JPH0644531A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0644531A JPH0644531A JP3506593A JP3506593A JPH0644531A JP H0644531 A JPH0644531 A JP H0644531A JP 3506593 A JP3506593 A JP 3506593A JP 3506593 A JP3506593 A JP 3506593A JP H0644531 A JPH0644531 A JP H0644531A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はコイルを形成する導体の高さを該導
体の幅より大きくすることにより、磁気ヘッドのできる
だけ先端近傍に複数巻きのコイルを形成して記録再生の
効率を大幅に改善し、かつ導体を流れる信号電流を大き
くとることのできる薄膜磁気ヘッドを提供するものであ
る。 【構成】 磁気ギャップをはさんでなる第１磁極１およ
び第２磁極２、第１磁極と第２磁極を磁気的、電気的に
分離する絶縁層３、および絶縁層内にあって信号入出力
用のコイルとなる多巻の導体層１０を有し、導体の幅、
すなわち磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端
の方向にはかった一つの連続した導体の最小部の長さを
ｄ1，となり合った導体間の最小部の長さをｄ2、導体層
の高さ、すなわち導体層の磁気ギャップが形成されてい
る磁気ヘッド先端方向への射影の連続した長さの最大値
をｈとしたとき以下の条件式を満足することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが開示されている。 ３μｍ≧ｄ1＞ｄ2，ｈ／ｄ1≧１.５，７.５μｍ≧ｈ
体の幅より大きくすることにより、磁気ヘッドのできる
だけ先端近傍に複数巻きのコイルを形成して記録再生の
効率を大幅に改善し、かつ導体を流れる信号電流を大き
くとることのできる薄膜磁気ヘッドを提供するものであ
る。 【構成】 磁気ギャップをはさんでなる第１磁極１およ
び第２磁極２、第１磁極と第２磁極を磁気的、電気的に
分離する絶縁層３、および絶縁層内にあって信号入出力
用のコイルとなる多巻の導体層１０を有し、導体の幅、
すなわち磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端
の方向にはかった一つの連続した導体の最小部の長さを
ｄ1，となり合った導体間の最小部の長さをｄ2、導体層
の高さ、すなわち導体層の磁気ギャップが形成されてい
る磁気ヘッド先端方向への射影の連続した長さの最大値
をｈとしたとき以下の条件式を満足することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが開示されている。 ３μｍ≧ｄ1＞ｄ2，ｈ／ｄ1≧１.５，７.５μｍ≧ｈ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気の記録再生を行なう
薄膜磁気ヘッドの信号入出力用のコイルに関するもので
ある。本発明はコイルを形成する導体の高さを該導体の
幅より大きくすることにより、磁気ヘッドのできるだけ
先端近傍に複数巻きのコイルを形成して記録再生の効率
を大幅に改善し、かつ導体を流れる信号電流を大きくと
ることのできる薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
薄膜磁気ヘッドの信号入出力用のコイルに関するもので
ある。本発明はコイルを形成する導体の高さを該導体の
幅より大きくすることにより、磁気ヘッドのできるだけ
先端近傍に複数巻きのコイルを形成して記録再生の効率
を大幅に改善し、かつ導体を流れる信号電流を大きくと
ることのできる薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは例えば特開昭４
９−８３８６８号、特開昭５５−８４０１９号に示され
ている。
９−８３８６８号、特開昭５５−８４０１９号に示され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
断面の１例を図１に示す。磁気的に絶縁性の基板６上に
第２磁極２および第１磁極１、該第１磁極および該第２
磁極２を電気的、磁気的に分離する絶縁層３、さらに該
絶縁層３内にあって信号入出力用のコイルを形成する導
体４より構成されている。なお、場合によっては磁性基
板を用い第２磁極と兼用させることもあるし、電気的絶
縁性や密着性等を改善するために適当な絶縁層や金属層
を中間に設けることもあるが、ここでは簡単のため省略
した。以下においても説明に必要な主要な部分について
のみ述べ、本発明の説明に不必要な部分については省略
した。
断面の１例を図１に示す。磁気的に絶縁性の基板６上に
第２磁極２および第１磁極１、該第１磁極および該第２
磁極２を電気的、磁気的に分離する絶縁層３、さらに該
絶縁層３内にあって信号入出力用のコイルを形成する導
体４より構成されている。なお、場合によっては磁性基
板を用い第２磁極と兼用させることもあるし、電気的絶
縁性や密着性等を改善するために適当な絶縁層や金属層
を中間に設けることもあるが、ここでは簡単のため省略
した。以下においても説明に必要な主要な部分について
のみ述べ、本発明の説明に不必要な部分については省略
した。
【０００４】導体４に信号電圧を印加することにより磁
気ヘッド先端の第１磁極１、第２磁極２間で記録媒体５
を通過する漏れ磁束が生じ記録が行なわれる。
気ヘッド先端の第１磁極１、第２磁極２間で記録媒体５
を通過する漏れ磁束が生じ記録が行なわれる。
【０００５】一方、再生出力は記録媒体５より発生して
いる磁束が第１磁極１、第２磁極２を通過することによ
る、いわゆる電磁誘導体により導体４に出力電圧として
表われる。したがって、導体４（コイル）の巻数の多い
程、信号の記録、再生は容易となると考えられるが、実
際には単に巻数を増すと、磁路が増して磁気抵抗が大き
くなるので必ずしも効率は改善されない。効率を改善す
るには磁気ヘッド先端にできるだけ近く密にコイルを多
数巻く必要がある。一方記録電流をたくさん流すために
は導体の断面積を大きくとる必要がある。すなわち、限
られた領域内に導体４の断面積は大きく、かつ導体４
（コイル）の巻き数を多くするという互いに矛盾する問
題を解決しなければならない。
いる磁束が第１磁極１、第２磁極２を通過することによ
る、いわゆる電磁誘導体により導体４に出力電圧として
表われる。したがって、導体４（コイル）の巻数の多い
程、信号の記録、再生は容易となると考えられるが、実
際には単に巻数を増すと、磁路が増して磁気抵抗が大き
くなるので必ずしも効率は改善されない。効率を改善す
るには磁気ヘッド先端にできるだけ近く密にコイルを多
数巻く必要がある。一方記録電流をたくさん流すために
は導体の断面積を大きくとる必要がある。すなわち、限
られた領域内に導体４の断面積は大きく、かつ導体４
（コイル）の巻き数を多くするという互いに矛盾する問
題を解決しなければならない。
【０００６】本発明は従来の欠点をなくし、１層でも導
体４（コイル）の巻き数を増し、かつ導体４の断面積の
大きい薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
体４（コイル）の巻き数を増し、かつ導体４の断面積の
大きい薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明の磁気ヘッド
は、磁気記録媒体に記録再生を行なうための磁気ギャッ
プをはさんでなる第１磁極および第２磁極、および該第
１磁極と該第２磁極の少なくとも一部を磁気的、電気的
に分離する絶縁層、および該絶縁層内にあって信号入出
力用のコイルとなる多巻の導体層を有する薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記導体の幅、すなわち磁気ギャップが形
成されている磁気ヘッド先端の方向にはかった一つの連
続した導体の最小部の長さをｄ1，となり合った導体間
の最小部の長さをｄ2、導体層の高さ、すなわち導体層
の磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端方向へ
の射影の連続した長さの最大値をｈとしたとき以下の条
件式を満足することを特徴とする。
は、磁気記録媒体に記録再生を行なうための磁気ギャッ
プをはさんでなる第１磁極および第２磁極、および該第
１磁極と該第２磁極の少なくとも一部を磁気的、電気的
に分離する絶縁層、および該絶縁層内にあって信号入出
力用のコイルとなる多巻の導体層を有する薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記導体の幅、すなわち磁気ギャップが形
成されている磁気ヘッド先端の方向にはかった一つの連
続した導体の最小部の長さをｄ1，となり合った導体間
の最小部の長さをｄ2、導体層の高さ、すなわち導体層
の磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端方向へ
の射影の連続した長さの最大値をｈとしたとき以下の条
件式を満足することを特徴とする。
【０００８】３μｍ≧ｄ1＞ｄ2 ｈ／ｄ1≧１.５ ７.５μｍ≧ｈ
【０００９】
【作用】薄膜磁気ヘッドの出力を高めるためには、コイ
ルを多巻化すればよい。しかし、単にコイルの数を増す
と磁路の長さ（第１及び第２磁極の長さ）が長くなり、
磁気記録媒体から吸い上げた磁束が漏洩する部分が増え
る。また、磁気抵抗が大きくなる。すなわち、磁束の長
さを増大せずに多巻化し、コイル密度を上げなければ、
薄膜磁気ヘッドの出力効率を上げられない。このため
に、本願発明ではコイルの間隔ｄ2をコイルの幅ｄ1より
小さくし、限られた空間に多くのコイルを配置した。さ
らに本願発明では、コイルの高さｈを幅ｄ1の１．５倍
以上として磁路の長さを増さずにコイルの断面積を大き
くした。このようにして、限られた領域内に断面積の大
きい導体を多数配置することができる。
ルを多巻化すればよい。しかし、単にコイルの数を増す
と磁路の長さ（第１及び第２磁極の長さ）が長くなり、
磁気記録媒体から吸い上げた磁束が漏洩する部分が増え
る。また、磁気抵抗が大きくなる。すなわち、磁束の長
さを増大せずに多巻化し、コイル密度を上げなければ、
薄膜磁気ヘッドの出力効率を上げられない。このため
に、本願発明ではコイルの間隔ｄ2をコイルの幅ｄ1より
小さくし、限られた空間に多くのコイルを配置した。さ
らに本願発明では、コイルの高さｈを幅ｄ1の１．５倍
以上として磁路の長さを増さずにコイルの断面積を大き
くした。このようにして、限られた領域内に断面積の大
きい導体を多数配置することができる。
【００１０】ところで、コイルの高さは限界が有り、流
動性の有る絶縁物によりコイルを平坦に埋め込むために
はコイルの高さｈは、約７．５μｍ以下である必要が有
る。すなわち、有機絶縁材が硬化する際にコイル導体の
間で体積の減少が生じるからである。
動性の有る絶縁物によりコイルを平坦に埋め込むために
はコイルの高さｈは、約７．５μｍ以下である必要が有
る。すなわち、有機絶縁材が硬化する際にコイル導体の
間で体積の減少が生じるからである。
【００１１】また、コイルの幅はコイル密度の点から、
小さい方が好ましいが、コイルの高さｈに対して必要な
コイルの幅ｄ1が有る。これは、高さｈに対して幅ｄ1が
小さ過ぎると、コイル導体が傾きやすく問題であるため
である。コイルの幅ｄ1は高さｈを最高の７，５μｍと
したとき３μｍ以上必要である。このような構成により
必要最小限の幅を有し、かつ、断面積の大きい導体コイ
ルを実現することができる。
小さい方が好ましいが、コイルの高さｈに対して必要な
コイルの幅ｄ1が有る。これは、高さｈに対して幅ｄ1が
小さ過ぎると、コイル導体が傾きやすく問題であるため
である。コイルの幅ｄ1は高さｈを最高の７，５μｍと
したとき３μｍ以上必要である。このような構成により
必要最小限の幅を有し、かつ、断面積の大きい導体コイ
ルを実現することができる。
【００１２】
【実施例】図２に本発明による薄膜磁気ヘッドの断面構
造を示す。導体１０は基板６に対して縦長であり絶縁層
３の厚さの大部分を占めている。また、導体１０の幅ｄ
5が狭くヘッド先端に密に巻き数を増すことができ、記
録再生の効率を向上できる。
造を示す。導体１０は基板６に対して縦長であり絶縁層
３の厚さの大部分を占めている。また、導体１０の幅ｄ
5が狭くヘッド先端に密に巻き数を増すことができ、記
録再生の効率を向上できる。
【００１３】以下、実施例によって本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１４】（実施例１）図３を用いて本願発明のヘッ
ドの製造工程を説明する。
ドの製造工程を説明する。
【００１５】基板６にはホトセラム（コーニング社製）
を用いた。先ず該基板６上に第２磁極２となる磁性層、
磁気ヘッド先端のギャップとなる磁気的、電気的絶縁層
１１を積層する（図３−ａ）。ここでは磁性層２として
パーマロイを２μｍ、絶縁層１１としてＳｉＯ2を２μ
ｍスパッタリング法で形成した。
を用いた。先ず該基板６上に第２磁極２となる磁性層、
磁気ヘッド先端のギャップとなる磁気的、電気的絶縁層
１１を積層する（図３−ａ）。ここでは磁性層２として
パーマロイを２μｍ、絶縁層１１としてＳｉＯ2を２μ
ｍスパッタリング法で形成した。
【００１６】次に該絶縁層１１上に第１磁極と第２磁極
を分離する絶縁層１２としてＰＩＱ（ポリイミド系樹
脂、日立化成工業（株）商標）層を８μｍスピン塗布し
た（図３−ｂ）。
を分離する絶縁層１２としてＰＩＱ（ポリイミド系樹
脂、日立化成工業（株）商標）層を８μｍスピン塗布し
た（図３−ｂ）。
【００１７】その後、該ＰＩＱ上にＭｏ１３を０.４μ
ｍ蒸着し、さらにホトエッチング法によりｄ6＝３μ
ｍ、ｄ7＝２μｍにＭｏ層１３をパターニングする（図
３−ｃ）。
ｍ蒸着し、さらにホトエッチング法によりｄ6＝３μ
ｍ、ｄ7＝２μｍにＭｏ層１３をパターニングする（図
３−ｃ）。
【００１８】そして、該Ｍｏ層１３をマスクとしてＰＩ
Ｑを酸素によりスパッタエッチングして、ＰＩＱに絶縁
層１１に達する溝を加工する。この場合、ＰＩＱに対す
るＭｏのスパッタエッチ速度は極めて小さくＭｏ層はほ
とんどエッチングされない。またＭｏの代りにＣｒを用
いても同様であった。また、ＰＩＱはＭｏマスクの下に
０.５μｍ前後にアンダーカットを生ずる（図３−
ｄ）。
Ｑを酸素によりスパッタエッチングして、ＰＩＱに絶縁
層１１に達する溝を加工する。この場合、ＰＩＱに対す
るＭｏのスパッタエッチ速度は極めて小さくＭｏ層はほ
とんどエッチングされない。またＭｏの代りにＣｒを用
いても同様であった。また、ＰＩＱはＭｏマスクの下に
０.５μｍ前後にアンダーカットを生ずる（図３−
ｄ）。
【００１９】次に、基板６に対してほぼ垂直方向から導
体層４となるＡｌ１４をＰＩＱ膜厚より若干薄く（７.
５μｍ）積層した（図３−ｅ）。ここで、Ｍｏマスク１
３の上面はＡｌが積層されているが、Ｍｏマスク１３の
アンダーカット部分にはＡｌは付着していない。そこ
で、Ａｌ層１４に電圧を印加してＭｏ層１３をシュウ酸
系溶液中で電解・選択エッチングを行なうとＭｏ層およ
びＭｏマスク上のＡｌ層が除去される（図３−ｆ）。
体層４となるＡｌ１４をＰＩＱ膜厚より若干薄く（７.
５μｍ）積層した（図３−ｅ）。ここで、Ｍｏマスク１
３の上面はＡｌが積層されているが、Ｍｏマスク１３の
アンダーカット部分にはＡｌは付着していない。そこ
で、Ａｌ層１４に電圧を印加してＭｏ層１３をシュウ酸
系溶液中で電解・選択エッチングを行なうとＭｏ層およ
びＭｏマスク上のＡｌ層が除去される（図３−ｆ）。
【００２０】ここまでで、Ａｌ導体がＰＩＱに形成した
溝に埋め込まれた形状となる。その後、ＰＩＱ層１２と
Ａｌ層１４の段差を平坦化し、かつＡｌ導体と第１磁極
１を電気的に絶縁するために、再度ＰＩＱ層１５をスピ
ンコートした。Ａｌ層１４とＰＩＱ層１２との段差は
０.５μｍであり、ＰＩＱ層１２の膜厚を２μｍとすれ
ばＰＩＱ層の段差は０.１μｍ前後に容易に抑さえるこ
とができる。最後にＰＩＱ層１２および１５、絶縁膜１
１をパターンニングし、さらに該ＰＩＱ上および第２磁
極２の一部にパーマロイを蒸着し第１磁極１を形成すれ
ば磁気ヘッドは完成する。
溝に埋め込まれた形状となる。その後、ＰＩＱ層１２と
Ａｌ層１４の段差を平坦化し、かつＡｌ導体と第１磁極
１を電気的に絶縁するために、再度ＰＩＱ層１５をスピ
ンコートした。Ａｌ層１４とＰＩＱ層１２との段差は
０.５μｍであり、ＰＩＱ層１２の膜厚を２μｍとすれ
ばＰＩＱ層の段差は０.１μｍ前後に容易に抑さえるこ
とができる。最後にＰＩＱ層１２および１５、絶縁膜１
１をパターンニングし、さらに該ＰＩＱ上および第２磁
極２の一部にパーマロイを蒸着し第１磁極１を形成すれ
ば磁気ヘッドは完成する。
【００２１】本実施例において形成された導体の幅、す
なわち磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端の
方向にはかった１つの連続した導体長さの最小値はｄ6
〜３μｍ、導体の高さ、すなわち導体層の磁気ギャップ
が形成されている磁気ヘッド先端方向への射影の連続し
た長さｈ〜７.５μｍ、となりあった導体間の最小距離
はｄ7〜２μｍであって、導体４の断面積は２０μｍ2程
度となる。従来の反応性スパッタエッチング法により本
実施例と同じ３μｍ幅の導体４を形成すると、導体４の
厚さは〜３μｍが限界である。すなわち、本製造工程に
より断面積の大きいコイルを有する本願発明の薄膜磁気
ヘッドを製造可能である。また磁気ヘッド先端付近にコ
イルを多数回巻くことができるのでヘッドの記録再生効
率が良好である。
なわち磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド先端の
方向にはかった１つの連続した導体長さの最小値はｄ6
〜３μｍ、導体の高さ、すなわち導体層の磁気ギャップ
が形成されている磁気ヘッド先端方向への射影の連続し
た長さｈ〜７.５μｍ、となりあった導体間の最小距離
はｄ7〜２μｍであって、導体４の断面積は２０μｍ2程
度となる。従来の反応性スパッタエッチング法により本
実施例と同じ３μｍ幅の導体４を形成すると、導体４の
厚さは〜３μｍが限界である。すなわち、本製造工程に
より断面積の大きいコイルを有する本願発明の薄膜磁気
ヘッドを製造可能である。また磁気ヘッド先端付近にコ
イルを多数回巻くことができるのでヘッドの記録再生効
率が良好である。
【００２２】本実施例は導体の高さｈが導体の幅ｄ1お
よび導体間隔ｄ2よりも大きいことを特徴とするが、第
１磁極と第２磁極が離れており、その間に存在する絶縁
層中の大部分が導体で占められているときに、さらに効
率が改善される。したがってｈ／ｄ 1＞１.５とすること
が望ましくさらにｈ／ｄ 1＞２とすると非常に良好な記
録再生効率が得られる。
よび導体間隔ｄ2よりも大きいことを特徴とするが、第
１磁極と第２磁極が離れており、その間に存在する絶縁
層中の大部分が導体で占められているときに、さらに効
率が改善される。したがってｈ／ｄ 1＞１.５とすること
が望ましくさらにｈ／ｄ 1＞２とすると非常に良好な記
録再生効率が得られる。
【００２３】導体間の最小距離ｄ7は小さいことが望ま
しい。しかし、ｄ7が小さすぎると導体間の電気的絶縁
耐圧の点で問題が生じる。また、図３（ｅ）に示したよ
うに、導体間に形成されているＰＩＱパターンは、縦長
の形状となっている。このため、該ＰＩＱパターンと絶
縁層１１との接触面積が小さくなると機械的に弱くな
り、プロセス中に倒れる問題もある。これらの問題点を
検討した結果、導体の間隔ｄ7としては２μｍあれば充
分であった。
しい。しかし、ｄ7が小さすぎると導体間の電気的絶縁
耐圧の点で問題が生じる。また、図３（ｅ）に示したよ
うに、導体間に形成されているＰＩＱパターンは、縦長
の形状となっている。このため、該ＰＩＱパターンと絶
縁層１１との接触面積が小さくなると機械的に弱くな
り、プロセス中に倒れる問題もある。これらの問題点を
検討した結果、導体の間隔ｄ7としては２μｍあれば充
分であった。
【００２４】図３−ｅ，ｆの工程は通常リフトオフ法と
して知られている方法に類似している。しかし、リフト
オフ法では導体形成のために用いる層（ここではＰＩＱ
層１２にあたる）を最終的に除去するが、本実施例では
該ＰＩＱ層１２を残すことによって図３−ｇに示した平
坦化を容易にした。すなわちこの層を除去してしまうと
約７.５μｍの凹凸を平坦化しなければならず非常に困
難である。ＰＩＱは電気的絶縁性が良好で耐熱性にもす
ぐれているので第１磁極と第２磁極を電気的磁気的に分
離する絶縁層として使用でき、かつスピン塗布により容
易に平坦化できることを利用した。また、図３−ｅにお
いて過剰のＡｌ層はＭｏ層１３を境界として除去される
ためＰＩＱの凹部壁面にＡｌが回わり込んで付着しても
何ら問題はない。本実施例に示したプロセスではｈ＜３
ｄ6の範囲でＡｌ導体を比較的容易にかつ再現性よく形
成できた。
して知られている方法に類似している。しかし、リフト
オフ法では導体形成のために用いる層（ここではＰＩＱ
層１２にあたる）を最終的に除去するが、本実施例では
該ＰＩＱ層１２を残すことによって図３−ｇに示した平
坦化を容易にした。すなわちこの層を除去してしまうと
約７.５μｍの凹凸を平坦化しなければならず非常に困
難である。ＰＩＱは電気的絶縁性が良好で耐熱性にもす
ぐれているので第１磁極と第２磁極を電気的磁気的に分
離する絶縁層として使用でき、かつスピン塗布により容
易に平坦化できることを利用した。また、図３−ｅにお
いて過剰のＡｌ層はＭｏ層１３を境界として除去される
ためＰＩＱの凹部壁面にＡｌが回わり込んで付着しても
何ら問題はない。本実施例に示したプロセスではｈ＜３
ｄ6の範囲でＡｌ導体を比較的容易にかつ再現性よく形
成できた。
【００２５】（実施例２）実施例１において基板６にフ
ェライトを用い第２磁極とすることにより、磁性層２の
形成を省略しても何ら問題はない。
ェライトを用い第２磁極とすることにより、磁性層２の
形成を省略しても何ら問題はない。
【００２６】（実施例３）本実施例では導体４の形成を
以下に述べる方法で形成した。図４に形成過程を示し
た。図４−（ａ）は実施例１（図５−（ａ）〜（ｄ）と
同様である。次にＭｏ層１３を除去し（図４−
（ｂ））、その後Ａｌ層１４をＰＩＱ層により若干薄く
７.５μｍ積層する（図４−（ｃ））。さらに該Ａｌ層
１４上にＰＩＱ１５をスピン塗布する。ＰＩＱは流動性
があり、約２０μｍの厚さに塗布するとＰＩＱ表面は約
１μｍ程度の凹凸に平坦化される。その後、Ａｌ層１４
の凸部上面が現われるまでＰＩＱをエッチングし（図４
−（ｄ））、次に該ＰＩＱ層１５をマスクとしてＡｌ層
１４をエッチングする。Ａｌ層はＰＩＱ層１２の凸部上
のＡｌのみをエッチングする（図４−（ｅ））。ここま
でで、ＰＩＱ層凹部にのみＡｌが埋めこまれた形状とな
る。最後にＰＩＱ層１５の凹凸を平坦化するために、再
びＰＩＱ層１６をスピン塗布した（図４−（ｆ））。
以下に述べる方法で形成した。図４に形成過程を示し
た。図４−（ａ）は実施例１（図５−（ａ）〜（ｄ）と
同様である。次にＭｏ層１３を除去し（図４−
（ｂ））、その後Ａｌ層１４をＰＩＱ層により若干薄く
７.５μｍ積層する（図４−（ｃ））。さらに該Ａｌ層
１４上にＰＩＱ１５をスピン塗布する。ＰＩＱは流動性
があり、約２０μｍの厚さに塗布するとＰＩＱ表面は約
１μｍ程度の凹凸に平坦化される。その後、Ａｌ層１４
の凸部上面が現われるまでＰＩＱをエッチングし（図４
−（ｄ））、次に該ＰＩＱ層１５をマスクとしてＡｌ層
１４をエッチングする。Ａｌ層はＰＩＱ層１２の凸部上
のＡｌのみをエッチングする（図４−（ｅ））。ここま
でで、ＰＩＱ層凹部にのみＡｌが埋めこまれた形状とな
る。最後にＰＩＱ層１５の凹凸を平坦化するために、再
びＰＩＱ層１６をスピン塗布した（図４−（ｆ））。
【００２７】以上の工程により、幅３μｍ、高さ７.５
μｍのＡｌ導体層を形成できた。
μｍのＡｌ導体層を形成できた。
【００２８】（実施例４）上記した薄膜磁気ヘッドの製
造方法では導体層の形成に該導体自身のエッチング工程
が含まれない。そのため、エッチング時のアンダーカッ
トが大きい等の理由によりエッチングの難しい材料には
特に有効である。本実施例では耐エレクトロマイグレー
ション性に優れ、寿命の点からも好ましいＣｕを導体層
として用いた。Ｃｕは通常過硫酸アンモニウム水溶液で
エッチングを行なうが、Ｃｕ表面の酸化、パターンの精
度が悪い等の問題がある。本発明による方法では、前記
の事項は全く問題なく、信頼性の大幅に向上した薄膜磁
気ヘッドを製造できた。
造方法では導体層の形成に該導体自身のエッチング工程
が含まれない。そのため、エッチング時のアンダーカッ
トが大きい等の理由によりエッチングの難しい材料には
特に有効である。本実施例では耐エレクトロマイグレー
ション性に優れ、寿命の点からも好ましいＣｕを導体層
として用いた。Ｃｕは通常過硫酸アンモニウム水溶液で
エッチングを行なうが、Ｃｕ表面の酸化、パターンの精
度が悪い等の問題がある。本発明による方法では、前記
の事項は全く問題なく、信頼性の大幅に向上した薄膜磁
気ヘッドを製造できた。
【００２９】（実施例５）ＰＩＱは耐熱性、絶縁性にお
いて優れた高分子樹脂である。しかし前記ＰＩＱの代り
に環化ポリブタジエン（日本合成ゴム（株）商標）、パ
イラリン（Dupont社商標）を用いても同様の工程で本発
明による薄膜磁気ヘッドを作製できた。
いて優れた高分子樹脂である。しかし前記ＰＩＱの代り
に環化ポリブタジエン（日本合成ゴム（株）商標）、パ
イラリン（Dupont社商標）を用いても同様の工程で本発
明による薄膜磁気ヘッドを作製できた。
【００３０】（実施例６）図２に示した本発明による薄
膜磁気ヘッドにおいて、磁束を磁気ヘッド先端より有効
に放出させるために導体１０はでき得る限り磁気ヘッド
の先端近傍に形成されることが望ましい。図２に示した
例では、基板６に対して導体１０が垂直方向に長いため
に、ギャップ後端と導体１０との距離ｄ8が広がりやす
い。本実施例では、図５に示すように基板６に対して導
体１０を傾斜させることによりｄ9＜ｄ8とした。導体１
０の傾き角θ1は第１磁極１先端近傍の肩部の傾き角θ2
とほぼ等しいことがよい。θ1＞θ2となるとｄ8を小さ
くできず、θ1＜θ2となると第１磁極１の肩部で導体１
０と第１磁極１が離れてしまい好ましくない。
膜磁気ヘッドにおいて、磁束を磁気ヘッド先端より有効
に放出させるために導体１０はでき得る限り磁気ヘッド
の先端近傍に形成されることが望ましい。図２に示した
例では、基板６に対して導体１０が垂直方向に長いため
に、ギャップ後端と導体１０との距離ｄ8が広がりやす
い。本実施例では、図５に示すように基板６に対して導
体１０を傾斜させることによりｄ9＜ｄ8とした。導体１
０の傾き角θ1は第１磁極１先端近傍の肩部の傾き角θ2
とほぼ等しいことがよい。θ1＞θ2となるとｄ8を小さ
くできず、θ1＜θ2となると第１磁極１の肩部で導体１
０と第１磁極１が離れてしまい好ましくない。
【００３１】本実施例による薄膜磁気ヘッドは実施例１
とほとんど同様のプロセスで製造できるが、ＰＩＱのス
パッタエッチングおよび導体層１０の形成を斜め方向
（角度θ2）から行なう必要がある。
とほとんど同様のプロセスで製造できるが、ＰＩＱのス
パッタエッチングおよび導体層１０の形成を斜め方向
（角度θ2）から行なう必要がある。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば記録再生の効率を大幅に
改善し、かつ導体を流れる信号電流を大きくとることの
できる薄膜磁気ヘッドを提供できる。
改善し、かつ導体を流れる信号電流を大きくとることの
できる薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドを示す概略断面図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの概略断面図。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す概略
断面図。
断面図。
【図４】本発明の他の実施例による磁気ヘッドの導体層
の製造方法を示す概略断面図。
の製造方法を示す概略断面図。
【図５】本発明のさらに他の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドを示す概略断面図である。
ッドを示す概略断面図である。
１…第１磁極、２…第２磁極、３…絶縁層、４…導体、
６…基板。
６…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本間 喜夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 熊坂 登行 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 城石 芳博 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 工藤 実弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】磁気記録媒体に記録再生を行なうための磁
気ギャップをはさんでなる第１磁極および第２磁極、お
よび該第１磁極と該第２磁極の少なくとも一部を磁気
的、電気的に分離する絶縁層、および該絶縁層内にあっ
て信号入出力用のコイルとなる多巻の導体層を有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記導体の幅、すなわち磁気ギ
ャップが形成されている磁気ヘッド先端の方向にはかっ
た一つの連続した導体の最小部の長さをｄ1，となり合
った導体間の最小部の長さをｄ2、導体層の高さ、すな
わち導体層の磁気ギャップが形成されている磁気ヘッド
先端方向への射影の連続した長さの最大値をｈとしたと
き以下の条件式を満足することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 ３μｍ≧ｄ1＞ｄ2 ｈ／ｄ1≧１.５ ７.５μｍ≧ｈ - 【請求項２】請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいてｈ
／ｄ1≧２であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記絶縁膜の少なくとも一部にポリイミド系の
高分子樹脂を用いたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】請求項１乃至３のうちいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記導体層が薄膜磁気ヘッドの
後部側に傾いて形成されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3506593A JPH0644531A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3506593A JPH0644531A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116403A Division JPS5819716A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644531A true JPH0644531A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=12431624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3506593A Pending JPH0644531A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019016727A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP2024013787A (ja) * | 2022-07-21 | 2024-02-01 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983868A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-12 | ||
| JPS5233511A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
| JPS5760522A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP3506593A patent/JPH0644531A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983868A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-12 | ||
| JPS5233511A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
| JPS5760522A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019016727A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP2024013787A (ja) * | 2022-07-21 | 2024-02-01 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品及びその製造方法 |
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