JPH0645698A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0645698A JPH0645698A JP7781192A JP7781192A JPH0645698A JP H0645698 A JPH0645698 A JP H0645698A JP 7781192 A JP7781192 A JP 7781192A JP 7781192 A JP7781192 A JP 7781192A JP H0645698 A JPH0645698 A JP H0645698A
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- Japan
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- active layer
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- cladding layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視光半導体レーザのようなＧａＡｓ基板上
に作製したＧａＩｎＰやＡｌＧａＩｎＰの活性層を、こ
れよりバンドギャップの大きなＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰのクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有す
る半導体発光素子において、クラッド層に高濃度ドーピ
ングするとドーピングした不純物がクラッド層から活性
層へ拡散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップ
の変化が発生するという問題を解決する。 【構成】 ｎ型クラッド層を活性層１４に近い側の低濃
度ドーピング領域１３と遠い側の高濃度ドーピング領域
１２とに分け、ｐ型クラッド層を活性層１４に近い側の
低濃度ドーピング領域１５と遠い側の高濃度ドーピング
領域１６とに分ける。これにより、クラッド層から活性
層１４への不純物の拡散を抑制しながらクラッド層全体
の高濃度ドーピングを実現できる。
に作製したＧａＩｎＰやＡｌＧａＩｎＰの活性層を、こ
れよりバンドギャップの大きなＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰのクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有す
る半導体発光素子において、クラッド層に高濃度ドーピ
ングするとドーピングした不純物がクラッド層から活性
層へ拡散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップ
の変化が発生するという問題を解決する。 【構成】 ｎ型クラッド層を活性層１４に近い側の低濃
度ドーピング領域１３と遠い側の高濃度ドーピング領域
１２とに分け、ｐ型クラッド層を活性層１４に近い側の
低濃度ドーピング領域１５と遠い側の高濃度ドーピング
領域１６とに分ける。これにより、クラッド層から活性
層１４への不純物の拡散を抑制しながらクラッド層全体
の高濃度ドーピングを実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＧａＩｎＰやＡｌＧａＩｎＰを活
性層としたＡｌＧａＩｎＰ系のダブルヘテロ構造を有す
る半導体発光素子は、主に可視光半導体レーザとして開
発が行なわれている。このような可視光半導体レーザに
おいては、クラッド層に高濃度の不純物のドーピングを
行なうことにより、キャリアの閉じこめ効果の向上やク
ラッド層の低抵抗化が可能であり、その結果半導体レー
ザの特性向上を図ることができる。
性層としたＡｌＧａＩｎＰ系のダブルヘテロ構造を有す
る半導体発光素子は、主に可視光半導体レーザとして開
発が行なわれている。このような可視光半導体レーザに
おいては、クラッド層に高濃度の不純物のドーピングを
行なうことにより、キャリアの閉じこめ効果の向上やク
ラッド層の低抵抗化が可能であり、その結果半導体レー
ザの特性向上を図ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
可視光半導体レーザの構成では、活性層とクラッド層が
直接接しており、そのためクラッド層に高濃度ドーピン
グした場合、レーザ作製プロセス中等における加熱によ
り、ドーピングした不純物がクラッド層から活性層へ拡
散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップの変化
が発生するという問題があった。とりわけこのことは、
ｐ型クラッド層に高濃度ドーピングした際において顕著
であった。
可視光半導体レーザの構成では、活性層とクラッド層が
直接接しており、そのためクラッド層に高濃度ドーピン
グした場合、レーザ作製プロセス中等における加熱によ
り、ドーピングした不純物がクラッド層から活性層へ拡
散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップの変化
が発生するという問題があった。とりわけこのことは、
ｐ型クラッド層に高濃度ドーピングした際において顕著
であった。
【０００４】また従来の結晶表面にストライプ状のリッ
ジを有する構成では、第２導電型クラッド層において、
高濃度ドーピングすることでクラッド層が低抵抗化し、
ＧａＡｓ基板面に対して平行方向にも電流が流れ易くな
るため、第２導電型クラッド層内で電流が広がってしま
い、活性層内における実効的な電流の閉じこめ効果が弱
まるという問題があった。
ジを有する構成では、第２導電型クラッド層において、
高濃度ドーピングすることでクラッド層が低抵抗化し、
ＧａＡｓ基板面に対して平行方向にも電流が流れ易くな
るため、第２導電型クラッド層内で電流が広がってしま
い、活性層内における実効的な電流の閉じこめ効果が弱
まるという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来の問題を解決す
るものであり、クラッド層ヘの高濃度ドーピングを実現
しながら、同時に活性層への不純物の拡散を抑制した半
導体発光素子を提供することを目的とするものである。
るものであり、クラッド層ヘの高濃度ドーピングを実現
しながら、同時に活性層への不純物の拡散を抑制した半
導体発光素子を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１導電型クラッド層および第２導電型
クラッド層の両方またはいずれか一方が、活性層に近い
側の低濃度ドーピング領域と、活性層に遠い側の高濃度
ドーピング領域とを備えている。
に、本発明は、第１導電型クラッド層および第２導電型
クラッド層の両方またはいずれか一方が、活性層に近い
側の低濃度ドーピング領域と、活性層に遠い側の高濃度
ドーピング領域とを備えている。
【０００７】
【作用】本発明は、上記構成によって、活性層に近い側
のクラッド層の不純物濃度を低く抑えているため、クラ
ッド層から活性層への不純物の拡散を少なくすることが
できるとともに、クラッド層全体としては高濃度ドーピ
ングを実現しているため、半導体レーザの特性の向上を
図ることができる。
のクラッド層の不純物濃度を低く抑えているため、クラ
ッド層から活性層への不純物の拡散を少なくすることが
できるとともに、クラッド層全体としては高濃度ドーピ
ングを実現しているため、半導体レーザの特性の向上を
図ることができる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）以下本発明の第１の実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。図１は可視光半導
体レーザの断面を示したもので、第１導電型クラッド層
はｎ型クラッド層、第２導電型クラッド層はｐ型クラッ
ド層としている。
いて、図面を参照しながら説明する。図１は可視光半導
体レーザの断面を示したもので、第１導電型クラッド層
はｎ型クラッド層、第２導電型クラッド層はｐ型クラッ
ド層としている。
【０００９】図１において、１０はｎ型ＧａＡｓ基板、
１１はｎ型ＧａＡｓバッファー層、１２は高濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層、１３は低濃度ドーピングした
ｎ型クラッド層、１４は活性層、１５は低濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層、１６は高濃度ドーピングしたｐ
型クラッド層、１７はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１８は
ｎ電極、１９はｐ電極である。
１１はｎ型ＧａＡｓバッファー層、１２は高濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層、１３は低濃度ドーピングした
ｎ型クラッド層、１４は活性層、１５は低濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層、１６は高濃度ドーピングしたｐ
型クラッド層、１７はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１８は
ｎ電極、１９はｐ電極である。
【００１０】活性層１４は、ＧａＡｓに±１％の範囲内
で格子整合して、（Ａｌx Ｇａ1-x）y Ｉｎ1-y Ｐ（０
≦ｘ≦１）からなり、ｎ型クラッド層１２，１３および
ｐ型クラッド層１５，１６は、ＧａＡｓに±１％の範囲
内で格子整合して、（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ
（０≦ｘ’≦１）からなるものが用いられる。
で格子整合して、（Ａｌx Ｇａ1-x）y Ｉｎ1-y Ｐ（０
≦ｘ≦１）からなり、ｎ型クラッド層１２，１３および
ｐ型クラッド層１５，１６は、ＧａＡｓに±１％の範囲
内で格子整合して、（Ａｌx'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ
（０≦ｘ’≦１）からなるものが用いられる。
【００１１】本実施例では、高濃度ドーピングしたｎ型
クラッド層１２および高濃度ドーピングしたｐ型クラッ
ド層１６は、どちらも厚さ０．８μｍ、ドーピング濃度
１×１０18ｃｍ-3以上としている。一方、低濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層１３および低濃度ドーピングし
たｐ型クラッド層１５は、どちらも厚さ０．１μｍ、ド
ーピング濃度５×１０17ｃｍ-3としている。
クラッド層１２および高濃度ドーピングしたｐ型クラッ
ド層１６は、どちらも厚さ０．８μｍ、ドーピング濃度
１×１０18ｃｍ-3以上としている。一方、低濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層１３および低濃度ドーピングし
たｐ型クラッド層１５は、どちらも厚さ０．１μｍ、ド
ーピング濃度５×１０17ｃｍ-3としている。
【００１２】以上のように構成された半導体レーザにお
いて、活性層１４を挟む上下のクラッド層が、活性層１
４に近い側の低濃度ドーピングしたクラッド層１３，１
５と、活性層１４に遠い側の高濃度ドーピングしたクラ
ッド層１２，１６とからなり、活性層１４には、低濃度
ドーピングしたクラッド層１３，１５が隣接するため、
ドーピングした不純物の活性層１４への拡散は無視する
ことができる。
いて、活性層１４を挟む上下のクラッド層が、活性層１
４に近い側の低濃度ドーピングしたクラッド層１３，１
５と、活性層１４に遠い側の高濃度ドーピングしたクラ
ッド層１２，１６とからなり、活性層１４には、低濃度
ドーピングしたクラッド層１３，１５が隣接するため、
ドーピングした不純物の活性層１４への拡散は無視する
ことができる。
【００１３】また高濃度ドーピングしたクラッド層１
２，１６においては、高い不純物濃度であるが、これら
と活性層１４との間にはそれぞれ低濃度ドーピングした
クラッド層１３，１５が存在しているため、不純物の拡
散による活性層１４の品質の低下は発生しない。このと
き高濃度ドーピングしたクラッド層１２，１６は、それ
ぞれｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層の大部分（約８９
％）を占めており、そのため全体としてクラッド層のキ
ャリアの閉じこめ効果の向上やクラッド層の低抵抗化を
実現することができる。
２，１６においては、高い不純物濃度であるが、これら
と活性層１４との間にはそれぞれ低濃度ドーピングした
クラッド層１３，１５が存在しているため、不純物の拡
散による活性層１４の品質の低下は発生しない。このと
き高濃度ドーピングしたクラッド層１２，１６は、それ
ぞれｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層の大部分（約８９
％）を占めており、そのため全体としてクラッド層のキ
ャリアの閉じこめ効果の向上やクラッド層の低抵抗化を
実現することができる。
【００１４】なお、この低濃度ドーピングしたクラッド
層１３，１５の厚さは、ドーピングした不純物の拡散が
無視できる範囲であれば任意に設定できるが、レーザ特
性向上のためにはその範囲においてできるだけ薄くする
ことが望ましく、実際的には０．１μｍ以上が好まし
い。また、高濃度ドーピングしたクラッド層１２，１６
の低濃度ドーピングしたクラッド層１３，１５に対する
濃度差は、２倍以上あることが望ましい。
層１３，１５の厚さは、ドーピングした不純物の拡散が
無視できる範囲であれば任意に設定できるが、レーザ特
性向上のためにはその範囲においてできるだけ薄くする
ことが望ましく、実際的には０．１μｍ以上が好まし
い。また、高濃度ドーピングしたクラッド層１２，１６
の低濃度ドーピングしたクラッド層１３，１５に対する
濃度差は、２倍以上あることが望ましい。
【００１５】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図２は可視光半導
体レーザの断面を示したもので、第１導電型クラッド層
はｎ型クラッド層、第２導電型クラッド層はｐ型クラッ
ド層としている。
ついて図面を参照しながら説明する。図２は可視光半導
体レーザの断面を示したもので、第１導電型クラッド層
はｎ型クラッド層、第２導電型クラッド層はｐ型クラッ
ド層としている。
【００１６】図２において、２０はｎ型ＧａＡｓ基板、
２１はｎ型ＧａＡｓバッファー層、２２は高濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層、２３は低濃度ドーピングした
ｎ型クラッド層、２４は活性層、２５はｐ型低濃度ドー
ピングしたｐ型クラッド層、２６はｐ型ドーピングした
ストップ層、２７は高濃度ドーピングしたｐ型クラッド
層、２８はｐ型ＧａＡｓキャップ層、２９はｎ型ＧａＡ
ｓブロック層、３０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、３１
はｎ電極、３２はｐ電極である。
２１はｎ型ＧａＡｓバッファー層、２２は高濃度ドーピ
ングしたｎ型クラッド層、２３は低濃度ドーピングした
ｎ型クラッド層、２４は活性層、２５はｐ型低濃度ドー
ピングしたｐ型クラッド層、２６はｐ型ドーピングした
ストップ層、２７は高濃度ドーピングしたｐ型クラッド
層、２８はｐ型ＧａＡｓキャップ層、２９はｎ型ＧａＡ
ｓブロック層、３０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、３１
はｎ電極、３２はｐ電極である。
【００１７】本実施例は、ダブルヘテロ構造にリッジ構
造を形成したものであり、実施例１と同様に、低濃度ド
ーピングしたｎ型クラッド層２３および低濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２５をどちらも厚さ０．１μｍ、
キャリア濃度５×１０17ｃｍ -3となるように形成してい
る。また、リッジ構造の形成を容易にするために、低濃
度ドーピングしたｐ型クラッド層２５と高濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２７の間に、ｐ高濃度ドーピング
したストップ層２６を設けている。
造を形成したものであり、実施例１と同様に、低濃度ド
ーピングしたｎ型クラッド層２３および低濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２５をどちらも厚さ０．１μｍ、
キャリア濃度５×１０17ｃｍ -3となるように形成してい
る。また、リッジ構造の形成を容易にするために、低濃
度ドーピングしたｐ型クラッド層２５と高濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２７の間に、ｐ高濃度ドーピング
したストップ層２６を設けている。
【００１８】以下、本実施例の半導体レーザの作製手順
を簡単に説明する。まず初めに、ｎ型ＧａＡａ基板２０
上にｎ型ＧａＡｓバッファー層２１からｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２８までを通常の方法により成長させた後、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層２８上にレジスト層を形成し、こ
れを露光現像除去処理してマスクを作った後、ｐ型ドー
ピングしたストップ層２６までをエッチング除去し、リ
ッジ構造を形成する。次に、この結晶表面上にｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層２９を成長させた後、マスクを除去して
最後にｐ型ＧａＡｓコンタクト層３０を成長させ、その
上にｐ電極３２を形成する。
を簡単に説明する。まず初めに、ｎ型ＧａＡａ基板２０
上にｎ型ＧａＡｓバッファー層２１からｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２８までを通常の方法により成長させた後、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層２８上にレジスト層を形成し、こ
れを露光現像除去処理してマスクを作った後、ｐ型ドー
ピングしたストップ層２６までをエッチング除去し、リ
ッジ構造を形成する。次に、この結晶表面上にｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層２９を成長させた後、マスクを除去して
最後にｐ型ＧａＡｓコンタクト層３０を成長させ、その
上にｐ電極３２を形成する。
【００１９】本実施例のような構造を取ることによっ
て、実施例１で述べたような高濃度ドーピングしたｎ型
クラッド層２２および高濃度ドーピングしたｐ型クラッ
ド層２７からの活性層２４への不純物の拡散を抑制でき
るとともに、リッジ部以外の高濃度ドーピングをしたｐ
型クラッド層２７を除去しているため、高濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２７内での電流の広がりを抑える
ことができる。このため、本実施例においては、実施例
１に比較してさらにクラッド層におけるキャリアの閉じ
こめ効果を向上させることができる。
て、実施例１で述べたような高濃度ドーピングしたｎ型
クラッド層２２および高濃度ドーピングしたｐ型クラッ
ド層２７からの活性層２４への不純物の拡散を抑制でき
るとともに、リッジ部以外の高濃度ドーピングをしたｐ
型クラッド層２７を除去しているため、高濃度ドーピン
グしたｐ型クラッド層２７内での電流の広がりを抑える
ことができる。このため、本実施例においては、実施例
１に比較してさらにクラッド層におけるキャリアの閉じ
こめ効果を向上させることができる。
【００２０】なお、上記各実施例においては、活性層の
両側のクラッド層のそれぞれに低濃度ドーピング領域と
高濃度ドーピング領域とを設けたが、本発明は、活性層
の両側のクラッド層のどちらか一方だけに低濃度ドーピ
ング領域と高濃度ドーピング領域とを設けることができ
る。
両側のクラッド層のそれぞれに低濃度ドーピング領域と
高濃度ドーピング領域とを設けたが、本発明は、活性層
の両側のクラッド層のどちらか一方だけに低濃度ドーピ
ング領域と高濃度ドーピング領域とを設けることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、上記実施例から明らかなよう
に、第１導電型クラッド層および第２導電型クラッド層
の両方またはいずれか一方に、活性層に近い側の低濃度
ドーピング領域と、活性層に遠い側の高濃度ドーピング
領域とを設けたので、クラッド層の他の領域に高濃度ド
ーピング行なった場合でも、クラッド層から活性層への
不純物の拡散を抑制することができ、またクラッド層全
体としては高濃度ドーピングを実現しているので、クラ
ッド層の低抵抗化およびキャリアの閉じこめ効果を向上
させることができる。
に、第１導電型クラッド層および第２導電型クラッド層
の両方またはいずれか一方に、活性層に近い側の低濃度
ドーピング領域と、活性層に遠い側の高濃度ドーピング
領域とを設けたので、クラッド層の他の領域に高濃度ド
ーピング行なった場合でも、クラッド層から活性層への
不純物の拡散を抑制することができ、またクラッド層全
体としては高濃度ドーピングを実現しているので、クラ
ッド層の低抵抗化およびキャリアの閉じこめ効果を向上
させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体レーザの
断面図
断面図
【図２】本発明の第２の実施例における半導体レーザの
断面図
断面図
１０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１ ｎ型ＧａＡｓバッファー層 １２ 高濃度ドーピングしたｎ型クラッド層 １３ 低濃度ドーピングしたｎ型クラッド層 １４ 活性層 １５ 低濃度ドーピングしたｐ型クラッド層 １６ 高濃度ドーピングしたｐ型クラッド層 １７ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １８ ｎ電極 １９ ｐ電極 ２０ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２１ ｎ型ＧａＡｓバッファー層 ２２ 高濃度ドーピングしたｎ型クラッド層 ２３ 低濃度ドーピングしたｎ型クラッド層 ２４ 活性層 ２５ 低濃度ドーピングしたｐ型クラッド層 ２６ ｐ型ストップ層 ２７ 高濃度ドーピングしたｐ型クラッド層 ２８ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ２９ ｎ型ＧａＡｓブロック層 ３０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３１ ｎ電極 ３２ ｐ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中 島 眞 人 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａ
ＩｎＰからなる活性層を、この活性層よりも大きなエネ
ルギーギャップを持つＡｌＧａＩｎＰからなる第１導電
型クラッド層と第２導電型クラッド層とで挟んだダブル
ヘテロ構造を有し、前記第１導電型クラッド層および第
２導電型クラッド層の両方またはいずれか一方が、前記
活性層に近い側の低濃度ドーピング領域と、前記活性層
に遠い側の高濃度ドーピング領域とを備えた半導体発光
素子。 - 【請求項２】 活性層が、ＧａＡｓに±１％の範囲内で
格子整合して、（Ａｌ x Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦
ｘ≦１）からなり、第１導電型クラッド層および第２導
電型クラッド層が、ＧａＡｓに±１％の範囲内で格子整
合して、（Ａｌ x'Ｇａ1-x'）y'Ｉｎ1-y'Ｐ（０≦ｘ’≦
１）からなる請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 結晶表面にストライプ状のリッジを有
し、リッジ以外の部分を少なくとも結晶表面から活性層
上部にある第２導電型クラッド層中の高濃度ドーピング
領域までを除去した構造を有する請求項１または２記載
の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781192A JPH0645698A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781192A JPH0645698A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645698A true JPH0645698A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=13644411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7781192A Pending JPH0645698A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645698A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403749B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-06-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of organoxy-terminated organopolysiloxanes |
| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| CN100426607C (zh) * | 2005-04-21 | 2008-10-15 | 夏普株式会社 | 化合物半导体激光器件 |
| KR101007086B1 (ko) * | 2008-09-02 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| WO2014045883A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | ウシオ電機株式会社 | Ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| US8860077B2 (en) | 2010-02-12 | 2014-10-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package including the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7781192A patent/JPH0645698A/ja active Pending
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