JPH07201089A - 光磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
光磁気ディスク及びその製造方法Info
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- JPH07201089A JPH07201089A JP6313067A JP31306794A JPH07201089A JP H07201089 A JPH07201089 A JP H07201089A JP 6313067 A JP6313067 A JP 6313067A JP 31306794 A JP31306794 A JP 31306794A JP H07201089 A JPH07201089 A JP H07201089A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- -1 rare earth transition metal Chemical class 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、超解像度(superre
solution)の光磁気ディスク及びその製造方法
を提供しようとするものである。 【構成】 上下両方側に誘電体が夫々積層され、それら
誘電体膜間に同様な材質のTbFeCo系再生膜及び記
録膜が夫々積層されて、光磁気ディスクが構成されてい
る。
solution)の光磁気ディスク及びその製造方法
を提供しようとするものである。 【構成】 上下両方側に誘電体が夫々積層され、それら
誘電体膜間に同様な材質のTbFeCo系再生膜及び記
録膜が夫々積層されて、光磁気ディスクが構成されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク及びそ
の製造方法に係るもので、詳しくは、上下両側に積層さ
れた誘電体膜の間にTbFeCoの再生膜(reado
ut layer)及びTbFeCoの記録膜(rec
ording layer)を各々積層させた超解像度
(superresolution)の光磁気ディスク
及びその製造方法に関するものである。
の製造方法に係るもので、詳しくは、上下両側に積層さ
れた誘電体膜の間にTbFeCoの再生膜(reado
ut layer)及びTbFeCoの記録膜(rec
ording layer)を各々積層させた超解像度
(superresolution)の光磁気ディスク
及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、情報産業の高度化に従い大量の情
報を貯蔵し得る記録媒体が漸次開発されている。そし
て、情報を貯蔵する方式として、磁気記録方式及び光記
録方式があり、該磁気記録方式には水平磁化方式がある
が、該水平磁化方式は磁気記録媒体に減磁(demag
netization)の欠点があるので、必要な情報
を高密度に貯蔵することができないという問題点があ
る。且つ、該水平磁化方式の減磁(demagneti
zation)の問題点を解決する方式として垂直磁化
方式があるが、該垂直磁化方式は、磁気ヘッドと磁気記
録媒体間の接触関係、磁気ヘッドの効率及び分解能、磁
気記録媒体の大量生産等に多い問題点を有しているた
め、未だ実用化されていない。
報を貯蔵し得る記録媒体が漸次開発されている。そし
て、情報を貯蔵する方式として、磁気記録方式及び光記
録方式があり、該磁気記録方式には水平磁化方式がある
が、該水平磁化方式は磁気記録媒体に減磁(demag
netization)の欠点があるので、必要な情報
を高密度に貯蔵することができないという問題点があ
る。且つ、該水平磁化方式の減磁(demagneti
zation)の問題点を解決する方式として垂直磁化
方式があるが、該垂直磁化方式は、磁気ヘッドと磁気記
録媒体間の接触関係、磁気ヘッドの効率及び分解能、磁
気記録媒体の大量生産等に多い問題点を有しているた
め、未だ実用化されていない。
【0003】又、前記光記録方式においては、集束生の
優秀なレーザビームが1μm以下に集束され、光磁気記
録媒体の微細な領域に照射して該光記録媒体の物理化学
的性質を熱及び光学的に変化させ所望の情報を記録し、
該情報を光学的に読み取るようになっている。従って、
該光記録方式は、前記磁気記録方式の記録密度の限界を
超越し、107 〜108 bit /cm2 以上の超高記録密度
を有している。即ち、光磁気記録媒体として、例えば希
土類−遷移金属系合金膜が使用され、常温で相当に大き
い保磁力(Hc)を有して30kOeの磁場でも飽和磁
化されないが、レーザビームが希土類−遷移金属系合金
膜のスポット(spot)部に集束されると、該スポッ
ト部の温度が周辺部位の温度よりも上昇して希土類−遷
移金属系合金膜中の磁性膜の保磁力が減少され、前記ス
ポット部が数百Oeの磁場でも容易に飽和磁化して情報
の記録が容易に行われる。
優秀なレーザビームが1μm以下に集束され、光磁気記
録媒体の微細な領域に照射して該光記録媒体の物理化学
的性質を熱及び光学的に変化させ所望の情報を記録し、
該情報を光学的に読み取るようになっている。従って、
該光記録方式は、前記磁気記録方式の記録密度の限界を
超越し、107 〜108 bit /cm2 以上の超高記録密度
を有している。即ち、光磁気記録媒体として、例えば希
土類−遷移金属系合金膜が使用され、常温で相当に大き
い保磁力(Hc)を有して30kOeの磁場でも飽和磁
化されないが、レーザビームが希土類−遷移金属系合金
膜のスポット(spot)部に集束されると、該スポッ
ト部の温度が周辺部位の温度よりも上昇して希土類−遷
移金属系合金膜中の磁性膜の保磁力が減少され、前記ス
ポット部が数百Oeの磁場でも容易に飽和磁化して情報
の記録が容易に行われる。
【0004】現在、使用される光磁気記録媒体は、主に
円板(disk)状に形成され、光磁気ディスク(Mage
netic Optical Disk) と称している。そして、該光磁気
ディスクに情報を高速呼び高密度に記録するため、該記
録媒体の物性を制御したり又は超解像度(Super
resolution)再生法を利用して記録密度を向
上させる研究が行われている。該超解像度再生法は、光
源のレーザビームの有効ビームのサイズを減らし、記録
密度を2〜4倍まで増加させるように電気的に誘導する
方法であって、該超解像度再生法には前方開口検出法
(Front ApertureDetection:FAD) と後方開口検出法(R
ear Aperture Detection:RAD)とがある。且つ、それら
前方開口検出法及び後方開口検出法は、全て、レーザビ
ームが光磁気ディスクのスポットに照射されるとき、該
スポットの下部に存在する磁性膜の温度分布を利用し判
読を行う方法であって、前記前方開口検出法は記録され
た情報をレーザビームの照射するスポットの前方領域の
再生膜(Readout layer)高温領域から判
読され、前記後方開口検出法は記録された情報がレーザ
ビームの照射するスポットの後方領域の再生膜(Rea
dout layer)高温領域から判読されるように
なっている。しかし、このような超解像度再生法は、全
て光学的に遮蔽(Masking)させるために別途の
外部磁気場を必要とし煩雑であるという不都合な点があ
る。
円板(disk)状に形成され、光磁気ディスク(Mage
netic Optical Disk) と称している。そして、該光磁気
ディスクに情報を高速呼び高密度に記録するため、該記
録媒体の物性を制御したり又は超解像度(Super
resolution)再生法を利用して記録密度を向
上させる研究が行われている。該超解像度再生法は、光
源のレーザビームの有効ビームのサイズを減らし、記録
密度を2〜4倍まで増加させるように電気的に誘導する
方法であって、該超解像度再生法には前方開口検出法
(Front ApertureDetection:FAD) と後方開口検出法(R
ear Aperture Detection:RAD)とがある。且つ、それら
前方開口検出法及び後方開口検出法は、全て、レーザビ
ームが光磁気ディスクのスポットに照射されるとき、該
スポットの下部に存在する磁性膜の温度分布を利用し判
読を行う方法であって、前記前方開口検出法は記録され
た情報をレーザビームの照射するスポットの前方領域の
再生膜(Readout layer)高温領域から判
読され、前記後方開口検出法は記録された情報がレーザ
ビームの照射するスポットの後方領域の再生膜(Rea
dout layer)高温領域から判読されるように
なっている。しかし、このような超解像度再生法は、全
て光学的に遮蔽(Masking)させるために別途の
外部磁気場を必要とし煩雑であるという不都合な点があ
る。
【0005】近来、日本国のシャープ(sharp)社
は、外部の磁気場を必要としない超解像度再生法を開発
し、面内(in plane)磁化を常温で行い、垂直
磁化を高温で行う再生膜を利用し、交換結合の2重膜を
構成している。即ち、レーザビームが照射されるとき、
光磁気ディスクの再生膜高温領域のスポット中央部位で
極回転(Polar Kerr)現象が発生し、該スポ
ットの中央部位に記録された情報のみが再生され、中央
部位以外の他の領域の記録情報は再生されないようにな
っている。そして、該超解像度再生法は、記録媒体の温
度分布のみを利用し、他方開口検出法で使用する初期化
磁石又は再生時必要な別途の再生膜を必要としないの
で、有用な方法である。且つ、記録媒体は、希土類及び
遷移金属の2重磁性膜にて構成され、記録膜の磁化方向
が磁気モーメント方向の乱れが始まる常温から比透磁率
が "1" となるキューリ温度まで膜面に垂直に表れ、再
生膜の磁化方向は常温で膜面に平行に表われ高温では垂
直に表れる。この場合、磁化方向が表面で垂直になる温
度領域が充分に狭くなると、図2に示したような超解像
度検出法のメカニズムが行われる。即ち、対物レンズに
よりレーザビーム1が媒体のスポットに集束され照射す
るとき、該スポットに該当する領域の再生膜4の温度プ
ロファイル2は、ガウス分布曲線にて表示されるので、
スポットの中央領域が最高の温度になる。従って、スポ
ットの中央領域に該当する再生膜4部位では磁化方向が
垂直になって極回転現象が発生され、スポットの中央領
域の記録膜3の磁化が直上の再生膜4に伝達される。一
方、該スポット部以外の他の領域の再生膜4では面内の
磁化が維持され、極回転現象が発生されないので記録膜
3に貯蔵された情報は再生膜4面内の磁化により遮蔽さ
れ、レーザビームの照射されたスポット中央領域の情報
のみが判読される。
は、外部の磁気場を必要としない超解像度再生法を開発
し、面内(in plane)磁化を常温で行い、垂直
磁化を高温で行う再生膜を利用し、交換結合の2重膜を
構成している。即ち、レーザビームが照射されるとき、
光磁気ディスクの再生膜高温領域のスポット中央部位で
極回転(Polar Kerr)現象が発生し、該スポ
ットの中央部位に記録された情報のみが再生され、中央
部位以外の他の領域の記録情報は再生されないようにな
っている。そして、該超解像度再生法は、記録媒体の温
度分布のみを利用し、他方開口検出法で使用する初期化
磁石又は再生時必要な別途の再生膜を必要としないの
で、有用な方法である。且つ、記録媒体は、希土類及び
遷移金属の2重磁性膜にて構成され、記録膜の磁化方向
が磁気モーメント方向の乱れが始まる常温から比透磁率
が "1" となるキューリ温度まで膜面に垂直に表れ、再
生膜の磁化方向は常温で膜面に平行に表われ高温では垂
直に表れる。この場合、磁化方向が表面で垂直になる温
度領域が充分に狭くなると、図2に示したような超解像
度検出法のメカニズムが行われる。即ち、対物レンズに
よりレーザビーム1が媒体のスポットに集束され照射す
るとき、該スポットに該当する領域の再生膜4の温度プ
ロファイル2は、ガウス分布曲線にて表示されるので、
スポットの中央領域が最高の温度になる。従って、スポ
ットの中央領域に該当する再生膜4部位では磁化方向が
垂直になって極回転現象が発生され、スポットの中央領
域の記録膜3の磁化が直上の再生膜4に伝達される。一
方、該スポット部以外の他の領域の再生膜4では面内の
磁化が維持され、極回転現象が発生されないので記録膜
3に貯蔵された情報は再生膜4面内の磁化により遮蔽さ
れ、レーザビームの照射されたスポット中央領域の情報
のみが判読される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来光磁気ディスクにおいては、相互に異なる材質の再生
膜及び記録膜が各々別途のターゲットにより蒸着されて
いるため、それら再生膜及び記録膜の固有特性を制御す
ることが難しく、製造工程が煩雑であるという不都合な
点があった。且つ、読み取りパワー(reading
power)が高くなるという不都合な点があった。
来光磁気ディスクにおいては、相互に異なる材質の再生
膜及び記録膜が各々別途のターゲットにより蒸着されて
いるため、それら再生膜及び記録膜の固有特性を制御す
ることが難しく、製造工程が煩雑であるという不都合な
点があった。且つ、読み取りパワー(reading
power)が高くなるという不都合な点があった。
【0007】それで、このような問題点を解決するため
本発明者達は研究を重ねた結果次のような光磁気ディス
ク及びその製造方法を提供しようとするものである。本
発明の目的は、上下両方側に積層された誘電体膜間に、
同様な材質のTbFeCoのターゲットを利用して再生
膜及び記録膜を積層させ、超解像度を有した光磁気ディ
スク及びその製造方法を提供しようとするものである。
本発明者達は研究を重ねた結果次のような光磁気ディス
ク及びその製造方法を提供しようとするものである。本
発明の目的は、上下両方側に積層された誘電体膜間に、
同様な材質のTbFeCoのターゲットを利用して再生
膜及び記録膜を積層させ、超解像度を有した光磁気ディ
スク及びその製造方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、基
板と、該基板上面に形成され再生膜の特性劣化を防止す
る第1誘電体膜と、該第1誘電体膜上面に形成され記録
膜の貯蔵情報を再生する再生膜と、該再生膜上面に形成
され情報を記録する記録膜と、該記録膜上面に形成され
該記録膜の特性劣化を防止する第2誘電体膜と、該第2
誘電体膜上面に形成され照射するレーザビームを基板側
に反射する反射膜と、を備えて光磁気ディスクを構成す
ることにより達成される。
板と、該基板上面に形成され再生膜の特性劣化を防止す
る第1誘電体膜と、該第1誘電体膜上面に形成され記録
膜の貯蔵情報を再生する再生膜と、該再生膜上面に形成
され情報を記録する記録膜と、該記録膜上面に形成され
該記録膜の特性劣化を防止する第2誘電体膜と、該第2
誘電体膜上面に形成され照射するレーザビームを基板側
に反射する反射膜と、を備えて光磁気ディスクを構成す
ることにより達成される。
【0009】又、このような本発明の目的は、基板上面
に第1誘電体膜を積層する段階と、該第1誘電体上面に
再生膜を積層する段階と、該再生膜上面に該再生膜と同
様な材質の記録膜を積層する段階と、該記録膜上面に第
2誘電体膜を積層する段階と該第2誘電体膜上面に反射
膜を積層する段階と、を順次行うように光磁気ディスク
の製造方法を提供することにより達成される。
に第1誘電体膜を積層する段階と、該第1誘電体上面に
再生膜を積層する段階と、該再生膜上面に該再生膜と同
様な材質の記録膜を積層する段階と、該記録膜上面に第
2誘電体膜を積層する段階と該第2誘電体膜上面に反射
膜を積層する段階と、を順次行うように光磁気ディスク
の製造方法を提供することにより達成される。
【0010】
【作用】高い蒸着率の再生膜及び低い蒸着率の記録膜が
上下両方側の誘電体膜間にTbFeCoの同様な材質で
各々積層され、該再生膜は常温でも水平磁化されるよう
になって、光磁気ディスクは超解像度を有するようにな
る。
上下両方側の誘電体膜間にTbFeCoの同様な材質で
各々積層され、該再生膜は常温でも水平磁化されるよう
になって、光磁気ディスクは超解像度を有するようにな
る。
【0011】
【実施例】以下本発明の実施例に対し、図面を用いて詳
細に説明する。図1に示したように、本発明に係る光磁
気ディスクにおいては、基板11と、該基板11上面に
形成され、再生膜13(通常、記録膜と共に希土類遷移
金属系磁性膜にてなる)下面からの不純物ガスの侵入を
遮断して磁性膜の劣化を防止し、光磁気信号を極大化さ
せるため反射性のない第1誘電体膜12と、該第1誘電
体膜12上面に形成され、記録膜14の貯蔵情報を所定
温度で光照射し読み取る再生膜13と、該再生膜13上
面に形成され、該再生膜13の材質と同様な材質を有す
るが、磁気的特性は該再生膜13と異なる記録膜14
と、該記録膜14上面に形成され、該記録膜14上面の
特性劣化を防止し保護する第2誘電体膜15と、該第2
誘電体膜15上面に形成され、照射されるレーザビーム
を基板11側に反射する反射膜16と、を備えて構成さ
れている。
細に説明する。図1に示したように、本発明に係る光磁
気ディスクにおいては、基板11と、該基板11上面に
形成され、再生膜13(通常、記録膜と共に希土類遷移
金属系磁性膜にてなる)下面からの不純物ガスの侵入を
遮断して磁性膜の劣化を防止し、光磁気信号を極大化さ
せるため反射性のない第1誘電体膜12と、該第1誘電
体膜12上面に形成され、記録膜14の貯蔵情報を所定
温度で光照射し読み取る再生膜13と、該再生膜13上
面に形成され、該再生膜13の材質と同様な材質を有す
るが、磁気的特性は該再生膜13と異なる記録膜14
と、該記録膜14上面に形成され、該記録膜14上面の
特性劣化を防止し保護する第2誘電体膜15と、該第2
誘電体膜15上面に形成され、照射されるレーザビーム
を基板11側に反射する反射膜16と、を備えて構成さ
れている。
【0012】そして、このように構成された本発明に係
る光磁気ディスクの製造方法を説明すると次のようであ
る。先ず、例えば、ポリカーボネートの基板上に反射さ
れない第1誘電体膜12を積層する。この場合、第2誘
電体膜12としては、通常、シリコン窒化物(SiN
x)を使用するが、該シリコン窒化物に限定されず、他
の物質を使用することもできる。該シリコン窒化物は、
光の透過率を上昇させるため反射されないSi3 N4 の
形態を使用するが、その理由はシリコン窒化物の標準屈
折率は6328Åの波長で2.03であって、スパッタ
リングの条件によりその組成比が均一に形成されないた
めである。且つ、RFマグネトロンスパッタリングを行
い、これは絶縁体を蒸着するとき効用する方法であっ
て、SiNxを蒸着するためシリコンのターゲットを蒸
着し、所定の圧力及び電源下でアルゴン(Ar)及び窒
素(N2 )ガスを所定比率に調節し、蒸着させて絶縁体
の屈折率を標準屈折率に維持させる。
る光磁気ディスクの製造方法を説明すると次のようであ
る。先ず、例えば、ポリカーボネートの基板上に反射さ
れない第1誘電体膜12を積層する。この場合、第2誘
電体膜12としては、通常、シリコン窒化物(SiN
x)を使用するが、該シリコン窒化物に限定されず、他
の物質を使用することもできる。該シリコン窒化物は、
光の透過率を上昇させるため反射されないSi3 N4 の
形態を使用するが、その理由はシリコン窒化物の標準屈
折率は6328Åの波長で2.03であって、スパッタ
リングの条件によりその組成比が均一に形成されないた
めである。且つ、RFマグネトロンスパッタリングを行
い、これは絶縁体を蒸着するとき効用する方法であっ
て、SiNxを蒸着するためシリコンのターゲットを蒸
着し、所定の圧力及び電源下でアルゴン(Ar)及び窒
素(N2 )ガスを所定比率に調節し、蒸着させて絶縁体
の屈折率を標準屈折率に維持させる。
【0013】通常、光磁気ディスクの記録媒体として使
用する希土類遷移金属合金は、200Å以上の薄い薄膜
面上に垂直の磁化が行われる軸が形成され、情報を垂直
に記録再生するようになっているが、薄膜の圧さが20
0Å以下である場合は、膜面に水平な磁気的性質を維持
しようとする磁気異方性が増大するので、垂直の磁化は
良好に行われない欠点がある。それで、本発明について
は、希土類−遷移金属合金を相互性質の異なる二つの磁
性膜に形成し、それら磁性膜間の磁壁(domain
wall)エネルギーを減少させる調整膜(contr
ol layer)として使用する。即ち相互性質の異
なる二つの磁性膜として再生膜及び記録膜を形成し、該
再生膜が前記の調整膜の役割をしながら前記記録膜とは
交換結合されないようにし、超解像度を実現しようとす
るものである。そこで、希土類−遷移金属の合金膜であ
る例えばTbFeCoのターゲットを利用し、後記する
記録膜14の蒸着速度よりも高い蒸着速度にてTbFe
Coの再生膜13を前記第1誘電体膜12上面に蒸着す
る。この場合、常温でTbFeCoの再生膜13の垂直
磁化の行われる軸が面内に維持されるように、後記する
記録膜14蒸着時の作業圧力及び電力よりも低い電力及
び高い電力にてTbFeCoの再生膜13を蒸着する。
且つ、TbFeCo再生膜13の水平磁化成分はTbF
eCo膜の厚さが100Å以下程度に薄くなるとき発生
する面内磁化とは異なるメカニズムにて形成され、10
0Å以上の厚い厚さを有する場合でも常温で水平磁化が
維持されるように、再生膜のスパッタリング速度を調節
してその再生膜の特性を制御する。
用する希土類遷移金属合金は、200Å以上の薄い薄膜
面上に垂直の磁化が行われる軸が形成され、情報を垂直
に記録再生するようになっているが、薄膜の圧さが20
0Å以下である場合は、膜面に水平な磁気的性質を維持
しようとする磁気異方性が増大するので、垂直の磁化は
良好に行われない欠点がある。それで、本発明について
は、希土類−遷移金属合金を相互性質の異なる二つの磁
性膜に形成し、それら磁性膜間の磁壁(domain
wall)エネルギーを減少させる調整膜(contr
ol layer)として使用する。即ち相互性質の異
なる二つの磁性膜として再生膜及び記録膜を形成し、該
再生膜が前記の調整膜の役割をしながら前記記録膜とは
交換結合されないようにし、超解像度を実現しようとす
るものである。そこで、希土類−遷移金属の合金膜であ
る例えばTbFeCoのターゲットを利用し、後記する
記録膜14の蒸着速度よりも高い蒸着速度にてTbFe
Coの再生膜13を前記第1誘電体膜12上面に蒸着す
る。この場合、常温でTbFeCoの再生膜13の垂直
磁化の行われる軸が面内に維持されるように、後記する
記録膜14蒸着時の作業圧力及び電力よりも低い電力及
び高い電力にてTbFeCoの再生膜13を蒸着する。
且つ、TbFeCo再生膜13の水平磁化成分はTbF
eCo膜の厚さが100Å以下程度に薄くなるとき発生
する面内磁化とは異なるメカニズムにて形成され、10
0Å以上の厚い厚さを有する場合でも常温で水平磁化が
維持されるように、再生膜のスパッタリング速度を調節
してその再生膜の特性を制御する。
【0014】その後、TbFeCoのターゲットを利用
しマグネトロン方式により記録膜が垂直磁化を有するよ
うに、前記再生膜13上面に該再生膜13の蒸着速度よ
りも低い蒸着速度にてTbFeCoの記録膜14を蒸着
する。次いで、該記録膜14上面に、SiNxの第2誘
電体膜15を所定厚さに蒸着し、その後、該第2誘電体
膜15上面にアルミニウムAl又はアルミニウム系合金
の反射膜16をコーティングして、光磁気ディスクの成
層工程を終了する。
しマグネトロン方式により記録膜が垂直磁化を有するよ
うに、前記再生膜13上面に該再生膜13の蒸着速度よ
りも低い蒸着速度にてTbFeCoの記録膜14を蒸着
する。次いで、該記録膜14上面に、SiNxの第2誘
電体膜15を所定厚さに蒸着し、その後、該第2誘電体
膜15上面にアルミニウムAl又はアルミニウム系合金
の反射膜16をコーティングして、光磁気ディスクの成
層工程を終了する。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光磁
気ディスク及びその製造方法においては、TbFeCo
系合金の再生膜及び記録膜を上下両方側の誘電体膜間に
積層して光磁気ディスクを構成しているため、記録膜の
貯蔵情報を低いリードパワー(read power)
にて再生し得る効果がある。且つ、テルビウムTb系合
金の垂直磁気異方性エネルギーは高温でGd系合金の垂
直磁気異方性エネルギーよりも大きいので、リードパワ
ーのCNRを増加させ、一つのターゲットを利用して再
生膜及び記録膜を積層し、光磁気ディスクの製造工程を
簡単化して原価を減少し得る効果がある。
気ディスク及びその製造方法においては、TbFeCo
系合金の再生膜及び記録膜を上下両方側の誘電体膜間に
積層して光磁気ディスクを構成しているため、記録膜の
貯蔵情報を低いリードパワー(read power)
にて再生し得る効果がある。且つ、テルビウムTb系合
金の垂直磁気異方性エネルギーは高温でGd系合金の垂
直磁気異方性エネルギーよりも大きいので、リードパワ
ーのCNRを増加させ、一つのターゲットを利用して再
生膜及び記録膜を積層し、光磁気ディスクの製造工程を
簡単化して原価を減少し得る効果がある。
【図1】本発明に係る光磁気ディスクの構造を示した断
面図である。
面図である。
【図2】従来光磁気ディスクの超解像度判読法説明図で
ある。
ある。
11…基板 12…第1誘電体膜 13…再生膜 14…記録膜 15…第2誘電体膜 16…反射膜
Claims (6)
- 【請求項1】 光磁気ディスクであって、 基板と、該基板上面に形成され再生膜の特性劣化を防止
する第1誘電体膜と、 該第1誘電体膜上面に形成され記録膜の貯蔵情報を再生
する再生膜と、 該再生膜上面に形成され情報を記録する記録膜と、 該記録膜上面に形成され該記録膜の特性劣化を防止する
第2誘電体膜と、 該第2誘電体膜上面に形成され、照射されるレーザビー
ムを前記基板側に反射する反射膜と、を備えてなる光磁
気ディスク。 - 【請求項2】 前記記録膜及び再生膜は、TbFeCo
系合金を積層してなる請求項1記載の光磁気ディスク。 - 【請求項3】 前記再生膜は、常温で該再生膜の垂直磁
化の行われる軸が面内に維持されるようになる請求項1
及び2記載の光磁気ディスク。 - 【請求項4】 光磁気ディスクの製造方法であって、 基板上面に第1誘電体膜を積層する段階と、該第1誘電
体膜上面に再生膜を積層する段階と、該再生膜上面に該
再生膜の材質と同様な材質の記録膜を積層する段階と、
該記録膜上面に第2誘電体膜を積層する段階と、該第2
誘電体膜上面に反対膜を積層する段階と、を順次行う光
磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項5】 前記記録膜及び再生膜は、材質の同様な
TbFeCoのターゲットを利用し、スパッタリングに
より積層される請求項4記載の光磁気ディスクの製造方
法。 - 【請求項6】 前記再生膜は、前記記録膜の蒸着速度よ
りも高い蒸着速度にてスパッタリングされる請求項4記
載の光磁気ディスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028102A KR950020429A (ko) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 광자기 디스크 및 그 제조 방법 |
| KR28102/1993 | 1993-12-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201089A true JPH07201089A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=19371324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6313067A Pending JPH07201089A (ja) | 1993-12-16 | 1994-12-16 | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201089A (ja) |
| KR (1) | KR950020429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5771211A (en) * | 1995-04-26 | 1998-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording media having a reading layer with a specified range of temperature coefficients of a kerr rotation angle |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644624A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH06124500A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-05-06 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体の再生方法 |
-
1993
- 1993-12-16 KR KR1019930028102A patent/KR950020429A/ko not_active Ceased
-
1994
- 1994-12-16 JP JP6313067A patent/JPH07201089A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644624A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH06124500A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-05-06 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体の再生方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5771211A (en) * | 1995-04-26 | 1998-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording media having a reading layer with a specified range of temperature coefficients of a kerr rotation angle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950020429A (ko) | 1995-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |