜が化学
変化しないようにすること等で得られる。また、ピンホ
ールフリーは本来ゴミのない真空中で新たなゴミを表面
に付着させないようにすること等で得られる。
を示す断面図である。まず、アルミニウム基板等のよう
な導電性支持体１上に厚さ１μｍ以下のＳｉＯ2 薄膜か
らなる下引き層（ＵＬ）５を形成する。このＳｉＯ2 薄
膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、イオ
ンプレーティング法等のいかなる気相法で形成してもよ
い。ここで、気相法とは、原料が蒸発等によりいったん
気相（原子、分子状）となって輸送される方法をいう。
膜厚および膜質が導電性支持体上で均一で、ピンホール
フリーとなるようにする。均一な膜厚は蒸発源と支持体
の配置、支持体の運動等によって得られる。均一な膜質
は蒸発中に蒸発源組成が変化しないよう、堆積膜が化学
変化しないようにすること等で得られる。また、ピンホ
ールフリーは本来ゴミのない真空中で新たなゴミを表面
に付着させないようにすること等で得られる。
【００１１】上記のごとく形成されたＵＬ上に、次いで
キャリア発生層３を形成する。この形成には、従来法の
ように、アゾ系またはフタロシアニン系化合物等のキャ
リアを発生させる材料（ＣＧＭ）を樹脂バインダに分散
させたものを塗布等の手法によって形成することもでき
るが、好ましくは、ＣＧＭを直接、真空蒸着法等の気相
法で積層させてキャリア発生層を形成する。この場合、
ＳｉＯ2 からなるＵＬとキャリア発生層とを真空雰囲気
中で連続して積層することが可能となり、良質な感光体
を得ることができる。また、ＣＧＭとしては、チタニル
フタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）が特に好ましい。
キャリア発生層３を形成する。この形成には、従来法の
ように、アゾ系またはフタロシアニン系化合物等のキャ
リアを発生させる材料（ＣＧＭ）を樹脂バインダに分散
させたものを塗布等の手法によって形成することもでき
るが、好ましくは、ＣＧＭを直接、真空蒸着法等の気相
法で積層させてキャリア発生層を形成する。この場合、
ＳｉＯ2 からなるＵＬとキャリア発生層とを真空雰囲気
中で連続して積層することが可能となり、良質な感光体
を得ることができる。また、ＣＧＭとしては、チタニル
フタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）が特に好ましい。
【００１２】次いで、キャリア発生層３上にキャリア輸
送層４を形成する。キャリア輸送層は、ヒドラゾン等の
キャリア輸送剤とポリカーボネート等のバインダ樹脂と
を適当な溶剤に溶かし、塗布等の手法によって形成す
る。
送層４を形成する。キャリア輸送層は、ヒドラゾン等の
キャリア輸送剤とポリカーボネート等のバインダ樹脂と
を適当な溶剤に溶かし、塗布等の手法によって形成す
る。
【００１３】このようにして、導電性支持体上に均質な
薄いＳｉＯ2 下引き層を備えた電子写真用感光体が形成
される。
薄いＳｉＯ2 下引き層を備えた電子写真用感光体が形成
される。
【００１４】たとえばＣＴＬとして、２０μｍ前後の膜
厚を有し、Ｐｄａｒｋ＝１０14〜１０15Ω−ｃｍ程度の
暗抵抗率を有する膜を用い、ＣＧＬとして１００ｎｍ以
下の膜厚Ｐｄａｒｋ＝１０3 〜１０5 Ω−ｃｍ程度の抵
抗率を有するＴｉＯＰｃ膜を用いるとする。ＳｉＯ2 の
ＵＬがないと、感光体に充電された電界のほとんどがＣ
ＴＬにかかってしまう。このため、露光によりＣＧＬ中
で発生したキャリアも電界が低いので有効にＣＴＬ中に
注入されず、感度の低い感光体となってしまう。
厚を有し、Ｐｄａｒｋ＝１０14〜１０15Ω−ｃｍ程度の
暗抵抗率を有する膜を用い、ＣＧＬとして１００ｎｍ以
下の膜厚Ｐｄａｒｋ＝１０3 〜１０5 Ω−ｃｍ程度の抵
抗率を有するＴｉＯＰｃ膜を用いるとする。ＳｉＯ2 の
ＵＬがないと、感光体に充電された電界のほとんどがＣ
ＴＬにかかってしまう。このため、露光によりＣＧＬ中
で発生したキャリアも電界が低いので有効にＣＴＬ中に
注入されず、感度の低い感光体となってしまう。
【００１５】次に、基板とＣＧＬの間または、透明導電
膜とＣＧＬの間に上述の本発明の実施例のようにＳｉＯ
2 がある場合について説明する。
膜とＣＧＬの間に上述の本発明の実施例のようにＳｉＯ
2 がある場合について説明する。
【００１６】ＳｉＯ2 の膜厚を１００ｎｍ、抵抗率を１
０15Ω−ｃｍとすると、この層の抵抗は（単位面積当
り） Ｒ＝１×１０15×０．１×１０-4＝１×１０10Ω となる。
０15Ω−ｃｍとすると、この層の抵抗は（単位面積当
り） Ｒ＝１×１０15×０．１×１０-4＝１×１０10Ω となる。
【００１７】コロナ帯電により感光体を充電させた場
合、マイナス帯電では感光体の表面側にマイナス電荷が
帯電する。基板はプラス電位となるが、ＳｉＯ2 の抵抗
がある程度大きいためにプラス電荷はＣＴＬ−ＣＧＬ界
面のみでなく、ＳｉＯ2 −基板界面にも誘起され、ＣＧ
Ｌに有効に電界がかかることになる。
合、マイナス帯電では感光体の表面側にマイナス電荷が
帯電する。基板はプラス電位となるが、ＳｉＯ2 の抵抗
がある程度大きいためにプラス電荷はＣＴＬ−ＣＧＬ界
面のみでなく、ＳｉＯ2 −基板界面にも誘起され、ＣＧ
Ｌに有効に電界がかかることになる。
【００１８】本発明の他の実施例による電子写真用感光
体を図２に示す。導電性支持体に代えて、絶縁性支持体
６上に導電層７を設けた基板を用いる。この基板上に上
記と同様の方法で、ＳｉＯ2 からなる下引き層５、キャ
リア発生層３およびキャリア輸送層４を積層する構造と
する。かかる構造の電子写真用感光体では、より優れた
効果が得られる。これは、導電膜上に直接キャリア発生
層を積層した場合には、導電膜の仕事関数の大小によっ
て作製した感光体の暗抵抗（帯電特性、暗減衰特性）が
著しく影響を受ける場合があるが、ＳｉＯ2 によるＵＬ
を用いることにより、かかる問題を解決し、簡単に良好
な電子写真特性を得ることができるからである。
体を図２に示す。導電性支持体に代えて、絶縁性支持体
６上に導電層７を設けた基板を用いる。この基板上に上
記と同様の方法で、ＳｉＯ2 からなる下引き層５、キャ
リア発生層３およびキャリア輸送層４を積層する構造と
する。かかる構造の電子写真用感光体では、より優れた
効果が得られる。これは、導電膜上に直接キャリア発生
層を積層した場合には、導電膜の仕事関数の大小によっ
て作製した感光体の暗抵抗（帯電特性、暗減衰特性）が
著しく影響を受ける場合があるが、ＳｉＯ2 によるＵＬ
を用いることにより、かかる問題を解決し、簡単に良好
な電子写真特性を得ることができるからである。
【００１９】上記基板は、ガラス、ペットフィルム等の
絶縁性支持体上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の導
電膜をスパッタ法、蒸着法等の手法によって形成するこ
とによって得られる。
絶縁性支持体上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の導
電膜をスパッタ法、蒸着法等の手法によって形成するこ
とによって得られる。
【００２０】以上、この実施例による具体例について述
べる。 具体例 （１） 洗浄されたガラス基板上に、スパッタ法により
ＩＴＯを成膜する。このＩＴＯ膜の抵抗値は３００Ω／
□であり、膜厚は約２００ｎｍであった。
べる。 具体例 （１） 洗浄されたガラス基板上に、スパッタ法により
ＩＴＯを成膜する。このＩＴＯ膜の抵抗値は３００Ω／
□であり、膜厚は約２００ｎｍであった。
【００２１】（２） さらにこの上に電子ビーム蒸着法
によりＳｉＯ2 を約２０ｎｍ積層させ、ＵＬとする。
によりＳｉＯ2 を約２０ｎｍ積層させ、ＵＬとする。
【００２２】（３） 次に、チタニルフタロシアニン
（ＴｉＯＰｃ）を真空蒸着法で約１００ｎｍ成膜し、Ｃ
ＧＬとする。
（ＴｉＯＰｃ）を真空蒸着法で約１００ｎｍ成膜し、Ｃ
ＧＬとする。
【００２３】（４） ＣＧＬには、ヒドラゾン系電荷輸
送剤（ＣＴＭ）とポリカーボネート（パンライト、Ｋ−
１３００、帝人化成製）を０．９：１の重量比で塩化メ
チレンに溶かした溶液を、乾燥後の膜厚が１５μｍにな
るようにドクターブレードにて塗布する。乾燥は１１０
℃で３０分行なった。
送剤（ＣＴＭ）とポリカーボネート（パンライト、Ｋ−
１３００、帝人化成製）を０．９：１の重量比で塩化メ
チレンに溶かした溶液を、乾燥後の膜厚が１５μｍにな
るようにドクターブレードにて塗布する。乾燥は１１０
℃で３０分行なった。
【００２４】このようにして得られた電子写真用感光体
をサンプルＮｏ．５とする。 （５） 比較サンプルとして、 サンプルＮｏ．１ アルミニウム基板 サンプルＮｏ．２ アルミニウム基板／ポリアミド系Ｕ
Ｌ サンプルＮｏ．３ ガラス基板／ＩＴＯ サンプルＮｏ．４ ガラス基板／ＩＴＯ／ポリアミド系
ＵＬ の４種類の基板を用意し、各基板上に上記（３）、
（４）の工程と同様の工程でＣＧＬ、ＣＴＬを積層して
感光体を作成した。
をサンプルＮｏ．５とする。 （５） 比較サンプルとして、 サンプルＮｏ．１ アルミニウム基板 サンプルＮｏ．２ アルミニウム基板／ポリアミド系Ｕ
Ｌ サンプルＮｏ．３ ガラス基板／ＩＴＯ サンプルＮｏ．４ ガラス基板／ＩＴＯ／ポリアミド系
ＵＬ の４種類の基板を用意し、各基板上に上記（３）、
（４）の工程と同様の工程でＣＧＬ、ＣＴＬを積層して
感光体を作成した。
【００２５】（６） 上記サンプルＮｏ．１、２、３、
４、５の各サンプルについて電子写真特性を測定したと
ころ、次のような結果を得た。
４、５の各サンプルについて電子写真特性を測定したと
ころ、次のような結果を得た。
【００２６】
【表１】
【００２７】本発明の実施例によるＮｏ．５のサンプル
は、通常のＯＰＣの標準的な基板であるＡｌの場合と比
較しても−４００Ｖという同等以上の優れた帯電性を有
し、暗減衰率（Ｄ．Ｄ．Ｒ）においても１０ｓｅｃで初
期電位に対して８８％の残存率を有している。
は、通常のＯＰＣの標準的な基板であるＡｌの場合と比
較しても−４００Ｖという同等以上の優れた帯電性を有
し、暗減衰率（Ｄ．Ｄ．Ｒ）においても１０ｓｅｃで初
期電位に対して８８％の残存率を有している。
【００２８】また、ガラス等の絶縁性基板にＩＴＯ等の
透明導電膜を設けた構成の場合は、透明導電膜の上に直
接ＣＧＬを積層させると仕事関数の関係から実施例Ｎ
ｏ．３のように帯電能の低い感光体となってしまう。こ
のような場合の対策としては、一般的に透明導電膜とＣ
ＧＬの間にポリアミド樹脂等のＵＬを設けるが、実施例
Ｎｏ．１のＡｌ基板との比較でも明らかなように、ＵＬ
の膜厚等の関係で特に低電界領域における感度Ｅ１／１
０が悪くなる傾向にある。
透明導電膜を設けた構成の場合は、透明導電膜の上に直
接ＣＧＬを積層させると仕事関数の関係から実施例Ｎ
ｏ．３のように帯電能の低い感光体となってしまう。こ
のような場合の対策としては、一般的に透明導電膜とＣ
ＧＬの間にポリアミド樹脂等のＵＬを設けるが、実施例
Ｎｏ．１のＡｌ基板との比較でも明らかなように、ＵＬ
の膜厚等の関係で特に低電界領域における感度Ｅ１／１
０が悪くなる傾向にある。
【００２９】しかし、本発明の実施例のように、ＵＬと
してＳｉＯ2 を用いることでガラス基板の場合でもポリ
アミド系ＵＬに比べ、帯電電位も高く、暗減衰率（Ｄ．
Ｄ．Ｒ）も良く、さらに感度においてはＥ１／１０で
０．６５μＪ／ｃｍ2 という２倍の高感度を有した感光
体を実現することができる。
してＳｉＯ2 を用いることでガラス基板の場合でもポリ
アミド系ＵＬに比べ、帯電電位も高く、暗減衰率（Ｄ．
Ｄ．Ｒ）も良く、さらに感度においてはＥ１／１０で
０．６５μＪ／ｃｍ2 という２倍の高感度を有した感光
体を実現することができる。
【００３０】このように本発明の実施例による構成で作
製したサンプルは、帯電性も良く、低電界領域における
Ｅ１／１０感度においても、０．６５μＪ／ｃｍ2 とい
う優れた特性となった。
製したサンプルは、帯電性も良く、低電界領域における
Ｅ１／１０感度においても、０．６５μＪ／ｃｍ2 とい
う優れた特性となった。
【００３１】これは、ＳｉＯ2 のＵＬが緻密でピンホー
ルフリーであることから、基板（導電膜）への電荷リー
クを防ぐことができ、このために帯電能が向上したため
と考えられる。また、感度については、ＳｉＯ2 がＣＧ
Ｌの下層にあるために、ＣＧＬで発生したキャリアに有
効に電界がかかり、ホールのＣＴＬへの注入効率が良く
なったためと考えられる。
ルフリーであることから、基板（導電膜）への電荷リー
クを防ぐことができ、このために帯電能が向上したため
と考えられる。また、感度については、ＳｉＯ2 がＣＧ
Ｌの下層にあるために、ＣＧＬで発生したキャリアに有
効に電界がかかり、ホールのＣＴＬへの注入効率が良く
なったためと考えられる。
【００３２】代表的なサンプルの露光特性を図４に示
す。本発明の実施例によるサンプルＮｏ．５および比較
のためにＮｏ．２（Ａｌ基板／ポリアミド系ＵＬ）、Ｎ
ｏ．４（ガラス基板／ＩＴＯ／ポリアミド系ＵＬ）の露
光特性を示す。縦軸に感光体の表面電位、横軸に感光体
に与える露光量を示してある。光の波長は７８０ｎｍで
ある。一般的に少ない露光量で表面電位がすばやく減衰
し、残留電位も少ないものが良好な感光体と言えるが、
図４からもわかるように本発明の実施例によるサンプル
Ｎｏ．５が一番少ない露光量で低電位まで減衰してい
る。
す。本発明の実施例によるサンプルＮｏ．５および比較
のためにＮｏ．２（Ａｌ基板／ポリアミド系ＵＬ）、Ｎ
ｏ．４（ガラス基板／ＩＴＯ／ポリアミド系ＵＬ）の露
光特性を示す。縦軸に感光体の表面電位、横軸に感光体
に与える露光量を示してある。光の波長は７８０ｎｍで
ある。一般的に少ない露光量で表面電位がすばやく減衰
し、残留電位も少ないものが良好な感光体と言えるが、
図４からもわかるように本発明の実施例によるサンプル
Ｎｏ．５が一番少ない露光量で低電位まで減衰してい
る。
【００３３】このように、ＵＬとして気相法で作成した
ＳｉＯ2 を用いることにより、膜厚１μｍ以下でピンホ
ールフリーの薄膜を感光体基板上に均一に作成すること
が可能となり、これにより電子写真用感光体の電気特性
も均一となり、良好な画像が得られた。また、気相法の
ＳｉＯ2 は、作成方法、条件によっつてＳｉへのＯの付
き方（組成）もある程度制御することができる（この場
合、ＳｉＯやＳｉＯ2ないし、中間組成の型をとる）。
したがって、ＳｉＯ2 （ＳｉＯ）の比誘電率や抵抗率等
の物性値を変化させることができ、電子写真用感光体の
最適設計を行なうことが可能となる。さらに、ＳｉＯ2
（ＳｉＯ）は可視域について良好な透過率を有するた
め、基板側から露光する電子写真システム用感光体のＵ
Ｌとして使用しても、ＣＧＬへ有効に露光を行なうこと
ができ、良好な電子写真特性を得ることができる。
ＳｉＯ2 を用いることにより、膜厚１μｍ以下でピンホ
ールフリーの薄膜を感光体基板上に均一に作成すること
が可能となり、これにより電子写真用感光体の電気特性
も均一となり、良好な画像が得られた。また、気相法の
ＳｉＯ2 は、作成方法、条件によっつてＳｉへのＯの付
き方（組成）もある程度制御することができる（この場
合、ＳｉＯやＳｉＯ2ないし、中間組成の型をとる）。
したがって、ＳｉＯ2 （ＳｉＯ）の比誘電率や抵抗率等
の物性値を変化させることができ、電子写真用感光体の
最適設計を行なうことが可能となる。さらに、ＳｉＯ2
（ＳｉＯ）は可視域について良好な透過率を有するた
め、基板側から露光する電子写真システム用感光体のＵ
Ｌとして使用しても、ＣＧＬへ有効に露光を行なうこと
ができ、良好な電子写真特性を得ることができる。
【００３４】前記したように、ＳｉＯ2 からなるＵＬを
気相法で形成した後、ＣＧＬを真空蒸着法等の手法で作
成すると、ＵＬからＣＧＬへと真空雰囲気中で連続して
積層することが可能となり、欠陥のない良質な感光体を
得ることが容易になる。
気相法で形成した後、ＣＧＬを真空蒸着法等の手法で作
成すると、ＵＬからＣＧＬへと真空雰囲気中で連続して
積層することが可能となり、欠陥のない良質な感光体を
得ることが容易になる。
【００３５】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえ
ば、種々の変更、改良、組合わせ等が可能なことは当業
者に自明であろう。
が、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえ
ば、種々の変更、改良、組合わせ等が可能なことは当業
者に自明であろう。
【００３６】
【発明の効果】ＳｉＯ2 からなる下引き層を有する、新
規な構成の電子写真感光体によって、従来よりも優れた
電子写真特性が提供される。帯電特性の向上のみでな
く、感度の点においても優れた特性を示した。
規な構成の電子写真感光体によって、従来よりも優れた
電子写真特性が提供される。帯電特性の向上のみでな
く、感度の点においても優れた特性を示した。
【図１】本発明の実施例による電子写真用感光体の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の他の実施例による電子写真感光体の概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】従来の技術による電子写真感光体の概略断面図
である。
である。
【図４】本発明の実施例による電子写真用感光体の露光
特性を従来の技術による露光特性と比較して示すグラフ
である。
特性を従来の技術による露光特性と比較して示すグラフ
である。
１ 導電性支持体 ２ 下引き層（ＵＬ） ３ キャリア発生層（ＣＧＬ） ４ キャリア輸送層（ＣＴＬ） ５ ＳｉＯ2 下引き層 ６ 絶縁性支持体 ７ 導電層
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性支持体もしくは、絶縁性支持体と
導電膜とからなる基板上に、下引き層とキャリア発生層
とキャリア輸送層とを順次積層してなる電子写真用感光
体において、前記下引き層としてＳｉＯ2 を用いること
を特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】 キャリア発生層がチタニルフタロシアニ
ン（ＴｉＯＰｃ）である請求項１に記載の電子写真用感
光体。 - 【請求項３】 導電性支持体もしくは、絶縁性支持体と
導電膜とからなる基板上に、ＳｉＯ2 からなる下引き層
とキャリア発生層とキャリア輸送層とを順次積層してな
る電子写真用感光体の作成方法であって、ＳｉＯ2 を気
相法によって基板上に薄膜形成することにより、前記下
引き層を形成することを特徴とする電子写真用感光体の
作製方法。 - 【請求項４】 下引き層およびキャリア発生層の成膜を
真空状態のまま連続して行なうことを特徴とする請求項
３に記載の電子写真用感光体の作製方法。 - 【請求項５】 キャリア発生層がチタニルフタロシアニ
ン（ＴｉＯＰｃ）である請求項４に記載の電子写真用感
光体の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111191A JPH0643681A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 電子写真用感光体およびその作製方法 |
| US07/866,742 US5314776A (en) | 1991-04-16 | 1992-04-10 | Multi-layered photoreceptor for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111191A JPH0643681A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 電子写真用感光体およびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0643681A true JPH0643681A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=14554809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111191A Withdrawn JPH0643681A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 電子写真用感光体およびその作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5314776A (ja) |
| JP (1) | JPH0643681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009210735A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| JP2009282167A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| US8121666B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-02-21 | Olympus Corporation | Image observation apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001175014A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Stanley Electric Co Ltd | 感光体 |
| US7125634B2 (en) * | 2004-03-15 | 2006-10-24 | Xerox Corporation | Reversibly color changing undercoat layer for electrophotographic photoreceptors |
| US7314694B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-01-01 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4664995A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-12 | Xerox Corporation | Electrostatographic imaging members |
| US4859553A (en) * | 1987-05-04 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Imaging members with plasma deposited silicon oxides |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3111191A patent/JPH0643681A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-04-10 US US07/866,742 patent/US5314776A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8121666B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-02-21 | Olympus Corporation | Image observation apparatus |
| JP2009210735A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| JP2009282167A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5314776A (en) | 1994-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04268565A (ja) | 電子写真画像形成部材のための電荷発生層および電荷輸送層、およびその製造方法 | |
| JPH04270773A (ja) | 感光体用ブロッキング層 | |
| JPH0643681A (ja) | 電子写真用感光体およびその作製方法 | |
| JP2823885B2 (ja) | 機能分離型有機電子写真感光体 | |
| US5356744A (en) | Conductive layers using charge transfer complexes | |
| JPH0862862A (ja) | 電子写真画像形成装置 | |
| JPS61110153A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US5108861A (en) | Evaporated cuprous iodide films as transparent conductive coatings for imaging members | |
| JP2631735B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63216055A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0727265B2 (ja) | 積層型感光体 | |
| JPH0456866A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63121055A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60218659A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60189751A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60218660A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60198547A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62191855A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02190865A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS61184550A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0830006A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0259761A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01142733A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60252378A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPH0353626B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |