JPH0645396A - フィルムキャリア半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 コストダウンと実装時及び実装後の品質向上
が可能なフィルムキャリア半導体装置。 【構成】 フィルムキャリアテープ１ｂのデバイスホー
ル１０ｂに突出したリード３ｂが半導体チップ７ｂのア
ルミ電極パッド８ｂに直接接合されている。また半導体
チップ７ｂのアルミ電極パッド８ｂの外周を結ぶライン
より外側の半導体チップ表面は耐熱性絶縁フィルム１ｂ
で覆われている。 【効果】 コストダウンが図れ、リード３ｂ変形やリー
ドと半導体チップとのエッジタッチも防ぐことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリア半
導体装置に関し、特にバンプレスのフィルムキャリア半
導体装置の製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式による半導
体装置の製造方法は、図５に平面図，図６に断面図とし
て示す如く搬送及び位置決め用のスプロケットホール２
ａと半導体チップ７ａが入る開孔部であるデバイスホー
ル１０ａを有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等
の金属箔を接着し、金属箔をエッチング等により所望の
形状のリード３ａと電気選別のためのパッド５ａとを形
成したフィルムキャリアテープ１ａと、あらかじめ電極
端子上に金属突起物であるバンプ１１ａを設けた半導体
チップ７ａとを準備し、次にフィルムキャリア１ａのリ
ード３ａと半導体チップ７ａのバンプ１１ａとを熱圧着
法または共晶法等により、インナーリードボンディング
し、フィルムキャリアテープの状態で電気選別やバイア
ス試験を実施してフィルムキャリア半導体装置が完成す
る。

【０００３】前記のようなフィルムキャリア半導体装置
の製造方法はボンディングがリード数と無関係に一度で
可能であるためスピードが速いこと、フィルムキャリア
テープを使用するためボンディング等の組立てと電気選
別作用の自動化が図れ量産性が優れている等の利点を有
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリア半導体装置は、半導体チップの電極上にバン
プを形成する必要があり、ウェーハ状態で主に電解メッ
キ法により、実施するバンプ形成のためのコストが高い
という欠点がある。

【０００５】また、最近の半導体装置は、その能力増加
にともなって多数リード化が著しく、インナーリードボ
ンディングするためのリードが細く、かつ薄くなってお
り、リード変形により、隣接リード間同士の接触や、リ
ードと半導体チップエッジとの接触が発生しやすいとい
う欠点がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア半導体装置は、耐熱性絶縁フィルムでなるフィルムキ
ャリアテープの一方の面に形成したリードと、前記フィ
ルムキャリアテープの他方の面側に配置した半導体チッ
プのアルミ電極とを前記フィルムキャリアテープに設け
たデバイスホールを介して直接接合し、前記半導体チッ
プのアルミ電極パッドの外周を結ぶラインより外側の半
導体チップ表面が前記フィルムキャリアテープで覆われ
ている構造を有している。

【０００７】

【作用】上記の構成によると、リードを半導体チップの
アルミ電極に直接、接合するので、バンプを形成する必
要がなくなり、コストが下げられる。

【０００８】また、半導体チップのアルミ電極パッドの
外周より外は、フィルムキャリアテープで覆われている
のでフィルムキャリアテープから突出したインナーリー
ドの長さが短くなっているので、リード変形が発生しに
くくなる。

【０００９】また半導体チップの電極の外周を結ぶライ
ンより外側の半導体チップ表面をフィルムキャリアテー
プで覆っているのでリードと半導体チップとのエッジタ
ッチを防ぐことが出来る。

【００１０】

【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。

【００１１】図１は、この発明の一実施例のフィルムキ
ャリアテープの平面図である。フィルムキャリアテープ
１ｂにはスプロケットホール２ｂ，リード３ｂ，アウタ
ーリード用ホール４ｂ，電気選別用パッド５ｂ，デバイ
スホール１０ｂが形成されている。

【００１２】デバイスホール１０ｂの開孔面積は半導体
チップのアルミ電極パッドの外周を結ぶ面積とほぼ等し
くしている。またデバイスホール内に突出したインナー
リード３ｂは銅に金メッキしたもので厚みは従来のリー
ドより厚めである。長さは接合された時に、インナーリ
ードの先端がアルミ電極パッドよりはみ出ない長さとす
る。例えば、アルミ電極パッドのサイズを１００μｍ，
フィルムキャリアテープ１ｂの厚さを１２５μｍとする
と、２００〜３００μｍくらいになる。

【００１３】図２は、この発明の一実施例のフィルムキ
ャリア半導体装置の製法を示す断面図である。図２(A)
の如くボンディングステージ１２ｂ上に半導体チップ７
ｂを載置し、リード３ｂが半導体チップ７ｂのアルミ電
極パッド８ｂと位置が合うように調整する。ついて図２
(B) の如く、ボンディングツール９ｂで半導体チップ７
ｂのアルミ電極パッド８ｂとリード３ｂとをAu−A の
超音波熱圧着で一括で接合することによって図２(c) の
如くフィルムキャリア半導体装置が完成する。

【００１４】

【実施例２】図３はこの発明の第２実施例のフィルムキ
ャリアの平面図である。この実施例はデバイスホール１
０ｂ’は電極パッドに対応する部分のみであり、デバイ
スホールにかこまれてチップコート用フィルム６ｂ’を
設けていること以外は、第１実施例と同様である。この
実施例では、半導体チップの表面がフィルムで覆われて
いるために外部環境から保護できる。

【００１５】図４は、この発明の第２実施例のフィルム
キャリア半導体装置の製法を示す。

【００１６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明は、リー
ドを半導体チップの電極に直接接合するので、バンプを
形成する必要がなくなり、コストが下げられる。

【００１７】また耐熱性絶縁フィルムから突出したイン
ナーリードの長さを短くしているのでリード変形が発生
しにくくなる。

【００１８】また半導体チップの電極の外周を結ぶライ
ンより外側の半導体チップ表面を耐熱性絶縁フィルムで
覆っているので、リードと半導体チップとのエッジタッ
チを防ぐことが出来る等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明のフィルムキャリアテープの平面図

【図２】 この発明のフィルムキャリア半導体装置の製
法を示す断面図

【図３】 この発明の第２の実施例のフィルムキャリア
テープの平面図

【図４】 この発明の第２の実施例のフィルムキャリア
半導体装置の製法を示す断面図

【図５】 従来のフィルムキャリア方式による半導体装
置の平面図

【図６】 従来のフィルムキャリア方式による半導体装
置の断面図

【符号の説明】

１ａ，１ｂ，１ｂ’ フィルムキャリアテープ ２ａ，２ｂ，２ｂ’ スプロケットホール ３ａ，３ｂ，３ｂ’ リード ４ａ，４ｂ，４ｂ’ アウターリード用ホール ５ａ，５ｂ，５ｂ’ 電気選別用パッド ６ｂ’ チップコート用フィルム ７ａ，７ｂ，７ｂ’ 半導体チップ ８ｂ，８ｂ’ アルミ電極パッド ９ｂ ９ｂ’ ボンディングツール １０ａ，１０ｂ，１０ｂ’ デバイスホール １１ａ バンプ １２ｂ，１２ｂ’ ボンディングステージ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】搬送及び位置決め用のスプロケットホール
   とデバイスホール内に突出したリードとを有するフィル
   ムキャリアテープと半導体チップを接続したフィルムキ
   ャリア半導体装置において、 前記リードを半導体チップのアルミ電極に直接接合した
   ことを特徴とするフィルムキャリア半導体装置。
2. 【請求項２】搬送及び位置決め用のスプロケットホール
   と、デバイスホールと、一方の面に前記デバイスホール
   に突出したリードとを有するフィルムキャリアテープの
   他方の面側に半導体チップを配置し、 前記デバイスホールを介して、前記リードを前記半導体
   チップの電極パッドとを接続し、 前記半導体チップの表面外周部は、前記フィルムキャリ
   アテープで覆われていることを特徴とするフィルムキャ
   リア半導体装置。
3. 【請求項３】前記電極パッドがアルミ電極である「請求
   項２」に記載のフィルムキャリア半導体装置。
4. 【請求項４】前記デバイスホールが、前記半導体チップ
   の前記電極パッドの集合に対応した部分に設けられて、
   前記半導体チップの表面の外周部と中央部は前記フィル
   ムキャリアテープで覆われていることを特徴とする「請
   求項２」又は「請求項３」に記載のフィルムキャリア半
   導体装置。