JPH0645728A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH0645728A JPH0645728A JP19565992A JP19565992A JPH0645728A JP H0645728 A JPH0645728 A JP H0645728A JP 19565992 A JP19565992 A JP 19565992A JP 19565992 A JP19565992 A JP 19565992A JP H0645728 A JPH0645728 A JP H0645728A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スルーホール１４を備えた回路基板を、その
スルーホール１４を高さの高い半田接続用ランド部１７
にてブラインド型スルーホールに構成し、且つ、電子部
品の半田付けに際して狭いピッチ間隔の各半田接続用ラ
ンド部１８の相互間に半田ブリッジが発生しない形態に
して製造する。 【構成】 上面に第１金属層１２ａを形成した絶縁基板
１１に、スルーホール用の貫通孔１３を穿設したのち、
前記第２金属層１２ｂを形成し、次いで、この第２金属
層のうち前記貫通孔１３の以外の箇所にメッキバリヤ用
のフィルム２０を貼着したのち、第３金属層１２ｃを形
成し、前記絶縁基板１１の下面側に対してプリプレグ１
６を圧着したのち、前記第３金属層１２ｃの表面に第４
金属層１２ｄ及び第５金属層１２ｅを各々形成し、次い
で、前記フィルム２０を剥離・除去したのち、絶縁基板
１１の上面側に対してホォトエッチングを施して、前記
スルーホール用貫通孔１３の箇所に半田接続用ランド部
１７を、前記貫通孔以外の箇所に複数個の半田接続用ラ
ンド部１８を狭いピッチ間隔で各々形成する。
スルーホール１４を高さの高い半田接続用ランド部１７
にてブラインド型スルーホールに構成し、且つ、電子部
品の半田付けに際して狭いピッチ間隔の各半田接続用ラ
ンド部１８の相互間に半田ブリッジが発生しない形態に
して製造する。 【構成】 上面に第１金属層１２ａを形成した絶縁基板
１１に、スルーホール用の貫通孔１３を穿設したのち、
前記第２金属層１２ｂを形成し、次いで、この第２金属
層のうち前記貫通孔１３の以外の箇所にメッキバリヤ用
のフィルム２０を貼着したのち、第３金属層１２ｃを形
成し、前記絶縁基板１１の下面側に対してプリプレグ１
６を圧着したのち、前記第３金属層１２ｃの表面に第４
金属層１２ｄ及び第５金属層１２ｅを各々形成し、次い
で、前記フィルム２０を剥離・除去したのち、絶縁基板
１１の上面側に対してホォトエッチングを施して、前記
スルーホール用貫通孔１３の箇所に半田接続用ランド部
１７を、前記貫通孔以外の箇所に複数個の半田接続用ラ
ンド部１８を狭いピッチ間隔で各々形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路及びチップ抵
抗器等の各種の電子部品を半田付けするための半田接続
用ランド部を備えた回路基板を製造する方法に関するも
のである。
抗器等の各種の電子部品を半田付けするための半田接続
用ランド部を備えた回路基板を製造する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】最近の回路基板においては、当該回路基
板におけるスルーホールの箇所に、半田接続用ランド部
を、当該スルーホールを塞ぐように設けて、換言する
と、スルーホールを、いわゆるブラインド型のスルーホ
ールに構成し、この箇所にもチップ抵抗器等の電子部品
を半田付けすることができるようにすることによって、
回路基板の高密度化又は小型化を図ることが行なわれて
いる。
板におけるスルーホールの箇所に、半田接続用ランド部
を、当該スルーホールを塞ぐように設けて、換言する
と、スルーホールを、いわゆるブラインド型のスルーホ
ールに構成し、この箇所にもチップ抵抗器等の電子部品
を半田付けすることができるようにすることによって、
回路基板の高密度化又は小型化を図ることが行なわれて
いる。
【０００３】そこで、本発明者は、前記ブラインド型ス
ルーホールを備えた回路基板の製造に際して、以下に述
べるような製造方法を提案した。すなわち、先づ、図１
２に示すように、上下両面に銅等の第１金属層２ａを形
成したガラスエポキシ樹脂製の絶縁基板１に、スルーホ
ール用の貫通孔３を複数個穿設したのち、第１金属層２
ａの表面及び各貫通孔３の内面に、図１３に示すよう
に、銅の無電解メッキによって、第２金属層２ｂを形成
する。
ルーホールを備えた回路基板の製造に際して、以下に述
べるような製造方法を提案した。すなわち、先づ、図１
２に示すように、上下両面に銅等の第１金属層２ａを形
成したガラスエポキシ樹脂製の絶縁基板１に、スルーホ
ール用の貫通孔３を複数個穿設したのち、第１金属層２
ａの表面及び各貫通孔３の内面に、図１３に示すよう
に、銅の無電解メッキによって、第２金属層２ｂを形成
する。
【０００４】次いで、この第２金属層２ｂの表面の全体
に対して、図１４に示すように、銅の電気メッキにて第
３金属層２ｃを形成し、これによって、前記各貫通孔３
内にスルーホール４を形成したのち、図１５に示すよう
に、絶縁基板１の下面側に対してホォトエッチングを施
すことによって、内層側配線パターン５を形成する。次
いで、絶縁基板１の下面側に対して、図１６に示すよう
に、プリプレグ６を、当該プリプレグ６が前記スルーホ
ール４内まで入るように圧着したのち、表面側に対し
て、図１７に示すように、銅の無電解メッキによって、
第４金属層２ｄを形成し、更に、この第４金属層２ｄの
表面に対して、図１８に示すように、第５金属層２ｅ
を、銅の電気メッキによって形成する。
に対して、図１４に示すように、銅の電気メッキにて第
３金属層２ｃを形成し、これによって、前記各貫通孔３
内にスルーホール４を形成したのち、図１５に示すよう
に、絶縁基板１の下面側に対してホォトエッチングを施
すことによって、内層側配線パターン５を形成する。次
いで、絶縁基板１の下面側に対して、図１６に示すよう
に、プリプレグ６を、当該プリプレグ６が前記スルーホ
ール４内まで入るように圧着したのち、表面側に対し
て、図１７に示すように、銅の無電解メッキによって、
第４金属層２ｄを形成し、更に、この第４金属層２ｄの
表面に対して、図１８に示すように、第５金属層２ｅ
を、銅の電気メッキによって形成する。
【０００５】そして、前記絶縁基板１の上面側に対して
ホォトエッチングを施すことによって、図１９に示すよ
うに、各スルーホール４の箇所に、当該スルーホール４
をブラインド型スルーホールにするための半田接続用ラ
ンド部７を形成すると共に、各スルーホール４以外の箇
所に、電子部品搭載用の半田接続用ランド部８を狭いピ
ッチ間隔で形成したのち、前記絶縁基板１の上面のうち
各半田接続用ランド部７，８の除く部分に、図２０に示
すように、ソルダレジスト９を塗着する。
ホォトエッチングを施すことによって、図１９に示すよ
うに、各スルーホール４の箇所に、当該スルーホール４
をブラインド型スルーホールにするための半田接続用ラ
ンド部７を形成すると共に、各スルーホール４以外の箇
所に、電子部品搭載用の半田接続用ランド部８を狭いピ
ッチ間隔で形成したのち、前記絶縁基板１の上面のうち
各半田接続用ランド部７，８の除く部分に、図２０に示
すように、ソルダレジスト９を塗着する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この先に提案した製造
方法によると、各スルーホール４を、当該箇所に形成し
た半田接続用ランド部７にてブラインド型スルーホール
に構成することができるから、この半田接続用ランド部
７に対して、図２０に二点鎖線で示すように、チップ抵
抗器Ａ等の電子部品を、確実に半田付けすることができ
る。
方法によると、各スルーホール４を、当該箇所に形成し
た半田接続用ランド部７にてブラインド型スルーホール
に構成することができるから、この半田接続用ランド部
７に対して、図２０に二点鎖線で示すように、チップ抵
抗器Ａ等の電子部品を、確実に半田付けすることができ
る。
【０００７】しかし、その反面、狭いピッチ間隔の各半
田接続用ランド部８を、前記各スルーホール４の箇所に
おける半田接続用ランド部７と同時に形成するようにし
ているから、この狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド
部８における高さＨ′が、前記各スルーホール４の箇所
における半田接続用ランド部７と同様に、各金属層２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの各々における厚さの総合
計となると言うように可成り高い寸法になる。
田接続用ランド部８を、前記各スルーホール４の箇所に
おける半田接続用ランド部７と同時に形成するようにし
ているから、この狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド
部８における高さＨ′が、前記各スルーホール４の箇所
における半田接続用ランド部７と同様に、各金属層２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの各々における厚さの総合
計となると言うように可成り高い寸法になる。
【０００８】従って、狭いピッチ間隔の各半田接続用ラ
ンド部８に対して、図２０に二点鎖線で示すように、集
積回路Ｂ等の電子部品を半田付けするときにおいて、こ
の各半田接続用ランド部８の相互間に、半田のブリッジ
が発生すると言う不具合を招来するのであった。本発明
は、回路基板を、当該回路基板に対する電子部品の半田
付けに半田ブリッジが発生することがない形態にして製
造できる方法を提供することを技術的課題とするもので
ある。
ンド部８に対して、図２０に二点鎖線で示すように、集
積回路Ｂ等の電子部品を半田付けするときにおいて、こ
の各半田接続用ランド部８の相互間に、半田のブリッジ
が発生すると言う不具合を招来するのであった。本発明
は、回路基板を、当該回路基板に対する電子部品の半田
付けに半田ブリッジが発生することがない形態にして製
造できる方法を提供することを技術的課題とするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、少なくとも上面に第１金属層を形成し
た絶縁基板に、スルーホール用の貫通孔を穿設したの
ち、前記第１金属層の表面及び貫通孔の内面に第２金属
層を無電解メッキにて形成し、次いで、この第２金属層
の全表面に対して第３金属層を電気メッキにて形成し、
前記絶縁基板の下面側に対してプリプレグを圧着したの
ち、前記第３金属層の表面に第４金属層を無電解メッキ
にて、この第４金属層の表面に第５金属層を電気メッキ
にて各々形成し、次いで、前記絶縁基板の上面側に対し
てホォトエッチングを施して、前記スルーホール用貫通
孔の箇所に半田接続用ランド部を、前記貫通孔以外の箇
所に複数個の半田接続用ランド部を狭いピッチ間隔で各
々形成するようにした回路基板の製造方法において、前
記絶縁基板のうち前記狭いピッチ間隔の半田接続用ラン
ド部を形成する領域の部分に、前記第２金属層を形成す
る以前の状態か、又は前記第３金属を形成する以前の状
態においてメッキバリヤ被膜を形成し、このメッキバリ
ヤ被膜を、前記ホォトエッチングを施す以前において除
去すると言う方法を採用した。
るため本発明は、少なくとも上面に第１金属層を形成し
た絶縁基板に、スルーホール用の貫通孔を穿設したの
ち、前記第１金属層の表面及び貫通孔の内面に第２金属
層を無電解メッキにて形成し、次いで、この第２金属層
の全表面に対して第３金属層を電気メッキにて形成し、
前記絶縁基板の下面側に対してプリプレグを圧着したの
ち、前記第３金属層の表面に第４金属層を無電解メッキ
にて、この第４金属層の表面に第５金属層を電気メッキ
にて各々形成し、次いで、前記絶縁基板の上面側に対し
てホォトエッチングを施して、前記スルーホール用貫通
孔の箇所に半田接続用ランド部を、前記貫通孔以外の箇
所に複数個の半田接続用ランド部を狭いピッチ間隔で各
々形成するようにした回路基板の製造方法において、前
記絶縁基板のうち前記狭いピッチ間隔の半田接続用ラン
ド部を形成する領域の部分に、前記第２金属層を形成す
る以前の状態か、又は前記第３金属を形成する以前の状
態においてメッキバリヤ被膜を形成し、このメッキバリ
ヤ被膜を、前記ホォトエッチングを施す以前において除
去すると言う方法を採用した。
【００１０】
【作 用】このように、絶縁基板のうち狭いピッチ間
隔の半田接続用ランド部を形成する領域の部分に、第２
金属層を形成する以前の状態か、又は第３金属を形成す
る以前の状態においてメッキバリヤ被膜を形成し、この
メッキバリヤ被膜を、各半田接続用ランド部を形成する
ためのホォトエッチングを施す以前において除去するよ
うにしたことにより、前記狭いピッチ間隔の半田接続用
ランド部を形成する領域の部分に、第２〜第５金属層又
は第３〜第５金属層が形成されることを阻止できる。
隔の半田接続用ランド部を形成する領域の部分に、第２
金属層を形成する以前の状態か、又は第３金属を形成す
る以前の状態においてメッキバリヤ被膜を形成し、この
メッキバリヤ被膜を、各半田接続用ランド部を形成する
ためのホォトエッチングを施す以前において除去するよ
うにしたことにより、前記狭いピッチ間隔の半田接続用
ランド部を形成する領域の部分に、第２〜第５金属層又
は第３〜第５金属層が形成されることを阻止できる。
【００１１】その結果、スルーホールの箇所における半
田接続用ランド部の高さを、第１金属層、第２金属層、
第３金属層、第４金属層及び第５金属層の各々における
厚さの総合計にすることができることにより、スルーホ
ール４を、当該箇所に形成した半田接続用ランド部にて
ブラインド型スルーホールに構成することができる一
方、狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部における高
さを、第１金属層の厚さか、又は、第１金属層の厚さに
第２金属層の厚さを加えた寸法に低くすることができる
のである。
田接続用ランド部の高さを、第１金属層、第２金属層、
第３金属層、第４金属層及び第５金属層の各々における
厚さの総合計にすることができることにより、スルーホ
ール４を、当該箇所に形成した半田接続用ランド部にて
ブラインド型スルーホールに構成することができる一
方、狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部における高
さを、第１金属層の厚さか、又は、第１金属層の厚さに
第２金属層の厚さを加えた寸法に低くすることができる
のである。
【００１２】
【発明の効果】従って、本発明によると、スルーホール
付きの回路基板を、そのスルーホールをブラインド型ス
ルーホールに構成し、且つ、電子部品の半田付けに際し
て狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部の相互間に半
田ブリッジが発生しない形態にして製造することができ
る効果を有する。
付きの回路基板を、そのスルーホールをブラインド型ス
ルーホールに構成し、且つ、電子部品の半田付けに際し
て狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部の相互間に半
田ブリッジが発生しない形態にして製造することができ
る効果を有する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１〜図１１の図
面について説明する。先づ、図１に示すように、上下両
面に銅等の厚さ１８ミクロンの第１金属層１２ａを形成
したガラスエポキシ樹脂製の絶縁基板１１に、スルーホ
ール用の貫通孔１３を複数個穿設する。
面について説明する。先づ、図１に示すように、上下両
面に銅等の厚さ１８ミクロンの第１金属層１２ａを形成
したガラスエポキシ樹脂製の絶縁基板１１に、スルーホ
ール用の貫通孔１３を複数個穿設する。
【００１４】次いで、第１金属層１２ａの表面及び各貫
通孔１３の内面に、図２に示すように、銅の無電解メッ
キによって、厚さ２ミクロンの第２金属層１２ｂを形成
したのち、この第２金属層１２ｂにおける表面のうち、
各貫通孔１３を除く部分に対して、合成樹脂製のフィル
ム２０を貼着するか、或いは、合成樹脂液を塗着するこ
とによって、メッキバリア被膜を形成する。
通孔１３の内面に、図２に示すように、銅の無電解メッ
キによって、厚さ２ミクロンの第２金属層１２ｂを形成
したのち、この第２金属層１２ｂにおける表面のうち、
各貫通孔１３を除く部分に対して、合成樹脂製のフィル
ム２０を貼着するか、或いは、合成樹脂液を塗着するこ
とによって、メッキバリア被膜を形成する。
【００１５】次いで、全体に対して、図３に示すよう
に、銅の電気メッキにて厚さ２０ミクロンの第３金属層
１２ｃを形成し、これによって、前記各貫通孔１３内に
スルーホール１４を形成したのち、図４に示すように、
絶縁基板１１の下面側に対してホォトエッチングを施す
ことによって、内層側配線パターン１５を形成する。次
いで、絶縁基板１１の下面側に対して、図５に示すよう
に、プリプレグ１６を、当該プリプレグ１６が前記スル
ーホール１４内まで入るように圧着したのち、表面側に
対して、図６に示すように、銅の無電解メッキによっ
て、厚さ２ミクロンの第４金属層１２ｄを形成し、更
に、この第４金属層１２ｄの表面に対して、図７に示す
ように、厚さ２０ミクロンの第５金属層２ｅを、銅の電
気メッキによって形成する。
に、銅の電気メッキにて厚さ２０ミクロンの第３金属層
１２ｃを形成し、これによって、前記各貫通孔１３内に
スルーホール１４を形成したのち、図４に示すように、
絶縁基板１１の下面側に対してホォトエッチングを施す
ことによって、内層側配線パターン１５を形成する。次
いで、絶縁基板１１の下面側に対して、図５に示すよう
に、プリプレグ１６を、当該プリプレグ１６が前記スル
ーホール１４内まで入るように圧着したのち、表面側に
対して、図６に示すように、銅の無電解メッキによっ
て、厚さ２ミクロンの第４金属層１２ｄを形成し、更
に、この第４金属層１２ｄの表面に対して、図７に示す
ように、厚さ２０ミクロンの第５金属層２ｅを、銅の電
気メッキによって形成する。
【００１６】そして、図８に示すように、前記合成樹脂
製フィルム２０を剥離・除去し、次いで、絶縁基板１１
の上面側に対してホォトエッチングを施すことによっ
て、図９に示すように、各スルーホール１４の箇所に、
当該スルーホール１４をブラインド型スルーホールにす
るための半田接続用ランド部１７を形成すると共に、各
スルーホール１４以外の箇所に、電子部品搭載用の半田
接続用ランド部１８を狭いピッチ間隔で形成したのち、
前記絶縁基板１１の上面のうち各半田接続用ランド部１
７，１８を除く部分に、図１０に示すように、ソルダレ
ジスト１９を塗着するのである。
製フィルム２０を剥離・除去し、次いで、絶縁基板１１
の上面側に対してホォトエッチングを施すことによっ
て、図９に示すように、各スルーホール１４の箇所に、
当該スルーホール１４をブラインド型スルーホールにす
るための半田接続用ランド部１７を形成すると共に、各
スルーホール１４以外の箇所に、電子部品搭載用の半田
接続用ランド部１８を狭いピッチ間隔で形成したのち、
前記絶縁基板１１の上面のうち各半田接続用ランド部１
７，１８を除く部分に、図１０に示すように、ソルダレ
ジスト１９を塗着するのである。
【００１７】このように、絶縁基板１１のうち狭いピッ
チ間隔の各半田接続用ランド部１８を形成する領域の部
分に、第３金属１２ｃを形成する以前の状態において合
成樹脂フィルム２０を貼着し、この状態で、第３金属層
１２ｃ及び第４金属層１２ｄ並びに第５金属層１２ｅを
形成したのち、各半田接続用ランド部１７，１８を形成
するためのホォトエッチングを施す以前において、前記
合成樹脂フィルム２０を、剥離・除去することにより、
前記狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８を形成
する領域の部分に、第３金属層１２ｃ及び第４金属層１
２ｄ並びに第５金属層１２ｅが形成されることを阻止で
きる。
チ間隔の各半田接続用ランド部１８を形成する領域の部
分に、第３金属１２ｃを形成する以前の状態において合
成樹脂フィルム２０を貼着し、この状態で、第３金属層
１２ｃ及び第４金属層１２ｄ並びに第５金属層１２ｅを
形成したのち、各半田接続用ランド部１７，１８を形成
するためのホォトエッチングを施す以前において、前記
合成樹脂フィルム２０を、剥離・除去することにより、
前記狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８を形成
する領域の部分に、第３金属層１２ｃ及び第４金属層１
２ｄ並びに第５金属層１２ｅが形成されることを阻止で
きる。
【００１８】その結果、スルーホール１４の箇所におけ
る半田接続用ランド部１７の高さＨ 1 を、第１金属層１
２ａ、第２金属層１２ｂ、第３金属層１２ｃ、第４金属
層１２ｄ及び第５金属層１２ｅの各々における厚さの総
合計、つまり、Ｈ1 ＝１８＋２＋２０＋２＋２０＝６２
ミクロンにすることができることにより、スルーホール
１４を、当該箇所に形成した半田接続用ランド部１７に
てブラインド型スルーホールに構成することができる一
方、狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８におけ
る高さＨ2 を、第１金属層１２ａの厚さに第２金属層１
２ｂの厚さを加えた寸法、つまり、Ｈ2 ＝１８＋２＝２
０ミクロンにと、大幅に低くすることができるのであ
る。
る半田接続用ランド部１７の高さＨ 1 を、第１金属層１
２ａ、第２金属層１２ｂ、第３金属層１２ｃ、第４金属
層１２ｄ及び第５金属層１２ｅの各々における厚さの総
合計、つまり、Ｈ1 ＝１８＋２＋２０＋２＋２０＝６２
ミクロンにすることができることにより、スルーホール
１４を、当該箇所に形成した半田接続用ランド部１７に
てブラインド型スルーホールに構成することができる一
方、狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８におけ
る高さＨ2 を、第１金属層１２ａの厚さに第２金属層１
２ｂの厚さを加えた寸法、つまり、Ｈ2 ＝１８＋２＝２
０ミクロンにと、大幅に低くすることができるのであ
る。
【００１９】従って、各スルーホール１４の箇所におけ
る半田接続用ランド部１７に対して、図１０及び図１１
に二点鎖線で示すように、チップ抵抗器Ａを確実に半田
付けすることができる一方、前記狭いピッチ間隔の各半
田接続用ランド部１８に対して、図１０及び図１１に二
点鎖線で示すように、集積回路Ｂを半田付けする場合
に、各半田接続用ランド部１８の相互間に半田のブリッ
ジが発生することを確実に回避できるのである。
る半田接続用ランド部１７に対して、図１０及び図１１
に二点鎖線で示すように、チップ抵抗器Ａを確実に半田
付けすることができる一方、前記狭いピッチ間隔の各半
田接続用ランド部１８に対して、図１０及び図１１に二
点鎖線で示すように、集積回路Ｂを半田付けする場合
に、各半田接続用ランド部１８の相互間に半田のブリッ
ジが発生することを確実に回避できるのである。
【００２０】なお、前記実施例は、第３金属層１２ｃを
形成する以前の状態において、メッキバリヤ用の合成樹
脂製フィルム２０を貼着する場合を示したが、このメッ
キバリヤ用の合成樹脂製フィルム２０を、第２金属層１
２ｂを形成する以前の状態において貼着するようにする
と、前記狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８に
おける高さを、第１金属層１２ａの厚さと同じにするこ
とができるのである。
形成する以前の状態において、メッキバリヤ用の合成樹
脂製フィルム２０を貼着する場合を示したが、このメッ
キバリヤ用の合成樹脂製フィルム２０を、第２金属層１
２ｂを形成する以前の状態において貼着するようにする
と、前記狭いピッチ間隔の各半田接続用ランド部１８に
おける高さを、第１金属層１２ａの厚さと同じにするこ
とができるのである。
【図１】本発明の実施例において絶縁基板に第１金属層
を形成した状態の縦断正面図である。
を形成した状態の縦断正面図である。
【図２】前記図１の絶縁基板に第２金属層を形成すると
共に合成樹脂製フィルムを貼着した状態の縦断正面図で
ある。
共に合成樹脂製フィルムを貼着した状態の縦断正面図で
ある。
【図３】前記図１の絶縁基板に第３金属層を形成した状
態の縦断正面図である。
態の縦断正面図である。
【図４】前記図１の絶縁基板の内層側配線パターンを形
成した状態の縦断正面図である。
成した状態の縦断正面図である。
【図５】前記図１の絶縁基板の下面にプリプレグを圧着
した状態の縦断正面図である。
した状態の縦断正面図である。
【図６】前記図１の絶縁基板に第４金属層を形成した状
態の縦断正面図である。
態の縦断正面図である。
【図７】前記図１の絶縁基板に第５金属層を形成した状
態の縦断正面図である。
態の縦断正面図である。
【図８】前記図１の絶縁基板から合成樹脂製フィルムを
剥離した状態の縦断正面図である。
剥離した状態の縦断正面図である。
【図９】前記図１の絶縁基板に半田接続用ランド部を形
成した状態の縦断正面図である。
成した状態の縦断正面図である。
【図１０】前記図１の絶縁基板にソルダレジストを塗着
した状態の縦断正面図である。
した状態の縦断正面図である。
【図１１】図１０の平面図である。
【図１２】本発明に至る以前の方法において絶縁基板に
第１金属層を形成した状態の縦断正面図である。
第１金属層を形成した状態の縦断正面図である。
【図１３】前記図１２の絶縁基板に第２金属層を形成し
た状態の縦断正面図である。
た状態の縦断正面図である。
【図１４】前記図１２の絶縁基板に第３金属層を形成し
た状態の縦断正面図である。
た状態の縦断正面図である。
【図１５】前記図１２の絶縁基板の内層側配線パターン
を形成した状態の縦断正面図である。
を形成した状態の縦断正面図である。
【図１６】前記図１２の絶縁基板の下面にプリプレグを
圧着した状態の縦断正面図である。
圧着した状態の縦断正面図である。
【図１７】前記図１２の絶縁基板に第４金属層を形成し
た状態の縦断正面図である。
た状態の縦断正面図である。
【図１８】前記図１２の絶縁基板に第５金属層を形成し
た状態の縦断正面図である。
た状態の縦断正面図である。
【図１９】前記図１２の絶縁基板に半田接続用ランド部
を形成した状態の縦断正面図である。
を形成した状態の縦断正面図である。
【図２０】前記図１２の絶縁基板にソルダレジストを塗
着した状態の縦断正面図である。
着した状態の縦断正面図である。
１１ 絶縁基板 １２ａ 第１金属層 １２ｂ 第２金属層 １２ｃ 第３金属層 １２ｄ 第４金属層 １２ｅ 第５金属層 １３ スルーホール用貫通孔 １４ スルーホール １５ 内層パターン １６ プリプレグ １７ 半田接続用ランド部 １８ 半田接続用ランド部 １９ ソルダレジスト ２０ メッキバリヤ用の合成樹脂製フィ
ルム
ルム
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも上面に第１金属層を形成した絶
縁基板に、スルーホール用の貫通孔を穿設したのち、前
記第１金属層の表面及び貫通孔の内面に第２金属層を無
電解メッキにて形成し、次いで、この第２金属層の全表
面に対して第３金属層を電気メッキにて形成し、前記絶
縁基板の下面側に対してプリプレグを圧着したのち、前
記第３金属層の表面に第４金属層を無電解メッキにて、
この第４金属層の表面に第５金属層を電気メッキにて各
々形成し、次いで、前記絶縁基板の上面側に対してホォ
トエッチングを施して、前記スルーホール用貫通孔の箇
所に半田接続用ランド部を、前記貫通孔以外の箇所に複
数個の半田接続用ランド部を狭いピッチ間隔で各々形成
するようにした回路基板の製造方法において、前記絶縁
基板のうち前記狭いピッチ間隔の半田接続用ランド部を
形成する領域の部分に、前記第２金属層を形成する以前
の状態か、又は前記第３金属を形成する以前の状態にお
いてメッキバリヤ被膜を形成し、このメッキバリヤ被膜
を、前記ホォトエッチングを施す以前において除去する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19565992A JPH0645728A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19565992A JPH0645728A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645728A true JPH0645728A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16344858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19565992A Pending JPH0645728A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645728A (ja) |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19565992A patent/JPH0645728A/ja active Pending
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