JPH0645295A - Laser treatment - Google Patents
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- JPH0645295A JPH0645295A JP4195237A JP19523792A JPH0645295A JP H0645295 A JPH0645295 A JP H0645295A JP 4195237 A JP4195237 A JP 4195237A JP 19523792 A JP19523792 A JP 19523792A JP H0645295 A JPH0645295 A JP H0645295A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面からではレーザの直接照射による加工が
施せない部位について、レーザ加工による加工を可能と
するレーザ加工法を提供することにあり、また被加工物
への熱損傷を低減し得るレーザ加工法を提供することに
ある。
【構成】 第１のレーザビーム(1)の照射によって形成
された海峡(3)状エッチング部の内側面(4)の１つに、レ
ーザＣＶＤ法による金属膜(5)を形成し、第２のレーザ
ビーム(6)をこの金属膜(5)に照射することにより、この
金属膜(5)でこのレーザビーム(6)を反射させ、表面から
直視できない部分のエッチングを行う。
(57) [Abstract] [Purpose] It is to provide a laser processing method that enables processing by laser processing on a portion that cannot be processed by direct laser irradiation from the surface, and also heat damage to the work piece. It is to provide a laser processing method capable of reducing the noise. [Structure] A metal film (5) is formed by a laser CVD method on one of the inner side surfaces (4) of the strait (3) -shaped etching portion formed by the irradiation of the first laser beam (1), and the second By irradiating the metal film (5) with this laser beam (6), the laser beam (6) is reflected by the metal film (5) to etch a portion that cannot be seen directly from the surface.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームによって
形状等を加工するレーザ加工法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method for processing a shape or the like with a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】微細な加工を必要とする分野、例えば半
導体製造分野等にあっては通常の微細加工技術として、
主にフォトレジストを使用する所謂フォトリソグラフィ
技術が採用されている。ところが、近年の加工精度の微
細化あるいはプロセスのドライ化はエネルギービームを
使用するレーザ加工技術の発展を促すに至った。2. Description of the Related Art In fields requiring fine processing, for example, in the field of semiconductor manufacturing, as a normal fine processing technology,
A so-called photolithography technique mainly using a photoresist is adopted. However, recent miniaturization of processing accuracy or dry process has promoted the development of laser processing technology using an energy beam.
【０００３】図４は、レーザ加工技術を利用した一例を
示す光起電力素子の構造図である。同図は薄膜半導体を
光電変換層として使用する光起電力素子で、図中の(41)
は透光性基板、(42)は透光性基板(41)の表面に一定間隔
で離間配置された透明導電膜、(43)は各透明導電膜(42)
上に重畳被着された非晶質シリコン膜、(44)は各非晶質
シリコン膜上に重畳被着され、且つ各右隣りの透明導電
膜(42)に部分的に重畳した裏面電極膜である。FIG. 4 is a structural diagram of a photovoltaic element showing an example using a laser processing technique. The figure shows a photovoltaic element that uses a thin-film semiconductor as a photoelectric conversion layer.
Is a transparent substrate, (42) is a transparent conductive film which is arranged on the surface of the transparent substrate (41) at regular intervals, and (43) is each transparent conductive film (42).
Amorphous silicon film overlaid on top of each other, (44) is overlaid on each amorphous silicon film, and is a back electrode film partially overlaid on the transparent conductive film (42) on the right of each. Is.
【０００４】斯る構造による光起電力素子では、各光電
変換領域(45)(45)…間の光電変換に寄与しない無効領域
（図中のＮＯＮ）をできるだけ少なくする必要があるこ
とから、各膜のパターン精度を向上させ、これら無効領
域となる部分の間隙を小さくする必要がある。In the photovoltaic device having such a structure, it is necessary to minimize the ineffective region (NON in the figure) that does not contribute to the photoelectric conversion between the photoelectric conversion regions (45) (45). It is necessary to improve the pattern accuracy of the film and reduce the gap between these invalid regions.
【０００５】そこで、従来、透明導電膜(42)から裏面電
極膜(44)に至る全ての膜をレーザビームによるエッチン
グ除去により、微細で且つドライな加工を行っている。
例えば光電変換層である非晶質シリコン膜(43)を加工す
る場合にあっては図中の矢印で示す位置に、裏面電極膜
(44)を形成するに先立ってレーザビーム(46)(46)…を照
射することにより斯る部分の非晶質シリコン膜(43)をエ
ッチング除去することによってパターニングが行われ
る。Therefore, conventionally, all the films from the transparent conductive film (42) to the back electrode film (44) are removed by etching with a laser beam to perform fine and dry processing.
For example, when processing the amorphous silicon film (43) which is the photoelectric conversion layer, the back electrode film is formed at the position shown by the arrow in the figure.
Prior to forming the (44), the amorphous silicon film (43) in such a portion is etched away by irradiating the laser beams (46) (46) ..., thereby performing patterning.
【０００６】斯るレーザ加工法については、例えば特開
昭６１−２１０６８３号に詳細に記載されている。Such a laser processing method is described in detail, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 61-210683.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、従来例光起
電力素子の加工方法で分かるように、通常レーザビーム
は、被加工物、上記光起電力素子の場合にあっては透明
導電膜(42)から裏面電極膜(44)、の各膜の表面側からの
直接照射により加工を施すものである。However, as can be seen from the conventional method of processing a photovoltaic element, the laser beam is usually a work piece, and in the case of the photovoltaic element, a transparent conductive film (42 ) To the back electrode film (44), the processing is performed by direct irradiation from the front surface side of each film.
【０００８】従って、レーザビームが直接照射できない
部位にあっては、斯様なレーザによる加工を行うことが
できず、ウエットプロセス等による加工を用いなければ
ならない。Therefore, in a portion where the laser beam cannot be directly irradiated, such laser processing cannot be performed, and processing by a wet process or the like must be used.
【０００９】また、従来のレーザ照射によれば被加工物
に直接レーザビームを照射することから、レーザ照射
時、被加工物は熱損傷を必然的に受けることとなり、耐
熱性に乏しい材料にはこの様なレーザ照射による加工が
利用できない欠点があった。Further, according to the conventional laser irradiation, since the laser beam is directly applied to the work piece, the work piece is inevitably damaged by heat during the laser irradiation, which is suitable for a material having poor heat resistance. There is a drawback that such processing by laser irradiation cannot be used.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明レーザ加工法の特
徴とするところは、被加工物に第１のレーザビームを照
射することによりエッチング除去し、その形状が断面を
Ｖ字形とする２つの内側面からなる海峡状とする工程
と、その一方の内側面にレーザＣＶＤ法により高反射金
属膜を形成する工程と、第２のレーザビームを上記高反
射金属膜に照射することによりこのレーザビームを反射
させ、他方の内側面をエッチング除去する工程と、から
成ることにあり、また本発明レーザ加工法の特徴は、被
加工物の表面に対して微小な間隙を保ってレーザービー
ムを照射すると共に、反応性ガスを上記レーザビームに
交わるように上記表面に吹き付けることにより、その表
面をエッチングすることにある。A feature of the laser processing method of the present invention is that it is etched and removed by irradiating a workpiece with a first laser beam, and its shape is V-shaped in cross section. A step of forming a strait on the inner surface, a step of forming a highly reflective metal film on one of the inner surfaces by a laser CVD method, and a step of irradiating the highly reflective metal film with a second laser beam. And the other inner surface is etched away. The laser processing method of the present invention is characterized in that a laser beam is applied to the surface of a workpiece while maintaining a minute gap. At the same time, the surface is etched by spraying a reactive gas onto the surface so as to intersect with the laser beam.
【００１１】[0011]
【作用】本発明レーザ加工法では、まず第１のレーザビ
ームを被加工物に照射することで、そのエッチング形状
が断面がＶ字形でその内部が２つの内側面から成る海峡
状に加工される。そして、次にその内側面の一方にレー
ザＣＶＤ法によって反射率の高い金属膜を形成し、その
金属膜に第２のレーザビームを照射することによりレー
ザビームをその金属膜で反射させ他方の内側面に照射さ
せる。これによりそのレーザビームはその内側面から被
加工物をエッチング除去することができることとなる。According to the laser processing method of the present invention, the workpiece is first irradiated with the first laser beam, so that the etching shape thereof is V-shaped in cross section and the inside thereof is processed into a strait shape having two inner side surfaces. . Then, next, a metal film having a high reflectance is formed on one of the inner side surfaces by a laser CVD method, and the metal film is irradiated with a second laser beam so that the laser beam is reflected by the metal film and the other side is irradiated. Irradiate to the side. As a result, the laser beam can etch away the workpiece from its inner surface.
【００１２】従って、従来のレーザ加工法によればレー
ザビームを直接照射することができなかったような部位
であっても、本発明レーザ加工法によれば高反射金属膜
で被覆された一方の内側面を反射板として利用すること
により、エッチング除去したい部分にまでレーザビーム
を導くことが可能となる。Therefore, even if the laser beam cannot be directly irradiated by the conventional laser processing method, according to the laser processing method of the present invention, one of the portions coated with the highly reflective metal film can be used. By using the inner surface as a reflector, it is possible to guide the laser beam to the portion to be removed by etching.
【００１３】また、本発明レーザ加工法にあっては、被
加工物の表面に対して微小な間隙を保って照射されてい
るレーザビームに、反応性ガスをこのレーザビームと交
わるようにしてその被加工物の表面に吹き付ける。これ
により、その反応性ガスはレーザビームの個所を通過す
る際にレーザのエネルギーにより分解され、活性種を含
んだガスとなる。Further, in the laser processing method of the present invention, the reactive gas is made to intersect with the laser beam applied to the surface of the object to be processed with a minute gap maintained. Spray on the surface of the work piece. As a result, the reactive gas is decomposed by the energy of the laser when passing through the location of the laser beam, and becomes a gas containing active species.
【００１４】そして、この活性種の含んだガスは、被加
工物の表面に至るとその被加工物と反応し、エッチング
することとなる。When the gas containing the active species reaches the surface of the workpiece, it reacts with the workpiece and etches it.
【００１５】特に、前記本発明レーザ加工法では、被加
工物の表面にレーザビームを直接照射するものではな
く、反応性ガスの活性種によりエッチングするものであ
ることから、従来の被加工物への熱損傷を効果的に抑圧
することとができる。In particular, in the laser processing method of the present invention, the surface of the workpiece is not directly irradiated with the laser beam but is etched by the active species of the reactive gas. It is possible to effectively suppress the heat damage of the.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は、本発明レーザ加工法の第１の実施例
を説明するための加速度センサの製造工程図であり、こ
れには本発明加工法を適用する工程についてのみ示して
ある。また、図２は、図１の工程での各要部拡大断面図
を示してあり、同じ材料とする部分については、図１と
同一符号を付している。1 is a manufacturing process diagram of an acceleration sensor for explaining a first embodiment of a laser processing method according to the present invention, in which only steps for applying the processing method according to the present invention are shown. 2 shows an enlarged cross-sectional view of each main part in the process of FIG. 1, and parts made of the same material are given the same reference numerals as those in FIG.
【００１７】図１（ａ）に示す第１工程では、第１のレ
ーザビーム(1)を、加速度センサの母材でシリコンから
成る被加工物(2)に照射することにより、海峡状のエッ
チング形状を形成する。図中のＡ−Ａ’部の断面状態を
示したのが図２（ａ）である。この図で示されるように
第１のレーザビームの照射により、エッチング形状はそ
の断面をＶ字形の海峡状となるようにし、またこの海峡
(3)は傾斜面となった二つの内側面(4)によって構成され
ている。In the first step shown in FIG. 1A, the first laser beam (1) is applied to the workpiece (2) made of silicon by the base material of the acceleration sensor, so that the strait-shaped etching is performed. Form a shape. FIG. 2A shows the cross-sectional state of the AA 'part in the figure. As shown in this figure, the first laser beam irradiation causes the etching shape to have a V-shaped strait cross section, and this strait
(3) is composed of two inclined inner surfaces (4).
【００１８】本工程では、表面に露出した部分にレーザ
ビームを照射するものであることから、従来のレーザ加
工と同様の方法で行うことができる。また、このレーザ
照射は一度の照射によって所望のエッチング形状を形作
るだけではなく、複数回の照射により、上記エッチング
形状を形成してもよい。In this step, since the laser beam is applied to the exposed portion on the surface, it can be performed by the same method as the conventional laser processing. Further, this laser irradiation may form not only a desired etching shape by irradiation once, but also the above-mentioned etching shape may be formed by irradiation a plurality of times.
【００１９】斯る工程での代表的なレーザ照射強度とし
ては、被加工物をシリコンとした場合では１×１０6〜
１×１０7Ｗ／ｃｍ2が好適である。As a typical laser irradiation intensity in such a process, when the workpiece is silicon, 1 × 10 6 to
1 × 10 7 W / cm 2 is preferable.
【００２０】次に図１（ｂ）に示す第２工程では、一方
の内側面にレーザＣＶＤ法によって高反射金属膜(5)を
形成する。この高反射金属膜(5)は、後工程において、
その表面でレーザビームを反射させることにより、その
レーザビームをエッチング除去しようとする部位にまで
導く働きを担うものである。Next, in a second step shown in FIG. 1B, a highly reflective metal film (5) is formed on one inner side surface by a laser CVD method. This highly reflective metal film (5) has a
By reflecting the laser beam on the surface, it plays a role of guiding the laser beam to a portion to be removed by etching.
【００２１】同図中のＢ−Ｂ’部の断面状態を示したも
のが図２（ｂ）であり、図示の如く一方の内側面(4)に
は金属膜(5)が形成されている。但し、この金属膜(5)は
この内側面全面が覆われるように形成する必要はなく、
少なくとも後工程における第２のレーザビームの照射に
必要な部分にのみ形成すればよい。尚、本実施例で使用
した金属膜はアルミニューム膜で、この他にチタンや銀
などの高反射金属膜を使用することができる。FIG. 2 (b) shows a cross-sectional state of the BB 'portion in the figure, and a metal film (5) is formed on one inner side surface (4) as shown in the figure. . However, this metal film (5) does not need to be formed so as to cover the entire inner surface,
It suffices to form it only in at least a portion required for the irradiation of the second laser beam in the subsequent step. The metal film used in this embodiment is an aluminum film, and a high reflection metal film such as titanium or silver can be used in addition to this.
【００２２】このレーザＣＶＤ法としては種々の方法が
あるが、例えばアルゴンレーザをレーザとして使用する
場合にあっては、１０〜３００ｍＷの強度の照射下で、
Ａｌ膜としては原料ガスとしてＡｌ（ＣＨ3）3やＡｌ
（Ｃ4Ｈ9）3ガスを、チタン膜としてはＴｉＣｌ4とＨ2
の混合ガスを、さらには銀膜としてはＡｇＣＦ3ＳＯ3ガ
スをそれぞれ使用することによって形成することができ
る。There are various methods for this laser CVD method. For example, when an argon laser is used as a laser, it is irradiated with an intensity of 10 to 300 mW.
As the Al film, Al (CH 3 ) 3 or Al is used as a source gas.
(C 4 H 9 ) 3 gas is used as TiCl 4 and H 2 for the titanium film.
Can be formed by using AgCF 3 SO 3 gas as the mixed gas.
【００２３】次に図１（ｃ）に示す第３工程では、第２
のレーザビーム(6)を上記金属膜(5)に照射することによ
ってこのレーザビーム(6)を反射させ、他方の内側面(4)
を照射させる。これにより、被加工物(2)の表面(7)に何
ら影響を与えることなく、被加工物の内部をエッチング
除去することができることとなる。同図中のＣ−Ｃ’部
の断面状態を示したものが図２（ｃ）であり、図示の如
く第２レーザビームの照射によって被加工物(2)の内部
はエッチングされ、空洞化される。本実施例レーザ加工
法によれば、その空洞を数μｍのオーダーで形成するこ
とができる。Next, in the third step shown in FIG.
By irradiating the metal film (5) with the laser beam (6), the laser beam (6) is reflected and the other inner surface (4)
To irradiate. As a result, the inside of the workpiece can be removed by etching without affecting the surface (7) of the workpiece (2). FIG. 2C shows a cross-sectional state of the CC ′ part in the figure, and as shown in the figure, the inside of the workpiece (2) is etched and hollowed by the irradiation of the second laser beam. It According to the laser processing method of this embodiment, the cavity can be formed on the order of several μm.
【００２４】次に、本発明レーザ加工法の第２の実施例
を説明する。図３は、前記レーザ加工法を説明する工程
概念図である。この工程では、まずレーザビーム(31)を
被加工物(32)に対して、その被加工物から１μｍ〜数１
０μｍの間隙を保って照射する。そして、斯る状態で、
反応性ガス(33)をそのレーザビームと交わるようにしつ
つ、その被加工物(32)の表面に吹き付ける。本発明実施
例では、この反応性ガス(33)として塩素系ガスを使用し
たが、反応性ガス(33)はレーザビーム(31)を横切る際に
分解され、そのガス中には活性種が生成されることとな
る。これにより、レーザビーム(31)を通過した反応性ガ
ス(33)が被加工物(32)の表面に至ると、その活性種がそ
の表面と反応しエッチングすることとなる。Next, a second embodiment of the laser processing method of the present invention will be described. FIG. 3 is a process conceptual diagram for explaining the laser processing method. In this step, first, the laser beam (31) is applied to the work piece (32) from the work piece 1 μm to several 1
Irradiation is performed while maintaining a gap of 0 μm. And in such a state,
The reactive gas (33) is sprayed onto the surface of the workpiece (32) while intersecting the laser beam. In the example of the present invention, a chlorine-based gas was used as the reactive gas (33), but the reactive gas (33) was decomposed when it crossed the laser beam (31), and active species were generated in the gas. Will be done. As a result, when the reactive gas (33) that has passed through the laser beam (31) reaches the surface of the workpiece (32), its active species react with the surface and etch.
【００２５】本発明で使用するレーザビームとしては、
紫外領域の波長からなるレーザビーム、例えばエキシマ
レーザなどがある。As the laser beam used in the present invention,
There is a laser beam having a wavelength in the ultraviolet region, such as an excimer laser.
【００２６】次に、本発明レーザ加工法を従来例レーザ
加工法の説明で使用した光起電力素子（図４）の非晶質
シリコン膜(43)のパターニングに使用した場合について
検討した。それによると、従来のレーザビーム（ＹＡＧ
レーザ）を被加工物である非晶質シリコンに直接照射し
た場合、光起電力素子の特性である開放電圧値が数１０
ｍＶ〜５００ｍＶ程度とバラツキ、且つ数値としても小
さなものとなったのに対し、本発明レーザ加工法によれ
ばその開放電圧値は６００ｍＶ〜７００ｍＶと大きなも
のとすることができた。Next, a case was examined in which the laser processing method of the present invention was used for patterning the amorphous silicon film (43) of the photovoltaic element (FIG. 4) used in the explanation of the conventional laser processing method. According to it, the conventional laser beam (YAG
(Laser) is directly irradiated to the amorphous silicon that is the workpiece, the open circuit voltage value, which is the characteristic of the photovoltaic element, is several tens.
While the variation was about mV to 500 mV and the value was small, the laser processing method according to the present invention could increase the open circuit voltage value to 600 mV to 700 mV.
【００２７】これにより、本発明レーザ加工法によれば
従来、素子への大きな損傷となっていた熱損傷を十分抑
圧することができ、素子特性の向上を図ることが可能で
あることが分かる。From this, it is understood that the laser processing method of the present invention can sufficiently suppress the thermal damage, which has been a great damage to the device in the past, and improve the device characteristics.
【００２８】特に、本発明レーザ加工法では、レーザビ
ームを介して吹き付ける反応性ガスの吹き付け位置を制
御することによって、被加工物のエッチング個所を制御
することとなることから、加工精度の向上を図ることが
できる。In particular, in the laser processing method of the present invention, the etching position of the workpiece is controlled by controlling the spraying position of the reactive gas sprayed via the laser beam, which improves the processing accuracy. Can be planned.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明レーザ加工法は、２つの内側面の
うち一方の内側面に金属膜を形成し、その金属膜を反射
板の如く使用するものであることから、表面からでは直
接照射することができない部位にレーザビームを照射し
得、良好なエッチングを施すことができる。According to the laser processing method of the present invention, a metal film is formed on one of the two inner surfaces, and the metal film is used as a reflection plate. A region that cannot be etched can be irradiated with a laser beam, and good etching can be performed.
【００３０】また、反応性ガスをレーザビームを介して
被加工物の表面に照射することで、そのレーザビームに
より分解生成された活性種をその表面にまで導くことが
できることとなることから、被加工物の所望の位置に効
率よくエッチングすることが可能となる。これにより、
従来のレーザビームにあった被加工物への熱損傷を抑圧
することが可能となる。Further, by irradiating the surface of the workpiece with the reactive gas through the laser beam, the active species decomposed and produced by the laser beam can be guided to the surface of the workpiece. It is possible to efficiently etch a desired position of the work piece. This allows
It is possible to suppress the thermal damage to the work piece that was caused by the conventional laser beam.
【図１】本発明レーザ加工法の第１の実施例を説明する
ための製造工程図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram for explaining a first embodiment of a laser processing method of the present invention.
【図２】前記レーザ加工法の工程毎の要部拡大断面図で
ある。FIG. 2 is an enlarged sectional view of an essential part for each step of the laser processing method.
【図３】本発明レーザ加工法に第２の実施例を説明する
ための工程概念図である。FIG. 3 is a process conceptual diagram for explaining a second embodiment of the laser processing method of the present invention.
【図４】従来のレーザ加工法を説明するための光起電力
素子の素子構造断面図である。FIG. 4 is an element structure cross-sectional view of a photovoltaic element for explaining a conventional laser processing method.
(1)…第１のレーザビーム (2)…被加工
物 (3)…海峡 (4)…内側面 (5)…高反射金属膜 (6)…第２の
レーザビーム (7)…表面(1) ... First laser beam (2) ... Workpiece (3) ... Strait (4) ... Inner surface (5) ... Highly reflective metal film (6) ... Second laser beam (7) ... Surface
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/268 Ｚ 8617−4Ｍ 29/84 Ａ 9278−4Ｍ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 21/268 Z 8617-4M 29/84 A 9278-4M
Claims (2)
ることにより該被加工物をエッチング除去するととも
に、そのエッチング形状が、断面をＶ字形とする２つの
内側面からなる海峡状とする工程と、 一方の上記内側面にレーザＣＶＤ法による高反射金属膜
を形成する工程と、 第２のレーザビームを上記高反射金属膜に照射すること
により、該レーザビームを反射させ他方の上記内側面を
エッチング除去する工程と、から成ることを特徴とする
レーザ加工法。1. A workpiece is etched and removed by irradiating the workpiece with a first laser beam, and the etching shape is a strait-like shape composed of two inner side surfaces having a V-shaped cross section. A step of forming a highly reflective metal film by a laser CVD method on one of the inner side surfaces, and irradiating the highly reflective metal film with a second laser beam to reflect the laser beam, and A laser processing method comprising the step of etching away the side surface.
ってレーザービームを照射すると共に、反応性ガスを上
記レーザビームと交わるように上記表面に吹き付けるこ
とにより、該表面をエッチングすることを特徴とするレ
ーザ加工法。2. Etching the surface of the work piece by irradiating the surface of the work piece with a laser beam while maintaining a minute gap and spraying a reactive gas onto the surface so as to intersect with the laser beam. Laser processing method characterized by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195237A JPH0645295A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Laser treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195237A JPH0645295A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Laser treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645295A true JPH0645295A (en) | 1994-02-18 |
Family
ID=16337770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4195237A Pending JPH0645295A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Laser treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645295A (en) |
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| US6002102A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Lsp Technologies, Inc. | Hidden surface laser shock processing |
| JP2010069537A (en) * | 2009-11-11 | 2010-04-02 | Sony Corp | Method of manufacturing substrate having transparent electrically conductive film, laser patterning apparatus, and patterning method |
| CN111843247A (en) * | 2020-06-28 | 2020-10-30 | 西安中科微精光子制造科技有限公司 | Method for forming channels in diamond and diamond product |
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1992
- 1992-07-22 JP JP4195237A patent/JPH0645295A/en active Pending
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