JPH04299544A - フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法 - Google Patents
フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法Info
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- JPH04299544A JPH04299544A JP3064230A JP6423091A JPH04299544A JP H04299544 A JPH04299544 A JP H04299544A JP 3064230 A JP3064230 A JP 3064230A JP 6423091 A JP6423091 A JP 6423091A JP H04299544 A JPH04299544 A JP H04299544A
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- JP
- Japan
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- film carrier
- carrier tape
- semiconductor chip
- leads
- bumps
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリヤ半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリヤ半導体装置の製
造方法について説明する。図４（ａ），（ｂ）に示す如
く搬送及び位置決め用のスプロケットホール１ａと半導
体チップ２ａが入る開孔部であるデバイスホール３ａを
有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を
接着し金属箔をエッチング等により所望の形状のリード
４ａと電気選別のためパッド５ａとを形成したフィルム
キャリヤテープ６ａと、あらかじめ電極端子上に金属突
起物であるバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準
備し、次にフィルムキャリヤテープのリード４ａと半導
体チップのバンプ７ａとを熱圧着法又は共晶法等により
インナーリードボンディング（以下ＩＬＢ）しフィルム
キャリヤテープの状態で電気選別用パッド５ａ上に接続
子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施する。こ
こでリード４ａの変形防止用として絶縁フィルムの枠で
あるサスペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリヤテ
ープに設ける事や信頼性向上及び機械的保護の為図５に
示すように樹脂９ａをポッティングして樹脂封止を行う
場合もある。このようなフィルムキャリヤ半導体装置を
実装する場合はリード４ａを所望の長さに切断し、つい
で、図６に示すように例えばプリント基板１１ａに接着
剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リード４ａ
をプリント基板上のボンディングパッド１２ａにアウタ
ーリードボンディング（以下ＯＬＢ）して実施すること
ができる。
造方法について説明する。図４（ａ），（ｂ）に示す如
く搬送及び位置決め用のスプロケットホール１ａと半導
体チップ２ａが入る開孔部であるデバイスホール３ａを
有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を
接着し金属箔をエッチング等により所望の形状のリード
４ａと電気選別のためパッド５ａとを形成したフィルム
キャリヤテープ６ａと、あらかじめ電極端子上に金属突
起物であるバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準
備し、次にフィルムキャリヤテープのリード４ａと半導
体チップのバンプ７ａとを熱圧着法又は共晶法等により
インナーリードボンディング（以下ＩＬＢ）しフィルム
キャリヤテープの状態で電気選別用パッド５ａ上に接続
子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施する。こ
こでリード４ａの変形防止用として絶縁フィルムの枠で
あるサスペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリヤテ
ープに設ける事や信頼性向上及び機械的保護の為図５に
示すように樹脂９ａをポッティングして樹脂封止を行う
場合もある。このようなフィルムキャリヤ半導体装置を
実装する場合はリード４ａを所望の長さに切断し、つい
で、図６に示すように例えばプリント基板１１ａに接着
剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リード４ａ
をプリント基板上のボンディングパッド１２ａにアウタ
ーリードボンディング（以下ＯＬＢ）して実施すること
ができる。
【０００３】これらのフィルムキャリヤ半導体装置はボ
ンディングがリード数と無関係に一度で可能である為ス
ピードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使用する
ため作業の自動化が容易である等の利点を有している。
ンディングがリード数と無関係に一度で可能である為ス
ピードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使用する
ため作業の自動化が容易である等の利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したフィルムキャ
リヤ半導体装置の製造方法は半導体チップの電極端子上
にバンプを形成する必要がありウェハー状態で主に電解
めっき法により実施するバンプ形成のためのコストが高
いという欠点がある。これを解決するために幾つかのバ
ンプ形成方法が紹介されている。一例としてソリッド・
ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ），日本版，１９７８年，１１
月号等で紹介されているバンプ付フィルムキャリヤテー
プ（以下Ｂテープと記す）、ナショナル・テクニカル・
レポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ），第３１巻，第３号，１９８５年，６
月等で紹介されている転写バンプ、特開昭５４−２６６
２号公報、特開昭６０−１９５４３号公報等で公開され
ているワイヤーボンディングにおける金属ボールをバン
プとする方法（以下ボールバンプ）等がある。
リヤ半導体装置の製造方法は半導体チップの電極端子上
にバンプを形成する必要がありウェハー状態で主に電解
めっき法により実施するバンプ形成のためのコストが高
いという欠点がある。これを解決するために幾つかのバ
ンプ形成方法が紹介されている。一例としてソリッド・
ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ），日本版，１９７８年，１１
月号等で紹介されているバンプ付フィルムキャリヤテー
プ（以下Ｂテープと記す）、ナショナル・テクニカル・
レポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ），第３１巻，第３号，１９８５年，６
月等で紹介されている転写バンプ、特開昭５４−２６６
２号公報、特開昭６０−１９５４３号公報等で公開され
ているワイヤーボンディングにおける金属ボールをバン
プとする方法（以下ボールバンプ）等がある。
【０００５】これらのうちＢテープはフィルムキャリヤ
テープのリード先端部を残して他のリード部分をハーフ
エッチングしエッチングされずに凸状に残ったリード先
端部をバンプとするものであるが、リードの一部をハー
フエッチングするための金属箔の両面を各々パターニン
グしてエッチングする必要があり、一般には金属箔のみ
の一層フィルムキャリヤで実施する。従って、各リード
は電気的に接続されており、フィルムキャリヤテープ状
態での電気選別が困難であるという欠点を有している。 これを解決するため従来のような絶縁フィルム上に形成
されたリードに同様にバンプを形成することも可能であ
るが、工程が複雑となり逆にコスト高になるという欠点
がある。
テープのリード先端部を残して他のリード部分をハーフ
エッチングしエッチングされずに凸状に残ったリード先
端部をバンプとするものであるが、リードの一部をハー
フエッチングするための金属箔の両面を各々パターニン
グしてエッチングする必要があり、一般には金属箔のみ
の一層フィルムキャリヤで実施する。従って、各リード
は電気的に接続されており、フィルムキャリヤテープ状
態での電気選別が困難であるという欠点を有している。 これを解決するため従来のような絶縁フィルム上に形成
されたリードに同様にバンプを形成することも可能であ
るが、工程が複雑となり逆にコスト高になるという欠点
がある。
【０００６】転写バンプは、ガラス等の基板上に電解め
っき法によりバンプを形成し、フィルムキャリヤテープ
のリードをボンディングしてバンプを基板からリードに
転写する方法であるが、バンプを電解めっき法により形
成すること、リードに転写するためのボンディングが必
要であること等から従来のウェハー状態でのバンプ形成
法と比べてコスト的に利点は多いが、完全ではない。ボ
ールバンプは熱圧着ワイヤーボンディングの際形成する
金属ボールのみを半導体チップの電極端子上に接着して
バンプとするものであるが、バンプ形成時及びフィルム
キャリヤテープのリードをバンプにボンディングする時
の二度にわたり半導体チップの電極端子に熱的及び機械
的ストレスを加えるため電極端子部が破壊し易く信頼性
的に劣るという欠点がある。
っき法によりバンプを形成し、フィルムキャリヤテープ
のリードをボンディングしてバンプを基板からリードに
転写する方法であるが、バンプを電解めっき法により形
成すること、リードに転写するためのボンディングが必
要であること等から従来のウェハー状態でのバンプ形成
法と比べてコスト的に利点は多いが、完全ではない。ボ
ールバンプは熱圧着ワイヤーボンディングの際形成する
金属ボールのみを半導体チップの電極端子上に接着して
バンプとするものであるが、バンプ形成時及びフィルム
キャリヤテープのリードをバンプにボンディングする時
の二度にわたり半導体チップの電極端子に熱的及び機械
的ストレスを加えるため電極端子部が破壊し易く信頼性
的に劣るという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ヤ半導体装置の製造方法は、中央部の所定領域の周囲に
先端を向けて配置された複数のリードと前記リードの先
端部に設けられたスルーホールを有するフィルムキャリ
ヤテープおよび前記スルーホールに対応する電極端子を
有する半導体チップを準備し、前記フィルムキャリヤテ
ープの半導体チップを重ねて前記スルーホールに半田製
の突起を挿入した状態でリフローにより前記突起を溶解
させることにより、前記フィルムキャリヤテープ上のリ
ードと前記半導体チップの電極端子とを接合するという
ものである。
ヤ半導体装置の製造方法は、中央部の所定領域の周囲に
先端を向けて配置された複数のリードと前記リードの先
端部に設けられたスルーホールを有するフィルムキャリ
ヤテープおよび前記スルーホールに対応する電極端子を
有する半導体チップを準備し、前記フィルムキャリヤテ
ープの半導体チップを重ねて前記スルーホールに半田製
の突起を挿入した状態でリフローにより前記突起を溶解
させることにより、前記フィルムキャリヤテープ上のリ
ードと前記半導体チップの電極端子とを接合するという
ものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【０００９】図１（ａ）は本発明の第１の実施例による
フィルムキャリヤ半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。また図２（ａ）〜（
ｃ）は第１の実施例の製造方法を説明するための工程順
断面図である。
フィルムキャリヤ半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。また図２（ａ）〜（
ｃ）は第１の実施例の製造方法を説明するための工程順
断面図である。
【００１０】フィルムキャリヤテープ６ｂにはスプロケ
ットホール１ｂと所望の形状のリード４ｂ及び電気選別
用パッド５ｂが設けられている。フィルムキャリヤテー
プ６ｂ上のリード４ａの先端部には半導体チップ２ｂの
電極端子１５ｂ程の大きさのスルーホール１３ｂが設け
てあり、めっきによりスルーホール１３ｂ側面とフィル
ムキャリヤテープ上のリード４ｂとが電気的に導通して
いる。
ットホール１ｂと所望の形状のリード４ｂ及び電気選別
用パッド５ｂが設けられている。フィルムキャリヤテー
プ６ｂ上のリード４ａの先端部には半導体チップ２ｂの
電極端子１５ｂ程の大きさのスルーホール１３ｂが設け
てあり、めっきによりスルーホール１３ｂ側面とフィル
ムキャリヤテープ上のリード４ｂとが電気的に導通して
いる。
【００１１】まず、図２（ａ）に示すように、このよう
なフィルムキャリヤテープと半導体チップ２ｂとを位置
合せして重ねる。半導体チップ２ｂには電極端子１５ｂ
が設けられているが、バンプは設けられていない。
なフィルムキャリヤテープと半導体チップ２ｂとを位置
合せして重ねる。半導体チップ２ｂには電極端子１５ｂ
が設けられているが、バンプは設けられていない。
【００１２】次に、図２（ｂ）に示すように、スルーホ
ールと電極端子によりつくられる凹状の空間に半田製の
突起１６ｂを圧着ワイヤーボンディングにおける金属ボ
ールのみを残すボールバンプ法により形成する。そして
、リフロー炉へ入れ半田を溶解させる事により、図２（
ｃ）に示すようにフィルムキャリヤテープ上のスルーホ
ールと電極端子とを半田部材１４ｂによりＩＬＢする。
ールと電極端子によりつくられる凹状の空間に半田製の
突起１６ｂを圧着ワイヤーボンディングにおける金属ボ
ールのみを残すボールバンプ法により形成する。そして
、リフロー炉へ入れ半田を溶解させる事により、図２（
ｃ）に示すようにフィルムキャリヤテープ上のスルーホ
ールと電極端子とを半田部材１４ｂによりＩＬＢする。
【００１３】この実施例はリフロー法でスルーホールと
チップの電極端子と半田付することにより、従来のＩＬ
Ｂボンダーを使用し、熱圧着法又は共晶法によるＩＬＢ
作業を省けるという事、またワイヤーボンディングの応
用により容易にバンプを形成する事ができる為、従来の
ウェハー状態でめっき法によりバンプ形成する場合と比
べてコストが安くなる事が利点である。また、従来の半
導体チップの電極端子に金属ボールを圧着する方法はバ
ンプ形成時及びフィルムキャリヤテープのリードをバン
プにボンディングする時の２度にわたり半導体チップの
電極端子に熱的及び機械的ストレスを加えるのに対し、
本発明ではバンプ形成時に一度ボンディングするだけで
あるので、電極部の破壊を著しく減少させることができ
、信頼性に優れるという効果がある。
チップの電極端子と半田付することにより、従来のＩＬ
Ｂボンダーを使用し、熱圧着法又は共晶法によるＩＬＢ
作業を省けるという事、またワイヤーボンディングの応
用により容易にバンプを形成する事ができる為、従来の
ウェハー状態でめっき法によりバンプ形成する場合と比
べてコストが安くなる事が利点である。また、従来の半
導体チップの電極端子に金属ボールを圧着する方法はバ
ンプ形成時及びフィルムキャリヤテープのリードをバン
プにボンディングする時の２度にわたり半導体チップの
電極端子に熱的及び機械的ストレスを加えるのに対し、
本発明ではバンプ形成時に一度ボンディングするだけで
あるので、電極部の破壊を著しく減少させることができ
、信頼性に優れるという効果がある。
【００１４】本発明の第２の実施例について図３（ａ）
〜（ｃ）を参照して説明する。
〜（ｃ）を参照して説明する。
【００１５】前述の例と同様に、まず図３（ａ）に示す
ように、スプロケットホールと所望の形状のリード及び
電気選別用パッドが設けられているフィルムキャリヤ６
ｃを用意する。またリード先端部にも半導体チップの電
極端子程の大きさのスルーホール１３ｃが設けられてお
りめっきによりスルーホール側面とフィルムキャリヤテ
ープ上のリードとが電気的に導通している。
ように、スプロケットホールと所望の形状のリード及び
電気選別用パッドが設けられているフィルムキャリヤ６
ｃを用意する。またリード先端部にも半導体チップの電
極端子程の大きさのスルーホール１３ｃが設けられてお
りめっきによりスルーホール側面とフィルムキャリヤテ
ープ上のリードとが電気的に導通している。
【００１６】半導体チップの電極端子１５ｃにはあらか
じめウェハーの状態において半田製の突起１６ｃと圧着
ワイヤーボンディングにおける金属ボールのみを残す方
法に準じて形成している。すなわち、半田ワイヤーをボ
ンディングし、半田ボール（１６ｃ）として残せばよい
のである。フィルムキャリヤテープ６ｃ上のスルーホー
ル１３ｃと半導体チップ２ｃの電極端子１５ｃ上の半田
ボール１６ｃとを位置合わせし、図３（ｂ）に示すよう
に、半田ボールをスルーホール１３ｃ内に挿入したのち
、リフロー炉に入れ半田を溶解させることにより、図３
（ｃ）に示すようにフィルムキャリヤテープのスルーホ
ールと電極端子をＩＬＢする。
じめウェハーの状態において半田製の突起１６ｃと圧着
ワイヤーボンディングにおける金属ボールのみを残す方
法に準じて形成している。すなわち、半田ワイヤーをボ
ンディングし、半田ボール（１６ｃ）として残せばよい
のである。フィルムキャリヤテープ６ｃ上のスルーホー
ル１３ｃと半導体チップ２ｃの電極端子１５ｃ上の半田
ボール１６ｃとを位置合わせし、図３（ｂ）に示すよう
に、半田ボールをスルーホール１３ｃ内に挿入したのち
、リフロー炉に入れ半田を溶解させることにより、図３
（ｃ）に示すようにフィルムキャリヤテープのスルーホ
ールと電極端子をＩＬＢする。
【００１７】この実施例ではウェハー状態で半田ボール
形成を行う事により、作業時間短縮によるコストダウン
また半田バンプ形成時の不良を除くことができることか
らフィルムキャリヤテープの使用数減少によるコストダ
ウンが計れるという利点がある。
形成を行う事により、作業時間短縮によるコストダウン
また半田バンプ形成時の不良を除くことができることか
らフィルムキャリヤテープの使用数減少によるコストダ
ウンが計れるという利点がある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフィルムキ
ャリヤ半導体装置の製造方法は、リフロー法でフィルム
キャリヤ上のスルーホールと半導体チップの電極端子を
半田接合する為、従来のＩＬＢボンダーを使用し、熱圧
着法又は共晶法とからなるＩＬＢ作業を省ける事、また
ワイヤーボンディングの応用により容易にバンプを形成
することができる為、従来のウェハー状態でめっき法に
よりバンプ形成する場合と比べてコストが安くなるとい
う効果を有する。
ャリヤ半導体装置の製造方法は、リフロー法でフィルム
キャリヤ上のスルーホールと半導体チップの電極端子を
半田接合する為、従来のＩＬＢボンダーを使用し、熱圧
着法又は共晶法とからなるＩＬＢ作業を省ける事、また
ワイヤーボンディングの応用により容易にバンプを形成
することができる為、従来のウェハー状態でめっき法に
よりバンプ形成する場合と比べてコストが安くなるとい
う効果を有する。
【００１９】また、従来の半導体チップの電極端子に金
属ボールを圧着する方法はバンプ形成時及びフィルムキ
ャリヤテープのリードをバンプにボンディングする時の
２度にわたり半導体チップの電極に熱的及び機械的スト
レスを加えるのに対し本発明ではスルーホールと電極端
子との接合をリフロー法で行う為、バンプ形成時に一度
ボンディングするだけで済ますことができるので、電極
部の破壊を著しく減少させることができ信頼性において
も優れているという効果がある。
属ボールを圧着する方法はバンプ形成時及びフィルムキ
ャリヤテープのリードをバンプにボンディングする時の
２度にわたり半導体チップの電極に熱的及び機械的スト
レスを加えるのに対し本発明ではスルーホールと電極端
子との接合をリフロー法で行う為、バンプ形成時に一度
ボンディングするだけで済ますことができるので、電極
部の破壊を著しく減少させることができ信頼性において
も優れているという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例によるフィルムキャリヤ
半導体装置の平面図（図１（ａ））および断面図（図１
（ｂ））である。
半導体装置の平面図（図１（ａ））および断面図（図１
（ｂ））である。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するため（ａ）〜
（ｃ）に分図して示す工程順断面図である。
（ｃ）に分図して示す工程順断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するため（ａ）〜
（ｃ）に分図して示す工程順断面図である。
（ｃ）に分図して示す工程順断面図である。
【図４】従来技術の説明に使用するフィルムキャリヤ半
導体装置の平面図（図４（ａ））および断面図（図４（
ｂ））である。
導体装置の平面図（図４（ａ））および断面図（図４（
ｂ））である。
【図５】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図６】従来技術の説明に使用する断面図である。
１ａ，１ｂ スプロケットホール２ａ，２ｂ，２
ｃ 半導体チップ３ａ デバイスホール ４ａ，４ｂ，４ｃ リード ５ａ，５ｂ 電気選別用パッド ６ａ，６ｂ，６ｃ フィルムキャリヤテープ７ａ
バンプ ８ａ サスペンダー ９ａ 樹脂 １０ａ 接着剤 １１ａ プリント基板 １２ａ ボンディングパッド １３ｂ，１３ｃ スルーホール １４ｂ，１４ｃ 半田部材 １５ｂ，１５ｃ 電極端子 １６ｂ，１６ｃ 半田ボール
ｃ 半導体チップ３ａ デバイスホール ４ａ，４ｂ，４ｃ リード ５ａ，５ｂ 電気選別用パッド ６ａ，６ｂ，６ｃ フィルムキャリヤテープ７ａ
バンプ ８ａ サスペンダー ９ａ 樹脂 １０ａ 接着剤 １１ａ プリント基板 １２ａ ボンディングパッド １３ｂ，１３ｃ スルーホール １４ｂ，１４ｃ 半田部材 １５ｂ，１５ｃ 電極端子 １６ｂ，１６ｃ 半田ボール
Claims (2)
- 【請求項１】 中央部の所定領域の周囲に先端を向け
て配置された複数のリードと前記リードの先端部に設け
られたスルーホールを有するフィルムキャリヤテープお
よび前記スルーホールに対応する電極端子を有する半導
体チップを準備し、前記フィルムキャリヤテープの半導
体チップを重ねて前記スルーホールに半田製の突起を挿
入した状態でリフローにより前記突起を溶解させること
により、前記フィルムキャリヤテープ上のリードと前記
半導体チップの電極端子とを接合することを特徴とする
フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 電極端子に半田ワイヤーをボンディン
グし、半田ボールを突起として残す請求項１記載のフィ
ルムキャリヤ半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064230A JPH04299544A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064230A JPH04299544A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299544A true JPH04299544A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13252109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064230A Pending JPH04299544A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1094518A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-25 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device comprising a lead frame and method for fabricating the same |
| JP2009514250A (ja) * | 2005-11-01 | 2009-04-02 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | フリップチップ・オン・リード半導体パッケージの方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718347A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of ic |
| JPS63301535A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-12-08 | Tanaka Electron Ind Co Ltd | 半導体材料の接続方法及びそれに用いる接続材料 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064230A patent/JPH04299544A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718347A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of ic |
| JPS63301535A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-12-08 | Tanaka Electron Ind Co Ltd | 半導体材料の接続方法及びそれに用いる接続材料 |
Cited By (2)
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| JP2009514250A (ja) * | 2005-11-01 | 2009-04-02 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | フリップチップ・オン・リード半導体パッケージの方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961112 |