JPH0645427A - 試料移動台 - Google Patents
試料移動台Info
- Publication number
- JPH0645427A JPH0645427A JP19514092A JP19514092A JPH0645427A JP H0645427 A JPH0645427 A JP H0645427A JP 19514092 A JP19514092 A JP 19514092A JP 19514092 A JP19514092 A JP 19514092A JP H0645427 A JPH0645427 A JP H0645427A
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- JP
- Japan
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- sample
- pin
- expansion
- reflecting mirror
- top table
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料テーブルの温度変化により生じる試料の
位置変動を補償した半導体製造装置、同検査装置に好適
な試料移動台を提供する。 【構成】 トップテーブル１の位置をレーザ干渉計によ
り測定する。レーザ光の反射鏡７をばね１８によりトッ
プテーブル１上の保持器１２に伸縮ピン２０を介して押
しつけて保持する。試料５端から反射鏡７の反射面まで
の距離をＬ1、伸縮ピン２０の長さをＬ2、トップテーブ
ル１の線膨張係数α1、伸縮ピン２０の線膨張係数をα2
として、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、または、Ｌ2＝Ｌ
1α1／（α2−α1）となるようにし、トップテーブル１
の温度膨張を伸縮ピン２０の温度膨張により補償する。
位置変動を補償した半導体製造装置、同検査装置に好適
な試料移動台を提供する。 【構成】 トップテーブル１の位置をレーザ干渉計によ
り測定する。レーザ光の反射鏡７をばね１８によりトッ
プテーブル１上の保持器１２に伸縮ピン２０を介して押
しつけて保持する。試料５端から反射鏡７の反射面まで
の距離をＬ1、伸縮ピン２０の長さをＬ2、トップテーブ
ル１の線膨張係数α1、伸縮ピン２０の線膨張係数をα2
として、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、または、Ｌ2＝Ｌ
1α1／（α2−α1）となるようにし、トップテーブル１
の温度膨張を伸縮ピン２０の温度膨張により補償する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料移動台に係り、とく
に精密移動が必要な半導体製造、検査装置用試の料移動
台に関する。
に精密移動が必要な半導体製造、検査装置用試の料移動
台に関する。
【０００１】
【従来の技術】電子線描画装置においては試料を搭載す
るテ−ブルの位置誤差を低減することが要求されてい
る。上記位置誤差を計測するためテーブルに反射鏡を固
定し、レ−ザ干渉計等により反射鏡の位置を測定するよ
うにしていた。また、温度変化によるテーブルの膨張、
収縮を防止するために、液体やガスを用いて装置を温度
コントロールするようにしたり、テーブルや他の部品に
例えばセラミックや石英等の低熱膨張材を用いるように
していた。
るテ−ブルの位置誤差を低減することが要求されてい
る。上記位置誤差を計測するためテーブルに反射鏡を固
定し、レ−ザ干渉計等により反射鏡の位置を測定するよ
うにしていた。また、温度変化によるテーブルの膨張、
収縮を防止するために、液体やガスを用いて装置を温度
コントロールするようにしたり、テーブルや他の部品に
例えばセラミックや石英等の低熱膨張材を用いるように
していた。
【０００２】図３は従来の試料移動台の斜視図である。
ベーステーブル３上にはモータ９１によりボールネジ８
１を介してＹ方向に移動する中間テーブル２が設けら
れ、中間テーブル２の上にはボールネジ８２を介してモ
ータ９２によりＹ方向に移動するトップテーブル１が設
けられている。トップテーブル１上には、試料５を保持
するホルダ４が載っている。
ベーステーブル３上にはモータ９１によりボールネジ８
１を介してＹ方向に移動する中間テーブル２が設けら
れ、中間テーブル２の上にはボールネジ８２を介してモ
ータ９２によりＹ方向に移動するトップテーブル１が設
けられている。トップテーブル１上には、試料５を保持
するホルダ４が載っている。
【０００３】図４はトップテーブルの上面図である。試
料５はばね１７によりホルダ４上の３つの基準ピン１５
に押し当てられ、ホルダ４は板バネ１４により矢印の方
向に押されてトップテーブル１の３つの基準ピン１６に
押し付けられている。
料５はばね１７によりホルダ４上の３つの基準ピン１５
に押し当てられ、ホルダ４は板バネ１４により矢印の方
向に押されてトップテーブル１の３つの基準ピン１６に
押し付けられている。
【０００４】トップテーブル１上には保持器１１，１
２，１３により反射鏡６，７が保持され、レーザ干渉計
により反射鏡６と同７の位置が計測される。すなわち、
試料５の位置は反射鏡６，７の反射面位置として計測さ
れていた。
２，１３により反射鏡６，７が保持され、レーザ干渉計
により反射鏡６と同７の位置が計測される。すなわち、
試料５の位置は反射鏡６，７の反射面位置として計測さ
れていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３、４に示した従来
装置ではトップテーブル１の温度変動により反射鏡６，
７の各反射面と試料５と間の距離が変動すると試料５の
位置誤差が発生するという問題があった。
装置ではトップテーブル１の温度変動により反射鏡６，
７の各反射面と試料５と間の距離が変動すると試料５の
位置誤差が発生するという問題があった。
【０００６】図５は反射鏡７を保持する保持器１１，１
２，１３の構造を示側面図である。反射鏡７はトップテ
ーブル１に固定された保持器１２上に載置され、ばね１
８によりレーザ光１０の照射面は保持器１２の基準ピン
１９に押し当てられている。ばね１８は反射鏡７の変形
を防ぐためのものである。また、試料５はホルダ４上に
固定され、トップテーブル１上の基準ピン１６に押し当
てられている。
２，１３の構造を示側面図である。反射鏡７はトップテ
ーブル１に固定された保持器１２上に載置され、ばね１
８によりレーザ光１０の照射面は保持器１２の基準ピン
１９に押し当てられている。ばね１８は反射鏡７の変形
を防ぐためのものである。また、試料５はホルダ４上に
固定され、トップテーブル１上の基準ピン１６に押し当
てられている。
【０００７】反射鏡７の反射面と試料５の端面までの距
離をＬ1とし、トップテーブル１，保持器１２及びホル
ダ４の線膨張係数をα1とすると、△Ｔの温度変化によ
る距離Ｌ1の変化△Ｌ1は式（１）のようになる。 △Ｌ1＝α1・Ｌ1・△Ｔ （１） トップテーブル１，保持器１２及びホルダ４等はテーブ
ルの移動に伴う摩擦熱や電子線のエネルギ等により通常
０．２℃程度温度が上昇する。
離をＬ1とし、トップテーブル１，保持器１２及びホル
ダ４の線膨張係数をα1とすると、△Ｔの温度変化によ
る距離Ｌ1の変化△Ｌ1は式（１）のようになる。 △Ｌ1＝α1・Ｌ1・△Ｔ （１） トップテーブル１，保持器１２及びホルダ４等はテーブ
ルの移動に伴う摩擦熱や電子線のエネルギ等により通常
０．２℃程度温度が上昇する。
【０００８】そこで△Ｔを０．２℃とし、照射トップテ
ーブル１，保持器１２及びホルダ４の材質をチタン（α
1＝８．５×１０~6ｍｍ／℃），Ｌ1＝５０ｍｍとして△
Ｌ1を求めると、式（２）に示すように０．０９μｍと
なる。 △Ｌ1＝８．５×１０~6×５０×０．２≒９×１０~5（ｍｍ） （２） 現在の電子線描画装置においては上記△Ｌ1として０．
０５μｍ以下が要求されている。
ーブル１，保持器１２及びホルダ４の材質をチタン（α
1＝８．５×１０~6ｍｍ／℃），Ｌ1＝５０ｍｍとして△
Ｌ1を求めると、式（２）に示すように０．０９μｍと
なる。 △Ｌ1＝８．５×１０~6×５０×０．２≒９×１０~5（ｍｍ） （２） 現在の電子線描画装置においては上記△Ｌ1として０．
０５μｍ以下が要求されている。
【０００９】上記温度変動を低減するためにテーブル周
辺を冷却すると、液体やガス等の配管によりテーブルの
動きが制限されたり、複雑な配管により信頼性が低下す
るいう問題があった。また、真空中であるため温度を高
精度にコントロールできないことも問題であった。ま
た、低膨張係材のテーブルには機械加工が困難であり、
コストが大巾に増加するという問題があった。
辺を冷却すると、液体やガス等の配管によりテーブルの
動きが制限されたり、複雑な配管により信頼性が低下す
るいう問題があった。また、真空中であるため温度を高
精度にコントロールできないことも問題であった。ま
た、低膨張係材のテーブルには機械加工が困難であり、
コストが大巾に増加するという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、テーブルを低膨張係材化
したり、冷却したりすることなく、上記△Ｌ1を補償す
ることのできる電子線描画装置等に好適な試料移動台を
提供することにある。
したり、冷却したりすることなく、上記△Ｌ1を補償す
ることのできる電子線描画装置等に好適な試料移動台を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、上記反射鏡をばねにより試料テーブル上の保持器
に、上記試料テーブル材の線膨張係数よりも大きな線膨
張係数を有する伸縮ピンを介して押し当てるようにす
る。また、試料テーブル上に保持される試料から上記反
射鏡の反射面までの距離をＬ1、伸縮ピンの長さをＬ2、
試料テーブルの線膨張係数α1、伸縮ピンの線膨張係数
をα2として、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、または、Ｌ
2＝Ｌ1α1／（α2−α1）の関係が成立するようにす
る。また、上記試料テーブルをＴｉ材により構成するよ
うにし、上記伸縮ピンをＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミ
ック、非磁性超硬合金のいずれか、あるいはＡｌ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非磁性超硬合金の積層部材
によりにより構成するようにする。
に、上記反射鏡をばねにより試料テーブル上の保持器
に、上記試料テーブル材の線膨張係数よりも大きな線膨
張係数を有する伸縮ピンを介して押し当てるようにす
る。また、試料テーブル上に保持される試料から上記反
射鏡の反射面までの距離をＬ1、伸縮ピンの長さをＬ2、
試料テーブルの線膨張係数α1、伸縮ピンの線膨張係数
をα2として、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、または、Ｌ
2＝Ｌ1α1／（α2−α1）の関係が成立するようにす
る。また、上記試料テーブルをＴｉ材により構成するよ
うにし、上記伸縮ピンをＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミ
ック、非磁性超硬合金のいずれか、あるいはＡｌ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非磁性超硬合金の積層部材
によりにより構成するようにする。
【００１２】
【作用】上記伸縮ピンの熱膨張により反射鏡７を押し戻
して上記試料テーブルの熱膨張による試料の位置ずれを
補償する。また、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、また
は、Ｌ2＝Ｌ1α1／（α2−α1）とすることにより、上
記試料の位置ずれを完全に補償する。また、上記試料テ
ーブルをＴｉ材にすることにより試料テーブルを軽量、
低熱膨張にし、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非
磁性超硬合金のいずれか、あるいはＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、
Ｗ、セラミック、非磁性超硬合金の積層部材により構成
した伸縮ピンの熱膨張により試料テーブルの熱膨張を補
償する。
して上記試料テーブルの熱膨張による試料の位置ずれを
補償する。また、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、また
は、Ｌ2＝Ｌ1α1／（α2−α1）とすることにより、上
記試料の位置ずれを完全に補償する。また、上記試料テ
ーブルをＴｉ材にすることにより試料テーブルを軽量、
低熱膨張にし、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非
磁性超硬合金のいずれか、あるいはＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、
Ｗ、セラミック、非磁性超硬合金の積層部材により構成
した伸縮ピンの熱膨張により試料テーブルの熱膨張を補
償する。
【００１３】
【実施例】図１は本発明による反射鏡７の保持器１２周
辺部の実施例の側面図である。本発明においては、図５
の基準ピン１９を伸縮ピン２０に変更する。伸縮ピン２
０は保持器１２の孔に底当たりして伸縮自在に保持され
る。反射鏡７の反射面と試料５の端面までの距離を
Ｌ1，伸縮ピン２０の長さをＬ２とすると、保持器１２
と基準ピン１６はトップテ−ブル１上に固定されている
のでその間の距離は温度変化△Ｔに対して、（Ｌ１＋Ｌ
2）（１＋α1△Ｔ）に変化する。また、伸縮ピン２０の
長さはＬ2（１＋α2△Ｔ）に変化する。ただし、α1は
トップテ−ブル１の線膨張係数、α2は伸縮ピン２０の
線膨張係数である。
辺部の実施例の側面図である。本発明においては、図５
の基準ピン１９を伸縮ピン２０に変更する。伸縮ピン２
０は保持器１２の孔に底当たりして伸縮自在に保持され
る。反射鏡７の反射面と試料５の端面までの距離を
Ｌ1，伸縮ピン２０の長さをＬ２とすると、保持器１２
と基準ピン１６はトップテ−ブル１上に固定されている
のでその間の距離は温度変化△Ｔに対して、（Ｌ１＋Ｌ
2）（１＋α1△Ｔ）に変化する。また、伸縮ピン２０の
長さはＬ2（１＋α2△Ｔ）に変化する。ただし、α1は
トップテ−ブル１の線膨張係数、α2は伸縮ピン２０の
線膨張係数である。
【００１４】上記温度変化後の距離に対して試料５から
反射鏡７の反射面までの距離Ｌ1が変動しなければよい
のであるから、Ｌ1を一定に保つためには温度変動後の
伸縮ピン２０の長さを式（３）を満足するように設定す
ればよいことになる。 Ｌ2（１＋α2△Ｔ）＝（Ｌ1＋Ｌ2）（１＋α1△Ｔ）−Ｌ1 （３） 式（３）より α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2 （４） また、伸縮ピン２０の長さは Ｌ2＝Ｌ1α1／（α2−α1） （５） となる。
反射鏡７の反射面までの距離Ｌ1が変動しなければよい
のであるから、Ｌ1を一定に保つためには温度変動後の
伸縮ピン２０の長さを式（３）を満足するように設定す
ればよいことになる。 Ｌ2（１＋α2△Ｔ）＝（Ｌ1＋Ｌ2）（１＋α1△Ｔ）−Ｌ1 （３） 式（３）より α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2 （４） また、伸縮ピン２０の長さは Ｌ2＝Ｌ1α1／（α2−α1） （５） となる。
【００１５】すなわち、式（４）、（５）を満足するよ
うに伸縮ピン２０の線膨張係数α2や長さを設定すれば
温度変動に拘らず試料５の位置変動が生じないことにな
る。例えば、トップテーブル１の材質をチタン（α1＝
８．５×１０~6）、Ｌ1＝５０ｍｍ、伸縮ピン２０の材
質をアルミニウム（α2＝２４×１０~6）とすると、式
（５）より伸縮ピン２０の長さを Ｌ2＝５０×８．５×１０~6＝（２４×１０~6−８．５×１０~6） ＝２７．４ｍｍ とすれば、温度変化によらず反射面と試料５間の距離は
一定化される、試料５の位置誤差が生じないことにな
る。
うに伸縮ピン２０の線膨張係数α2や長さを設定すれば
温度変動に拘らず試料５の位置変動が生じないことにな
る。例えば、トップテーブル１の材質をチタン（α1＝
８．５×１０~6）、Ｌ1＝５０ｍｍ、伸縮ピン２０の材
質をアルミニウム（α2＝２４×１０~6）とすると、式
（５）より伸縮ピン２０の長さを Ｌ2＝５０×８．５×１０~6＝（２４×１０~6−８．５×１０~6） ＝２７．４ｍｍ とすれば、温度変化によらず反射面と試料５間の距離は
一定化される、試料５の位置誤差が生じないことにな
る。
【００１６】トップテーブル１には上記Ｔｉ材のほか
に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非磁性超硬合
金等の軽量、非磁性材を用いることができる。また、伸
縮ピン２０も上記Ａｌ材以外の非磁性材や二種以上の材
料を積層して強度を強めたもの等を用いることができ
る。なお、上記トップテーブル１のＴｉ材、伸縮ピン２
０のＡｌ材は実装上最適の組み合わせの一つである。
に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非磁性超硬合
金等の軽量、非磁性材を用いることができる。また、伸
縮ピン２０も上記Ａｌ材以外の非磁性材や二種以上の材
料を積層して強度を強めたもの等を用いることができ
る。なお、上記トップテーブル１のＴｉ材、伸縮ピン２
０のＡｌ材は実装上最適の組み合わせの一つである。
【００１７】図２は電子線描画装置の断面図である。電
子源２１の電子線を電子レンズ２２で収束させて試料５
に結像し、ＬＳＩパターン等を描画し、真空の試料室２
３内には駆動機構２４により駆動される上記本発明の試
料移動台が収容されるのでトップテーブル１が温度変化
しても試料位置変動が生せず、電子線描画装置の描画位
置精度を高めることができる。上記電子線描画装置には
この他試料を交換する試料交換装置２７、防振架台２５
と真空排気装置２６等が接続される。
子源２１の電子線を電子レンズ２２で収束させて試料５
に結像し、ＬＳＩパターン等を描画し、真空の試料室２
３内には駆動機構２４により駆動される上記本発明の試
料移動台が収容されるのでトップテーブル１が温度変化
しても試料位置変動が生せず、電子線描画装置の描画位
置精度を高めることができる。上記電子線描画装置には
この他試料を交換する試料交換装置２７、防振架台２５
と真空排気装置２６等が接続される。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、試料移動台の温度変化に
よる試料の位置変動を補償することができるので試料の
位置決め精度を高めた電子線描画装置等に好適な試料移
動台を提供することができる。
よる試料の位置変動を補償することができるので試料の
位置決め精度を高めた電子線描画装置等に好適な試料移
動台を提供することができる。
【図１】本発明による試料移動台実施例の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明による試料移動台を備えた電子線描画装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図３】従来のトップテーブルの斜視図である。
【図４】従来のトップテーブルの上面図である。
【図５】従来の試料移動台の断面図である。
１…トップテーブル，２…中間テーブル，３…ベーステ
ーブル，４…ホルダ，５…試料，６、７…反射鏡，１０
…レーザ光，１１、１２、１３…保持器，１４…板ば
ね，１５、１６、１９…基準ピン，１７、１８…ばね，
２０…伸縮ピン，２１…電子源，２２…電子レンズ，２
３…試料室，２４…駆動機構，２５…防振架台，２６…
真空排気装置，２７…試料交換装置、８１、８２…ボー
ルネジ，９１、９２…モータ。
ーブル，４…ホルダ，５…試料，６、７…反射鏡，１０
…レーザ光，１１、１２、１３…保持器，１４…板ば
ね，１５、１６、１９…基準ピン，１７、１８…ばね，
２０…伸縮ピン，２１…電子源，２２…電子レンズ，２
３…試料室，２４…駆動機構，２５…防振架台，２６…
真空排気装置，２７…試料交換装置、８１、８２…ボー
ルネジ，９１、９２…モータ。
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ干渉計のレーザ光を試料テーブル
上の反射鏡により反射して試料テーブルの位置を計測す
る試料移動台において、上記反射鏡をばねにより試料テ
ーブル上の保持器に伸縮ピンを介して押し当てる上記反
射鏡の保持機構を備え、上記伸縮ピンを上記試料テーブ
ル材の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する材料
により構成するようにしたことを特徴とする試料移動
台。 - 【請求項２】 請求項１において、試料テーブル上に保
持される試料から上記反射鏡の反射面までの距離を
Ｌ1、伸縮ピンの長さをＬ2、試料テーブルの線膨張係数
α1、伸縮ピンの線膨張係数をα2として、上記α2また
はＬ2を、α2＝α1（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ2、または、Ｌ2＝
Ｌ1α1／（α2−α1）に設定するようにしたことを特徴
とする試料移動台。 - 【請求項３】 請求項１または２において、上記試料テ
ーブルをＴｉ材により構成するようにしたことを特徴と
する試料移動台。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
上記伸縮ピンをＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、セラミック、非
磁性超硬合金のいずれか、あるいはＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、
Ｗ、セラミック、非磁性超硬合金の積層部材によりによ
り構成するようにしたことを特徴とする試料移動台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514092A JPH0645427A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 試料移動台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514092A JPH0645427A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 試料移動台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645427A true JPH0645427A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16336118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19514092A Pending JPH0645427A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 試料移動台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3826781A1 (de) * | 1988-08-06 | 1990-02-08 | Opel Adam Ag | Frontquertraeger |
| JP2016032037A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 日本精工株式会社 | テーブル装置、測定装置、半導体製造装置、フラットパネルディスプレイ製造装置、及び工作機械 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19514092A patent/JPH0645427A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3826781A1 (de) * | 1988-08-06 | 1990-02-08 | Opel Adam Ag | Frontquertraeger |
| JP2016032037A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 日本精工株式会社 | テーブル装置、測定装置、半導体製造装置、フラットパネルディスプレイ製造装置、及び工作機械 |
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