JPH0644657B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH0644657B2 JPH0644657B2 JP60067188A JP6718885A JPH0644657B2 JP H0644657 B2 JPH0644657 B2 JP H0644657B2 JP 60067188 A JP60067188 A JP 60067188A JP 6718885 A JP6718885 A JP 6718885A JP H0644657 B2 JPH0644657 B2 JP H0644657B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- servo
- photodetector
- semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。
Ａ．産業上の利用分野 Ｂ．発明の概要 Ｃ．従来技術 Ｄ．発明が解決しようとする問題点 Ｅ．問題点を解決するための手段 Ｆ．作用 Ｇ．実施例［第１図、第２図］ Ｈ．発明の効果 （Ａ．産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザ装置、特に半導体レーザ素子と該
半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを反射し
その向きを半導体基板表面に対して略垂直にする反射面
とを有する半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを反射し
その向きを半導体基板表面に対して略垂直にする反射面
とを有する半導体レーザ装置に関する。
（Ｂ．発明の概要） 本発明は、半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から
出射されたレーザビームを反射しその向きを半導体基板
表面に対して略垂直にする反射面とを有する半導体レー
ザ装置において、反射面のまわりにサーボ用フォトデテ
クタを構成するフォトダイオード素子を配置することに
より半導体レーザ装置を光学式ヘッドの光源としてのみ
ならずサーボ用フォトデテクタとしても機能するように
し、且つ高精度のサーボ制御を行い得るようにしようと
するものである。
出射されたレーザビームを反射しその向きを半導体基板
表面に対して略垂直にする反射面とを有する半導体レー
ザ装置において、反射面のまわりにサーボ用フォトデテ
クタを構成するフォトダイオード素子を配置することに
より半導体レーザ装置を光学式ヘッドの光源としてのみ
ならずサーボ用フォトデテクタとしても機能するように
し、且つ高精度のサーボ制御を行い得るようにしようと
するものである。
（Ｃ．従来技術） 半導体レーザ装置として半導体基板に半導体レーザ素子
を形成し、更に半導体基板に該半導体レーザ素子からの
レーザービームを反射する反射面を設け、半導体基板表
面と略垂直方向にレーザビームが出射されるようにした
ものがある。このような半導体レーザ装置は、ステム表
面にペレットボンディングした場合レーザビームがステ
ム表面から略垂直方向に出射されるようにすることがで
き、光学式記録装置、光学式再生装置あるいは光学式記
録再生装置の光学式ヘッド（ピックアップ）に使用する
のに適している。
を形成し、更に半導体基板に該半導体レーザ素子からの
レーザービームを反射する反射面を設け、半導体基板表
面と略垂直方向にレーザビームが出射されるようにした
ものがある。このような半導体レーザ装置は、ステム表
面にペレットボンディングした場合レーザビームがステ
ム表面から略垂直方向に出射されるようにすることがで
き、光学式記録装置、光学式再生装置あるいは光学式記
録再生装置の光学式ヘッド（ピックアップ）に使用する
のに適している。
また、半導体レーザ素子からのレーザビームを反射面に
て反射するようにした半導体レーザ装置に光検出器を設
け、半導体レーザ装置を光源としてのみならず光検出器
としても機能するようにする技術が例えば実開昭５８−
１６２６６０号公報により紹介されている。このような
半導体レーザ装置を光学式ヘッドの一部として用いれ
ば、半導体レーザ装置とは別個にサーボ用フォトデテク
タを設けることが必要でなくなり、光学式ヘッドの小型
化を図ることができる。
て反射するようにした半導体レーザ装置に光検出器を設
け、半導体レーザ装置を光源としてのみならず光検出器
としても機能するようにする技術が例えば実開昭５８−
１６２６６０号公報により紹介されている。このような
半導体レーザ装置を光学式ヘッドの一部として用いれ
ば、半導体レーザ装置とは別個にサーボ用フォトデテク
タを設けることが必要でなくなり、光学式ヘッドの小型
化を図ることができる。
（Ｄ．発明が解決しようとする問題点） ところで、上記実開昭５８−１６２６６０号公報に記載
された半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子か
ら出射され反射面にて反射されたレーザビームの光軸の
位置と、光検出部の中心位置とがずれており、そのた
め、例えばフォーカスサーボ等を行う場合、高精度のフ
ォーカスサーボエラー信号が得られないという問題点が
ある。
された半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子か
ら出射され反射面にて反射されたレーザビームの光軸の
位置と、光検出部の中心位置とがずれており、そのた
め、例えばフォーカスサーボ等を行う場合、高精度のフ
ォーカスサーボエラー信号が得られないという問題点が
ある。
本発明はこの問題点を解決すべく為されたもので、半導
体レーザ装置を光学式ヘッドの光源としてのみならずサ
ーボ用フォトデテクタとしても機能するようにし、且
つ、高精度のサーボ制御を行い得るようにするものであ
る。
体レーザ装置を光学式ヘッドの光源としてのみならずサ
ーボ用フォトデテクタとしても機能するようにし、且
つ、高精度のサーボ制御を行い得るようにするものであ
る。
（Ｅ．問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するため本発明半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導
体基板表面に対して略垂直になるように反射する反射面
の周囲にサーボ用フォトデテクタを構成する複数に分割
されたフォトダイオード素子を配置してなることを特徴
とするものである。
半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導
体基板表面に対して略垂直になるように反射する反射面
の周囲にサーボ用フォトデテクタを構成する複数に分割
されたフォトダイオード素子を配置してなることを特徴
とするものである。
（Ｆ．作用） 本発明半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子か
ら出射され反射面にて反射され光学式記録媒体に照射さ
れたレーザビームの帰還ビームをサーボ用フォトデテク
タを構成するフォトダイオード素子にて検知することが
できる。そして、上記反射面の周囲にサーボ用フォトデ
テクタを構成するフォトダイオード素子が配置されてい
るので、反射面にて反射されたレーザビームの光軸がそ
のままサーボ用フォトデテクタの中心となる。従って、
フォーカスサーボ等のサーボを正確に行うことが可能と
なる。
ら出射され反射面にて反射され光学式記録媒体に照射さ
れたレーザビームの帰還ビームをサーボ用フォトデテク
タを構成するフォトダイオード素子にて検知することが
できる。そして、上記反射面の周囲にサーボ用フォトデ
テクタを構成するフォトダイオード素子が配置されてい
るので、反射面にて反射されたレーザビームの光軸がそ
のままサーボ用フォトデテクタの中心となる。従って、
フォーカスサーボ等のサーボを正確に行うことが可能と
なる。
（Ｇ．実施例）［第１図、第２図］ 以下に、本発明半導体レーザ装置を添附図面に示した実
施例に従って説明する。
施例に従って説明する。
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置の実施の一
例を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図の２
−２線に沿う断面図である。
例を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図の２
−２線に沿う断面図である。
図面において、１は半導体基板、２は傾斜した反射面で
半導体基板１の略中央部に形成されており、この傾斜し
た反射面は結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エッチ
ングにより形成され、半導体基板１表面に対して略４５
°の傾斜角度を有している。３は反射面２の下端部とＶ
状溝４を介して連なるレーザ素子固着面で、半導体基板
１表面と平行に反射面２から遠去かる方向に延びてい
る。５は該レーザ素子固着面３の反射面２側の領域に形
成された半田層で、該半田層５上に半導体レーザ素子６
がボンディングされている。７はその半導体レーザ素子
６の活性層である。該半導体レーザ素子６はそのレーザ
ビーム出射端面８が反射面２側を向くような向きでボン
ディングされる。レーザ素子固着面３の半導体レーザ素
子ボンディング部の後側（即ち、モニター用レーザビー
ム出射端面９側）にはモニター用レーザビームを受光す
るＡＰＣ用フォトダイオード素子１０が形成されてい
る。１１はサーボ用４分割フォトデテクタで、４つのフ
ォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄか
らなる。この４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２
ｂ、１２ｃ、１２ｄは反射面２のまわりに形成されてお
り、従って、該サーボ用フォトデテクタ１１の中心は半
導体レーザ素子６からのレーザビームを反射する反射面
２上に位置している。該サーボ用４分割フォトデテクタ
１１は例えば非点収差法によるフォーカス誤差検出を行
うことができる。即ち、半導体レーザ素子６から出射さ
れ反射面２にて反射され図示しないレーザディスクに照
射されたレーザビームは、レーザディスクにて反射され
て半導体レーザ装置側に帰還する。そして、この帰還し
たレーザビームの半導体レーザ装置表面上における断面
形状は焦点が合っているか否かによって変化し、焦点が
合っているときは真円になり、焦点が合っていないとき
は楕円になる。そして、焦点が合っていない場合におい
て焦点が近すぎるときと遠すぎるときとで１３ａ，１３
ｂに示すように楕円の長径の向きが異なる。そこで、互
い対角線上に位置するフォトダイオード素子の検出信号
の和を一組求め、その一組の和の間の差を求めることに
よりフォーカスエラーの内容（前ピンか後ピンか）と、
ピントのずれ量を検出することができる。
半導体基板１の略中央部に形成されており、この傾斜し
た反射面は結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エッチ
ングにより形成され、半導体基板１表面に対して略４５
°の傾斜角度を有している。３は反射面２の下端部とＶ
状溝４を介して連なるレーザ素子固着面で、半導体基板
１表面と平行に反射面２から遠去かる方向に延びてい
る。５は該レーザ素子固着面３の反射面２側の領域に形
成された半田層で、該半田層５上に半導体レーザ素子６
がボンディングされている。７はその半導体レーザ素子
６の活性層である。該半導体レーザ素子６はそのレーザ
ビーム出射端面８が反射面２側を向くような向きでボン
ディングされる。レーザ素子固着面３の半導体レーザ素
子ボンディング部の後側（即ち、モニター用レーザビー
ム出射端面９側）にはモニター用レーザビームを受光す
るＡＰＣ用フォトダイオード素子１０が形成されてい
る。１１はサーボ用４分割フォトデテクタで、４つのフ
ォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄか
らなる。この４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２
ｂ、１２ｃ、１２ｄは反射面２のまわりに形成されてお
り、従って、該サーボ用フォトデテクタ１１の中心は半
導体レーザ素子６からのレーザビームを反射する反射面
２上に位置している。該サーボ用４分割フォトデテクタ
１１は例えば非点収差法によるフォーカス誤差検出を行
うことができる。即ち、半導体レーザ素子６から出射さ
れ反射面２にて反射され図示しないレーザディスクに照
射されたレーザビームは、レーザディスクにて反射され
て半導体レーザ装置側に帰還する。そして、この帰還し
たレーザビームの半導体レーザ装置表面上における断面
形状は焦点が合っているか否かによって変化し、焦点が
合っているときは真円になり、焦点が合っていないとき
は楕円になる。そして、焦点が合っていない場合におい
て焦点が近すぎるときと遠すぎるときとで１３ａ，１３
ｂに示すように楕円の長径の向きが異なる。そこで、互
い対角線上に位置するフォトダイオード素子の検出信号
の和を一組求め、その一組の和の間の差を求めることに
よりフォーカスエラーの内容（前ピンか後ピンか）と、
ピントのずれ量を検出することができる。
１４は信号プレセッサとして機能するＩＣがフェイスダ
ウンボンディングされる信号プロセッサ領域、１５はＡ
ＰＣ用ＩＣがフェイスダウンボンディングされるＡＰＣ
領域である。
ウンボンディングされる信号プロセッサ領域、１５はＡ
ＰＣ用ＩＣがフェイスダウンボンディングされるＡＰＣ
領域である。
このような半導体レーザ装置によれば、光学式ヘッドの
光源として機能するだけでなくサーボ用フォトデテクタ
としても機能する。従って、光学式ヘッドに半導体レー
ザ装置のほかに別個にサーボ用フォトデテクタを設ける
必要がなくなる。
光源として機能するだけでなくサーボ用フォトデテクタ
としても機能する。従って、光学式ヘッドに半導体レー
ザ装置のほかに別個にサーボ用フォトデテクタを設ける
必要がなくなる。
そして、反射面２のまわりにサーボ用フォトデテクタ１
１を構成するフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１
２ｃ、１２ｄが配置され、反射面２にて反射されたレー
ザビームの光軸がそのままサーボ用フォトデテクタ１１
の中心となるので、サーボを正確に行なうことができ
る。
１を構成するフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１
２ｃ、１２ｄが配置され、反射面２にて反射されたレー
ザビームの光軸がそのままサーボ用フォトデテクタ１１
の中心となるので、サーボを正確に行なうことができ
る。
（Ｈ．発明の効果） 以上に述べたように、本発明半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子から出射され反射面にて反射され
光学式記録媒体に照射されたレーザビームの帰還ビーム
をサーボ用フォトデテクタを構成する複数に分割された
フォトダイオード素子にて検知することができる。そし
て、上記反射面の周囲にサーボ用フォトデテクタを構成
するフォトダイオード素子が配置されているので、反射
面にて反射されたレーザビームの光軸の半導体レーザ装
置表面上における位置とサーボ用フォトデテクタの中心
とが略一致する。従って、サーボ等を正確に行うことが
可能となる。
ば、半導体レーザ素子から出射され反射面にて反射され
光学式記録媒体に照射されたレーザビームの帰還ビーム
をサーボ用フォトデテクタを構成する複数に分割された
フォトダイオード素子にて検知することができる。そし
て、上記反射面の周囲にサーボ用フォトデテクタを構成
するフォトダイオード素子が配置されているので、反射
面にて反射されたレーザビームの光軸の半導体レーザ装
置表面上における位置とサーボ用フォトデテクタの中心
とが略一致する。従って、サーボ等を正確に行うことが
可能となる。
図面は本発明半導体レーザ装置の実施の一例を示すもの
で、第１図は平面図、第２図は第１図の２−２線に沿う
断面図である。 符号の説明 １……半導体基板、２……反射面、 ６……半導体レーザ素子、 １１……サーボ用フォトデテクタ、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ……フォトダイオード
素子
で、第１図は平面図、第２図は第１図の２−２線に沿う
断面図である。 符号の説明 １……半導体基板、２……反射面、 ６……半導体レーザ素子、 １１……サーボ用フォトデテクタ、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ……フォトダイオード
素子
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の一部に半導体レーザ素子が設
けられ、 半導体基板の上記半導体レーザ素子と近接した位置に該
半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導
体基板表面と垂直となるように反射する傾斜面が形成さ
れ、 該傾斜面の周囲にサーボ用フォトデテクタを構成する複
数に分割されたフォトダイオード素子が設けられ、 てなることを特徴とする半導体レーザ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067188A JPH0644657B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067188A JPH0644657B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225886A JPS61225886A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0644657B2 true JPH0644657B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=13337671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60067188A Expired - Lifetime JPH0644657B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644657B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906839A (en) * | 1986-05-01 | 1990-03-06 | Pencom International Corp. | Hybrid surface emitting laser and detector |
| JPS6427289A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139789A (en) * | 1975-05-29 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Photo-electric conversion semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60067188A patent/JPH0644657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61225886A (ja) | 1986-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |