JPH0645496A - 半導体装置及び実装方法 - Google Patents
半導体装置及び実装方法Info
- Publication number
- JPH0645496A JPH0645496A JP4198635A JP19863592A JPH0645496A JP H0645496 A JPH0645496 A JP H0645496A JP 4198635 A JP4198635 A JP 4198635A JP 19863592 A JP19863592 A JP 19863592A JP H0645496 A JPH0645496 A JP H0645496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- support bar
- semiconductor device
- frame
- wide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体素子を樹脂封止する構造の半
導体装置に関し、パッケージ割れの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】 半導体チップ１４が搭載されるステージ１２
を支持するサポートバー１５は、ステージ１２への接続
部分が幅広の幅広部１５ａが一体的に形成される。この
幅広部１５ａは、ステージ１２部分の幅広部分から、外
側方向の途中部分にかける幅細となるように形成され、
その先端以降が同一幅細で形成される。
導体装置に関し、パッケージ割れの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】 半導体チップ１４が搭載されるステージ１２
を支持するサポートバー１５は、ステージ１２への接続
部分が幅広の幅広部１５ａが一体的に形成される。この
幅広部１５ａは、ステージ１２部分の幅広部分から、外
側方向の途中部分にかける幅細となるように形成され、
その先端以降が同一幅細で形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を樹脂封止
する構造の半導体装置に関する。
する構造の半導体装置に関する。
【０００２】近年の半導体装置は小型化、薄型化が図ら
れており、これに伴い樹脂性パッケージに肉厚は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機能的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
れており、これに伴い樹脂性パッケージに肉厚は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機能的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
【０００３】そこで、熱ストレスに強く、熱加熱時にお
いてもパッケージ割れが発生しない半導体装置が望まれ
ている。
いてもパッケージ割れが発生しない半導体装置が望まれ
ている。
【０００４】
【従来の技術】一般に樹脂封止型の半導体装置として、
半導体素子をリードフレームのステージ上にダイ付け
し、半導体素子のパッドとリードとをワイヤボンディン
グした後、樹脂モールドすることによりパッケージを形
成した構造のものが知られている。
半導体素子をリードフレームのステージ上にダイ付け
し、半導体素子のパッドとリードとをワイヤボンディン
グした後、樹脂モールドすることによりパッケージを形
成した構造のものが知られている。
【０００５】この樹脂封止型の半導体装置では、室温に
放置しているとパッケージ自体が水分を吸収する。この
水分は半導体装置の基板実装時に行なわれる加熱処理に
より水蒸気となる。この水蒸気は非常に大きな圧力であ
り、この水蒸気圧が直接ダイス付け層やステージ裏面に
加わると、ダイス付け層やステージ裏面に剥離が発生
し、その部分を起因とするパッケージ割れが生じてしま
う。
放置しているとパッケージ自体が水分を吸収する。この
水分は半導体装置の基板実装時に行なわれる加熱処理に
より水蒸気となる。この水蒸気は非常に大きな圧力であ
り、この水蒸気圧が直接ダイス付け層やステージ裏面に
加わると、ダイス付け層やステージ裏面に剥離が発生
し、その部分を起因とするパッケージ割れが生じてしま
う。
【０００６】従来このダイス付け層の剥離およびその部
分を起因とするパッケージ割れを防止する手段として
は、サポートリードやインナリードの形状を直線的でな
く変形させ、樹脂とリードフレームの界面から侵入する
水分の経路を長くして侵入防止を図っていたが、樹脂の
性能向上により密着力が増してこのような構造とするこ
とが不要となってきた。
分を起因とするパッケージ割れを防止する手段として
は、サポートリードやインナリードの形状を直線的でな
く変形させ、樹脂とリードフレームの界面から侵入する
水分の経路を長くして侵入防止を図っていたが、樹脂の
性能向上により密着力が増してこのような構造とするこ
とが不要となってきた。
【０００７】そして、ＳＯＰ（Small Outline Packag
e)、ＳＯＪ（Small Outline J-Lead Package) 、ＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package) 型等のパッケージ
では、リードフレームのインナリード中に、不要のリー
ドを含ませてステージに接続させたり、インナリード間
に新たにサポートリードを設けることで実装時のパッケ
ージ割れの防止を図っている。
e)、ＳＯＪ（Small Outline J-Lead Package) 、ＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package) 型等のパッケージ
では、リードフレームのインナリード中に、不要のリー
ドを含ませてステージに接続させたり、インナリード間
に新たにサポートリードを設けることで実装時のパッケ
ージ割れの防止を図っている。
【０００８】これは、実装時に内部に生じた水蒸気を外
部に排出することでパッケージ割れが防止されるもので
ある。
部に排出することでパッケージ割れが防止されるもので
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードピッ
チ０．６５ｍｍ以下のＱＦＰ（Quad Flat Package)型の
パッケージでは、パッケージ四辺にアウタリードが配置
され、しかもリードピッチが細いことから、リード間に
水抜き経路を設けることはできない。また、インナリー
ド中に不要のリードを含ませることはリードフレームの
汎用性に欠けることになる。
チ０．６５ｍｍ以下のＱＦＰ（Quad Flat Package)型の
パッケージでは、パッケージ四辺にアウタリードが配置
され、しかもリードピッチが細いことから、リード間に
水抜き経路を設けることはできない。また、インナリー
ド中に不要のリードを含ませることはリードフレームの
汎用性に欠けることになる。
【００１０】ここで、図４に、従来のＱＦＰ型パッケー
ジに使用されるリードフレームの概略図を示す。図４に
示すリードフレーム１は、半導体素子を搭載するステー
ジ２が四隅より幅細のサポートバー３を介してフレーム
４ａ，４ｂに一体に支持されている。そして、ステージ
２の四辺にはインナリード５ａとアウタリード５ｂで構
成されるリード部材５が配置（三辺は省略）される。
ジに使用されるリードフレームの概略図を示す。図４に
示すリードフレーム１は、半導体素子を搭載するステー
ジ２が四隅より幅細のサポートバー３を介してフレーム
４ａ，４ｂに一体に支持されている。そして、ステージ
２の四辺にはインナリード５ａとアウタリード５ｂで構
成されるリード部材５が配置（三辺は省略）される。
【００１１】このため、ＱＦＰ型においては、半導体素
子を搭載するステージ２の四隅より、該ステージ２を支
持するサポートバー３が形成されていることを利用し
て、サポートバー３を水蒸気の排出経路としている。し
かし、ＱＦＰ型のサポートバー３の幅が細く、またパッ
ケージ外へのパスが長いことから、実装時に内部に発生
した水蒸気を排出することができず、リフロークラック
を生じるという問題がある。
子を搭載するステージ２の四隅より、該ステージ２を支
持するサポートバー３が形成されていることを利用し
て、サポートバー３を水蒸気の排出経路としている。し
かし、ＱＦＰ型のサポートバー３の幅が細く、またパッ
ケージ外へのパスが長いことから、実装時に内部に発生
した水蒸気を排出することができず、リフロークラック
を生じるという問題がある。
【００１２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、リフロークラックによるパッケージ割れを防止
する半導体装置を提供することを目的とする。
もので、リフロークラックによるパッケージ割れを防止
する半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体素子
を搭載するステージがフレームに所定数のサポートバー
により一体に支持され、該ステージの周辺に配置される
リード部材から構成される金属導体を、モールド樹脂に
よりパッケージングして該フレームが除去される半導体
装置において、前記サポートバーは、少なくとも前記ス
テージへの接続部分が幅広に形成されると共に、前記フ
レームへの接続部分が幅細に形成されることにより解決
される。
を搭載するステージがフレームに所定数のサポートバー
により一体に支持され、該ステージの周辺に配置される
リード部材から構成される金属導体を、モールド樹脂に
よりパッケージングして該フレームが除去される半導体
装置において、前記サポートバーは、少なくとも前記ス
テージへの接続部分が幅広に形成されると共に、前記フ
レームへの接続部分が幅細に形成されることにより解決
される。
【００１４】
【作用】上述のように、サポートバーを、ステージ部分
で幅広に形成し、フレーム部分で幅細に形成する。これ
により、実装時の熱によりモールド樹脂と金属導体との
熱膨張率の違いから、ステージ及びサポートバーの幅広
から幅細にかけて剥離が生じる。この剥離部分から、パ
ッケージ内に存在する水分が排出される。
で幅広に形成し、フレーム部分で幅細に形成する。これ
により、実装時の熱によりモールド樹脂と金属導体との
熱膨張率の違いから、ステージ及びサポートバーの幅広
から幅細にかけて剥離が生じる。この剥離部分から、パ
ッケージ内に存在する水分が排出される。
【００１５】すなわち、水分による応力がサポートバー
の幅広部分に分散され、実装時のパッケージ割れを防止
することが可能となるものである。
の幅広部分に分散され、実装時のパッケージ割れを防止
することが可能となるものである。
【００１６】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１（Ａ）は側面図であり、図１（Ｂ）は平面断面図で
ある。
図１（Ａ）は側面図であり、図１（Ｂ）は平面断面図で
ある。
【００１７】図１（Ａ）において、半導体装置１１は、
ＱＦＰ型のリードフレーム（図示せず）のステージ１２
上に接着剤１３により半導体チップ１４が搭載される。
ステージ１２は、リードフレーム単体時には外枠（フレ
ーム、図４参照）にサポートバー１５により四隅で支持
され、一体に成形される。なお、外枠（フレーム）は樹
脂モールド後切断されて除去されるものである。
ＱＦＰ型のリードフレーム（図示せず）のステージ１２
上に接着剤１３により半導体チップ１４が搭載される。
ステージ１２は、リードフレーム単体時には外枠（フレ
ーム、図４参照）にサポートバー１５により四隅で支持
され、一体に成形される。なお、外枠（フレーム）は樹
脂モールド後切断されて除去されるものである。
【００１８】ステージ１２の四辺部分にはリード部材１
６を構成するインナリード１６ａが接近して配置され、
半導体チップ１４上の電極パッドとワイヤボンディング
１７によりボンディングが行われる。
６を構成するインナリード１６ａが接近して配置され、
半導体チップ１４上の電極パッドとワイヤボンディング
１７によりボンディングが行われる。
【００１９】そして、モールド樹脂によりパッケージン
グを行い、パッケージ１８が形成される。この場合、パ
ッケージ１８より四方に延出するリード部材１６がアウ
タリード１６ｂであり、表面実装用に折曲される。すな
わち、この半導体装置１１は、表面実装型のＱＦＰパッ
ケージのものである。
グを行い、パッケージ１８が形成される。この場合、パ
ッケージ１８より四方に延出するリード部材１６がアウ
タリード１６ｂであり、表面実装用に折曲される。すな
わち、この半導体装置１１は、表面実装型のＱＦＰパッ
ケージのものである。
【００２０】ここで、図１（Ｂ）に示すように、ステー
ジ１２を支持（切断前外枠に支持）するサポートバー１
５は、ステージ１２への接続部分が幅広の幅広部１５ａ
が一体的に形成される。この幅広部１５ａは、ステージ
１２部分の幅広部分から、外側方向（外枠方向）までの
途中部分にかけて幅細となる直線的テーパ形状に形成さ
れる。すなわち、幅広部１５ａと、この先端より同一幅
細で形成されて、各サポートバー１５が形成される。
ジ１２を支持（切断前外枠に支持）するサポートバー１
５は、ステージ１２への接続部分が幅広の幅広部１５ａ
が一体的に形成される。この幅広部１５ａは、ステージ
１２部分の幅広部分から、外側方向（外枠方向）までの
途中部分にかけて幅細となる直線的テーパ形状に形成さ
れる。すなわち、幅広部１５ａと、この先端より同一幅
細で形成されて、各サポートバー１５が形成される。
【００２１】なお、サポートバー１５の幅広部１５ａの
表面及び裏面の少なくとも何れか一方で、パッケージ１
８におけるモールド樹脂との剥離を容易にするために、
Ａｇメッキ又は鏡面仕上げ等が施されてる。
表面及び裏面の少なくとも何れか一方で、パッケージ１
８におけるモールド樹脂との剥離を容易にするために、
Ａｇメッキ又は鏡面仕上げ等が施されてる。
【００２２】上述の半導体装置１１は、プリント基板上
に半田リフロー等で実装される場合に、リフロー時の熱
により、パッケージ１８内に存在する水分が水蒸気とな
ってサポートバー１５を通ってパッケージ１８外に排出
される。
に半田リフロー等で実装される場合に、リフロー時の熱
により、パッケージ１８内に存在する水分が水蒸気とな
ってサポートバー１５を通ってパッケージ１８外に排出
される。
【００２３】ここで、図２に、図１の水蒸気排出を説明
するための図を示す。図２（Ａ），（Ｂ）は、共にサポ
ートバー１５の幅広部１５ａの部分を示したものであ
る。
するための図を示す。図２（Ａ），（Ｂ）は、共にサポ
ートバー１５の幅広部１５ａの部分を示したものであ
る。
【００２４】半導体装置１１を上述のように半田リフロ
ーにより実装する場合、図２（Ａ）において、リフロー
時の熱（実装ストレス）により、リードフレームとモー
ルド樹脂１８との熱膨張率の違いから、ステージ１２裏
面周囲及びサポートバー１５の幅広部１５ａ（斜線部
分）に剪断応力が集中して剥離が生じ、剥離部１９が形
成される。
ーにより実装する場合、図２（Ａ）において、リフロー
時の熱（実装ストレス）により、リードフレームとモー
ルド樹脂１８との熱膨張率の違いから、ステージ１２裏
面周囲及びサポートバー１５の幅広部１５ａ（斜線部
分）に剪断応力が集中して剥離が生じ、剥離部１９が形
成される。
【００２５】そして、図２（Ｂ）において、ステージ裏
面やダイス層（接着剤１３）の水蒸気が剥離部１９に到
達する。これにより、水蒸気圧力でサポートバー１５の
同一幅細部分にまで剥離が進展する。
面やダイス層（接着剤１３）の水蒸気が剥離部１９に到
達する。これにより、水蒸気圧力でサポートバー１５の
同一幅細部分にまで剥離が進展する。
【００２６】そして、ステージ１２辺中央部の応力集中
部が樹脂破断強度に達する前に、サポートバー１５で剥
離がパッケージ１８外に到達する。
部が樹脂破断強度に達する前に、サポートバー１５で剥
離がパッケージ１８外に到達する。
【００２７】これにより、水蒸気が排出され、パッケー
ジ割れ（クラック）を防止することができるものであ
る。
ジ割れ（クラック）を防止することができるものであ
る。
【００２８】なお、実装終了後、温度が低下すると、モ
ールド樹脂がステージ１２及びサポートバー１５との間
の隙間が狭まった状態に戻る。すなわち、実装前におい
ても密着状態であり、パッケージ１８内へのサポートバ
ー１５からの水分の侵入が防止され、実装時にはパッケ
ージ１８内の水分を排出し、実装後においても水分の侵
入が防止されるものである。
ールド樹脂がステージ１２及びサポートバー１５との間
の隙間が狭まった状態に戻る。すなわち、実装前におい
ても密着状態であり、パッケージ１８内へのサポートバ
ー１５からの水分の侵入が防止され、実装時にはパッケ
ージ１８内の水分を排出し、実装後においても水分の侵
入が防止されるものである。
【００２９】そこで、表１に、従来のサポートバー（全
部が同一幅細）を有する半導体装置と本発明の半導体装
置のパッケージ割れの比較を示す。
部が同一幅細）を有する半導体装置と本発明の半導体装
置のパッケージ割れの比較を示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１において、Ａが従来の半導体装置であ
り、Ｂが本発明の半導体装置の場合である。共に、１４
ｍｍ□のＱＦＢパッケージの半導体装置であり、ベーキ
ング後３日、５日、７日間室温放置したものである。
り、Ｂが本発明の半導体装置の場合である。共に、１４
ｍｍ□のＱＦＢパッケージの半導体装置であり、ベーキ
ング後３日、５日、７日間室温放置したものである。
【００３２】表１に示すように、従来の半導体装置で
は、５日間放置で４０個中２１個のクラックが生じ、７
日間放置で４０個中４０個のクラックが生じた。一方、
本発明の半導体装置では何れかの場合においてもクラッ
クは生じなかった。
は、５日間放置で４０個中２１個のクラックが生じ、７
日間放置で４０個中４０個のクラックが生じた。一方、
本発明の半導体装置では何れかの場合においてもクラッ
クは生じなかった。
【００３３】次に、図３に、本発明のサポートバーの他
の形状の構成図を示す。
の形状の構成図を示す。
【００３４】図３（Ａ）は、図１におけるサポートバー
１５の幅広部１５ａの形状を、膨らみを有する円弧形状
の幅広部１５ｂとしたものである。すなわち、リードフ
レーム全体のうち、当該箇所が最も剥離し易いものであ
り、この部分を円弧形状の幅広部１５ｂとすることで、
応力分散を行うことができ、よりパッケージ割れを防止
することができるものである。
１５の幅広部１５ａの形状を、膨らみを有する円弧形状
の幅広部１５ｂとしたものである。すなわち、リードフ
レーム全体のうち、当該箇所が最も剥離し易いものであ
り、この部分を円弧形状の幅広部１５ｂとすることで、
応力分散を行うことができ、よりパッケージ割れを防止
することができるものである。
【００３５】また、図３（Ｂ）に示すように、サポート
バー１５をステージ１２への接続部分より先端部分（リ
ードフレーム切断前の外枠への接続部分）まで、幅広か
ら直線的テーパ形状で幅細とした幅広部１５ｃを形成し
たもので、図１と同様の作用効果を有するものである。
バー１５をステージ１２への接続部分より先端部分（リ
ードフレーム切断前の外枠への接続部分）まで、幅広か
ら直線的テーパ形状で幅細とした幅広部１５ｃを形成し
たもので、図１と同様の作用効果を有するものである。
【００３６】なお、図３（Ｂ）の破線で示したように幅
広部１５ｃを円弧形状としてもよいのは図３（Ａ）と同
様である。
広部１５ｃを円弧形状としてもよいのは図３（Ａ）と同
様である。
【００３７】このように、サポートバー１５に幅広部１
５ａ〜１５ｃのようなアウトラインを形成することで、
実装時にモールド樹脂の剥離が発生し易く、また剥離が
発生した部分でパッケージ割れが発生しにくくなり、安
全に水蒸気の排出路を形成することができるものであ
る。
５ａ〜１５ｃのようなアウトラインを形成することで、
実装時にモールド樹脂の剥離が発生し易く、また剥離が
発生した部分でパッケージ割れが発生しにくくなり、安
全に水蒸気の排出路を形成することができるものであ
る。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、サポート
バーをステージ部分で幅広に形成し、フレーム部分で幅
細に形成することにより、実装時に剥離を生じさせて水
蒸気を排出することができ、パッケージ割れを防止する
ことができる。
バーをステージ部分で幅広に形成し、フレーム部分で幅
細に形成することにより、実装時に剥離を生じさせて水
蒸気を排出することができ、パッケージ割れを防止する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１の水蒸気排出を説明するための図である。
【図３】本発明のサポートバーの他の形状の構成図であ
る。
る。
【図４】従来のＱＦＰ型パッケージに使用されるリード
フレームの概略図である。
フレームの概略図である。
１１ 半導体装置 １２ ステージ １３ 接着剤 １４ 半導体チップ １５ サポートバー １５ａ〜１５ｃ 幅広部 １６ リード部材 １６ａ インナリード １６ｂ アウタリード １７ ワイヤ １８ パッケージ １９ 剥離部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西郷 幸生 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株式 会社九州富士通エレクトロニクス内 (72)発明者 川原 登志実 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 渡辺 浩二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子（１４）を搭載するステージ
（１２）がフレームに所定数のサポートバー（１５）に
より一体に支持され、該ステージ（１２）の周辺に配置
されるリード部材（１６，１６ａ，１６ｂ）から構成さ
れる金属導体を、モールド樹脂によりパッケージングし
て該フレームが除去される半導体装置において、 前記サポートバー（１５）は、少なくとも前記ステージ
（１２）への接続部分が幅広に形成されると共に、前記
フレームへの接続部分が幅細に形成されることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 前記サポートバー（１５）は、前記ステ
ージ（１２）部分の幅広から前記フレーム部分の幅細に
かけて直線的テーパ形状又は膨らみを有する円弧形状で
形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記サポートバー（１５）は、前記ステ
ージ（１２）部分の幅広から前記フレームまでの途中部
分にかけて幅細に形成されると共に、該途中部分より該
フレーム部分まで同一幅細に形成されることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記サポートバー（１５）の、前記ステ
ージ（１２）部分の幅広から前記途中部分の幅細までの
形状を、直線的テーパ形状又は膨らみを有する円弧形状
に形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 半導体素子（１４）を搭載するステージ
（１２）がフレームにサポートバー（１５）により一体
に支持され、該ステージ（１２）の周辺に配置されるリ
ード部材（１６，１６ａ，１６ｂ）から構成される金属
導体を、モールド樹脂によりパッケージングして該フレ
ームが除去される半導体装置の実装方法において、 前記サポートバー（１５）は、前記ステージ（１２）へ
の接続部分が幅広に形成され、前記フレームへの接続部
分が幅細に形成されており、実装時の熱により、該ステ
ージ（１２）及び該サポートバー（１５）の幅広から幅
細にかけて前記モールド樹脂を剥離させる工程と、 該剥離させた部分より、前記パッケージ（１８）内に存
在する水分を外部に排出させる工程と、 実装後の温度低下によって該モールド樹脂と該ステージ
（１２）及びサポートバー（１５）との間の隙間が狭ま
り、該パッケージ（１８）内に水分の侵入を排除させる
工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198635A JPH0645496A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198635A JPH0645496A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置及び実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645496A true JPH0645496A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16394487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198635A Withdrawn JPH0645496A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972488B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-12-06 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed circuit is sealed with a molded resin |
| JP2011210893A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びリードフレーム |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198635A patent/JPH0645496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972488B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-12-06 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed circuit is sealed with a molded resin |
| JP2011210893A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びリードフレーム |
| US8791555B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-07-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and lead frame |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |