JPH0645686A - 半導体レーザとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザとその製造方法Info
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- JPH0645686A JPH0645686A JP19502592A JP19502592A JPH0645686A JP H0645686 A JPH0645686 A JP H0645686A JP 19502592 A JP19502592 A JP 19502592A JP 19502592 A JP19502592 A JP 19502592A JP H0645686 A JPH0645686 A JP H0645686A
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- semiconductor laser
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 直線性の優れた電流−光出力特性を示す半導
体レーザの製造を目的とする。 【構成】 Ｚｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層６上に厚さを制御したアンドープＧａx Ｉ
ｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）を成長し、後
に成長されるｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１２成長過程に、下地結晶のＺｎドープ
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）のＰ型不純物の亜鉛（Ｚｎ）の固相拡散により、
Ｐ型反転し、Ｐ型反転Ｇａ0.5Iｎ0.5 Ｐヘテロバッファ
層７とｎ型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロ接合にて高
精度なＰＮ接合を形成する。
体レーザの製造を目的とする。 【構成】 Ｚｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層６上に厚さを制御したアンドープＧａx Ｉ
ｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）を成長し、後
に成長されるｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１２成長過程に、下地結晶のＺｎドープ
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）のＰ型不純物の亜鉛（Ｚｎ）の固相拡散により、
Ｐ型反転し、Ｐ型反転Ｇａ0.5Iｎ0.5 Ｐヘテロバッファ
層７とｎ型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロ接合にて高
精度なＰＮ接合を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置、例
えば、可視光半導体レーザの製造方法とその半導体レー
ザの構造に関することである。
えば、可視光半導体レーザの製造方法とその半導体レー
ザの構造に関することである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザの製造方法
は、図３に示すように有機金属熱分解法を用いた気相成
長エピタキシャル法（ＭＯ−ＶＰＥ）等によってｎ型Ｇ
ａＡｓ基板２の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３、ｎ型
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）４、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５、Ｚｎドープ
（Ａｌx Ｇａ1-X ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）６、ＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッフ
ァ層９、ｎ型ＧａＡｓブロック層１１を順次成長する。
ｎ型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロバッファ層９側は
Ｚｎの拡散によりＰ型反転した層１０となる。
は、図３に示すように有機金属熱分解法を用いた気相成
長エピタキシャル法（ＭＯ−ＶＰＥ）等によってｎ型Ｇ
ａＡｓ基板２の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３、ｎ型
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）４、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５、Ｚｎドープ
（Ａｌx Ｇａ1-X ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ
≦１）６、ＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッフ
ァ層９、ｎ型ＧａＡｓブロック層１１を順次成長する。
ｎ型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロバッファ層９側は
Ｚｎの拡散によりＰ型反転した層１０となる。
【０００３】その後、〔０１１〕結晶方向にＺｎドープ
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層９上に達するスト
ライプ状の溝をｇを形成し、２回目の成長にてＰ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１２を成長させ、ｎ型電極１，Ｐ型電
極１３を形成していた（例えば、特公平３−５３５７７
号公報）。
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層９上に達するスト
ライプ状の溝をｇを形成し、２回目の成長にてＰ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１２を成長させ、ｎ型電極１，Ｐ型電
極１３を形成していた（例えば、特公平３−５３５７７
号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
の半導体レーザは、ＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテ
ロバッファ層９以降のｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１２を成長する際、熱履歴によ
りＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層９に
接するｎ型ＧａＡｓブロック層１１に拡散係数の大きい
Ｚｎ（亜鉛）が熱履歴により、固相拡散し、図３に示す
ように低抵抗なＰ型反転ＧａＡｓ層１０を形成する。
の半導体レーザは、ＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテ
ロバッファ層９以降のｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１２を成長する際、熱履歴によ
りＺｎドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層９に
接するｎ型ＧａＡｓブロック層１１に拡散係数の大きい
Ｚｎ（亜鉛）が熱履歴により、固相拡散し、図３に示す
ように低抵抗なＰ型反転ＧａＡｓ層１０を形成する。
【０００５】Ｐ型反転ＧａＡｓ層１０の形成により、Ｐ
型電極１３より注入された電流は、Ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１２を経て、ストライプ状の溝ｇを通過する際、
Ｐ型反転ＧａＡｓ層１０に電流ｉが大きく広がり、同図
矢印で示すようになる。それにより、発光領域となる活
性層５のキャリア密度分布は図５ａの実線Ｒに示すよう
になり、光出力を得るために、電流を増加すると中央部
のキャリアは、光エネルギ−に変換されて減少する効果
も加わり、破線ｊで示すようにキャリア密度分布は、ま
すます中央部がへこみ、光導波特性が不安定になり、図
５ｂに示すように電流−光出力特性に折れ曲がりを発生
する欠点があった。
型電極１３より注入された電流は、Ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１２を経て、ストライプ状の溝ｇを通過する際、
Ｐ型反転ＧａＡｓ層１０に電流ｉが大きく広がり、同図
矢印で示すようになる。それにより、発光領域となる活
性層５のキャリア密度分布は図５ａの実線Ｒに示すよう
になり、光出力を得るために、電流を増加すると中央部
のキャリアは、光エネルギ−に変換されて減少する効果
も加わり、破線ｊで示すようにキャリア密度分布は、ま
すます中央部がへこみ、光導波特性が不安定になり、図
５ｂに示すように電流−光出力特性に折れ曲がりを発生
する欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
製造方法は、上記の問題点を解決するために１回目の成
長にてｎ型ＧａＡｓ基板またはｎ型ＧａＡｓバッファ層
を有するｎ型ＧａＡｓ基板二、ｎ型クラッド層、活性
層、さらにＺｎドーピングのＰ型クラッド層を順次形成
し、その上に成長するヘテロバッファ層は、成長時には
ノンドーピングのｎ型で形成し、さらにｎ型ブロック層
を形成する。そして，その後ヘテロバッファ層上に達す
るストライプ状の溝を形成し、２回目の成長にてＺｎド
ーピングのＰ型コンタクト層を形成した構成となってい
る。
製造方法は、上記の問題点を解決するために１回目の成
長にてｎ型ＧａＡｓ基板またはｎ型ＧａＡｓバッファ層
を有するｎ型ＧａＡｓ基板二、ｎ型クラッド層、活性
層、さらにＺｎドーピングのＰ型クラッド層を順次形成
し、その上に成長するヘテロバッファ層は、成長時には
ノンドーピングのｎ型で形成し、さらにｎ型ブロック層
を形成する。そして，その後ヘテロバッファ層上に達す
るストライプ状の溝を形成し、２回目の成長にてＺｎド
ーピングのＰ型コンタクト層を形成した構成となってい
る。
【０００７】
【作用】上記の構成によると成長時にノンドーピングの
ｎ型ヘテロバッファ層は、その直下の下地結晶のＰ型不
純物、例えばＺｎ（亜鉛）拡散によって、Ｐ型反転し、
そのヘテロバッファ層上のｎ型ブロック層とのヘテロ界
面にて高精度なＰｎ接合を形成するため、低抵抗なＰ型
反転ＧａＡｓ層の形成がなくなる。このため、注入電流
の広がりが小さくなり、活性層に注入されるキャリア密
度分布が単峰性の形状を保って、光導波特性を安定に維
持し、直線性の優れた電流−光出力特性を示す半導体レ
ーザを提供するようにするものである。
ｎ型ヘテロバッファ層は、その直下の下地結晶のＰ型不
純物、例えばＺｎ（亜鉛）拡散によって、Ｐ型反転し、
そのヘテロバッファ層上のｎ型ブロック層とのヘテロ界
面にて高精度なＰｎ接合を形成するため、低抵抗なＰ型
反転ＧａＡｓ層の形成がなくなる。このため、注入電流
の広がりが小さくなり、活性層に注入されるキャリア密
度分布が単峰性の形状を保って、光導波特性を安定に維
持し、直線性の優れた電流−光出力特性を示す半導体レ
ーザを提供するようにするものである。
【０００８】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【０００９】説明に先立ち、従来例を示したものと同一
符号は、同一呼称であり、説明を省いています。
符号は、同一呼称であり、説明を省いています。
【００１０】図１は、本発明の実施例１の半導体レーザ
の断面図を示したものである。ｎ型ＧａＡｓ基板２上に
ｎ型ＧａＡｓバッファ層３、ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）４、Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５、Ｚｎードープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）６を順次成長
する。その上にＰＮ接合位置の高精度化を目的とするノ
ンドーピングＧａｘＩｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜
ｘ＜１）を成長し、さらにｎ型ＧａＡｓブロック層１１
を成長する。その後〔０１１〕結晶方向に上記ヘテロバ
ッファ層に達するストライプ上の溝を形成し，２回目の
成長にてＰ型ＧａＡｓコンタクト層１２を成長し、ｎ型
電極１、Ｐ型電極１３を形成する。ノンドーピングＧａ
x Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）は、０．
０６〜０．１０μｍの厚さに制御することにより、ｎ型
ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
２成長時に下地結晶のＺｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x 0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層６のＰ型不純物のＺｎ（亜鉛）の
拡散によってＰ型反転をし、Ｐ型反転Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ
ヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７となる。
の断面図を示したものである。ｎ型ＧａＡｓ基板２上に
ｎ型ＧａＡｓバッファ層３、ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）４、Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５、Ｚｎードープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）６を順次成長
する。その上にＰＮ接合位置の高精度化を目的とするノ
ンドーピングＧａｘＩｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜
ｘ＜１）を成長し、さらにｎ型ＧａＡｓブロック層１１
を成長する。その後〔０１１〕結晶方向に上記ヘテロバ
ッファ層に達するストライプ上の溝を形成し，２回目の
成長にてＰ型ＧａＡｓコンタクト層１２を成長し、ｎ型
電極１、Ｐ型電極１３を形成する。ノンドーピングＧａ
x Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）は、０．
０６〜０．１０μｍの厚さに制御することにより、ｎ型
ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
２成長時に下地結晶のＺｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x 0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層６のＰ型不純物のＺｎ（亜鉛）の
拡散によってＰ型反転をし、Ｐ型反転Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐ
ヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７となる。
【００１１】ｎ型ＧａＡｓブロック層１１をＰ型反転さ
せるまで亜鉛（Ｚｎ）が拡散されなくなり、Ｐ型反転Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７とｎ
型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロ接合部にて高精度な
ＰＮ接合を形成する。
せるまで亜鉛（Ｚｎ）が拡散されなくなり、Ｐ型反転Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７とｎ
型ＧａＡｓブロック層１１のヘテロ接合部にて高精度な
ＰＮ接合を形成する。
【００１２】これにより、図１に示すように電流通路
は、同図矢印で示す形状となる。従って発光領域とな
る。Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５に注入されるキャリア
密度は、図４ａのように中央部のキャリア密度が高い単
峰性の形状となる。駆動電流を増加して光出力を上げて
も点数で示すように単峰状のキャリア密度分布を保ち、
安定な光導波特性を維持できるため、図４ｂに示すよう
に直線性の優れた電流−光出力特性を得ることができ
る。
は、同図矢印で示す形状となる。従って発光領域とな
る。Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５に注入されるキャリア
密度は、図４ａのように中央部のキャリア密度が高い単
峰性の形状となる。駆動電流を増加して光出力を上げて
も点数で示すように単峰状のキャリア密度分布を保ち、
安定な光導波特性を維持できるため、図４ｂに示すよう
に直線性の優れた電流−光出力特性を得ることができ
る。
【００１３】
【実施２】図２は本発明の実施例２の半導体レーザの断
面図である。この実施例は、前記実施例１のＰ型反転Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７の代
わりに、Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜０．
５）ヘテロバッファ層８をもうけて、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-X ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）６とｎ
型ＧａＡｓブロック層１１またはＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１２とヘテロ界面で生じるいわゆるヘテロ界面のバ
ンド不連続であるバレンスバンドスパイクの低減を行
う。Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜０．５）ヘ
テロバッファ層８は、実施例１と同様に４００〜６００
オングストロームの厚さでノンドーピングＡｌy Ｇａ
1-y Ａｓ（０．３＜ｙ＜０．７）として成長し、後成長
させるｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１２成長過程に、下地結晶のＺｎドープ（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）
のＰ型不純物の亜鉛（Ｚｎ）の固相拡散により、Ｐ型反
転し、Ｐ型反転ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓヘテロバッファ層
（０．３＜ｙ＜０．７）７とｎ型ＧａＡｓブロック層１
１のヘテロ接合にて高精度なＰＮせうごうを形成する。
面図である。この実施例は、前記実施例１のＰ型反転Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）７の代
わりに、Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜０．
５）ヘテロバッファ層８をもうけて、Ｐ型（Ａｌx Ｇａ
1-X ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）６とｎ
型ＧａＡｓブロック層１１またはＰ型ＧａＡｓコンタク
ト層１２とヘテロ界面で生じるいわゆるヘテロ界面のバ
ンド不連続であるバレンスバンドスパイクの低減を行
う。Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜０．５）ヘ
テロバッファ層８は、実施例１と同様に４００〜６００
オングストロームの厚さでノンドーピングＡｌy Ｇａ
1-y Ａｓ（０．３＜ｙ＜０．７）として成長し、後成長
させるｎ型ＧａＡｓブロック層１１、Ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１２成長過程に、下地結晶のＺｎドープ（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）
のＰ型不純物の亜鉛（Ｚｎ）の固相拡散により、Ｐ型反
転し、Ｐ型反転ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓヘテロバッファ層
（０．３＜ｙ＜０．７）７とｎ型ＧａＡｓブロック層１
１のヘテロ接合にて高精度なＰＮせうごうを形成する。
【００１４】なお、以上の実施例では、ドーパントとし
てＺｎを用いたが、この発明は勿論他のドーパント例え
ばＭｇ等であってもよい。
てＺｎを用いたが、この発明は勿論他のドーパント例え
ばＭｇ等であってもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
を採用することによって低抵抗なＰ型反転ＧａＡｓ層を
形成しないため、注入電流が広がらず、発光領域となる
半導体層に注入されたキャリア密度分布を単峰性の形状
にでき、直線性の良い電流−光出力特性を半導体レーザ
を製作できることができる。
を採用することによって低抵抗なＰ型反転ＧａＡｓ層を
形成しないため、注入電流が広がらず、発光領域となる
半導体層に注入されたキャリア密度分布を単峰性の形状
にでき、直線性の良い電流−光出力特性を半導体レーザ
を製作できることができる。
【図１】 本発明に係る実施例１の半導体レーザの断面
図。
図。
【図２】 本発明に係る実施例２の半導体レーザの断面
図。
図。
【図３】 従来の半導体レーザの断面図。
【図４】 ａは、本発明に係る実施例１、実施例２の半
導体レーザにおける発光領域に注入されたキャリア密度
分布を示す図。ｂは、ａの電流−光出力特性を示す図。
導体レーザにおける発光領域に注入されたキャリア密度
分布を示す図。ｂは、ａの電流−光出力特性を示す図。
【図５】 ａは、従来の半導体レーザにおける発光領域
に注入されたキャリア密度分布を示す図。ｂは、ａの電
流−光出力特性を示す図。
に注入されたキャリア密度分布を示す図。ｂは、ａの電
流−光出力特性を示す図。
１ ｎ型電極 ２ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ４ ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ６ Ｚｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（０＜ｘ≦１） ７ Ｐ型反転Ｇａx Ｉｎ1-x ヘテロバッファ層（０＜ｘ
＜１） ８ Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ｐヘテロバッファ層（０．
３＜ｘ＜０．７） ９ ＺｎドープＧａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０
＜ｘ＜１） １０ Ｐ型反転ＧａＡｓ層 １１ ｎ型ＧａＡｓブロック層 １２ Ｐ型ＧａＡコンタクト層 １３ Ｐ型電極
（０＜ｘ≦１） ５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ６ Ｚｎドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（０＜ｘ≦１） ７ Ｐ型反転Ｇａx Ｉｎ1-x ヘテロバッファ層（０＜ｘ
＜１） ８ Ｐ型反転Ａｌy Ｇａ1-y Ｐヘテロバッファ層（０．
３＜ｘ＜０．７） ９ ＺｎドープＧａx Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０
＜ｘ＜１） １０ Ｐ型反転ＧａＡｓ層 １１ ｎ型ＧａＡｓブロック層 １２ Ｐ型ＧａＡコンタクト層 １３ Ｐ型電極
Claims (5)
- 【請求項１】III −Ｖ族結晶成長過程で下地結晶のＰ型
不純物拡散により、その上に積層されるアンドープＧａ
x Ｉｎ1-x Ｐヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）をオ−ト
ドピングして、Ｐ型反転させ、前記ヘテロバッファ層の
厚さが０．０６〜０．１０μｍである半導体レーザ。 - 【請求項２】III −Ｖ族結晶成長過程で下地結晶のＰ型
不純物拡散により、その上に積層されるアンドープＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓヘテロバッファ層（０＜ｙ＜１）をオー
トドーヒングして、Ｐ型反転させ、その厚さが４００〜
６００オングストロームである半導体レーザ。 - 【請求項３】III −Ｖ族結晶成長過程において、下地結
晶のＰ型不純物を拡散し、その上に形成したアンドープ
のＰヘテロバッファ層（０＜ｘ＜１）をＰ型反転させる
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】前記アンドープヘテロバッファ層がＧａx
Ｉｎ1-x Ｐ（０＜ｘ＜１）である請求項３記載の半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項５】前記アンドープヘテロバッファ層がＡｌy
Ｇａ1-y Ａｓ（０＜ｙ＜１）である請求項３記載の半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19502592A JPH0645686A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体レーザとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19502592A JPH0645686A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体レーザとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645686A true JPH0645686A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16334288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19502592A Pending JPH0645686A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体レーザとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006279023A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19502592A patent/JPH0645686A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006279023A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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