JPH0645586A - フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 - Google Patents
フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜Info
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- JPH0645586A JPH0645586A JP4196773A JP19677392A JPH0645586A JP H0645586 A JPH0645586 A JP H0645586A JP 4196773 A JP4196773 A JP 4196773A JP 19677392 A JP19677392 A JP 19677392A JP H0645586 A JPH0645586 A JP H0645586A
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- H10K85/311—Phthalocyanine
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 用い得る基板の自由度が高くかつ高速で得ら
れるフタロシアニン薄膜及びその多層膜を実現する。 【構成】 フタロシアニン薄膜は、フタロシアニン誘導
体からなり、表面における自乗平均粗さが１００オング
ストローム以下であり、かつアモルファス状である。こ
のフタロシアニン薄膜は、基板を−２５〜−２６９℃に
冷却し、フタロシアニン誘導体分子を加熱蒸発させ、１
×１０-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子線として飛行
させることにより得られる。また、多層膜は、フタロシ
アニン薄膜を２層以上積層することにより構成されてお
り、該フタロシアニン薄膜は接する薄膜同志が異なるフ
タロシアニン誘導体からなる。
れるフタロシアニン薄膜及びその多層膜を実現する。 【構成】 フタロシアニン薄膜は、フタロシアニン誘導
体からなり、表面における自乗平均粗さが１００オング
ストローム以下であり、かつアモルファス状である。こ
のフタロシアニン薄膜は、基板を−２５〜−２６９℃に
冷却し、フタロシアニン誘導体分子を加熱蒸発させ、１
×１０-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子線として飛行
させることにより得られる。また、多層膜は、フタロシ
アニン薄膜を２層以上積層することにより構成されてお
り、該フタロシアニン薄膜は接する薄膜同志が異なるフ
タロシアニン誘導体からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に形成され
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るフタロシアニン薄膜、
その製造方法及びそれを用いた多層膜に関する。
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るフタロシアニン薄膜、
その製造方法及びそれを用いた多層膜に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】比較的平滑な有機薄膜を形
成する方法としては、たとえば、Masahiko Hara らによ
る「Japanese Journal of Applied Physics Vol.28 (19
89) L306」に記載された方法が知らされている。この方
法では、有機分子線エピタキシー法により、約４×１０
-9Ｔｏｒｒの真空下で５０℃に加熱したＭｏＳ2 単結晶
基板上にフタロシアナト銅の薄膜を作製する。
成する方法としては、たとえば、Masahiko Hara らによ
る「Japanese Journal of Applied Physics Vol.28 (19
89) L306」に記載された方法が知らされている。この方
法では、有機分子線エピタキシー法により、約４×１０
-9Ｔｏｒｒの真空下で５０℃に加熱したＭｏＳ2 単結晶
基板上にフタロシアナト銅の薄膜を作製する。
【０００３】ところがこの方法には、堆積速度が２〜３
オングストローム／ｈと非常に遅く実用的でないという
問題点と、基板に用いる天然鉱石であるＭｏＳ2 の平滑
面として得られる領域は通常数mm角程度であって大面積
のものを得るのが困難であるという問題点がある。この
発明の目的は、用い得る基板の自由度が高くかつ高速で
得られるフタロシアニン薄膜及びその多層膜を実現する
ことにある。
オングストローム／ｈと非常に遅く実用的でないという
問題点と、基板に用いる天然鉱石であるＭｏＳ2 の平滑
面として得られる領域は通常数mm角程度であって大面積
のものを得るのが困難であるという問題点がある。この
発明の目的は、用い得る基板の自由度が高くかつ高速で
得られるフタロシアニン薄膜及びその多層膜を実現する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明にかかるフタ
ロシアニン薄膜は、フタロシアニン誘導体からなり、表
面における自乗平均粗さが１００オングストローム以下
であり、かつアモルファス状である。第２の発明にかか
るフタロシアニン薄膜の製造方法では、基板を−２５〜
−２６９℃に冷却し、フタロシアニン誘導体分子を加熱
蒸発させ、１×１０-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子
線として前記基板へ飛行させる。
ロシアニン薄膜は、フタロシアニン誘導体からなり、表
面における自乗平均粗さが１００オングストローム以下
であり、かつアモルファス状である。第２の発明にかか
るフタロシアニン薄膜の製造方法では、基板を−２５〜
−２６９℃に冷却し、フタロシアニン誘導体分子を加熱
蒸発させ、１×１０-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子
線として前記基板へ飛行させる。
【０００５】第３の発明にかかる多層膜は、フタロシア
ニン薄膜を２層以上積層してなる多層膜である。該フタ
ロシアニン薄膜は、接する薄膜同志が異なるフタロシア
ニン誘導体からなる。＊＊＊＊＊＊＊この発明にかかる
フタロシアニン薄膜は、アモルファス状であって、表面
における自乗平均粗さが１００オングストローム以下で
ある。この自乗平均粗さは、５０オングストローム以下
が好ましく、さらに１〜２０オングストロームがより好
ましい。
ニン薄膜を２層以上積層してなる多層膜である。該フタ
ロシアニン薄膜は、接する薄膜同志が異なるフタロシア
ニン誘導体からなる。＊＊＊＊＊＊＊この発明にかかる
フタロシアニン薄膜は、アモルファス状であって、表面
における自乗平均粗さが１００オングストローム以下で
ある。この自乗平均粗さは、５０オングストローム以下
が好ましく、さらに１〜２０オングストロームがより好
ましい。
【０００６】この発明にかかる多層膜は、フタロシアニ
ン薄膜を２層以上積層してなる多層膜であるが、その積
層数は、２〜１００層が好ましく、２〜２０層がより好
ましい。また、この多層膜の表面の自乗平均粗さは、１
００オングストローム以下が好ましく、５０オングスト
ローム以下がより好ましく、さらに１〜２０オングスト
ロームがより好ましい。この多層膜を構成する薄膜の各
厚みは、８０オングストローム以下が好ましく、２〜５
０オングストロームがより好ましい。
ン薄膜を２層以上積層してなる多層膜であるが、その積
層数は、２〜１００層が好ましく、２〜２０層がより好
ましい。また、この多層膜の表面の自乗平均粗さは、１
００オングストローム以下が好ましく、５０オングスト
ローム以下がより好ましく、さらに１〜２０オングスト
ロームがより好ましい。この多層膜を構成する薄膜の各
厚みは、８０オングストローム以下が好ましく、２〜５
０オングストロームがより好ましい。
【０００７】この発明において用いられるフタロシアニ
ン誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえ
ば、下記Ａ群から選ばれた１種類の粉末状もしくは塊状
のフタロシアニン誘導体が用いられる。このフタロシア
ニン誘導体は、たとえば、分子線蒸着装置を用いて基板
上に蒸着される。 Ａ群：フタロシアニン フタロシアナト鉛 フタロシアナト銅 フタロシアナトニッケル フタロシアナト鉄 フタロシアナトマグネシウム フタロシアナトアルミニウム フタロシアナトシリコン フタロシアナトスズ フタロシアナトコバルト フタロシアナト亜鉛 フタロシアナトバナジル テトラアミノフタロシアニン テトラアミノフタロシアナト銅 テトラアミノフタロシアナトコバルト テトラアミノフタロシアナトニッケル テトラアミノフタロシアナトバナジル テトラターシャルブチルフタロシアニン テトラターシャルブチルフタロシアナト銅 テトラターシャルブチルフタロシアナト鉛 テトラターシャルブチルフタロシアナトニッケル テトラターシャルブチルフタロシアナト鉄 テトラターシャルブチルフタロシアナト亜鉛 テトラターシャルブチルフタロシアナトコバルト テトラターシャルブチルフタロシアナトマグネシウム テトラターシャルブチルフタロシアナトバナジル テトラカルボキシフタロシアニン テトラカルボキシフタロシアナト銅 テトラカルボキシフタロシアナトコバルト テトラカルボキシフタロシアナトニッケル テトラカルボキシフタロシアナト鉄 テトラカルボキシフタロシアナトバナジル ジクロロフタロシアナトシリコン なお、Ａ群のポルフィリン誘導体のうち、フタロシアニ
ン、フタロシアナト鉛、フタロシアナト銅、フタロシア
ナトニッケル、フタロシアナト鉄、フタロシアナトマグ
ネシウム、フタロシアナトアルミニウム、フタロシアナ
トシリコン、フタロシアナトスズ、フタロシアナトコバ
ルト、フタロシアナト亜鉛がより好ましい。
ン誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえ
ば、下記Ａ群から選ばれた１種類の粉末状もしくは塊状
のフタロシアニン誘導体が用いられる。このフタロシア
ニン誘導体は、たとえば、分子線蒸着装置を用いて基板
上に蒸着される。 Ａ群：フタロシアニン フタロシアナト鉛 フタロシアナト銅 フタロシアナトニッケル フタロシアナト鉄 フタロシアナトマグネシウム フタロシアナトアルミニウム フタロシアナトシリコン フタロシアナトスズ フタロシアナトコバルト フタロシアナト亜鉛 フタロシアナトバナジル テトラアミノフタロシアニン テトラアミノフタロシアナト銅 テトラアミノフタロシアナトコバルト テトラアミノフタロシアナトニッケル テトラアミノフタロシアナトバナジル テトラターシャルブチルフタロシアニン テトラターシャルブチルフタロシアナト銅 テトラターシャルブチルフタロシアナト鉛 テトラターシャルブチルフタロシアナトニッケル テトラターシャルブチルフタロシアナト鉄 テトラターシャルブチルフタロシアナト亜鉛 テトラターシャルブチルフタロシアナトコバルト テトラターシャルブチルフタロシアナトマグネシウム テトラターシャルブチルフタロシアナトバナジル テトラカルボキシフタロシアニン テトラカルボキシフタロシアナト銅 テトラカルボキシフタロシアナトコバルト テトラカルボキシフタロシアナトニッケル テトラカルボキシフタロシアナト鉄 テトラカルボキシフタロシアナトバナジル ジクロロフタロシアナトシリコン なお、Ａ群のポルフィリン誘導体のうち、フタロシアニ
ン、フタロシアナト鉛、フタロシアナト銅、フタロシア
ナトニッケル、フタロシアナト鉄、フタロシアナトマグ
ネシウム、フタロシアナトアルミニウム、フタロシアナ
トシリコン、フタロシアナトスズ、フタロシアナトコバ
ルト、フタロシアナト亜鉛がより好ましい。
【０００８】この発明のフタロシアニン薄膜は、分子線
蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオン・クラスター・ビー
ム法などにより作製することができる。たとえば、分子
線蒸着法による場合は次ようにして行う。分子線蒸着装
置は、蒸着前に予め分子線源室内の試料の脱気を行える
ようにするために、成長室と分子線源室とが独立の真空
ポンプを有し、かつゲートバルブなどによりそれらの室
内の雰囲気を分離／接続できるようになったものが好ま
しい。成長室は、クライオポンプ、イオンポンプ、チタ
ンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドなどによって排
気されることにより、その圧力がポルフィリン誘導体蒸
着時に１０-7Ｔｏｒｒ未満になるようなものが好まし
い。蒸着時の圧力が１０-7Ｔｏｒｒ以上になると多層薄
膜ができないことがある。分子線源室は、成長室とは独
立に排気できるようになっているものが好ましい。成長
室と独立に排気できるようになっていない場合、蒸着前
の試料の脱気が行いにくく、蒸着時に成長室内の圧力を
１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層薄膜がで
きにくい傾向がある。
蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオン・クラスター・ビー
ム法などにより作製することができる。たとえば、分子
線蒸着法による場合は次ようにして行う。分子線蒸着装
置は、蒸着前に予め分子線源室内の試料の脱気を行える
ようにするために、成長室と分子線源室とが独立の真空
ポンプを有し、かつゲートバルブなどによりそれらの室
内の雰囲気を分離／接続できるようになったものが好ま
しい。成長室は、クライオポンプ、イオンポンプ、チタ
ンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドなどによって排
気されることにより、その圧力がポルフィリン誘導体蒸
着時に１０-7Ｔｏｒｒ未満になるようなものが好まし
い。蒸着時の圧力が１０-7Ｔｏｒｒ以上になると多層薄
膜ができないことがある。分子線源室は、成長室とは独
立に排気できるようになっているものが好ましい。成長
室と独立に排気できるようになっていない場合、蒸着前
の試料の脱気が行いにくく、蒸着時に成長室内の圧力を
１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層薄膜がで
きにくい傾向がある。
【０００９】試料については、充分な脱気を行うのが好
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
【００１０】種類の異なる複数のフタロシアニン誘導体
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
フタロシアニン誘導体ａについてのみ蒸着を行い、所定
の堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、フタロ
シアニン誘導体ｂについて同様に蒸着を行い、さらに各
フタロシアニン誘導体ｃ，ｄ，ｅ，…と蒸着を行ってい
く。必要に応じて、ａ，ｂ，ｃ，…、ａ，ｂ，ｃ，…と
いう繰り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が
異なるフタロシアニン誘導体からなれば、その順序は限
定されない。
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
フタロシアニン誘導体ａについてのみ蒸着を行い、所定
の堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、フタロ
シアニン誘導体ｂについて同様に蒸着を行い、さらに各
フタロシアニン誘導体ｃ，ｄ，ｅ，…と蒸着を行ってい
く。必要に応じて、ａ，ｂ，ｃ，…、ａ，ｂ，ｃ，…と
いう繰り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が
異なるフタロシアニン誘導体からなれば、その順序は限
定されない。
【００１１】それぞれの層の蒸着時の堆積速度は、０．
１〜１０００オングストローム／分であるのが好まし
い。０．１オングストローム／分未満になると膜を形成
するのに時間がかかりすぎて実用的でない。１０００オ
ングストローム／分を越えると多層薄膜ができにくい。
蒸着時の分子線源内の試料は、２００〜６００℃に加熱
するのが好ましい。１００℃未満では、堆積速度が０．
１オングストローム／分未満になりやすい。６００℃を
越えるとフタロシアニン誘導体が分解しやすく、不純物
の含まれた薄膜になる場合がある。
１〜１０００オングストローム／分であるのが好まし
い。０．１オングストローム／分未満になると膜を形成
するのに時間がかかりすぎて実用的でない。１０００オ
ングストローム／分を越えると多層薄膜ができにくい。
蒸着時の分子線源内の試料は、２００〜６００℃に加熱
するのが好ましい。１００℃未満では、堆積速度が０．
１オングストローム／分未満になりやすい。６００℃を
越えるとフタロシアニン誘導体が分解しやすく、不純物
の含まれた薄膜になる場合がある。
【００１２】基板としては、材質が、シリコン、ゲルマ
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも１種類を主成分とする合
金や、ガラス、ＩＴＯガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン６フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも１種類を主成分とする合
金や、ガラス、ＩＴＯガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン６フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
【００１３】蒸着時及び蒸着後の基板温度は−２５〜−
２６９℃の範囲に保持する。−２５℃を越えると、形成
される薄膜が結晶化し、平滑な表面が得られない。な
お、基板温度は−１００℃以下がより好ましい。
２６９℃の範囲に保持する。−２５℃を越えると、形成
される薄膜が結晶化し、平滑な表面が得られない。な
お、基板温度は−１００℃以下がより好ましい。
【００１４】
【実施例】以下、この発明にかかる実施例を説明する
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、Ｘ線回折分析装置は、理学電機（株）社製の
広角Ｘ線回折装置であった。実施例１ フタロシアナト銅粉末０．１ｇを計り取り、石英るつぼ
の中に入れ、これを成長室と分子線源室とがゲートバル
ブにより雰囲気を分離された状態にある分子線蒸着装置
の分子線源室に入れて、液体窒素トラップのついた油拡
散式真空ポンプにより２００℃に加熱しながら１０時間
真空引きした。
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、Ｘ線回折分析装置は、理学電機（株）社製の
広角Ｘ線回折装置であった。実施例１ フタロシアナト銅粉末０．１ｇを計り取り、石英るつぼ
の中に入れ、これを成長室と分子線源室とがゲートバル
ブにより雰囲気を分離された状態にある分子線蒸着装置
の分子線源室に入れて、液体窒素トラップのついた油拡
散式真空ポンプにより２００℃に加熱しながら１０時間
真空引きした。
【００１５】一方、厚みが０．５ｍｍの４インチのシリ
コンウェハー（１００）の全面に、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した
１％のフッ化水素水溶液に１０分間浸漬することによ
り、洗浄、エッチングを行った。そして、これを成長室
内の基板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を
３００℃にし、成長室と、クライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドにより
１×１０-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を分
離していたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始し
た。基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することによ
り、−１００℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は３×
１０-10 Ｔｏｒｒであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶振
動子式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が４００オングス
トロームに達したところで蒸着を停止した。このときの
堆積時間は２時間であった。
コンウェハー（１００）の全面に、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した
１％のフッ化水素水溶液に１０分間浸漬することによ
り、洗浄、エッチングを行った。そして、これを成長室
内の基板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を
３００℃にし、成長室と、クライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドにより
１×１０-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を分
離していたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始し
た。基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することによ
り、−１００℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は３×
１０-10 Ｔｏｒｒであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶振
動子式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が４００オングス
トロームに達したところで蒸着を停止した。このときの
堆積時間は２時間であった。
【００１６】得られたフタロシアナト銅薄膜表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．１オングストロームであった。また、Ｘ線回折分
析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜は
アモルファス状であることが確認された。実施例２ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナト亜鉛を用い
たほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト亜鉛
薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測
定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングストロ
ームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結
晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状である
ことが確認された。
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．１オングストロームであった。また、Ｘ線回折分
析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜は
アモルファス状であることが確認された。実施例２ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナト亜鉛を用い
たほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト亜鉛
薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測
定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングストロ
ームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結
晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状である
ことが確認された。
【００１７】実施例３ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトコバルトを
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
コバルト薄膜を得た。この膜の表面の平均粗さを原子間
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．８オ
ングストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行った
ところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファ
ス状であることが確認された。
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
コバルト薄膜を得た。この膜の表面の平均粗さを原子間
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．８オ
ングストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行った
ところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファ
ス状であることが確認された。
【００１８】実施例４ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナト鉛を用いた
ほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト鉛薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．３オングストローム
であった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性
のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であること
が確認された。
ほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト鉛薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．３オングストローム
であった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性
のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であること
が確認された。
【００１９】実施例５ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトニッケルを
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
ニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
ニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
【００２０】実施例６ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトマグネシウ
ムを用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシア
ナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．８オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
ムを用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシア
ナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．８オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
【００２１】実施例７ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトアルミニウ
ムを用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシア
ナトアルミニウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．７オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
ムを用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシア
ナトアルミニウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．７オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
【００２２】実施例８ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトスズを用い
たほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナトスズ
薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測
定したところ、その自乗平均粗さが２．３オングストロ
ームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結
晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状である
ことが確認された。
たほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナトスズ
薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測
定したところ、その自乗平均粗さが２．３オングストロ
ームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結
晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状である
ことが確認された。
【００２３】実施例９ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナト鉄を用いた
ほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト鉄薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．５オングストローム
であった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性
のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であること
が確認された。
ほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト鉄薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．５オングストローム
であった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性
のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であること
が確認された。
【００２４】実施例１０ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトバナジルを
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
バナジル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
バナジル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
【００２５】実施例１１ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアニンを用いたほ
かは、実施例１と同様にして、フタロシアニン薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
かは、実施例１と同様にして、フタロシアニン薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００２６】実施例１２ フタロシアナト銅に代えて、フタロシアナトシリコンを
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
シリコン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
用いたほかは、実施例１と同様にして、フタロシアナト
シリコン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オン
グストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったと
ころ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス
状であることが確認された。
【００２７】実施例１３ フタロシアナト銅に代えて、テトラアミノフタロシアニ
ンを用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラアミ
ノフタロシアニン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．５オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
ンを用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラアミ
ノフタロシアニン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．５オングストロームであった。また、Ｘ線回折分析
を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はア
モルファス状であることが確認された。
【００２８】実施例１４ フタロシアナト銅に代えて、テトラアミノフタロシアナ
ト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラア
ミノフタロシアナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。また、Ｘ線回折分
析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜は
アモルファス状であることが確認された。
ト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラア
ミノフタロシアナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。また、Ｘ線回折分
析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄膜は
アモルファス状であることが確認された。
【００２９】実施例１５ フタロシアナト銅に代えて、テトラアミノフタロシアナ
トコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トアミノフタロシアナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．５オングストロームであった。また、
Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
トコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トアミノフタロシアナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．５オングストロームであった。また、
Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
【００３０】実施例１６ フタロシアナト銅に代えて、テトラアミノフタロシアナ
トニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トラアミノフタロシアナトニッケル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。ま
た、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみ
られず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
トニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トラアミノフタロシアナトニッケル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。ま
た、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみ
られず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
【００３１】実施例１７ フタロシアナト銅に代えて、テトラアミノフタロシアナ
トバナジルを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トラアミノフタロシアナトバナジル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。ま
た、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみ
られず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
トバナジルを用いたほかは、実施例１と同様にして、テ
トラアミノフタロシアナトバナジル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。ま
た、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみ
られず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
【００３２】実施例１８ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト銅薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
タロシアナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト銅薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００３３】実施例１９ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトコバル
ト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
タロシアナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトコバル
ト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
【００３４】実施例２０ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
タロシアナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００３５】実施例２１ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナト鉄を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト鉄薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
タロシアナト鉄を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト鉄薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００３６】実施例２２ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト亜鉛薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性の
ピークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが
確認された。
タロシアナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラターシャルブチルフタロシアナト亜鉛薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性の
ピークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが
確認された。
【００３７】実施例２３ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と
同様にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトマ
グネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行った
ところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファ
ス状であることが確認された。
タロシアナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と
同様にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトマ
グネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。また、Ｘ線回折分析を行った
ところ、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファ
ス状であることが確認された。
【００３８】実施例２４ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトニッケ
ル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
タロシアナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトニッケ
ル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
【００３９】実施例２５ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアニンを用いたほかは、実施例１と同様にして、
テトラターシャルブチルフタロシアニン薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークは
みられず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
タロシアニンを用いたほかは、実施例１と同様にして、
テトラターシャルブチルフタロシアニン薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピークは
みられず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
【００４０】実施例２６ フタロシアナト銅に代えて、テトラターシャルブチルフ
タロシアナトバナジルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトバナジ
ル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
タロシアナトバナジルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、テトラターシャルブチルフタロシアナトバナジ
ル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
【００４１】実施例２７ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、テト
ラカルボキシフタロシアナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ
線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
アナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、テト
ラカルボキシフタロシアナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ
線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
【００４２】実施例２８ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
アナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００４３】実施例２９ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
アナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００４４】実施例３０ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アナト鉄を用いたほかは、実施例１と同様にして、テト
ラカルボキシフタロシアナト鉄薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．３オングストロームであった。また、Ｘ
線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
アナト鉄を用いたほかは、実施例１と同様にして、テト
ラカルボキシフタロシアナト鉄薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．３オングストロームであった。また、Ｘ
線回折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられ
ず、薄膜はアモルファス状であることが確認された。
【００４５】実施例３１ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アナトバナジルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトバナジル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
アナトバナジルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、テトラカルボキシフタロシアナトバナジル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームであ
った。また、Ｘ線回折分析を行ったところ、結晶性のピ
ークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが確
認された。
【００４６】実施例３２ フタロシアナト銅に代えて、テトラカルボキシフタロシ
アニンを用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラ
カルボキシフタロシアニン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ線回
折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄
膜はアモルファス状であることが確認された。
アニンを用いたほかは、実施例１と同様にして、テトラ
カルボキシフタロシアニン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ線回
折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄
膜はアモルファス状であることが確認された。
【００４７】実施例３３ フタロシアナト銅に代えて、ジクロロフタロシアナトシ
リコンを用いたほかは、実施例１と同様にして、ジクロ
ロフタロシアナトシリコン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ線回
折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄
膜はアモルファス状であることが確認された。
リコンを用いたほかは、実施例１と同様にして、ジクロ
ロフタロシアナトシリコン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。また、Ｘ線回
折分析を行ったところ、結晶性のピークはみられず、薄
膜はアモルファス状であることが確認された。
【００４８】実施例３４ フタロシアナト銅０．１ｇと、フタロシアナトマグネシ
ウム０．１ｇとを計り取り、それぞれを第１石英るつぼ
と第２石英るつぼの中に入れた。そして、第１石英るつ
ぼを分子線蒸着装置の第１分子線源室に、第２石英るつ
ぼを第２分子線源室に入れて、別々に、２００℃に加熱
しながら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプ
により１０時間真空引きした。
ウム０．１ｇとを計り取り、それぞれを第１石英るつぼ
と第２石英るつぼの中に入れた。そして、第１石英るつ
ぼを分子線蒸着装置の第１分子線源室に、第２石英るつ
ぼを第２分子線源室に入れて、別々に、２００℃に加熱
しながら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプ
により１０時間真空引きした。
【００４９】一方、厚み０．５ｍｍ、直径４インチのシ
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した１％のフッ化水素水溶液に
１０分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した１％のフッ化水素水溶液に
１０分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
【００５０】次に、第１及び第２分子線源室内を液体窒
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも３２０℃に加熱した。そして、第
１分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ、液体窒素シュラウドにより１
×１０-10 Ｔｏｒｒに減圧された成長室とを分離してい
た第１ゲートバルブを開け、フタロシアナト銅の基板へ
の蒸着を開始した。このとき、堆積膜厚を水晶振動子式
膜厚計でモニタした。そして、堆積膜厚が２６オングス
トロームに達したところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸
着を停止した。次に、同様の手順で、フタロシアナトマ
グネシウムを２６オングストローム蒸着した。この作業
をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返して、多層膜を作成
した。なお、基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却する
ことにより、−１００℃に保持した。
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも３２０℃に加熱した。そして、第
１分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ、液体窒素シュラウドにより１
×１０-10 Ｔｏｒｒに減圧された成長室とを分離してい
た第１ゲートバルブを開け、フタロシアナト銅の基板へ
の蒸着を開始した。このとき、堆積膜厚を水晶振動子式
膜厚計でモニタした。そして、堆積膜厚が２６オングス
トロームに達したところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸
着を停止した。次に、同様の手順で、フタロシアナトマ
グネシウムを２６オングストローム蒸着した。この作業
をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返して、多層膜を作成
した。なお、基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却する
ことにより、−１００℃に保持した。
【００５１】この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、５２オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。実施例３５ フタロシアナト銅に代えてテトラアミノフタロシアニン
を用い、フタロシアナトマグネシウムに代えてテトラア
ミノフタロシアナトコバルトを用い、それぞれのポルフ
ィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚をともに２６オング
ストロームとし、アセトンで超音波洗浄されたＩＴＯガ
ラスを基板に用いたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、５２オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。
ところ、５２オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。実施例３５ フタロシアナト銅に代えてテトラアミノフタロシアニン
を用い、フタロシアナトマグネシウムに代えてテトラア
ミノフタロシアナトコバルトを用い、それぞれのポルフ
ィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚をともに２６オング
ストロームとし、アセトンで超音波洗浄されたＩＴＯガ
ラスを基板に用いたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、５２オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。
【００５２】実施例３６ フタロシアナト銅に代えてテトラターシャルブチルフタ
ロシアナト鉛を用い、フタロシアナトマグネシウムに代
えてテトラターシャルブチルフタロシアナトニッケルを
用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積
膜厚をともに２６オングストロームとしたほかは、実施
例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期を
Ｘ線回折分析で調べたところ、５２オングストロームと
なっていることが確認された。また、結晶性のピークは
みられず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
ロシアナト鉛を用い、フタロシアナトマグネシウムに代
えてテトラターシャルブチルフタロシアナトニッケルを
用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積
膜厚をともに２６オングストロームとしたほかは、実施
例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期を
Ｘ線回折分析で調べたところ、５２オングストロームと
なっていることが確認された。また、結晶性のピークは
みられず、薄膜はアモルファス状であることが確認され
た。
【００５３】実施例３７ フタロシアナト銅に代えてテトラカルボキシフタロシア
ナト鉄を用い、フタロシアナトマグネシウムに代えて、
テトラカルボキシフタロシアナトバナジルを用い、それ
ぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２６
オングストローム及び３９オングストロームとしたほか
は、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積
層周期をＸ線回折分析で調べたところ、６５オングスト
ロームとなっていることが確認された。また、結晶性の
ピークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが
確認された。
ナト鉄を用い、フタロシアナトマグネシウムに代えて、
テトラカルボキシフタロシアナトバナジルを用い、それ
ぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２６
オングストローム及び３９オングストロームとしたほか
は、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積
層周期をＸ線回折分析で調べたところ、６５オングスト
ロームとなっていることが確認された。また、結晶性の
ピークはみられず、薄膜はアモルファス状であることが
確認された。
【００５４】実施例３８ フタロシアナト銅に代えてジクロロフタロシアナトシリ
コンを用い、フタロシアナトマグネシウムに代えてフタ
ロシアニン亜鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の１回ごとの堆積膜厚をともに２６オングストロームと
したほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、５２オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
コンを用い、フタロシアナトマグネシウムに代えてフタ
ロシアニン亜鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の１回ごとの堆積膜厚をともに２６オングストロームと
したほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、５２オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
結晶性のピークはみられず、薄膜はアモルファス状であ
ることが確認された。
【００５５】実施例３９ フタロシアナト銅０．１ｇと、フタロシアナトマグネシ
ウム０．１ｇと、フタロシアナト亜鉛０．１ｇとを計り
取り、それぞれを第１石英るつぼと第２石英るつぼと第
３石英るつぼとの中に入れた。そして、第１石英るつぼ
を分子線蒸着装置の第１分子線源室に、第２石英るつぼ
を第２分子線源室に、第３石英るつぼを第３分子線源室
に入れて、別々に、２００℃に加熱しながら液体窒素ト
ラップのついた油拡散式真空ポンプにより１０時間真空
引きした。
ウム０．１ｇと、フタロシアナト亜鉛０．１ｇとを計り
取り、それぞれを第１石英るつぼと第２石英るつぼと第
３石英るつぼとの中に入れた。そして、第１石英るつぼ
を分子線蒸着装置の第１分子線源室に、第２石英るつぼ
を第２分子線源室に、第３石英るつぼを第３分子線源室
に入れて、別々に、２００℃に加熱しながら液体窒素ト
ラップのついた油拡散式真空ポンプにより１０時間真空
引きした。
【００５６】一方、厚み０．５ｍｍ、直径４インチのシ
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した１％のフッ化水溶液に１０分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第１〜第３分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも２４０℃に加熱した。そして、第１分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ、液体窒素シュラウドにより１×１０-10 Ｔｏｒｒに
減圧された成長室との雰囲気を分離していた第１ゲート
バルブを開け、フタロシアナト銅の基板への蒸着を開始
した。このとき、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニ
タした。そして、堆積膜厚が２６オングストロームに達
したところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止し
た。次に、同様の手順で、フタロシアナトマグネシウム
を２６オングストローム蒸着した。さらに同様にして、
フタロシアナト亜鉛をこの上から２６オングストローム
蒸着した。この作業をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返
して、多層膜を作成した。なお、基板温度は、ホルダを
液体窒素で冷却することにより、−１００℃に保持し
た。
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した１％のフッ化水溶液に１０分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第１〜第３分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも２４０℃に加熱した。そして、第１分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ、液体窒素シュラウドにより１×１０-10 Ｔｏｒｒに
減圧された成長室との雰囲気を分離していた第１ゲート
バルブを開け、フタロシアナト銅の基板への蒸着を開始
した。このとき、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニ
タした。そして、堆積膜厚が２６オングストロームに達
したところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止し
た。次に、同様の手順で、フタロシアナトマグネシウム
を２６オングストローム蒸着した。さらに同様にして、
フタロシアナト亜鉛をこの上から２６オングストローム
蒸着した。この作業をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返
して、多層膜を作成した。なお、基板温度は、ホルダを
液体窒素で冷却することにより、−１００℃に保持し
た。
【００５７】この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、７８オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。
ところ、７８オングストロームとなっていることが確認
された。また、結晶性のピークはみられず、薄膜はアモ
ルファス状であることが確認された。
【００５８】
【発明の効果】この発明によれば、用い得る基板の自由
度が高くかつ高速で得られるフタロシアニン薄膜及びそ
の多層膜を実現できる。
度が高くかつ高速で得られるフタロシアニン薄膜及びそ
の多層膜を実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石谷 炯 滋賀県大津市園山３丁目３番７号 株式会 社東レリサーチセンター内
Claims (10)
- 【請求項１】フタロシアニン誘導体からなり、表面にお
ける自乗平均粗さが１００オングストローム以下であ
り、かつアモルファス状であることを特徴とするフタロ
シアニン薄膜。 - 【請求項２】前記自乗平均粗さが１〜２０オングストロ
ームである、請求項１に記載のフタロシアニン薄膜。 - 【請求項３】前記フタロシアニン誘導体は、フタロシア
ニン、フタロシアナト鉛、フタロシアナト銅、フタロシ
アナトニッケル、フタロシアナト鉄、フタロシアナトマ
グネシウム、フタロシアナトアルミニウム、フタロシア
ナトシリコン、フタロシアナトスズ、フタロシアナトコ
バルト、フタロシアナト亜鉛の群から選ばれたフタロシ
アニン誘導体である、請求項１又は２に記載のフタロシ
アニン薄膜。 - 【請求項４】基板を−２５〜−２６９℃に冷却し、フタ
ロシアニン誘導体分子を加熱蒸発させ、１×１０-7Ｔｏ
ｒｒ未満の超高真空下で分子線として前記基板へ飛行さ
せることを特徴とするフタロシアニン薄膜の製造方法。 - 【請求項５】前記フタロシアニン誘導体は、フタロシア
ニン、フタロシアナト鉛、フタロシアナト銅、フタロシ
アナトニッケル、フタロシアナト鉄、フタロシアナトマ
グネシウム、フタロシアナトアルミニウム、フタロシア
ナトシリコン、フタロシアナトスズ、フタロシアナトコ
バルト、フタロシアナト亜鉛の群から選ばれたフタロシ
アニン誘導体である、請求項４に記載のフタロシアニン
薄膜の製造方法。 - 【請求項６】フタロシアニン薄膜を２層以上積層してな
り、該フタロシアニン薄膜は、接する薄膜同志が異なる
フタロシアニン誘導体からなることを特徴とする多層
膜。 - 【請求項７】前記フタロシアニン薄膜は２〜５０オング
ストロームの厚みを有している、請求項６に記載の多層
膜。 - 【請求項８】表面の自乗平均粗さが１００オングストロ
ーム以下である、請求項６に記載の多層膜。 - 【請求項９】表面の自乗平均粗さが１〜２０オングスト
ロームである、請求項７又は８に記載の多層膜。 - 【請求項１０】前記フタロシアニン薄膜は、フタロシア
ニン、フタロシアナト鉛、フタロシアナト銅、フタロシ
アナトニッケル、フタロシアナト鉄、フタロシアナトマ
グネシウム、フタロシアナトアルミニウム、フタロシア
ナトシリコン、フタロシアナトスズ、フタロシアナトコ
バルト、フタロシアナト亜鉛の群から選ばれたフタロシ
アニン誘導体からなる、請求項６〜８のいずれかに記載
の多層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196773A JPH0645586A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196773A JPH0645586A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645586A true JPH0645586A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16363394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4196773A Pending JPH0645586A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645586A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021588A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Japan Science And Technology Corporation | Process for producing organic film by coevaporation |
| JP2007204658A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 着色組成物 |
| EP1970959A3 (en) * | 2007-03-12 | 2013-07-31 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
| WO2014136436A1 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-12 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| CN110085753A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-08-02 | 中南大学 | 一种非富勒烯钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP4196773A patent/JPH0645586A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021588A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Japan Science And Technology Corporation | Process for producing organic film by coevaporation |
| JP2007204658A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 着色組成物 |
| EP1970959A3 (en) * | 2007-03-12 | 2013-07-31 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
| WO2014136436A1 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-12 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| CN110085753A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-08-02 | 中南大学 | 一种非富勒烯钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
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